JP2010027119A - 磁気記録媒体および情報記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】簡易エラーレートの悪化が抑えられサイドイレーズ耐性が向上した磁気記録媒体等を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体２００において、磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔てたグラニュラ構造を有する第１のグラニュラ層２０４と、第１のグラニュラ層上に形成され、磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔てたグラニュラ構造を有し、第１のグラニュラ層が有する磁気異方性と異なる量の磁気異方性を有する第２のグラニュラ層２０５とを備える。
【選択図】 図２

Description

本件は、情報が磁気的に記録される磁気記録媒体と、そのような磁気記録媒体を搭載した情報記憶装置に関する。

コンピュータの分野では、日常的に多量の情報が取り扱われるようになっており、このような多量の情報を記録再生する情報記憶装置の１つとして、ハードディスク装置（ＨＤＤ：Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）が使用されている。ＨＤＤは記録容量が大きく情報へのアクセス速度が速いという特徴を持ち、ディスク状の磁気記録媒体、およびこの磁気記録媒体に情報を記録する磁気ヘッドを備えている。

情報記憶装置の大容量化および小型化に対応するため、磁気記録媒体には高記録密度化が求められている。高記録密度化を実現するため、基板上に形成された磁性層の磁化容易軸が基板面に対し垂直に配向した垂直磁気記録方式の記録媒体（以降、垂直磁気記録媒体と称する。）を用いた磁気記録装置（以降、垂直磁気記録装置と称する。）が実用化されている。垂直磁気記録装置は、垂直磁気記録媒体の記録ビット境界での反磁界の影響が小さく、情報の高密度記録が可能である。また、高記録密度を高めるため、記録層の下方に軟磁性体材料からなる裏打層を形成した構造が提案されている（例えば、特許文献１，２参照。）。このような構造の垂直磁気記録媒体では、磁気ヘッドの主磁極で発生した磁束が裏打層に向かって記録層を通過し、記録層を垂直に磁化する。これによって記録層に情報が磁気的に記録される。裏打層を通った磁束は磁気ヘッドの補助磁極へと戻り、磁気回路を形成する。記録層の磁化状態は、磁気ヘッドにおける主磁極の垂直磁気記録媒体に対向する面の形状によって決まる。裏打層を有する垂直磁気記録媒体は書込み能力が高く、例えば５０００Ｏｅを超える大きな保磁力を有する磁気記録層にも書込みが可能である。
特開２００２−２０３３０６号公報 特開昭６２−２３９３１４号公報

垂直磁気記録媒体の記録密度を高めるには記録ビットの領域を小さくして記録ビットどうしを近接させる必要がある。ただし、記録ビット同士を近接させると、一方の記録ビットに記録された情報が、隣接する記録ビットへの記録磁束の影響を受けて消えやすくなる。垂直記録媒体において、情報が記録されたトラックについて、隣接したトラック上に磁気ヘッドからの磁場を印加するとき、いわゆる漏れ磁場により記録された情報が消される現象をサイドイレーズと称する。垂直磁気記録媒体のサイドイレーズ耐性が大きいほど、隣接するトラック間隔、つまり記録ビットの間隔を狭くすることが可能となる。垂直磁気記録媒体のサイドイレーズ耐性は、記録層を形成する材料の磁気異方性に依存し、磁気異方性が大きくなるほどサイドイレーズ耐性も大きくなる。しかしながら、磁気異方性を大きくすると、今度は磁気ヘッドによる記録能力が相対的に不足し、記録の誤り率を表す簡易エラーレートが上昇する。

上記事情に鑑み、本件開示は、簡易エラーレートの悪化を抑えつつ、サイドイレーズ耐性が向上した磁気記録媒体および情報記憶装置を提供する。

本件開示の磁気記録媒体の基本形態は、情報を担持する磁場の印加を受けてこの情報を磁気的に記録する記録層を有する磁気記録媒体であって、
上記記録層が、
磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔てたグラニュラ構造を有する第１のグラニュラ層と、
上記第１のグラニュラ層上に形成され、磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔てたグラニュラ構造を有し、この第１のグラニュラ層が有する磁気異方性と異なる量の磁気異方性を有する第２のグラニュラ層とを備えている。

