JP2010005711A - 構造体の作製方法 - Google Patents
構造体の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010005711A JP2010005711A JP2008165080A JP2008165080A JP2010005711A JP 2010005711 A JP2010005711 A JP 2010005711A JP 2008165080 A JP2008165080 A JP 2008165080A JP 2008165080 A JP2008165080 A JP 2008165080A JP 2010005711 A JP2010005711 A JP 2010005711A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- substrate
- movable
- convex
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
- B81C1/00634—Processes for shaping materials not provided for in groups B81C1/00444 - B81C1/00626
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/03—Microengines and actuators
- B81B2201/033—Comb drives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/04—Optical MEMS
- B81B2201/042—Micromirrors, not used as optical switches
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/019—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement characterized by their profile
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
- Y10T29/49833—Punching, piercing or reaming part by surface of second part
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
- Y10T29/49861—Sizing mating parts during final positional association
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
- Y10T29/49908—Joining by deforming
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
【解決手段】 被加工部に外力を印加する前に可動部の運動を制限する拘束部を設けておき、被加工部の加工が終了した後に拘束部を除去する。
【選択図】 図1
Description
具体的な一例としては、微小な振動構造体を静電気力で駆動させる静電櫛歯アクチュエータの電極部として用いることが可能である。
そのために、駆動力を増大させることが可能な櫛歯構造体として、角度付櫛歯構造体(AVC:Angular Vertical Comb structureとも呼ばれる)とその作製方法が公開されている(特許文献1参照)。
前記可動部の動きを拘束する拘束部を設ける工程と、
前記被加工部に力を加えることにより前記被加工部を塑性変形させる工程と、
前記拘束部の少なくとも一部を除去する工程と、
を含むことを特徴とするものである。
構造体1は、被加工部3と、被加工部3の片端が固定されている可動部4、可動部4を運動可能に支持する支持部5からなる。図1に示すように被加工部は1つ以上有していても良い。
ここで、被加工部3の塑性変形の基点となる位置(変形させたい位置)に、被加工部3を塑性変形させ易くするような加工を施してもよい。
例えば凹部6を設けるなど、その部分の強度が周囲よりも弱くなるように当該部分の厚さが薄くなるような加工を施してもよい。
加熱を開始するタイミングは、被加工部3を変形させる前でもよいし、被加工部3を変形させている途中でもよい。
拘束部の形態としては、図1(b)の工程に示した拘束部7以外の形態をとることも可能である。
図4(a)〜(e)は以下の工程(a)〜(e)のそれぞれに対応している。
構造体21の構造は、可動部4が凸部22を有することを除いて図1の工程(a)に示した構造体1と同様である。
可動部の凸部22を設ける位置としては、可動部4の主面に対して、後の図4(c)の工程で被加工部3に外力を印加する側と反対側に設けられることが好適である。
可動部を光偏向器の反射板として用いるような場合には、図4(e)の工程を実施して可動部の凸部22を除去することが好適である。
拘束部の形態のさらに別の形態としては、図5(a)及び(b)に示すような拘束部の形態を用いることが可能である。
構造体の設計における制約条件によっては、ねじりバネ9の曲げ剛性が被加工部3の屈曲点Pにおける曲げ剛性に対して十分高くなるように設計することができない場合が有り得る。
このとき、可動部4の変位量は、被加工部3を傾斜させる直前における拘束部の凸部8の先端と可動部4の主面との間の間隙の大きさδに等しくなる。
本実施例では、可動部の主面と平行な平面に対して面外方向に角度を有する傾斜構造部を有する構造体の作製方法の一例を説明する。
ただし、作製方法はこれに限られるものではない。
基板111は、3つの層からなる多層構造を有しており、本明細書ではこれらの層を上から順にデバイス層、犠牲層、支持層と呼ぶことにする。
基板111としては、例えば、単結晶シリコンからなる2つの層(デバイス層112、支持層114)の間に二酸化シリコンからなる犠牲層113が挟まれた構造を有するSOI基板を用いることが可能である。
ここでSOIとは、Silicon On Insulatorの略称である。
このとき、凹部116の深さはデバイス層112の厚さよりも小さくなるようにする。
凹部116の形成方法としては、例えば反応性イオンエッチングなどの垂直エッチング技術を用いるのが好適である。
凹部116の深さはエッチング時間の長さで制御することが可能である。
