JP2010021232A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置10は、基板18上に電子走行層17をエピタキシャル成長により形成し、さらに電子走行層17上に電子供給層15をエピタキシャル成長により形成する。電子走行層17と電子供給層15とはヘテロ接合構造とし、接合界面に二次元電子ガスチャネル16を形成可能なHEMTとする。電子供給層15上は絶縁膜14で覆い、ソース電極11,ゲート電極12およびドレイン電極13を設ける。電子供給層15は、Al組成比率を10〜18[%]とし、膜厚を5〜15[nm]として形成する。作製された半導体装置10は、クラック等の発生が防止され、ノーマリオフになる。よって、この半導体装置10はパワーデバイスとして利用することができる。
【選択図】図1
Description
また、AlGaN層のAl組成比率を変化させると、AlGaN層の膜厚が厚くなるほどゲート閾値電圧のAl組成比率に対する感度が大きくなる点が知られている。よってノーマリオフの半導体装置を作製するには、Al組成比率をできるだけ低くするほうが望ましい。ところが、AlGaN層のAl組成比率が低くなるほどAlGaN層の膜厚を薄くしなければならないという問題がある。
このようなことから、ノーマリオフの半導体装置を適切に作製するには、AlGaN層について膜厚とAl組成比率との最適化を図る必要がある。
「電子走行層」は窒化物系III−V族化合物で形成されていればよい。すなわち、Alが選択的な元素となる点を除いて、電子供給層と同様である。
なお、上述した方法以外、例えばALE(Atomic Layer Epitaxy;原子層エピタキシャル成長)法などを用いてエピタキシャル成長させることも可能である。
反応部22を低温(700℃前後)に調整し、TMG(トリメチルガリウム)ガスとNH3(アンモニア)ガスを反応させて基板18上にLT−GaN層を形成する。
反応部22を高温(約1100℃)に調整し、TMGガスとNH3ガス、不純物としてSiH4(モノシラン)ガスを反応させてLT−GaN層上にGaN層を形成する。
反応部22を高温(約1100℃)に調整し、TMGガスとNH3ガス、TMA(トリメチルアルミニウム)ガスを反応させてAlGaN層を形成する。ただし、Al組成比率を10〜18[%]にするため、AlとGaとが所定の比率になるように各ガスの供給量を制御する。また膜厚が5〜15[nm]となるようにガスの供給量や成長時間等を制御する。
反応部22を再び低温(700℃前後)に調整し、Al材料ガスとNH3ガスを連続供給または断続供給することによりAlN層を形成する。
なお、特許文献1の半導体装置はAlGaN層の膜厚が10[nm]以上かつAl組成比率が25[%]以上であるので、図3,図4に適用してみるといずれもノーマリオンになることが明らかである。
(1)電子供給層15は、Al組成比率を10〜18[%]とし、膜厚を5〜15[nm]としてエピタキシャル成長により形成した(図1を参照)。作製された半導体装置10は、クラック等の発生が防止され、ノーマリオフになる(図3,図4を参照)。よって、この半導体装置10をパワーデバイスとして利用することができる。
また、工程1〜4をMOCVD法で行う(すなわち同一のMOCVD装置20内で行う)ので、作製途中の基板18を装置入れ替えのために空気中にさらさなくてよくなる。よって界面の劣化が防止され、デバイスの信頼性が高まる。
以上では本発明を実施するための最良の形態について説明したが、本発明は当該形態に何ら限定されるものではない。言い換えれば、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施することもできる。例えば、次に示す各形態を実現してもよい。
また、これらの化合物に含まれるガリウムの代わりにインジウムを適用した化合物、例えばAlInN(窒化アルミニウムインジウム),AlInAs(アルミニウムインジウム砒素),AlInP(アルミニウムインジウムリン)等を適用してもよい。
いずれの化合物にせよ、膜厚を5〜15[nm]の範囲とし、Al組成比率は10〜18[%]の範囲とすることで、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
11 ソース電極
12 ゲート電極
13 ドレイン電極
14 絶縁膜
15 電子供給層
16 2次元電子ガスチャネル
17 電子走行層
18 基板
20 MOCVD装置
21(21a,21b,21c) 供給口
22 反応部
22a 仕切板
23 排出口
24 ウエハ
25 回転台
26 ヒーター
27 回転軸
28 駆動手段
Claims (3)
- 基板上に形成され、III族元素として少なくともアルミニウムを含む窒化物系III−V族化合物で形成される電子供給層と、窒化物系III−V族化合物で形成される電子走行層とをヘテロ接合構造とした半導体装置であって、
前記電子供給層は、アルミニウムの組成比率を10〜18%とし、膜厚を5〜15nmとして形成した半導体装置。 - 請求項1に記載した半導体装置であって、
電子供給層と電子走行層との接合界面に二次元電子ガスを形成するHEMTまたはMESFETである半導体装置。 - 基板上に形成され、III族元素として少なくともアルミニウムを含む窒化物系III−V族化合物で形成される電子供給層と、窒化物系III−V族化合物で形成される電子走行層とをヘテロ接合構造とした半導体装置の製造方法であって、
前記電子走行層を形成する工程と、
アルミニウムの組成比率が10〜18%になり、膜厚が5〜15nmになるようにガスの供給量を制御しながら前記電子供給層を形成する工程とを有し、
両工程におけるエピタキシャル成長をMOCVD法、MBE法またはHVPE法のいずれかを用いて行う半導体装置の製造方法。
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