また、上本件開示の情報記憶装置の基本形態は、
情報を担持する磁場の印加を受けてこの情報を磁気的に記録する記録層を有する磁気記録媒体と、
上記磁気記録媒体の上記記録層に対して情報記録を実行するヘッドと備え、
上記記録層が、
磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔てたグラニュラ構造を有する第１のグラニュラ層と、
上記第１のグラニュラ層上に形成され、磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔てたグラニュラ構造を有し、この第１のグラニュラ層が有する磁気異方性と異なる量の磁気異方性を有する第２のグラニュラ層とを備えたことを特徴とする。

これらの基本形態によれば、簡易エラーレートの悪化が抑えられサイドイレーズ耐性が向上する。

以上説明したように、磁気記録媒体および情報記憶装置の上記基本形態によれば、簡易エラーレートの悪化を抑えつつサイドイレーズ耐性を向上させることができる。

上記説明した磁気記録媒体および情報記憶装置の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。

図１は、基本形態について説明した情報記憶装置の一例であるハードディスク装置（ＨＤＤ）を示す図である。

この図１に示すＨＤＤ１０のハウジング１０１には、回転軸１０２に装着されて回転する磁気ディスク２００と、磁気ディスク２００に対して情報記録と情報再生とを行なう磁気ヘッド１０３を先端に保持したヘッドジンバルアセンブリ１０４と、このヘッドジンバルアセンブリ１０４が固着されてアーム軸１０５を中心に磁気ディスク２００の表面に沿って移動するキャリッジアーム１０６とキャリッジアーム１０６を駆動するアームアクチュエータ１０７とが収納されている。ここで、磁気ディスク２００が、上述の磁気記録媒体および情報記憶装置の基本形態における磁気記録媒体の一例に相当し、磁気ヘッド１０３が、その基本形態におけるヘッドの一例に相当する。

磁気ディスク２００は、情報を担持する磁場の印加を受けてこの情報を磁気的に記録する。磁気ディスク２００への情報の記録および磁気ディスク２００に記録された情報の再生に当たっては、アームアクチュエータ１０７によってキャリッジアーム１０６が駆動されて、磁気ヘッド１０３が、回転する磁気ディスク２００上の所望のトラックに位置決めされる。そして、この磁気ヘッド１０３は、磁気ディスク２００の回転に伴って、磁気ディスク２００の各トラックをなぞって複数の情報を順次に記録する。

ここで、本実施形態では、磁気ディスク２００のディスク面に対して垂直な方向の磁化によって情報が記録される垂直磁気記録方式が採用されている。このため、磁気ディスク２００は、ディスク面に対して垂直な方向を磁化容易軸とした後述の記録層を有している。そして、情報は、磁化が磁気ディスク２００の表面側を向いた状態と、裏面側を向いた状態との２状態を利用して記録層に記録される。

情報の記録時には、このように磁気ディスク２００に近接した磁気ヘッドに電気的な記録信号が入力され、磁気ヘッド１０３により、その記録信号に応じた極性の磁界が磁気ディスク２００に印加される。そして、記録層中の磁化が、磁気ディスク２００の表面側と裏面側のうちの、その印加された磁界の極性に応じた側を向くことで情報が記録される。また、情報の再生時には、磁気ヘッド１０３によって、記録層中の磁化が発する微小磁界が検出され、情報が、その微小磁界の極性に応じた電気的な再生信号として取り出される。

図２は、図１に示す磁気ディスク２００の断面を模式的に示す図である。

この図２に示すように、磁気ディスク２００は、ディスク基板２０１、裏打軟磁性層２０２、中間層２０３、第１グラニュラ記録層２０４、第２グラニュラ記録層２０５、キャップ層２０６、および、保護層２０７が、この順番で積層されたものである。

ここで、第１グラニュラ層２０４が、上述の基本形態における第１のグラニュラ層の一例に相当し、第１グラニュラ記録層２０４上に形成された第２グラニュラ記録層２０５が、基本形態における第２のグラニュラ層の一例に相当する。また、第１グラニュラ層２０４および第２グラニュラ記録層２０５の組合せが基本形態における記録層の一例に相当する。

ディスク基板２０１は、ガラスまたはアルミニウム合金といった非磁性材料で形成された表面が平坦な円盤状の部材であり、外力によって破損しない程度の機械的強度を有している。

