JP2009163837A

JP2009163837A - 垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録装置

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Publication number: JP2009163837A
Application number: JP2008001958A
Authority: JP
Inventors: Akira Kurita; 亮栗田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2008-01-09
Filing date: 2008-01-09
Publication date: 2009-07-23

Abstract

【課題】垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録装置に関し、高Ｋｕ材を記録層として用いた垂直磁気記録媒体における、磁気的孤立化を垂直磁気記録媒体全面にわたり形成し、ノイズを低減する。
【解決手段】基板上に軟磁性層、中間層、垂直磁気記録層、及び、保護膜を少なくとも各１層以上設けている垂直磁気記録媒体であって、前記垂直磁気記録層は少なくともグラニュラ構造の合金膜からなる磁気記録層を有するとともに、前記中間層と前記グラニュラ構造の磁気記録層との間に、前記グラニュラ構造の磁気記録層と接するようにグラニュラ構造の合金膜からなる孤立促進層を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録装置に関するものであり、特に、少なくともグラニュラ磁気記録層を備えた垂直磁気記録媒体の低ノイズ化のための構成に関するものである。

近年、磁気記録装置（ＨＤＤ）は、コンピュータだけではなく、ハードディスクビデオレコーダ等の映像記録機器や、携帯型音楽再生装置等にも使用されるようになった。
それに伴い、磁気記録装置のより一層の大容量化及び小型化が要求されている。

このような磁気記録装置の大容量化及び小型化を達成するためには、記録密度の向上が必須であり、従来は、記録を担う磁性層の磁化容易軸が基板面に対して平行に配向した水平磁気記録方式の記録媒体、即ち、面内記録型磁気ディスクを用いた磁気記録装置が一般的であった。

これに対し、近年、磁性層の磁化容易軸が基板面に対し垂直に配向した垂直磁気記録方式の記録媒体、即ち、垂直磁気記録媒体を用いた垂直磁気記録装置が実用化されるようになった。

この垂直磁気記録装置では、記録媒体の記録ビット境界での反磁界の影響が小さく、データを鮮明に記録できるため、データの高密度記録が可能であるという利点がある。
また、より一層の高密度記録を可能とするために、記録層の下方に軟磁性体からなる裏打層を形成することが提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。

ここで、図６を参照して、垂直磁気記録装置における記録原理を説明する。
図６参照
図６は、垂直磁気記録の原理図であり、垂直磁気記録媒体７０は、基板７１と、基板７１上に形成された軟磁性体からなる裏打層７２と、裏打層７２の上に形成された中間層７３と、中間層７３の上に形成された磁気記録層７４とにより構成されている。
また、必要に応じて、磁気記録層７４の上に保護層や潤滑層（いずれも、図示を省略）を形成する。

磁気ヘッドを使用して垂直磁気記録媒体にデータを記録する場合には、ライトコイル６３に書込電流を流して励磁すると、主磁極６１の先端と垂直記録媒体７０の下層を構成する裏打層７２の間に垂直方向の磁束６４が発生し、磁束６４は裏打層７２に向って磁気記録層７４を垂直に通過し、磁気記録層７４を垂直方向に磁化する。
これにより垂直記録媒体７０の磁気記録層７４に記録がなされる。

裏打層７２に流れ込んだ磁束６４は補助磁極６２へと戻り、１つの磁気回路を形成する。
この際、垂直記録媒体７０に対向する面の主磁極６１の形状によって、記録される磁化状態が決まり、特に、媒体走行方向に対する下流側すなわち主磁極トレーリングエッジにおける大きな磁界で記録が行われる。

このように垂直磁気記録媒体側に裏打層を有するため、垂直記録方式では、ヘッド書き込み能力が高く、１０Ｔ（テスラ）を超える記録磁界を発生させることができ、５ｋ〔Ｏｅ〕を超える比較的大きな保磁力を有する磁気記録層にも書き込みが可能である。

このような垂直磁気記録媒体において、高密度記録を行うにはグラニュラ磁性層の粒径を微細化したり、磁気記録層の薄膜化などが要求される（例えば、特許文献３参照）。
これにより、磁区ドメインを小さくすることは可能になるが、磁気記録層に記録されているデータが消失する、所謂“熱揺らぎ”が問題となる。