貫通口118の形成方法としては、凹部116の形成方法と同じく、例えば反応性イオンエッチングなどの垂直エッチング技術を用いるのが好適である。
反応性イオンエッチングを用いた場合、エッチングガスとして基板111の犠牲層113とは反応しにくいガスを用いることにより、貫通口118を確実に形成することが可能である。
例えば基板111としてSOI基板を用いた場合、フッ化水素酸や四フッ化炭素ガスなどのような二酸化シリコンを選択的にエッチングすることが可能なエッチャントあるいはエッチングガスを用いることで犠牲層113のみを選択的にエッチングすることが可能である。
基板131の材料は、後に型134を基板111に押し当てて加熱することを考えると、基板111と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板111のデバイス層112の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板111がSOI基板である場合、基板131はデバイス層112と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
型の凸部133の形成方法としては、型の凸部133の周囲をエッチングする方法を用いることが可能である。
型の凸部133の周囲をエッチングする方法としては、図7(b)の工程で凹部116を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
基板141の材料は、先出の基板131と同様の理由で、基板111と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板111のデバイス層112の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板111がSOI基板である場合、基板141はデバイス層112と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
凸部143は図7(k)のように複数個あってもよいし、図1(b)のように1個でもよい。
拘束部の凸部143の形成方法としては、図7(i)の工程で型の凸部133を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
拘束部144は、構造体100の、被加工部101、102が傾斜して可動部105の主面に対して突出する側に配置する。
この時、可動部105の主面と拘束部の凸部143の先端とが接触していてもよい。
可動部105の主面と拘束部の凸部143の先端とが接触していない場合には、後の図7(m)の工程において可動部105の主面と拘束部の凸部143の先端とが接触するように、拘束部144の配置を調整しておくとよい。
拘束部144を構造体100に固定する方法としては、クランプなどを用いて外部から拘束部144と構造体100とを挟んでもよいし、接着剤や他の接合手段を用いて拘束部144と構造体100とを接合してもよい。
特に基板111としてSOI基板を用いた場合、拘束部144の表面に二酸化シリコンの層を形成しておくことで、陽極接合を用いて拘束部144と構造体100とを接合することが可能である。
加熱する温度は、例えば基板111としてSOI基板を用いた場合にはシリコンを塑性変形させるために必要な600℃以上に設定するのが好適である。
加熱する方法としては、例えば凹部116の周辺を通るような電流路に電流を流すことで発生するジュール熱により凹部116とその周辺を局所的に加熱する方法を用いることが可能である。
電流路としては融点が十分に高い導体薄膜などを適当な絶縁膜を介して蒸着したものを用いる、あるいはデバイス層112が導電性を有する場合はデバイス層112そのものを電流路として用いることが可能である。
また、型134を被加工部の凸部103、104に押し当てた状態を維持したまま適切な加熱炉を用いて構造体100及び拘束部144、型134の全体を加熱することによりデバイス層112の凹部116を加熱することも可能である。
型134を被加工部の凸部103、104に押し当てた状態を維持する方法としては、図7(l)の工程で拘束部144を構造体100に固定したときと同様の方法を用いることが可能である。
被加工部の凸部103、104は犠牲層113のみを介して被加工部101、102に固定されているので、本工程により被加工部の凸部103、104は犠牲層113と共に除去される。
このとき、エッチングの時間を調節することにより、犠牲層122の部分を残し、かつ被加工部の凸部103、104の近傍の犠牲層113を除去することが可能である。
図15は可動部である振動板175の主面に対して上方向に傾斜した複数の被加工部である可動櫛歯171、173を有するAVCを用いた振動構造体である。
本実施例では、可動部の主面に対して面外方向に角度を有する傾斜構造部を有する構造体の作製方法の、別の一例について説明する。
基板211は図7(a)の工程で用いた基板111と同じ3層構造(デバイス層212、犠牲層213、支持層214)の基板であり、例えばSOI基板などを用いることが可能である。
このとき、凹部216の深さはデバイス層212の厚さよりも小さくなるようにする。
凹部216を形成する方法としては、図7(b)の工程で凹部116を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
犠牲層217を形成する方法としては、例えば二酸化シリコンなどの材料を蒸着などの手段を用いて薄膜状に堆積させる手法を用いることが可能である。
貫通口219を形成する方法としては、図7(e)の工程で貫通口119を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
貫通口220を形成する方法としては、図7(d)の工程で貫通口118を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
基板231としては、基板211の支持層214と同じ基板を用いるのが好適である。
例えば、基板211としてSOI基板を用いた場合、基板231は単結晶シリコンからなる基板を用いるのが好適である。
また、基板231として単結晶シリコン基板を用いた場合、接合の方法として陽極接合を用いることが可能である。
この工程で可動部の凸部207が形成されるが、可動部の凸部207は図8(j)のように複数個あってもよく、また、図4(a)のように1個でもよい。