裏打軟磁性層２０２は、軟磁性材料で形成された非晶質であり、情報記録時に上記の磁気ヘッド１０３が印加した磁界に係る磁力線が磁気ヘッド１０３へと戻っていくときの磁路としての役割を果たす。裏打軟磁性層２０２の軟磁性材料としては、ＣｏＺｎＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＣｏＡｌＯ、ＣｏＮｉＦｅＢ、ＣｏＦｅ_２Ｏ_４、ＺｎＦｅ_２Ｏ_４、またはＣｏＦｅの合金で形成されている。

中間層２０３は、第１グラニュラ記録層２０４および第２グラニュラ記録層２０５の結晶配向性および結晶粒径を制御するために形成される。中間層２０３は、ＮｉＷおよびＲｕを下からこの順で積層した積層膜である。ただし、Ｒｕの代わりにＲｕＣ、ＲｕＣｒといったＲｕ合金も採用可能である。

第１グラニュラ記録層２０４は、中間層２０３上に形成されており、複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔てたグラニュラ構造を有する。また、第２グラニュラ記録層２０５は、第１グラニュラ記録層２０４上に形成されており、複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔てたグラニュラ構造を有する。第１グラニュラ記録層２０４および第２グラニュラ記録層２０５では、各磁性粒子は、各層の厚み方向に成長した柱状の粒子である。そして、それら柱状の磁性粒子の周りに非磁性材料が偏析したグラニュラ構造となっている。これにより、第１グラニュラ記録層２０４および第２グラニュラ記録層２０５では、柱状の磁性粒子それぞれが、ディスク面に対して垂直な方向を磁化容易軸とした強い磁気異方性を有している。

第１グラニュラ記録層２０４および第２グラニュラ記録層２０５のそれぞれが有する磁性粒子はＣｏおよびＰｔを含有している。より具体的には、第１グラニュラ記録層２０４および第２グラニュラ記録層２０５のそれぞれは、磁性粒子が、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、およびＣｏＰｔのいずれかの合金で形成されたものであり、上記非磁性材料が、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、およびＯのうちから選択された材料を含有する酸化物である。ＣｏＣｒやＣｏＣｒＰｔ等の上記合金は良好な磁性材料であり、ＳｉＯ_２やＴｉＯ_２等は良好な非磁性材料であり、これらを組み合わせることで、グラニュラ構造を簡単に実現することができる。第２グラニュラ記録層２０５は、第１グラニュラ記録層２０４が有する磁気異方性の量と異なる量の磁気異方性を有する。より詳細には、第２グラニュラ記録層２０５は、第１グラニュラ記録層２０４が有する磁気異方性よりも小さい磁気異方性を有する。さらに詳細には、第１グラニュラ記録層２０４は、４×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以上の磁気異方性を有し、第２グラニュラ記録層２０５は、３×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以下の磁気異方性を有している。磁気異方性は、それぞれ測定によって得られる飽和磁化Ｍｓと異方性磁界Ｈｋとの積の１／２の値として算出される。

第１グラニュラ記録層２０４および第２グラニュラ記録層２０５の磁気異方性は、磁性粒子に含まれるＣｒおよびＰｔの一方または両方の含有比率を変えることによって調整することができる。例えば、Ｃｒの含有比率が低いほど磁気異方性が大きくなり、また、Ｐｔの含有比率が高いほど磁気異方性が大きくなる。したがって、第２グラニュラ記録層２０５の磁気異方性を第１グラニュラ記録層２０４より小さくするためには、第２グラニュラ記録層２０５におけるＣｒの含有比率を第１グラニュラ記録層２０４より高くするか、または、Ｐｔの含有比率を第１グラニュラ記録層２０４より低くする、あるいは、Ｃｒの含有比率を高くするとともにＰｔの含有比率を低くすればよい。第１グラニュラ記録層の材料として、例えば、磁性材料のうちＣｒを９ａｔ％、Ｐｔを１７ａｔ％含有するＣＣＰ（９−１７）−８ＴｉＯ_２を用いた場合、この材料における飽和磁化Ｍｓの測定値は５５０ｅｍｕであり、異方性磁界Ｈｋの測定値は１５．５ｋＯｅである。このとき、磁気異方性Ｋｕは、
Ｋｕ ＝ （５５０×１５．５×１０^３）／２ ＝ ４．２６×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ
であり、４×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以上の磁気異方性となる。この一方、第２グラニュラ記録層についても、例えば、磁性材料のうちＣｒを１３ａｔ％、Ｐｔを１３ａｔ％含有するＣＣＰ（１３−１３）−８ＴｉＯ_２を用いることで、第１グラニュラ記録層の上記例における磁気異方性よりも小さい３×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以下の磁気異方性が得られる。