このような“熱揺らぎ”によるデータの消失を防ぐにはＫｕ×Ｖ／（ｋＢ×Ｔ）を大きくすれば良いが、Ｖ（体積）の増大は高密度記録で要求されているグラニュラ磁性層の粒径微細化、磁性層薄膜化に逆行することになる。

そこで、磁気異方定数Ｋｕの大きな磁性材料を記録層として用いればＫｕ×Ｖ／（ｋＢ×Ｔ）を大きくすることができ、５×１０⁶ｅｒｇ／ｃｃ以上の高Ｋｕ材として、従来から用いられているグラニュラ記録層であるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂のＣｒ含有量を低減すれば良い。

しかし、Ｃｒ含有量を低減すれば、グラニュラ記録層を構成する粒界に偏析するＣｒの量が少なくなって、ＣｏＣｒＰｔ粒子間の磁気的な結合が強くなって、磁気的な孤立状態が緩和され、ノイズ要因となる問題がある。

そこで、高Ｋｕ材を磁気記録層として用いた時の磁気的孤立状態を促進する方法として、中間層を構成するＲｕの最表面を酸素曝露することが提案されている（例えば、特許文献４参照）。

即ち、中間層上にグラニュラ記録層を成長させる場合、Ｒｕ粒子上にＣｏＣｒＰｔが結晶成長するが、Ｒｕを酸素曝露することによってＲｕ粒子間に酸化物が成長し、ＣｏＣｒＰｔ粒子間の分離が改善されて、ＣｏＣｒＰｔ粒子の磁気的孤立が促進されるためである。
特開２００２−２０３３０６号公報特開昭６２−２３９３１４号公報特開２００７−０３５１３９公報特開２００７−００４８５８公報

しかし、Ｒｕの酸素曝露を記録媒体全面に均一に行うことは難しく、場所により磁気的孤立状態が異なるという問題がある。

したがって、高Ｋｕ材を記録層として用いた垂直磁気記録媒体における、磁気的孤立化を垂直磁気記録媒体全面にわたり均一に形成し、ノイズを低減することを目的とする。

この垂直磁気記録媒体は、基板上に軟磁性層、中間層、垂直磁気記録層、及び、保護膜を少なくとも各１層以上設けている垂直磁気記録媒体であって、前記垂直磁気記録層は少なくともグラニュラ構造の合金膜からなる磁気記録層を有するとともに、前記中間層と前記グラニュラ構造の磁気記録層との間に、前記グラニュラ構造の磁気記録層と接するようにグラニュラ構造の合金膜からなる孤立促進層を備えていることを要件とする。

また、垂直磁気記録装置としては、上述の垂直磁気記録媒体を搭載することを要件とする。

本発明によれば、中間層の上であって、従来のグラニュラ構造の磁気記録層との間に孤立促進を担うグラニュラ構造の孤立促進層を設けているので、５×１０⁶ｅｒｇ／ｃｃ以上の高Ｋｕ材を用いた記録層の磁気的孤立状態が促進され、ノイズが低減され、データを高密度記録することが可能な磁気記録媒体が得られる。

即ち、グラニュラ構造の結晶成長初期において、構造分離が悪いことが知られているが、グラニュラ構造の孤立促進層を設けることによって、その上に成長させるグラニュラ構造の磁気記録層の結晶成長初期における分離構造が改善され、それによって、磁気的な孤立状態が改善される。

また、このような孤立促進層を備えた垂直磁気記録媒体を搭載することによって、ノイズ低減が可能となり、データを高密度に記録することが可能になる。

ここで、図１を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図１参照
図１は、本発明の実施の形態の垂直磁気記録媒体の概念的断面図であり、垂直磁気記録媒体１０は、基板１１と、軟磁性裏打層１２と、中間層１３と、孤立促進層１４と、磁気記録層１５と、保護層１６とにより構成される。

この場合の基板１１は、例えば、直径が２．５インチの円盤状の部材であり、また、表面が平坦であり、機械的強度が高いことが要求され、例えば、ガラス或いはアルミニウム合金等の非磁性材料により形成されている。

また、基板１１の上に設ける軟磁性裏打層１２は、例えば、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＣｏＡｌＯ、ＣｏＮｉＦｅＢ、ＣｏＦｅ₂Ｏ₄、ＺｎＦｅ₂Ｏ₄、または、ＣｏＦｅ等の軟磁性体により形成されている。
この場合の軟磁性裏打層１２は、スパッタリング法或いはメッキ法により形成される。

