JP2010031353A5 - - Google Patents

Description

本発明の第１の態様は、ターゲットを支持するための面に対向する位置に配置される複数の磁石ユニットを備えるスパッタリングカソードであって、前記磁石ユニットの各々は、磁石と、前記面に対する前記磁石の距離を調節するために、前記磁石を前記面に垂直方向に移動させる距離調節機構と、前記磁石を前記面に平行に往復移動させる往復移動機構とを有し、前記面の同一側で、かつ前記往復移動の方向とは異なる所定の方向に沿って、前記複数の磁石ユニットが配置されていることを特徴とする。

Claims (8)

1. ターゲットを支持するための面に対向する位置に配置される複数の磁石ユニットを備えるスパッタリングカソードであって、
   前記磁石ユニットの各々は、
   磁石と、
   前記面に対する前記磁石の距離を調節するために、前記磁石を前記面に垂直方向に移動させる距離調節機構と、
   前記磁石を前記面に平行に往復移動させる往復移動機構とを有し、
   前記面の同一側で、かつ前記往復移動の方向とは異なる所定の方向に沿って、前記複数の磁石ユニットが配置されていることを特徴とするスパッタリングカソード。
2. 前記往復移動機構を前記往復移動の方向に移動させるように構成されたガイドレールをさらに備え、
   前記ガイドレールは、前記往復移動機構が前記往復移動の方向に移動するように前記往復移動機構と係合され、かつ前記距離調節機構に接続されており、
   前記往復移動機構が前記往復移動の方向に移動する際に前記距離調節機構および前記ガイドレールが前記往復移動の方向に動かないように、前記距離調節機構および前記ガイドレールは設けられていることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングカソード。
3. 前記所定の方向に沿って配置された複数の磁石ユニットは、前記所定の方向を長手方向とする磁石ユニット群を形成しており、
   前記磁石ユニット群は、前記往復移動の方向に沿って複数列配置されていることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングカソード。
4. 請求項１に記載のスパッタリングカソードを備えることを特徴とするスパッタリング装置。
5. 前記ターゲットを配置するための成膜室と、
   前記磁石ユニットが配置された磁石室とをさらに備え、
   前記磁石室は、前記成膜室を真空排気する排気系とは別の排気系によって真空排気されることを特徴とする請求項４に記載のスパッタリング装置。
6. 請求項４に記載のスパッタリング装置を制御するための制御装置であって、
   同一のターゲットを用いる所定の成膜において、成膜条件を成膜途中で変化させる場合、該変化毎に、前記磁石ユニットの各々において、前記成膜条件の変化による膜厚分布の増大を抑制するよう前記距離を調節するように前記距離調節機構を制御することを特徴とする制御装置。
7. 減圧されたチャンバ内に配置した基板と対向する位置にターゲットを装着し、該ターゲットの裏面側に複数の磁石ユニットを備えたマグネトロン方式のカソードを用いたスパッタリングによる成膜方法であって、
   同一のターゲットを用いたスパッタリングによる成膜の途中で成膜条件を変化させる場合、該変化毎に、前記磁石ユニットの各々において、前記成膜条件の変化による膜厚分布の増大を抑制するように、前記ターゲットと前記磁石との間の距離を制御することを特徴とする成膜方法。
8. 減圧されたチャンバ内に配置した基板と対向する位置にターゲットを装着し、該ターゲットの裏面側に複数の磁石ユニットを備えたマグネトロン方式のカソードを用いたスパッタリングによる電子装置の製造方法であって、
   同一のターゲットを用いたスパッタリングによる成膜の途中で成膜条件を変化させる場合、該変化毎に、前記磁石ユニットの各々において前記成膜条件の変化による膜厚分布の増大を抑制するように、前記ターゲットと前記磁石との間の距離を制御することを特徴とする電子装置の製造方法。