キャップ層２０６は、ＣｏＣｒＰｔまたはＣｏＣｒＰｔＢで形成されている。

保護層２０７は、窒化カーボン（ＣＮ）、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＣＬ）、または窒化シリコン（ＳｉＮ）といった高硬度の材料で形成されている。

磁気ディスク２００は、第１グラニュラ記録層２０４上に、この第１のグラニュラ層２０４が有する磁気異方性の量と異なる量の磁気異方性を有する第２グラニュラ記録層２０５を有している。このため、磁気ディスク２００のサイドイレーズ耐性を大きくするために、磁気異方性の高い第１のグラニュラ層を採用した場合に、記録層の全てを磁気異方性の高い第１のグラニュラ層で形成する場合に比べ、簡易エラーレートの上昇が抑えられる。また、磁気ディスク２００は、第２グラニュラ記録層２０５が有する磁気異方性は第１グラニュラ記録層２０４が有する磁気異方性より小さい。磁路となる裏打軟磁性層２０２に対し、第１グラニュラ記録層２０４を第２グラニュラ記録層２０５より近くに配置することで、磁気異方性が相対的に大きい第１グラニュラ記録層２０４での記録が促され、簡易エラーレートの上昇をさらに抑制される。

図２に示す磁気ディスク２００に製造方法について説明する。

磁気ディスク２００を製造するには、まず、ガラス製またはアルミニウム合金製の例えば直径２．５インチの円盤状のディスク基板２０１を用意する。次にディスク基板２０１をＤＣマグネトロンスパッタ送信のチャンバ内に配置して、チャンバ内を真空排気する。その後、例えばＣｏＺｎＮｂ等の軟磁性体材料をスパッタリングし、ディスク基板２０１上に裏打軟磁性層２０２を３０〜１００ｎｍの厚さに形成する。なお、裏打軟磁性層２０２はめっき法により形成してもよい。

次に、裏打軟磁性層２０２の上にＮｉＷを５〜９ｎｍ、Ｒｕを２０ｎｍの厚さに順次スパッタリングして、これらの金属幕を積層した構造の中間層２０３を形成する。

次に、スパッタ法により、中間層２０３の上に、例えばＣｏＣｒＰｔーＳｉＯ_２のグラニュラ構造を有する第１グラニュラ記録層２０４を例えば９ｎｍの厚さに形成する。次に、スパッタ法により、第１グラニュラ記録層２０４の上に、例えばＣｏＣｒＰｔーＳｉＯ_２のグラニュラ構造を有する第２グラニュラ記録層２０５を例えば３ｎｍの厚さに形成する。このとき、第２グラニュラ記録層２０５のＣｒの含有比率を第１グラニュラ記録層２０４より高くするとともにＰｔの含有比率を低くする。

次に、第２グラニュラ記録層２０５の上にキャップ層２０６として、非グラニュラ構造を有するＣｏＣｒＰｔＢを例えば８ｎｍの厚さに形成する。

次に、ＡｒおよびＮを含む雰囲気中でＣＮをスパッタリングすることにより、キャップ層２０６の上に保護層２０７を例えば３〜５ｎｍの厚さに形成する。なお、保護層２０７をＤＬＣで形成するときはＣＶＤ法を使用し、ＳｉＮで形成するときはスパッタ法を使用する。

最後に、図２には図示しないが、保護層２０７の上にパーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、またはフッ素化カルボンサンを例えば０．５ｎｍ〜５ｎｍの厚さに塗布して、潤滑層を形成する。