基板241の材料は、図7(h)の工程と同様の理由で、基板211と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板211のデバイス層212の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板211がSOI基板である場合、基板241はデバイス層212と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
型の凸部243の形成方法としては、図7(i)の工程で型の凸部133を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
次に、以下の工程(m)、(n)により、可動部205の運動を制限する拘束部254を作製する。
基板251の材料は、図7(h)の工程と同様の理由で、基板211と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板211のデバイス層212の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板211がSOI基板である場合、基板251はデバイス層212と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
拘束部の凹部253の個数及び位置は、図8(j)における可動部の凸部207の個数及び位置に合わせて形成する。
拘束部の凹部253の形成方法としては、図7(b)の工程でデバイス層の凹部116を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
最後に、以下の工程(o)〜(r)により、可動部205の運動を制限しながら被加工部201、202に仰角をつけ、その後、被加工部の凸部203、204を除去する。
拘束部254は、構造体200の、被加工部201、202が傾斜して可動部205の主面の外に飛び出す側に配置する。
この時点で拘束部の凹部253の内壁(側面)または底面と可動部の凸部207の先端とが接触していてもよい。
接触していない場合は、後の図8(p)の工程において拘束部の凹部253の底面あるいは側面と可動部の凸部207の先端とが接触するように、拘束部254を配置する位置を合わせておくとよい。
拘束部254を構造体200に固定する方法としては、クランプなどを用いて外部から拘束部254と構造体200とを挟んでもよいし、接着剤や他の接合手段を用いて拘束部254と構造体200とを接合してもよい。
特に基板211にSOI基板、あるいは基板231に単結晶シリコン基板を用いた場合、拘束部254の表面に二酸化シリコンの層を形成することで、陽極接合を用いて拘束部254と構造体200とを接合することが可能である。
加熱する温度は、例えば基板211としてSOI基板を用いた場合にはシリコンを塑性変形させるために必要な600℃以上に設定するのが好適である。
加熱する方法としては、例えば凹部216の周辺を通るような電流路に電流を流すことで発生するジュール熱により凹部216とその周辺を局所的に加熱する方法を用いることが可能である。
電流路としては融点が十分に高い導体薄膜などを適当な絶縁膜を介して蒸着したものを用いる、あるいはデバイス層212が導電性を有する場合はデバイス層212そのものを電流路として用いることが可能である。
また、型244を被加工部の凸部203、204に押し当てた状態を維持したまま適切な加熱炉を用いて構造体200及び拘束部254、型244の全体を加熱することによりデバイス層212の凹部216を加熱することも可能である。
型244を被加工部の凸部203、204に押し当てた状態を維持する方法としては、図8(o)の工程で拘束部254を構造体200に固定したときと同様の方法を用いることが可能である。
被加工部の凸部203、204及び可動部の凸部207は、犠牲層213、217のみを介して被加工部201、202及び可動部205に固定されている。
よって、この工程により被加工部の凸部203、204及び可動部の凸部207は犠牲層213、217と共に除去される。
犠牲層213を除去する方法としては、図7(o)の工程と同様の方法を用いることが可能である。
本実施例では、基板の主面と平行な平面に対して面外方向に角度を有する傾斜構造部を有する構造体の作製方法の、別の一例について説明する。
基板311は図7(a)の工程で用いた基板111と同じ3層構造(デバイス層312、犠牲層313、支持層314)の基板であり、例えばSOI基板などを用いることが可能である。
凹部316の深さは、支持層314の厚さから拘束部307の厚さを引いた値に合わせる。
凹部316を形成する方法については、図7(b)の工程で凹部116を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
このとき、凹部318の深さはデバイス層312の厚さよりも小さくなるようにする。
貫通口320を形成する方法としては、図7(d)の工程で貫通口118を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
貫通口321を形成する方法としては、図7(e)の工程で貫通口119を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
貫通口308は、図10(a)及び(b)に示すように、拘束部307のうち、可動部305の直下にあたる領域の一部に形成される。
これは、後の図9(n)の工程で拘束部307を除去する際に、拘束部307の近傍の犠牲層313を短時間で除去するための工夫である。
次に、以下の工程(j)、(k)により、被加工部301、302を傾斜させる型334を作製する。
基板331の材料は、図7(h)の工程と同様の理由で、基板311と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板311のデバイス層312の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板311がSOI基板である場合、基板331はデバイス層312と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
型の凸部333の形成方法としては、図7(i)の工程で型の凸部133を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