また、軟磁性裏打層１２の上に設ける中間層１３は、その上に形成される孤立促進層１４や磁気記録層１５の結晶配向性や結晶粒径を制御するために形成される。
中間層１３としては、例えば、Ｔａ、ＮｉＦｅ及びＲｕを下からこの順で積層した積層膜（Ｔａ／ＮｉＦｅ／Ｒｕ膜）や、Ｔａ及びＲｕを下からこの順で積層した積層膜（Ｔａ／Ｒｕ膜）、又はＴａ、ＮｉＦｅＣｒ及びＲｕを下からこの順で積層した積層膜（Ｔａ／ＮｉＦｅＣｒ／Ｒｕ膜）などが用いられる。
この他に、ＮｉＷ及びＲｕを下からこの順で積層した積層膜（ＮｉＷ／Ｒｕ膜）、或いは、ＮｉＣｒ及びＲｕを下からこの順で積層した積層膜（ＮｉＣｒ／Ｒｕ膜）を用いても良い。

Ｔａ／ＮｉＦｅ／Ｒｕ膜構造の場合、例えば、Ｔａを３ｎｍ、ＮｉＦｅを３〜５ｎｍ、Ｒｕを２９ｎｍの厚さに順次スパッタリングする。
また、Ｔａ／Ｒｕ膜構造の場合、Ｔａを３ｎｍ、Ｒｕを１０〜２０ｎｍの厚さに順次スパッタリングする。
また、Ｔａ／ＮｉＦｅＣｒ／Ｒｕ膜構造の場合、Ｔａを３ｎｍ、ＮｉＦｅＣｒを３〜５ｎｍ、Ｒｕを１０〜２０ｎｍの厚さに順次スパッタリングする。
また、ＮｉＷ／Ｒｕ膜構造の場合、ＮｉＷを５〜１０ｎｍ、Ｒｕを１０〜２０ｎｍの厚さに順次スパッタリングする。
また、ＮｉＣｒ／Ｒｕ膜構造の場合、ＮｉＣｒを５〜１０ｎｍ、Ｒｕを１０〜２０ｎｍの厚さに順次スパッタリングする。

これらの構成において、軟磁性裏打層１２はアモルファスを主体とするものの、一部に微結晶化している可能性があるため、軟磁性裏打層１２の結晶情報を上層に反映させないために、まず、アモルファスＴａ膜を形成する。次いで、例えば、中間にＮｉＦｅを設ける場合には、このＮｉＦｅはその上に形成するＲｕ膜の結晶性改善と結晶粒径をある程度制御する機能を有している。

また、最表面に設けるＲｕ膜は、グラニュラ磁気記録層を垂直磁化膜にする機能を有しており、Ｒｕ以外の材料では垂直磁化膜にはなるが、所期の保磁力が得られない。
なお、最表面に設けるＲｕ膜の代わりにＲｕＣ、例えば、Ｃ組成比が５ａｔ％のＲｕＣ等のＲｕ合金を用いても良い。

また、中間層１３の上に設ける孤立促進層１４は、グラニュラ構造、すなわち磁化容易磁区が基板に対し垂直に配向した金属結晶粒１７をＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₃、或いは、Ｃｒ₂Ｏ₃等の非磁性体１８で磁気的に分離した構造を有している。
なお、孤立促進層１４が非グラニュラ構造である場合、中間層１３の表面のＲｕ層による分離機能が低減してしまう。

また、孤立促進層１４を構成する金属結晶粒１７は、少なくともＣｏ、Ｃｒ、及び、Ｐｔを含有するものであり、Ｃｒ濃度は、１２ａｔ％以上２５ａｔ％以下、より好適には、１３ａｔ％以上１８ａｔ％以下することが望ましい。
典型的には、孤立促進層１４は、例えば、９０ｍｏｌ％（Ｃｏ₆₆−Ｃｒ₁₃−Ｐｔ₂₁）−１０ｍｏｌ％（ＳｉＯ₂）等のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂により形成される。
なお、ＣｏＣｒＰｔにおけるサフィックスはａｔ％を表す。

グラニュラ構造においてＣｒが磁気的孤立を制御する特性を有しており、Ｃｒ濃度が１２ａｔ％未満になると磁気的孤立が弱まって金属結晶粒の磁気的結合が強まりすぎ、一方、２５ａｔ％を超えると、Ｃｒの増加により飽和磁化Ｍ_sが小さくなりすぎ、この孤立促進層１４を磁気記録層を兼ねる構成とすることができなくなる。