このようにして、磁気ディスク２００が得られる。

次に、図２に示した構造の磁気ディスクにおいて、簡易エラーレートの悪化が抑えられ、サイドイレーズ耐性が向上することについて、第１グラニュラ記録層２０４および第２グラニュラ記録層２０５の条件が異なる複数のサンプルの例を示して説明する。、 図３および図４は、第１グラニュラ記録層２０４および第２グラニュラ記録層２０５の条件が異なる複数のサンプルおよび比較サンプルについて、簡易エラーレートの悪化が抑えられ、サイドイレーズ耐性が向上する様子を示すグラフである。

ここでは、図２に示した構造の磁気ディスクとして、サンプルとして第１から第４まで４つのサンプルを、上述した製造方法の例により作成し特性を測定した。また３つの比較サンプルも作成し特性を測定した。４つのサンプルは、いずれも、第１グラニュラ記録層２０４に、磁気異方性が４×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以上の材料を用い、第２グラニュラ記録層２０５に磁気異方性が３×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以下の材料を用いた。より具体的には、第１グラニュラ記録層２０４の材料として、磁性材料ＣｏＣｒＰｔのうちＣｒを９ａｔ％、Ｐｔを１７ａｔ％含有するＣＣＰ（９−１７）−８ＴｉＯ_２を用い、第２グラニュラ記録層の材料として、磁性材料ＣｏＣｒＰｔのうちＣｒを１３ａｔ％、Ｐｔを１３ａｔ％含有するＣＣＰ（１３−１３）−８ＴｉＯ_２を用いた。また、４つのサンプルは、磁化の全体量を等しくするため、第１グラニュラ記録層２０４における膜厚ｔと飽和磁束Ｂｓの積ｔ×Ｂｓ、および、第２グラニュラ記録層２０５における膜厚ｔと飽和磁束Ｂｓの積ｔ×Ｂｓの和が７０Ｇａｕｓｓμｍで一定となるようにした上で、それぞれの膜厚ｔを調整することによって、それぞれの膜厚ｔと飽和磁束の積ｔ×Ｂｓを変えた。なお、飽和磁束Ｂｓとして、磁気ディスクとは別に、ＣＣＰ（９−１７）−８ＴｉＯ_２およびＣＣＰ（１３−１３）−８ＴｉＯ_２を用いて形成した試料の測定値を用いた。

４つのサンプルのうち、第１サンプルは、第１グラニュラ記録層における膜厚ｔと飽和磁束の積ｔ×Ｂｓ（以降、単に「積ｔＢｓ」とも称する）が６０Ｇａｕｓｓμｍとなり、第２グラニュラ記録層における積ｔＢｓを１０Ｇａｕｓｓμｍとなるように形成した。すなわち、第１グラニュラ記録層の積ｔＢｓと第２グラニュラ記録層における積ｔＢｓとの比は６０：１０である。また、第２サンプルは、第１グラニュラ記録層の積ｔＢｓが５０Ｇａｕｓｓμｍとなり、と第２グラニュラ記録層の積ｔＢｓが２０Ｇａｕｓｓμｍとなるように形成した。すなわち、第１グラニュラ記録層の積ｔＢｓと第２グラニュラ記録層の積ｔＢｓとの比は５０：２０である。また、第３サンプルは、第１グラニュラ記録層の積ｔＢｓが３０Ｇａｕｓｓμｍとなり、と第２グラニュラ記録層の積ｔＢｓが４０Ｇａｕｓｓμｍとなるように形成した。すなわち、第１グラニュラ記録層の積ｔＢｓと第２グラニュラ記録層の積ｔＢｓとの比は３０：４０である。また、第４サンプルは、第１グラニュラ記録層の積ｔＢｓが１０Ｇａｕｓｓμｍとなり、と第２グラニュラ記録層の積ｔＢｓが６０Ｇａｕｓｓμｍとなるように形成した。すなわち、第１グラニュラ記録層の積ｔＢｓと第２グラニュラ記録層の積ｔＢｓとの比は１０：５０である。

また、比較例として３つの比較サンプルを用意した。第１比較サンプルは、グラニュラ記録層として上記サンプルにおける第２グラニュラ記録層に対応する層は形成せず、磁気異方性が４×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以上のＣＣＰ（９−１７）−８ＴｉＯ_２で第１グラニュラ記録層に対応する１層のみを形成した。この層は、積ｔＢｓが７０Ｇａｕｓｓμｍとなるように形成した。第１比較サンプルにおける積の比を７０：０と表現する。

