JP2010018540A - フルオロフェノール誘導体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 フルオロベンゼン誘導体及びホウ酸エステルの混合物を、極低温を必要とせずリチウムジアルキルアミドと反応させ、加水分解した後に、酸化することによるフルオロフェノール誘導体の製造方法を提供する。
【選択図】 なし
Description
置換基を有していても良いリチウムアミド化合物としては、一般式(I)で表される化合物のベンゼン環のフッ素に隣接する炭素原子上の水素を引き抜く能力があれば実質的に何れでも構わないが、例えばアルキル基が炭素原子数1から12の直鎖、枝分かれ及び環状のリチウムジアルキルアミドを挙げることができる。そのようなものとしては、リチウムジメチルアミド、リチウムジエチルアミド、リチウムジプロピルアミド、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムジブチルアミド、リチウムジイソブチルアミド、リチウムジtert-ブチルアミド、リチウムジペンチルアミド、リチウムジイソペンチルアミド、リチウムジヘキシルアミド、リチウムジヘプチルアミド、リチウムジオクチルアミド、リチウムジノニルアミド、リチウムジデシルアミド、リチウムジウンデシルアミド、リチウムジドデシルアミド、リチウムアジリジド、リチウムアゼチジド、リチウムピロリジド、リチウムピペリジド、ジリチウムピペラジド、トリリチウムヘキサヒドロトリアジド、リチウムモルホリドなどが挙げられ、中でもリチウムジイソプロピルアミドが好ましい。また、その他の置換基を有していても良いリチウムアミド化合物として、置換基を有していても良いリチウムジシラザンを挙げることができ、そのようなものとしてリチウムヘキサメチルジシラザンを例示することができる。
有機ホウ素化合物を製造する際の反応温度は-60℃から40℃が好ましく、-40℃から30℃がより好ましい。
得られた有機ホウ素化合物は一度単離してもよく、単離せずそのまま酸化してもよい。また、得られたほう素化合物を加水分解してホウ酸化合物へと変換した後に酸化しても構わない。
i-Pr :イソプロピル基
(実施例1)
4-(トランス,トランス-4'-(1,3-ジオキソラン-2-イル)ビシクロヘキシル-4-イルメトキシ)-2,3-ジフルオロフェノール (2a)の製造
MS m/z : 396 (M+)
1H-NMR (60 MHz, CDCl3)
δ: 0.90 1.15 (m, 10 H), 1.44 1.54 (m, 1 H), 1.65 1.96 (m, 9 H), 3.75 (d, J = 6.4 Hz, 2 H), 3.83 3.89 (m, 2 H), 3.90 3.96 (m, 2 H), 4.60 (d, J = 4.8 Hz, 1 H), 6.59 6.68 (m, 2 H).
(実施例2)
4-(トランス-4'-(1,3-ジオキソラン-2-イル)シクロヘキシルメトキシ) -2,3-ジフルオロフェノール (2b)の製造
MS m/z : 314 (M+)
1H-NMR (60 MHz, CDCl3)
δ: 1.0 1.3 (m, 4 H), 1.5 1.6 (m, 1 H), 1.7 1.8 (m, 1 H), 1.9-2.0(m,4H),3.8 (d, J = 6.4 Hz, 2 H), 3.8 4.0 (m, 4 H), 4.60 (d, J = 4.8 Hz, 1 H), 5.7(br,1H),6.6 6.7 (m, 2 H)
(比較例1)
4-(トランス,トランス-4'-ビニルビシクロヘキシル-4-イルメトキシ)-2,3-ジフルオロフェノール (2c)の製造
この方法では、純度が高いフェノール体が得られるが、極低温反応が必要であった。
(比較例2)
4-(トランス,トランス-4'-ビニルビシクロヘキシル-4-イルメトキシ)−2,3−ジフルオロフェニルボロン酸 (4c)の製造
Claims (7)
- 一般式(I)
- 該混合物とリチウムジアルキルアミドとの反応温度が−40から30℃の範囲である請求項1又は2記載の製造方法。
- ホウ酸エステルとしてトリアルキルホウ酸を用いる請求項1、2又は3記載の製造方法。
- リチウムジアルキルアミドとしてリチウムジイソプロピルアミドを用いることを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の製造方法。
- 一般式(I)におけるX5が一般式(II)で表される化合物である請求項1、2、3、4又は5記載の製造方法。
- 一般式(I)におけるX2がフッ素原子又は塩素原子で表される化合物である請求項1、2、3、4、5又は6記載の製造方法。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1098387A (en) * | 1963-06-14 | 1968-01-10 | Smith Kline French Lab | Improvements in or relating to the production of halogenated benzene derivatives |
JPH11510478A (ja) * | 1995-06-06 | 1999-09-14 | アボツト・ラボラトリーズ | キノリジノン型化合物 |
JP2005314322A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Asahi Glass Co Ltd | カテコール誘導体およびその前駆体の製造方法 |
WO2007061853A2 (en) * | 2005-11-23 | 2007-05-31 | Merck & Co., Inc. | Process for synthesizing 2-phenyl-1h-phenantrho[9,10-d]imidazole derivative |
JP2007176818A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Dainippon Ink & Chem Inc | ジフルオロベンゼン誘導体の製造方法 |
JP2007297308A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Dainippon Ink & Chem Inc | シクロヘキシルメタノール誘導体及びその製造方法 |
JP2008133244A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Dic Corp | ジフルオロベンゼン誘導体の製造方法及び製造中間体 |
-
2008
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1098387A (en) * | 1963-06-14 | 1968-01-10 | Smith Kline French Lab | Improvements in or relating to the production of halogenated benzene derivatives |
JPH11510478A (ja) * | 1995-06-06 | 1999-09-14 | アボツト・ラボラトリーズ | キノリジノン型化合物 |
JP2005314322A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Asahi Glass Co Ltd | カテコール誘導体およびその前駆体の製造方法 |
WO2007061853A2 (en) * | 2005-11-23 | 2007-05-31 | Merck & Co., Inc. | Process for synthesizing 2-phenyl-1h-phenantrho[9,10-d]imidazole derivative |
JP2007176818A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Dainippon Ink & Chem Inc | ジフルオロベンゼン誘導体の製造方法 |
JP2007297308A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Dainippon Ink & Chem Inc | シクロヘキシルメタノール誘導体及びその製造方法 |
JP2008133244A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Dic Corp | ジフルオロベンゼン誘導体の製造方法及び製造中間体 |
JP4993183B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2012-08-08 | Dic株式会社 | ジフルオロベンゼン誘導体の製造方法及び製造中間体 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6013016810; VOISIN,A.S. et al: 'Efficient synthesis of halohydroxypyridines by hydroxydeboronation' Tetrahedron Vol.61, No.6, 2005, p.1417-1421 * |
JPN6013016811; GRIBBLE,G.W. et al: 'Regioselective ortho lithiation of halopyridines' Tetrahedron Letters Vol.21, No.43, 1980, p.4137-4140 * |
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