なお、孤立促進層１４が磁気記録層を兼ねない場合には、非磁性材料で構成しても良く、例えば、９２ｍｏｌ％（Ｃｏ₆₀−Ｃｒ₄₀）−８ｍｏｌ％（ＳｉＯ₂）等のＣｏＣｒ−ＳｉＯ₂により形成される。この場合の非磁性酸化物も、ＳｉＯ₂に限定されるものではなくＴｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₃、Ｃｒ₂Ｏ₃などを用いても良い。

また、孤立促進層１４の上に設ける磁気記録層１５は、少なくとも孤立促進層１４と接する部分がグラニュラ構造の磁気記録層からなり、金属結晶粒をＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₃、或いは、Ｃｒ₂Ｏ₃等の非磁性体で磁気的に分離した構造を有している。

また、磁気記録層１５を構成する金属結晶粒は、少なくともＣｏ、Ｃｒ、及び、Ｐｔを含有するものであり、Ｃｒ濃度は、０ａｔ％以上１５ａｔ％以下、より好適には、７ａｔ％以上１１ａｔ％以下することが望ましい。
典型的には、磁気記録層１５は、例えば、９２ｍｏｌ％（Ｃｏ₇₄−Ｃｒ₉−Ｐｔ₁₇）−８ｍｏｌ％（ＳｉＯ₂）等のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂により形成される。
なお、Ｃｒ濃度が１５ａｔ％超えると、Ｃｒの増加により飽和磁化Ｍ_sが小さくなりすぎ、信号出力が小さくなり望ましくない。

また、磁気記録層１５は、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂に限られるものではなく、ＣｏＣｒＰｔＯを用いても良く、Ｏが酸化物を形成して全体としてグラニュラ構造となる。

また、グラニュラ構造の磁気記録層の上に非グラニュラ構造の第２の磁気記録層を設けても良く、非グラニュラ構造の第２の磁気記録層によって記録磁界の低減や外部磁場による記録情報の劣化が抑制される。
なお、このような非グラニュラ構造の第２の磁気記録層としては、例えば、Ｃｏ₆₀−Ｃｒ₂₀−Ｐｔ₁₅−Ｂ₁₅等のＣｏＣｒＰｔＢを用いることができる。

また、磁気記録層１５の上に設ける保護層１６は、例えば、ＣＮ（窒化カーボン）、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）又はＳｉＮ（窒化シリコン）等の硬度が高い材料により形成される。
なお、ＣＮにより形成する場合には、Ａｒ及びＮを含む雰囲気中でカーボンをスパッタリングすれば良く、また、ＤＬＣにより形成するときはＣＶＤ法を使用し、ＳｉＮにより形成するときはスパッタ法を使用する。

なお、保護層１５の上には潤滑層（図示を省略）が形成される。この潤滑層は、例えば、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、または、フッ素化カルボン酸を例えば、０．５〜５ｎｍの厚さに塗布して形成する。

以上を前提として、次に、図２及び図３を参照して本発明の実施例１の垂直磁気記録媒体の製造工程を説明する。
なお、ここでは、図示を簡単にするためには、基板の片面に成膜しているが、実際には、基板の表裏に対称的に成膜するものである。
図２（ａ）参照
まず、直径が例えば２．５インチのガラス基板２１を用意し、このガラス基板２１を、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタ装置のチャンバ内に配置して、チャンバ内を真空排気し、その後、例えば、軟磁性体であるＣｏＺｒＮｂをスパッタリングして、厚さが、３０〜１００ｎｍ、例えば、５０ｎｍの裏打層２２を形成する。

図２（ｂ）参照
次いで、裏打層２２の上に、例えば、Ｔａ２３₁を３ｎｍ、ＮｉＦｅ２３₂を３〜５ｎｍ、Ｒｕ２３₃を２９ｎｍの厚さに順次スパッタリングして、これらの金属膜を積層したＴａ／ＮｉＦｅ／Ｒｕ構造の中間層２３を形成する。