また、第２比較サンプルは、グラニュラ記録層として上記サンプルにおける第１グラニュラ記録層に対応する層は形成せず、磁気異方性が３×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以下のＣＣＰ（１３−１３）−８ＴｉＯ_２で第２グラニュラ記録層に対応する１層のみを形成した。この層は、積ｔＢｓが７０Ｇａｕｓｓμｍとなるように形成した。第２比較サンプルにおける積の比を０：７０と表現する。

また、第３比較サンプルは、グラニュラ記録層として、磁性材料のうちＣｒを１１ａｔ％、Ｐｔを１３ａｔ％含有するＣＣＰ（１１−１３）−８ＴｉＯ_２で１層のみ形成した。ＣＣＰ（１１−１３）−８ＴｉＯ_２は、上記サンプルにおける第１グラニュラ記録層の材料組成と第２グラニュア層の材料組成の中間的な組成の材料である。この層は、積ｔＢｓが７０Ｇａｕｓｓμｍとなるように形成した。

図３は、４つのサンプルおよび３つの比較サンプルにおける簡易エラーレートＶＭＭＬ２と記録幅ＷＣｗを示すグラフである。

ＶＭＭ２Ｌは、再生時に磁気ヘッドから出力される信号から記録情報を復号する復号方法の１つであるビタビ復号法において、復号結果がどの程度不確かなものとなっているかを表すことで再生信号におけるエラーレートを示すものである。再生時には、磁気ヘッドから、各々が１ビットの情報に対応している信号値の配列からなる再生信号が出力される。ビタビ復号法は、まず、所定ビット数の信号値配列毎に、その信号値配列が表しているであろう情報配列の候補が２種類用意される。そして、信号配列を構成する各ビットの信号値と、情報配列の候補を構成する各ビットの情報との差の２乗和（メトリック値）が算出され、メトリック値が小さい候補が、その信号配列が表している情報配列として選択される。上記のＶＭＭ２Ｌは、磁気ディスクにおいて記録情報が磁気ヘッドで再生されたときの再生信号を上記の所定ビット数の信号配列に分割したときの複数の信号配列のうち、上記の２種類の候補間におけるメトリック値の差が所定の閾値を下回った信号値配列の数である。

実効トラック幅は、磁気ヘッドから見たときに、磁気ディスク上に情報が記録されていると認識できるトラックの幅であり、磁気ディスクに形成されたトラックからの情報の再生を、磁気ヘッドをトラックの幅方向にずらしながら行い、再生可能なずれの範囲を測定することで得られる。この実効トラック幅が広いということは、情報の記録時に磁化の配向が広く拡散していることを意味する。

図３に示すグラフでは、横軸に実効トラック幅Ｗｃｗがとられ、縦軸にＶＭＭ２Ｌがとられている。そして、このグラフ上には、４つのサンプルおよび３つの比較サンプルについて、磁気ディスク上の２つのトラックそれぞれについて情報の再生が行われたときの、各トラックの実行トラック幅Ｗｃｗと、そのトラックからの再生信号についてのＶＭＭ２Ｌとに対応する点がプロットされている。一般的に、同一の磁気ディスクでは、実効トラック幅が大きいほどＶＭＭ２Ｌが小さい傾向を有することから、図３のグラフでは、実効トラック幅が小さく、かつＶＭＭ２Ｌが小さいほど、すなわち、グラフの左下に向かうほど磁気ディスクとしてのエラーレートが小さいといえる。

図４は、４つのサンプルおよび３つの比較サンプルにおける簡易エラーレートＶＭＭ２ＬとサイドイレーズＳ−ＥＲＳを示すグラフである。

サイドイレーズは、磁気ディスクのトラック上にデータを記録した後、このトラックの近傍に別の値のデータを記録した場合に、先に記録したトラックから記録したデータと同じ値のデータが読み出される程度を表している。磁気ディスクの特性として、０に向かうほど、すなわちグラフの右に向かうほど、近接する位置への書き込みのからの影響を受けにくく良好であり、サイドイレーズ耐性が高いことを表している。