本工程は図7(m)の工程と同様にして行うことが可能である。
被加工部の凸部303、304及び拘束部307は犠牲層313のみを介して被加工部301、302及び可動部305に固定されている。
よって、本工程により被加工部の凸部303、304及び拘束部307は犠牲層313と共に除去される。
犠牲層313を除去する方法としては、図7(o)の工程と同様の方法を用いることが可能である。
上記の被加工部301、302と被加工部の凸部303、304、可動部305、支持部306、拘束部307とを有する構造体300を作製する別の方法を、図11(a)〜(d)を用いて以下に示す。
まず、図11(a)のように基板311の支持層314にマスク層341を形成し、図11(b)のように支持層314に凹部342を形成する。
次に、図9(c)〜(g)の工程と同様にしてデバイス層312に凹部318、貫通口320を、犠牲層313に貫通口321を形成する。
次に、図11(c)のように支持層314にマスク層343を形成し、図11(d)のように支持層314に貫通口344を形成する。
被加工部を複数有する構造体の場合、実施例1乃至3の工程の一部分を変えることにより、複数の被加工部を異なる曲げ角度で同時に加工することが可能である。
支持層114及び被加工部の凸部103、104に型134を押し当てたときの様子は図12(b)のようになり、仕上がりは図12(c)のようになる。
また、上記の方法の替わりに、図11(a)〜(d)の工程における被加工部の凸部303、304及び拘束部307とを形成する方法と同様の方法を用いてもよい。
本実施例では、可動部の主面に対して面外方向に角度を有し、かつその角度が互いに逆方向である傾斜構造部を有する構造体の作製方法の一例について説明する。
図14(a)〜(r)は、それぞれ以下の本実施例の工程(a)〜(r)に対応する。
基板411は図7(a)の工程で用いた基板111と同じ3層構造(デバイス層412、犠牲層413、支持層414)の基板であり、例えばSOI基板などを用いることが可能である。
このとき、凹部416の深さはデバイス層412の厚さよりも小さくなるようにする。
凹部416を形成する方法としては、図7(b)の工程で凹部116を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
犠牲層417を形成する方法としては、例えば二酸化シリコンなどの材料を蒸着などの手段を用いて薄膜状に堆積させる手法を用いることが可能である。
貫通口419を形成する方法としては、図7(e)の工程で貫通口119を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
貫通口420を形成する方法としては、図7(d)の工程で貫通口118を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
基板431としては、基板411の支持層414と同じ基板を用いるのが好適である。
例えば、基板411としてSOI基板を用いた場合、基板431は単結晶シリコンからなる基板を用いるのが好適である。
また、基板431として単結晶シリコン基板を用いた場合、接合の方法として陽極接合を用いることが可能である。
基板441の材料は、図7(h)の工程と同様の理由で、基板411と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板411のデバイス層412の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板411がSOI基板である場合、基板441はデバイス層412と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
凹部243の形成方法としては、図7(b)の工程で凹部116を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
最後に、以下の工程(p)〜(r)により、可動部405の運動を制限しながら被加工部401、402に仰角をつけ、その後、被加工部の凸部403、404及び可動部の凸部407を除去する。
凹部416を塑性変形させる方法としては、図8(p)の工程と同様の方法を用いることが可能である。
被加工部の凸部403、404及び可動部の凸部407は、犠牲層413、417のみを介して被加工部401、402及び可動部405に固定されている。
よって、この工程により被加工部の凸部403、404及び可動部の凸部407は犠牲層413、417と共に除去される。
犠牲層413を除去する方法としては、図7(o)の工程と同様の方法を用いることが可能である。
2、111、131、141、211、231、241、251、311、331、411、431、441 基板
3、101、102、201、202、301、302、401、402 被加工部
4、105、205、305、405 可動部
5、106、206、306、406 支持部
7、23、33、144、254、307、447、450 拘束部
Claims (15)
- 基板に支持された可動部に設けられた被加工部を塑性変形させて、該可動部の主面に対して傾斜した傾斜部を有する構造体を作製する構造体の作製方法であって、
前記可動部の動きを拘束する拘束部を設ける工程と、
前記被加工部に力を加えることにより前記被加工部を塑性変形させる工程と、
前記拘束部の少なくとも一部を除去する工程と、
を含むことを特徴とする構造体の作製方法。 - 前記拘束部が
1つ以上の凸部を有し、
かつ、
前記被加工部を塑性変形させる工程において、
前記拘束部の凸部と前記可動部の少なくとも一部分とを接触させることにより前記可動部の動きを拘束することを特徴とする請求項1に記載の構造体の作製方法。 - 前記可動部には1つ以上の凸部が設けられ、
前記拘束部は1つ以上の凹部を有し、
前記被加工部を塑性変形させる工程において、前記可動部の凸部と前記拘束部の凹部の内壁及び底面の少なくとも一部とが互いに接触することを特徴とする請求項1に記載の構造体の作製方法。 - 前記拘束部が前記可動部と前記基板との両方を固定することで前記可動部と基板とを拘束することを特徴とする請求項1に記載の構造体の作製方法。
- 前記拘束部が前記可動部または基板に犠牲層を介して設けられており、
かつ、
前記拘束部を除去する工程が、
前記犠牲層のうち、少なくとも前記拘束部が設けられている部分を除去する工程を含むことを特徴とする請求項3乃至4のいずれか1項に記載の構造体の作製方法。 - 前記拘束部が、