図２（ｃ）参照
次いで、スパッタ法により、中間層２３の上にＣｏＣｒＰｔ２４₁とＳｉＯ₂２４₂とからなるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２のグラニュラ構造を有する孤立促進層２４を、１〜３ｎｍ、例えば、２．５ｎｍの厚さに形成する。
この場合の孤立促進層２４に磁気記録機能を兼ねさせるためには、孤立促進層２４の中の磁性金属結晶は、垂直磁気異方性を有することが必要であり、磁気記録層を兼ねることになり、例えば、９０ｍｏｌ％（Ｃｏ₆₆−Ｃｒ₁₃−Ｐｔ₂₁）−１０ｍｏｌ％（ＳｉＯ₂）とする。

図２（ｄ）参照
次いで、スパッタ法により、孤立促進層２４の上にＣｏＣｒＰｔ２５₁とＳｉＯ₂２５₂とからなるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂のグラニュア構造を有する第１磁気記録層２５を、例えば１０ｎｍの厚さに形成する。
この第１磁気記録層２５は、例えば、９２ｍｏｌ％（Ｃｏ₇₄−Ｃｒ₉−Ｐｔ₁₇）−８ｍｏｌ％（ＳｉＯ₂）とする。

図３（ｅ）参照
次いで、第１磁気記録層２５の上に、非グラニュラ構造を有する第２磁気記録層２６を、例えば、８ｎｍの厚さに形成する。
この非グラニュラ構造の第２磁気記録層２６は、例えば、Ｃｏ₆₀−Ｃｒ₂₀−Ｐｔ₁₅−Ｂ₁₅とする。

図３（ｆ）参照
次いで、第２磁気記録層２６の上にＣＮからなる保護層２７を例えば３〜５ｎｍの厚さに形成する。
この場合の保護層２７は、Ａｒ及びＮを含む雰囲気中でカーボンをスパッタリングして形成する。

図３（ｇ）参照
次いで、保護層２７の上に潤滑層２８を形成することによって、本発明の実施例１の垂直磁気記録媒体２０が完成する。
この場合の潤滑層２８は、例えばパーフルオロポリエーテルを用い、ディッピング法によって、例えば０．５〜５ｎｍの厚さに形成する。

図４参照
図４は、本発明の垂直磁気記録媒体の特性説明図であり、Ｍ−Ｈループを示している。
なお、ここでは、中間層の表面のＲｕを酸素曝露するとともに、５×１０⁶ｅｒｇ／ｃｃ以上の高Ｋｕ材を磁気記録層とした垂直磁気記録媒体、即ち、曝露媒体と、中間層Ｒｕ上に、そのまま高Ｋｕ材を記録層とした垂直磁気記録媒体、即ち、無曝露媒体を比較のために併せて示している。

図から明らかなように、無曝露媒体のＭ−Ｈループは立っており、磁気的孤立が悪いことを示しており、この磁気記録層を用いた垂直磁気記録媒体では媒体ノイズが大きくなり、高密度記録ができないことになる。

また、曝露媒体では、無曝露媒体に比べてＭ−Ｈループが寝ており、磁気的孤立が促進されていることを示す。
しかし、曝露媒体では、Ｒｕの酸化が均一に行われないため円盤上における磁気特性の分布が悪く、場所により磁気特性が異なり高密度記録を行う上で問題がある。

一方、本発明の実施例１の垂直磁気記録媒体では、曝露媒体と同じＭ−Ｈループを示しており、磁気的孤立状態が良好なことを示している。
更には、円盤上における磁気特性の分布が小さく、高密度記録が可能となる。

次に、図５を参照して、本発明の実施例２の磁気ディスク装置を説明する。
図５参照
図５は、本発明の実施例２の磁気ディスク装置の概略的平面図であり、磁気ディスク装置３０は、その筐体内に、上述の実施例１の垂直磁気記録媒体２０と、垂直磁気記録媒体２０を回転させるスピンドルモータ（図示せず）と、データの書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドを搭載したスライダ３１と、スライダ３１を保持するサスペンション３２と、サスペンション３２を垂直磁気記録媒体２０の半径方向に駆動制御するアクチュエータ（図示せず）とを有している。

スピンドルモータにより垂直磁気記録媒体２０が高速で回転すると、垂直磁気記録媒体２０の回転によって生じる空気流により、磁気ヘッドを搭載したスライダ３１は垂直磁気記録媒体２０から若干浮上する。
アクチュエータによりスライダ３１が垂直磁気記録媒体２０の半径方向に移動し、垂直磁気記録媒体２０に対してデータの書き込み又は読み出しが行われる。