図４および図３のグラフに示すように、相対的に磁気異方性の小さい３×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以下の材料のみでグラニュラ記録層が形成された第２比較サンプルは、サイドイレーズ特性が不良であるが、この一方で、第１比較サンプルのように、相対的に磁気異方性の大きい４×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以上の材料のみでグラニュラ記録層が形成された場合にはエラーレートが不良となる。一方、磁気異方性が相対的に大きい４×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以上の材料で形成された第１のグラニュラ層と、磁気異方性が相対的に小さい３×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以下の材料で形成された第２のグラニュラ層と有する第１サンプルから第４サンプルまでの４つのサンプルは、サイドイレーズ特性およびエラーレートともに良好となっている。特に、第１のグラニュラ層における積ｔＢｓと、第２の磁性グラニュラ層における積ｔＢｓとの比が６０：１０から５０：２０までの範囲となるよう形成された第１サンプルおよび第２サンプルは、エラーレートの悪化を抑えつつ、サイドイレーズ特性がさらに良好である。第１サンプルおよび第２サンプルは、第１グラニュラ記録層の材料組成と第２グラニュア層の材料組成の中間的な組成の材料（ＣＣＰ（１１−１３）−８ＴｉＯ_２）でグラニュア記録層が形成された第３比較サンプルに比べても、エラーレートが同程度の範囲に抑えられ、かつ、サイドイレーズ特性が良好である。
この中でも特に、第１のグラニュラ層における積ｔＢｓと、第２の磁性グラニュラ層における積ｔＢｓとの比が５０：２０の第２サンプルは、第３比較サンプルに比べ、エラーレートおよびサイドイレーズ特性のいずれも良好である。

なお、上記では、上述の基本形態における第１のグラニュラ層および第２のグラニュラ層の一例として、４×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以上の磁気異方性を有する第１グラニュラ記録層２０４、および、３×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以下の磁気異方性を有する第２グラニュラ記録層２０５の例が示されているが、これら第１のグラニュラ層および第２のグラニュラ層は、上記の値の範囲外の磁気異方性を有するものであってもよい。

情報記憶装置の一例であるハードディスク装置を示す図である。 図１に示す磁気ディスク２００の断面を模式的に示す図である。 ４つのサンプルおよび３つの比較サンプルにおける簡易エラーレートと記録幅を示すグラフである。 ４つのサンプルおよび３つの比較サンプルにおける簡易エラーレートとサイドイレーズを示すグラフである。

符号の説明

１０ ＨＤＤ（情報記憶装置）
２００ 磁気ディスク（磁気記録媒体）
２０１ ディスク基板
２０２ 裏打軟磁性層
２０３ 中間層
２０４ 第１グラニュラ記録層（第１のグラニュラ層）
２０５ 第２グラニュラ記録層（第２のグラニュラ層）

Claims (5)

1. 情報を担持する磁場の印加を受けて該情報を磁気的に記録する記録層を有する磁気記録媒体であって、
   前記記録層が、
   磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔てたグラニュラ構造を有する第１のグラニュラ層と、
   前記第１のグラニュラ層上に形成され、磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔てたグラニュラ構造を有し、該第１のグラニュラ層が有する磁気異方性と異なる量の磁気異方性を有する第２のグラニュラ層とを備えたことを特徴とする磁気記録媒体。
2. 前記第２のグラニュラ層が、前記第１のグラニュラ層の磁気異方性よりも小さな磁気異方性を有するものであることを特徴とする磁気記録媒体。
3. 前記第１のグラニュラ層および前記第２のグラニュラ層のそれぞれが有する磁性粒子がＣｏおよびＰｔを含有するものであることを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録媒体。
4. 前記第１のグラニュラ層における飽和磁束および層厚の積と、前記第２の磁性グラニュラ層における飽和磁束および層厚の積との比が６０：１０から５０：２０までの範囲となるよう形成されたことを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の磁気記録媒体。
5. 情報を担持する磁場の印加を受けて該情報を磁気的に記録する記録層を有する磁気記録媒体と、
   前記磁気記録媒体の前記記録層に対して情報記録を実行するヘッドと備え、
   前記記録層が、
   磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔てたグラニュラ構造を有する第１のグラニュラ層と、
   前記第１のグラニュラ層上に形成され、磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔てたグラニュラ構造を有し、該第１のグラニュラ層が有する磁気異方性と異なる量の磁気異方性を有する第２のグラニュラ層とを備えたものであることを特徴とする情報記憶装置。

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