前記拘束部の先端から犠牲層と接する部分までを貫通する貫通口を有することを特徴とする請求項5に記載の構造体の作製方法。 - 前記構造体の作製方法が、
前記被加工部に型を押し当てる工程を含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の構造体の作製方法。 - 前記構造体の作製方法が、
前記被加工部に凸部を設ける工程を含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の構造体の作製方法。 - 前記構造体の作製方法が、
前記被加工部に設けた凸部に型を押し当てる工程を含むことを特徴とする請求項8に記載の構造体の作製方法。 - 前記被加工部を少なくとも2つ以上有し、
かつ、
前記被加工部に設けた凸部が、前記可動部の主面に対して当該主面の表面又は裏面の一方側に突出して設けられていることを特徴とする請求項9に記載の構造体の作製方法。 - 前記被加工部を少なくとも2つ以上有し、
かつ、
少なくとも1つ以上の前記被加工部に設けた凸部が、前記可動部の主面に対して、他の前記被加工部の凸部と反対の向きに突出して設けられていることを特徴とする請求項9に記載の構造体の作製方法。 - 前記被加工部に設けた凸部が、
前記被加工部を屈曲させる位置からの距離が各々の前記被加工部を傾ける角度に対応した距離となる位置に設けられていることを特徴とする請求項10乃至11のいずれか1項に記載の構造体の作製方法。 - 前記複数の被加工部に設けた凸部が、
傾ける各々の前記被加工部の角度に対応した長さを有することを特徴とする請求項10乃至12のいずれか1項に記載の構造体の作製方法。 - 前記構造体の作製方法が、
前記被加工部に凹部を設ける工程を含むことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の構造体の作製方法。 - 前記構造体の作製方法が、
前記構造体のうち少なくとも前記被加工部の一部を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の構造体の作製方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008165080A JP5341407B2 (ja) | 2008-06-24 | 2008-06-24 | 構造体の作製方法 |
US12/486,749 US7959843B2 (en) | 2008-06-24 | 2009-06-18 | Method of fabricating structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008165080A JP5341407B2 (ja) | 2008-06-24 | 2008-06-24 | 構造体の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010005711A true JP2010005711A (ja) | 2010-01-14 |
JP5341407B2 JP5341407B2 (ja) | 2013-11-13 |
Family
ID=41430386
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008165080A Expired - Fee Related JP5341407B2 (ja) | 2008-06-24 | 2008-06-24 | 構造体の作製方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7959843B2 (ja) |
JP (1) | JP5341407B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013097139A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Kyushu Univ | マイクロスキャナ |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5121283B2 (ja) * | 2007-04-04 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 面外角度付構造部を有する構造体の作製方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003295069A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-15 | Minoru Sasaki | 立体構造を持った微小光学系の製造方法とこれを実施した微小光学システム |
JP2004219839A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Sony Corp | 三次元構造体およびその製造方法、並びに電子機器 |
US20040245871A1 (en) * | 2003-06-06 | 2004-12-09 | The Regents Of The University Of California | Microfabricated vertical comb actuator using plastic deformation |
JP2005300501A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-10-27 | Ritsumeikan | マルチプローブの製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0945925B8 (en) * | 1998-03-27 | 2008-10-15 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Electrical connector having a housing and a retainer |
US7085122B2 (en) | 2003-05-21 | 2006-08-01 | The Regents Of The University Of California | MEMS tunable capacitor based on angular vertical comb drives |
