JP2010034207A - 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物は、特定の構造式で表わされるエポキシ樹脂(A)成分と、上記(A)成分以外のエポキシ樹脂(B)成分と、硬化剤(C)成分を用いて得られるものであり、通常、粉末状、もしくはこの粉末を打錠したタブレット状になっている。そして、上記(A)成分および(B)成分の混合割合〔(A):(B)〕が、重量比で、(A):(B)=60:40〜95:5に設定されている。
【選択図】なし
Description
(A)下記の構造式(1)で表されるエポキシ樹脂。
前記構造式(1)で表されるエポキシ樹脂〔式(1)中、n=1であり、エポキシ当量540:東都化成社製、ZX−1718−3〕
〔エポキシ樹脂b〕
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量185、液状)
〔エポキシ樹脂c〕
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量170、液状)
〔エポキシ樹脂d〕
下記の構造式(d)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量193、融点105℃)
3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3′,4′−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート(エポキシ当量134)
ヘキサヒドロ無水フタル酸
N,N−ジメチルベンジルアミン
〔シランカップリング剤〕
γ−メルカプトトリメトキシシラン
後記の表1および表2に示す各成分を同表に示す割合で配合し、80〜130℃に加熱したミキシングロールに3分間かけて溶融混練を行い、熟成した後、室温(25℃)まで冷却して粉砕することにより目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。
上記のようにして作製した各エポキシ樹脂組成物を用いて、専用金型で成形する(硬化条件:150℃×4分間成形)ことにより、硬化物試験片(大きさ:直径50mm×厚み1mm)を作製した。これを、150℃で3時間加熱することにより完全に硬化を終了させた。ついで、この硬化を完全に終了させた試験片を用い、示差走査熱量計(DSC:セイコーインスツル社製、DSC−6220)にて測定し、ガラス転移温度の前後に現れる2つの屈曲点の中間点をガラス転移温度(Tg)とした。
上記のようにして作製した各エポキシ樹脂組成物を用いて、専用金型で成形する(硬化条件:150℃×4分間成形)ことにより、硬化物試験片(大きさ:幅5mm×長さ35mm×厚み1mm)を作製した。これを、150℃で3時間加熱することにより完全に硬化を終了させた。ついで、この硬化を完全に終了させた試験片を用い、RHEOMETRIC SCIENTIFIC社製のRSA−IIにより、1Hz,30〜270℃の温度範囲を10℃/分の測定条件にて貯蔵弾性率を測定した。すなわち、この貯蔵弾性率は、上記測定したガラス転移温度(Tg)より50℃高い温度での測定値となる。
上記エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子(SiNフォトダイオード:1 .5mm×1.5mm×厚み0.37mm)をトランスファー成形(150℃×4分間成形、150℃×3時間後硬化)でモールドすることにより表面実装型光半導体装置を得た。この表面実装型光半導体装置は、図1に示すように、8ピンのスモールアウトラインパッケージ(SOP−8:4.9mm×3.9mm×厚み1.5mm)1で、リードフレーム2として、42アロイ合金素体の表面全面に銀メッキ層(厚み0.2μm)を形成したものを用いた。また、ワイヤー径は25μmである。
上記耐半田リフロー性にて評価した光半導体装置を用い、これを100℃〜−40℃を1サイクルとして300サイクルの温度サイクル試験にかけ、ワイヤーの断線および導通をチェックした。なお、上記耐半田リフロー性評価において、剥離およびクラックの発生した光半導体装置に関しては、温度サイクル試験に供しなかった。
Claims (4)
- 上記光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物のガラス転移温度が、110℃以上である請求項1または2記載の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1〜3のいすれか一項に記載の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子をトランスファー成形して封止してなる光半導体装置。
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