以上の実施例１及び実施例２を含む実施の形態に関し、さらに、以下の付記を開示する。
（付記１）基板上に軟磁性層、中間層、垂直磁気記録層、及び、保護膜を少なくとも各１層以上設けている垂直磁気記録媒体であって、前記垂直磁気記録層は少なくともグラニュラ構造の合金膜からなる磁気記録層を有するとともに、前記中間層と前記グラニュラ構造の磁気記録層との間に、前記グラニュラ構造の磁気記録層と接するようにグラニュラ構造の合金膜からなる孤立促進層を備えている垂直磁気記録媒体。
（付記２）前記グラニュラ構造の磁気記録層の前記孤立促進層と接する面と反対側の面に非グラニュラ構造の合金膜からなる磁気記録層が接している付記１記載の垂直磁気記録媒体。
（付記３）前記孤立促進層は磁気記録機能を有する付記１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
（付記４）前記孤立促進層は、少なくともＣｏ、Ｃｒ、及び、Ｐｔを含有する付記３記載の垂直磁気記録媒体。
（付記５）前記孤立促進層のグラニュラ構造に用いられる非磁性体が、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₃、或いは、Ｃｒ₂Ｏ₃のいずれかである付記４記載の垂直磁気記録媒体。
（付記６）前記孤立促進層のＣｒ濃度は、１２ａｔ％以上２５ａｔ％以下である付記４または５に記載の垂直磁気記録媒体。
（付記７）グラニュラ構造の磁気記録層は、少なくともＣｏ、Ｃｒ、及び、Ｐｔを含有する付記１乃至６のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体。
（付記８）前記グラニュラ構造の磁気記録層に用いられる非磁性体が、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₃、或いは、Ｃｒ₂Ｏ₃のいずれかである付記７記載の垂直磁気記録媒体。
（付記９）前記グラニュラ構造の磁気記録層のＣｒ濃度は、０ａｔ％以上１５ａｔ％以下である付記７または８に記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１０）前記中間層は、Ｒｕ、または、Ｒｕを含有する合金からなる付記１乃至９のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１１）付記１乃至１０のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体を搭載した垂直磁気記録装置。

本発明の実施の形態の垂直磁気記録媒体の概念的断面図である。本発明の実施例１の垂直磁気記録媒体の製造工程の途中までの説明図である。本発明の実施例１の垂直磁気記録媒体の製造工程の図２以降の説明図である。本発明の垂直磁気記録媒体の特性説明図である。本発明の実施例２の磁気ディスク装置の概略的平面図である。垂直磁気記録の原理図である。

符号の説明

１０垂直磁気記録媒体
１１基板
１２軟磁性裏打層
１３中間層
１４孤立促進層
１５磁気記録層
１６保護層
１７金属結晶粒
１８非磁性体
２０垂直磁気記録媒体
２１ガラス基板
２２裏打層
２３中間層
２３₁ Ｔａ
２３₂ ＮｉＦｅ
２３₃ Ｒｕ
２４孤立促進層
２４₁ ＣｏＣｒＰｔ
２４₂ ＳｉＯ₂
２５第１磁気記録層
２５₁ ＣｏＣｒＰｔ
２５₂ ＳｉＯ₂
２６第２磁気記録層
２７保護層
２８潤滑層
３０磁気ディスク装置
３１スライダ
３２サスペンション
６１主磁極
６２補助磁極
６３ライトコイル
６４磁束
７０垂直磁気記録媒体
７１基板
７２裏打層
７３中間層
７４磁気記録層

Claims

基板上に軟磁性層、中間層、垂直磁気記録層、及び、保護膜を少なくとも各１層以上設けている垂直磁気記録媒体であって、前記垂直磁気記録層は少なくともグラニュラ構造の合金膜からなる磁気記録層を有するとともに、前記中間層と前記グラニュラ構造の磁気記録層との間に、前記グラニュラ構造の磁気記録層と接するようにグラニュラ構造の合金膜からなる孤立促進層を備えている垂直磁気記録媒体。
前記グラニュラ構造の磁気記録層の前記孤立促進層と接する面と反対側の面に非グラニュラ構造の合金膜からなる磁気記録層が接している請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
前記孤立促進層は、少なくともＣｏ、Ｃｒ、及び、Ｐｔを含有する請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
前記孤立促進層におけるＣ濃度は、１２ａｔ％以上２５ａｔ％以下である請求項３記載の垂直磁気記録媒体。
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体を搭載した垂直磁気記録装置。