JP4670271B2 (ja) | 2003-10-31 | 2011-04-13 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
JP2006296138A (ja) | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Sony Corp | 駆動素子 |
US7594294B2 (en) * | 2006-03-22 | 2009-09-29 | S.C. Johnson & Son, Inc. | Cleaning implement |
JP5121344B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 構造体の作製方法 |
-
2008
- 2008-06-24 JP JP2008165080A patent/JP5341407B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-06-18 US US12/486,749 patent/US7959843B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003295069A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-15 | Minoru Sasaki | 立体構造を持った微小光学系の製造方法とこれを実施した微小光学システム |
JP2004219839A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Sony Corp | 三次元構造体およびその製造方法、並びに電子機器 |
US20040245871A1 (en) * | 2003-06-06 | 2004-12-09 | The Regents Of The University Of California | Microfabricated vertical comb actuator using plastic deformation |
JP2005300501A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-10-27 | Ritsumeikan | マルチプローブの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013097139A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Kyushu Univ | マイクロスキャナ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7959843B2 (en) | 2011-06-14 |
US20090315217A1 (en) | 2009-12-24 |
JP5341407B2 (ja) | 2013-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5121344B2 (ja) | 構造体の作製方法 | |
JP4919750B2 (ja) | マイクロ構造体製造方法およびマイクロ構造体 | |
JP3065611B1 (ja) | マイクロミラ―装置およびその製造方法 | |
WO2017090380A1 (ja) | 共振装置及びその製造方法 | |
JP5694007B2 (ja) | Mems揺動装置 | |
TW201110274A (en) | Mems device | |
CN101279712B (zh) | 生成微机械结构的方法 | |
JP5341407B2 (ja) | 構造体の作製方法 | |
JP4285005B2 (ja) | 三次元構造体およびその製造方法、並びに電子機器 | |
CN102190285B (zh) | 制造mems器件的方法以及为此使用的衬底 | |
JP4264417B2 (ja) | マイクロマシニング型の装置、特にマイクロマシニング型の旋回ミラー装置を製作するための方法 | |
JP2009093105A (ja) | マイクロミラー装置、およびミラー部形成方法 | |
JP4534952B2 (ja) | チルトミラー素子 | |
JP5818517B2 (ja) | マイクロマシニング型の構成部材およびマイクロマシニング型の構成部材に対する製造法 | |
JP5121283B2 (ja) | 面外角度付構造部を有する構造体の作製方法 | |
CN102556944B (zh) | Mems装置的制作方法 | |
KR101549280B1 (ko) | 경사 구조를 갖는 미소 기계 구성 소자 및 상응하는 제조 방법 | |
JP2007075978A (ja) | 構造体の製造方法およびアクチュエータ | |
JP2002233997A (ja) | Soi材料上のマイクロミラー及びmemsアセンブリ用の単結晶シリコンリボンヒンジ | |
JP4725705B2 (ja) | 微小構造体の製造方法 | |
JP2004233653A (ja) | ミラー駆動装置 | |
JP2006221956A (ja) | ヒューズ | |
JP5354006B2 (ja) | 平行移動機構および平行移動機構の製造方法 | |
JP6077830B2 (ja) | 可変形状ミラーの製造方法 | |
KR101352941B1 (ko) | 마이크로 구조물 및 마이크로 엑츄에이터 제조방법, 이 제조방법에 의해 제조된 마이크로 구조물 및 마이크로 엑츄에이터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100201 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100630 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110513 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121120 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130121 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130808 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |