JP2010004712A - 充放電制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充放電余力を所望のものに維持しつつ、個々の電池ブロックのメモリ効果を解消することが可能な充放電制御方法を提供する。
【解決手段】充放電制御方法は、複数の電池ブロック3A〜3Dから構成された電池ユニット2の充電および放電を制御する制御方法であって、以下のステップを含んでいる。(a)複数の電池ブロック3A〜3Dのそれぞれについて、放電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、(b)ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から低残容量側にシフトした低残容量対応範囲に設定するステップ、並びに(c)ステップbにて充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの電池ブロックの充放電範囲を、通常範囲から高残容量側にシフトした高残容量対応範囲に設定するステップ。
【選択図】図3
【解決手段】充放電制御方法は、複数の電池ブロック3A〜3Dから構成された電池ユニット2の充電および放電を制御する制御方法であって、以下のステップを含んでいる。(a)複数の電池ブロック3A〜3Dのそれぞれについて、放電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、(b)ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から低残容量側にシフトした低残容量対応範囲に設定するステップ、並びに(c)ステップbにて充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの電池ブロックの充放電範囲を、通常範囲から高残容量側にシフトした高残容量対応範囲に設定するステップ。
【選択図】図3
Description
本発明は、充放電制御方法に関する。さらに詳しくは、主としてハイブリッドカー等に用いられる、ニッケル水素蓄電池やリチウムイオン電池等の二次電池の充電状態を所定範囲に制御しながら充放電させる方法に関する。
ニッケル水素蓄電池やリチウムイオン電池などの二次電池は、ポータブル機器や電動工具、あるいは電気自動車用の電源として広く用いられている。中でも比較的エネルギ密度が高く耐久性に優れるニッケル水素蓄電池については、ハイブリッドカーなどの電気自動車用電源にその用途が広がっている。
ハイブリッドカーは、動力源としてエンジンのほかにモータを備えているものであり、モータは、加速時等にはエンジンによる車軸の駆動を補助するとともに、減速時には回生ブレーキとして発電を行う。したがって、ハイブリッドカーに使用される電池においては、加速時等の駆動補助のために、常にある程度以上の充電量を確保する必要がある一方で、回生エネルギの蓄電のために、常にある程度以上の充電余力をも確保する必要がある。そのため、他の用途の場合とは異なり、完全充電も完全放電もされずに、完全充電に対する50%前後の充電状態(state of charge:SOC)で電池が使用されるのが通常である。
より具体的に説明するならば、上記電池においては、50%前後の充電状態を保つために、充電されるときの上限の充電状態と放電されるときの下限の充電状態とにより規定される充放電範囲が設定される。ハイブリッドカーにおける充放電では、走行中の加速減速により、電池は小刻みに充電、放電を繰り返す。その際に、上記充放電範囲の下限側の充電状態では電池の放電を抑え、上限側の充電状態では電池の充電を抑えることで、電池の充電状態の変動範囲を一定範囲内とし、50%前後の充電状態を保つ事ができる。
一方、ニッケル水素蓄電池等のアルカリ蓄電池については、充電状態に対する電圧が充放電履歴に応じて一時的に変化するメモリ効果が知られている。この現象は完全放電する前に充電を開始したり、完全充電する前に放電を開始したりすると発生しやすい現象である。そして、放電側のメモリ効果が発生すると、同一の充電状態における比較においてメモリ効果が発生していない電池よりも放電時の電圧は低下する。また、充電側のメモリ効果が発生すると、同一の充電状態における比較においてメモリ効果が発生していない電池よりも充電時の電圧は上昇する。この結果、実際に使用できる充放電範囲は狭くなる。
メモリ効果を解消するためには、完全放電または完全充電を行えばよいが、ハイブリッドカーにおける使用では、上述したとおり、常に充電状態を50%程度に保つ必要があるために、自動車の走行中にメモリ効果の解消を行うことは容易ではない。
メモリ効果を解消するためには、完全放電または完全充電を行えばよいが、ハイブリッドカーにおける使用では、上述したとおり、常に充電状態を50%程度に保つ必要があるために、自動車の走行中にメモリ効果の解消を行うことは容易ではない。
この問題に対処するために、特許文献1においては、通常よりも深く放電するリフレッシュ用充放電範囲を設定し、電池モジュールのメモリ効果が検出されたときに、充放電範囲を、通常の充放電範囲から、リフレッシュ用充放電範囲に切り替える方法が提案されている。
しかしながら、特許文献1の方法では、リフレッシュ用充放電範囲を、メモリ効果を効果的に解消し得る程度に低残容量側にシフトした範囲に設定すると、その範囲の下限近くの充電状態ではモータによる駆動補助を効果的に行うことができなくなってしまう。したがって、モータによる駆動補助を犠牲にしないものとすれば、特許文献1の方法では、リフレッシュ用充放電範囲をメモリ効果の解消に十分な、低残容量側にシフトした範囲に設定することができないために、メモリ効果を効果的に解消することは困難である。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充放電余力を所望のものに維持しつつ、個々の電池ブロックのメモリ効果を解消することが可能な充放電制御方法を提供することを目的としている。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充放電余力を所望のものに維持しつつ、個々の電池ブロックのメモリ効果を解消することが可能な充放電制御方法を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、本発明の充放電制御方法は、
複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、放電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から低残容量側にシフトした低残容量対応範囲に設定するステップ、並びに
(c)前記ステップbにて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの前記電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした高残容量対応範囲に設定するステップ、
を含む。
複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、放電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から低残容量側にシフトした低残容量対応範囲に設定するステップ、並びに
(c)前記ステップbにて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの前記電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした高残容量対応範囲に設定するステップ、
を含む。
また、上記目的を達成するために、本発明の充放電制御方法は、
複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、充電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から高残容量側にシフトした高残容量対応範囲に設定するステップ、並びに
(c)前記ステップbにて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの前記電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から低残容量側にシフトした低残容量対応範囲に設定するステップ、
を含む。
複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、充電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から高残容量側にシフトした高残容量対応範囲に設定するステップ、並びに
(c)前記ステップbにて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの前記電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から低残容量側にシフトした低残容量対応範囲に設定するステップ、
を含む。
ここで、本発明の充放電制御方法においては、(d)前記メモリ効果の発生が検出された電池ブロックについて当該メモリ効果の解消を検出するステップ、および
(e)前記ステップdにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに前記ステップbおよびcにおいて充放電範囲の設定が行われた全ての電池ブロックの充放電範囲を前記通常範囲に設定し直すステップ、
をさらに含むのが好ましい。
(e)前記ステップdにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに前記ステップbおよびcにおいて充放電範囲の設定が行われた全ての電池ブロックの充放電範囲を前記通常範囲に設定し直すステップ、
をさらに含むのが好ましい。
また、上記目的を達成するために、本発明の充放電制御方法は、
複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、放電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から低残容量側にシフトした第1低残容量対応範囲に設定するステップ、
(c)前記ステップbにおいて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの前記電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした第2高残容量対応範囲に設定するステップ、
(d)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックについて当該メモリ効果の解消を検出するステップ、
(e)前記ステップdにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに、当該メモリ効果の解消が検出された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした第1高残容量対応範囲に設定するステップ、並びに
(f)前記ステップdにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに、前記ステップcにおいて前記充放電範囲が前記第2高残容量対応範囲に設定された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から低残容量側にシフトした第2低残容量対応範囲に設定するステップ、
を含む。
複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、放電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から低残容量側にシフトした第1低残容量対応範囲に設定するステップ、
(c)前記ステップbにおいて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの前記電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした第2高残容量対応範囲に設定するステップ、
(d)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックについて当該メモリ効果の解消を検出するステップ、
(e)前記ステップdにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに、当該メモリ効果の解消が検出された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした第1高残容量対応範囲に設定するステップ、並びに
(f)前記ステップdにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに、前記ステップcにおいて前記充放電範囲が前記第2高残容量対応範囲に設定された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から低残容量側にシフトした第2低残容量対応範囲に設定するステップ、
を含む。
また、上記目的を達成するために、本発明の充放電制御方法は、
複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、充電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から高残容量側にシフトした第1高残容量対応範囲に設定するステップ、
(c)前記ステップbにおいて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの前記電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から低残容量側にシフトした第2低残容量対応範囲に設定するステップ、
(d)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックについて当該メモリ効果の解消を検出するステップ、
(e)前記ステップdにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに、当該メモリ効果の解消が検出された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から低残容量側にシフトした第1低残容量対応範囲に設定するステップ、並びに
(f)前記ステップdにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに、前記ステップcにおいて前記充放電範囲が前記第2低残容量対応範囲に設定された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした第2高残容量対応範囲に設定するステップ、
を含む充放電制御方法。
複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、充電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から高残容量側にシフトした第1高残容量対応範囲に設定するステップ、
(c)前記ステップbにおいて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの前記電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から低残容量側にシフトした第2低残容量対応範囲に設定するステップ、
(d)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックについて当該メモリ効果の解消を検出するステップ、
(e)前記ステップdにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに、当該メモリ効果の解消が検出された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から低残容量側にシフトした第1低残容量対応範囲に設定するステップ、並びに
(f)前記ステップdにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに、前記ステップcにおいて前記充放電範囲が前記第2低残容量対応範囲に設定された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした第2高残容量対応範囲に設定するステップ、
を含む充放電制御方法。
ここで、本発明の充放電制御方法は、
(g)前記ステップeにおいて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロックについてメモリ効果の解消を検出するステップ、および
(h)前記ステップgにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに前記ステップeおよびステップfにおいて充放電範囲の設定が行われた全ての電池ブロックの充放電範囲を前記通常範囲に設定し直すステップ、
を含むのが好ましい。
(g)前記ステップeにおいて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロックについてメモリ効果の解消を検出するステップ、および
(h)前記ステップgにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに前記ステップeおよびステップfにおいて充放電範囲の設定が行われた全ての電池ブロックの充放電範囲を前記通常範囲に設定し直すステップ、
を含むのが好ましい。
また、上記目的を達成するために、本発明の充放電制御方法は、
複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、充電側および放電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいていずれかのメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から低残容量側にシフトした第1低残容量対応範囲に設定するステップ、
(c)前記ステップbにおいて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの前記電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした第2高残容量対応範囲に設定するステップ、
(d)前記ステップbにおいて前記充放電範囲が前記第1低残容量対応範囲に設定された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした第1高残容量対応範囲に設定するステップ、
(e)前記ステップcにおいて前記充放電範囲が前記第2高残容量対応範囲に設定された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から低残容量側にシフトした第2低残容量対応範囲に設定するステップ、
(f)前記メモリ効果の発生が検出された電池ブロックについて充電側および放電側のメモリ効果が解消しているかを検出するステップ、
(g)前記ステップfにおいて前記充電側および放電側のメモリ効果の解消が検出されたときに前記ステップb〜eにおいて充放電範囲の設定が行われた全ての電池ブロックの充放電範囲を前記通常範囲に設定するステップ、
を含み、
前記ステップaにおいて前記メモリ効果の発生が検出されてから前記ステップfにおいて前記メモリ効果の解消が検出されるまでの間、前記ステップb〜eを繰り返し実行する充放電制御方法。
複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、充電側および放電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいていずれかのメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から低残容量側にシフトした第1低残容量対応範囲に設定するステップ、
(c)前記ステップbにおいて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの前記電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした第2高残容量対応範囲に設定するステップ、
(d)前記ステップbにおいて前記充放電範囲が前記第1低残容量対応範囲に設定された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした第1高残容量対応範囲に設定するステップ、
(e)前記ステップcにおいて前記充放電範囲が前記第2高残容量対応範囲に設定された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から低残容量側にシフトした第2低残容量対応範囲に設定するステップ、
(f)前記メモリ効果の発生が検出された電池ブロックについて充電側および放電側のメモリ効果が解消しているかを検出するステップ、
(g)前記ステップfにおいて前記充電側および放電側のメモリ効果の解消が検出されたときに前記ステップb〜eにおいて充放電範囲の設定が行われた全ての電池ブロックの充放電範囲を前記通常範囲に設定するステップ、
を含み、
前記ステップaにおいて前記メモリ効果の発生が検出されてから前記ステップfにおいて前記メモリ効果の解消が検出されるまでの間、前記ステップb〜eを繰り返し実行する充放電制御方法。
また、上記目的を達成するために、本発明の充放電制御方法は、
複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、充電側および放電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいて少なくとも1つの前記電池ブロックについて充電側のメモリ効果の発生が検出され且つ他の少なくとも1つの前記電池ブロックについて放電側のメモリ効果の発生が検出されたときに、前記少なくとも1つの電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から高残容量側にシフトした第1高残容量対応範囲に設定する一方、前記少なくとも1つの電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から高残容量側にシフトした第1高残容量対応範囲に設定するステップ、
を含む充放電制御方法。
複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、充電側および放電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいて少なくとも1つの前記電池ブロックについて充電側のメモリ効果の発生が検出され且つ他の少なくとも1つの前記電池ブロックについて放電側のメモリ効果の発生が検出されたときに、前記少なくとも1つの電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から高残容量側にシフトした第1高残容量対応範囲に設定する一方、前記少なくとも1つの電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から高残容量側にシフトした第1高残容量対応範囲に設定するステップ、
を含む充放電制御方法。
ここで、本発明の充放電制御方法は、
(c)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された全ての電池ブロックについて当該メモリ効果の解消を検出するステップ、および
(d)前記ステップcにおいて前記全ての電池ブロックのメモリ効果の解消が検出されたときに前記ステップbにおいて充放電範囲の設定が行われた全ての電池ブロックの充放電範囲を前記通常範囲に設定し直すステップ、
をさらに含むのが好ましい。
(c)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された全ての電池ブロックについて当該メモリ効果の解消を検出するステップ、および
(d)前記ステップcにおいて前記全ての電池ブロックのメモリ効果の解消が検出されたときに前記ステップbにおいて充放電範囲の設定が行われた全ての電池ブロックの充放電範囲を前記通常範囲に設定し直すステップ、
をさらに含むのが好ましい。
本発明によれば、複数の電池ブロックのそれぞれについて、放電側のメモリ効果の発生が検出されると、メモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲は、通常時の充放電範囲である通常範囲から低残容量側にシフトした低残容量対応範囲に設定される。一方、上記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの電池ブロックの充放電範囲が、通常範囲から高残容量側にシフトした高残容量対応範囲に設定されるので、複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充放電余力を所望のものに維持しつつ、個々の電池ブロックのメモリ効果を解消することが可能となる。
〈実施の形態1〉
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態1に係る充放電制御方法を説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明を具体化する場合の一例であり、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態1に係る充放電制御方法を説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明を具体化する場合の一例であり、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
図1は、本発明の実施の形態1の充電制御方法が適用された電源装置を備える自動車の制御系統を示す機能ブロック図である。
図1の自動車1は、エンジン4とモータ5とにより車軸を駆動するハイブリッドカーとして構成されている。モータ5は、自動車1の加速時等には、電池ユニット2から供給される電力により、エンジン4を補助して自動車1の車軸を駆動する。電池ユニット2は、複数の電池ブロック、図示例では、4つの電池ブロック3A、3B、3C、3Dを含んでいる。モータ5は、自動車1の減速時には回生ブレーキとして発電を行う。また、電池ユニット2の充電状態が低くなり過ぎた場合等にモータ5をエンジン4により駆動して発電を行うようにすることも可能である。モータ5により発電された電力は電池ユニット2に蓄電される。
図1の自動車1は、エンジン4とモータ5とにより車軸を駆動するハイブリッドカーとして構成されている。モータ5は、自動車1の加速時等には、電池ユニット2から供給される電力により、エンジン4を補助して自動車1の車軸を駆動する。電池ユニット2は、複数の電池ブロック、図示例では、4つの電池ブロック3A、3B、3C、3Dを含んでいる。モータ5は、自動車1の減速時には回生ブレーキとして発電を行う。また、電池ユニット2の充電状態が低くなり過ぎた場合等にモータ5をエンジン4により駆動して発電を行うようにすることも可能である。モータ5により発電された電力は電池ユニット2に蓄電される。
ここで、電池ユニット2は、エンジン4による駆動を補助するのに十分な電力をモータ5に供給することができ且つ回生エネルギを受け入れることができる規定の充電状態(State Of Charge:SOC)を保つように、電池制御部6により、電池ブロック3A〜3Dそれぞれの充放電が制御される。つまり、電池ユニット2は、常に所定の充放電余力を保持するように、電池制御部6により個々の電池ブロック3A〜3Dの充放電が制御される。
また、エンジン4は、エンジン制御部7により、自動車1の運転状態および運転者の操作に応じて、燃料の供給量等が制御される。また、電池制御部6およびエンジン制御部7は、統括制御部8により統括的に制御される。
ここで、本実施の形態では、電池ユニット2は、4つの電池ブロック3A〜3Dから構成されるものとしたが、これに限られることはなく、電池ユニット2は少なくとも2つの電池ブロックから構成されていればよい。
また、電池ブロック3A〜3Dはそれぞれ、複数の電池から構成されるものであり、本発明においては、各電池ブロックを構成する電池は、ニッケル水素蓄電池、ニッケルカドミウム蓄電池などのアルカリ蓄電池であることが好ましい。ニッケル極を正極とするアルカリ蓄電池は、メモリ効果が発生することが広く知られており、そのようなアルカリ蓄電池を使用したシステムに対して本発明は格別の効果を発揮するものだからである。
したがって、アルカリ蓄電池以外の電池であっても、メモリ効果が発生する電池であれば、そのような電池から構成される電池ブロックを使用したシステムに対して本発明は格別の効果を発揮することができる。現状では、アルカリ蓄電池以外にそのような電池は存在しないが、将来的に開発される二次電池においてメモリ効果が発生するものがあれば、そのような電池を使用したシステムに対して本発明はアルカリ蓄電池におけると同様の効果を発揮することができる。
したがって、アルカリ蓄電池以外の電池であっても、メモリ効果が発生する電池であれば、そのような電池から構成される電池ブロックを使用したシステムに対して本発明は格別の効果を発揮することができる。現状では、アルカリ蓄電池以外にそのような電池は存在しないが、将来的に開発される二次電池においてメモリ効果が発生するものがあれば、そのような電池を使用したシステムに対して本発明はアルカリ蓄電池におけると同様の効果を発揮することができる。
以下、電池制御部6の制御を詳細に説明する。
電池ユニット2は、電池ブロック3A〜3Dを個別に充放電することができる構造となっており、電池制御部6は、電池ブロック3A〜3Dのそれぞれの充放電を制御して、電池ユニット2を上記規定の充電状態に保つように制御する。
電池ユニット2は、電池ブロック3A〜3Dを個別に充放電することができる構造となっており、電池制御部6は、電池ブロック3A〜3Dのそれぞれの充放電を制御して、電池ユニット2を上記規定の充電状態に保つように制御する。
より具体的には、電池制御部6には、電池ユニット2の電池ブロック3A〜3Dのそれぞれについて、図示しない電圧計、温度計、および電流計により測定された電圧、温度、並びに充電電流および放電電流に関するデータが入力される。電池制御部6は、それらの入力データにより示される充放電履歴から積算容量を算出し、電池ブロック3A〜3Dのそれぞれに設定される充放電範囲に基づいて、電池ブロック3A〜3Dの充電電流および放電電流を制御する。
ここで、充放電範囲とは、図2に示すように、当該電池ブロックの充電を行うときの充電状態の上限値Cuと、放電を行うときの充電状態の下限値Cdを定めるものである。当該電池ブロックの充放電は定められた充放電範囲に従って行われる。
より具体的には、電池ブロック3A〜3Dのいずれかの充電状態が、当該電池ブロックに対して設定されている充放電範囲の下限値Cdに近づくと、当該電池ブロックの放電量を他の電池ブロックに比べて相対的に減らし、当該電池ブロックの充電状態の低下を抑制する。また、当該電池ブロックの充電量を他の電池ブロックに比べて相対的に増やし、当該電池ブロックの充電状態の上昇を促進する。
また、当該電池ブロックの充電状態が下限値Cd以下になった場合には放電を停止したり、エンジン4によりモータ5を駆動して発電を行い、当該電池ブロックを充電したりすることもできる。
また、当該電池ブロックの充電状態が下限値Cd以下になった場合には放電を停止したり、エンジン4によりモータ5を駆動して発電を行い、当該電池ブロックを充電したりすることもできる。
一方、電池ブロック3A〜3Dのいずれかの充電状態が、当該電池ブロックに対して設定されている充放電範囲の上限値Cuに近づくと、当該電池ブロックの充電量を他の電池ブロックに比べて相対的に減らし、当該ブロックの充電状態の上昇を抑制する。また、当該電池ブロックの放電量を他の電池ブロックに比べて相対的に増やし、当該ブロックの充電状態の低下を促進する。
また、当該電池ブロックの充電状態が上限値Cu以上になった場合には当該電池ブロックの充電を完全に停止することもできる。
また、当該電池ブロックの充電状態が上限値Cu以上になった場合には当該電池ブロックの充電を完全に停止することもできる。
また、電池制御部6は、電池ユニット2から入力される電池ブロック3A〜3Dについての上記データに基づいて、電池ブロック3A〜3Dのそれぞれについて、メモリ効果の発生を検出する。ここで、メモリ効果の発生は、例えば、各電池ブロックの電圧の測定値と、その時点の電池ブロックの充電状態に対応する標準的な電圧とのずれに基づいて検出することができる。また、メモリ効果の発生は、電池ブロック3A〜3Dのそれぞれの積算された充放電容量、またはメモリ効果が前回解消されてからの期間に基づいて検出することも可能である。
以下、図3のフローチャートを参照して、本実施の形態の充放電制御方法を説明する。
図3は、電池ブロック3A〜3Dのいずれかに放電側のメモリ効果が発生したときに、そのメモリ効果を解消するように、電池制御部6が各電池ブロックの充放電範囲を設定する処理を示している。なお、放電側のメモリ効果とは、電荷が十分に残っている状態で継ぎ足し充電を繰り返したときに、継ぎ足し充電を開始した残容量付近で放電電圧が急激に低下する現象である。
図3は、電池ブロック3A〜3Dのいずれかに放電側のメモリ効果が発生したときに、そのメモリ効果を解消するように、電池制御部6が各電池ブロックの充放電範囲を設定する処理を示している。なお、放電側のメモリ効果とは、電荷が十分に残っている状態で継ぎ足し充電を繰り返したときに、継ぎ足し充電を開始した残容量付近で放電電圧が急激に低下する現象である。
先ず、ステップS1において、メモリ効果の検出対象となる電池ブロックの番号を指定するための変数kに初期値を設定する。ここで、電池ブロック3A〜3Dのそれぞれに設定される番号は任意である。ここでは、電池ブロック3A、3B、3C、3Dの番号をこの順に1番目、2番目、3番目、4番目とする。なお、変数kに設定する初期値は1〜4の任意の整数とすることができる。
次に、全ての電池ブロック3A〜3Dの充放電範囲を通常時の充放電範囲である通常範囲に設定する(ステップS2)。このステップS2の処理により、初期状態において、全ての電池ブロックの充放電範囲が通常範囲に設定される。また、後のステップS6でメモリ効果の解消が検出されたときにも、全ての電池ブロックの充放電範囲が通常範囲に設定される。
ここで、通常範囲とは、電池ブロック3A〜3Dのいずれにおいてもメモリ効果の発生が検出されていないときに、電池ユニット2を上記規定の充電状態とするように電池ブロック3A〜3Dに対して設定される充放電範囲をいう。本実施の形態1においては、図4に示すように、全ての電池ブロック3A〜3Dの通常範囲は、下限値Cd1も上限値Cu1も共通であるものとするが、電池ブロック3A〜3D毎に通常範囲を設定することも勿論可能である。
次に、変数kの値を4で割り、その余りに1を加えた値を変数kに代入する(ステップS3)。このステップS3の処理により、上記ステップS1で変数kの初期値を例えば0に設定することにより、1番目の電池ブロック、すなわち電池ブロック3Aが初回のメモリ効果の検出対象の電池ブロック(後述のステップS4参照)として指定される。以下、変数kの値は、ステップS4においてメモリ効果の発生が検出されなかった場合、並びに後述のステップS6においてメモリ効果の解消が検出された場合に、「4」に達するまで「1」ずつ増加される。変数kの値が「4」に達すると次は「1」に戻る。このようにして、全ての電池ブロック3A〜3Dが、メモリ効果の検出対象の電池ブロックとして順次繰り返し指定されていく。
ここで、変数kが4で割られるのは、電池ブロック3A〜3Dの数が4だからであり、電池ブロックの数が変われば、その数により変数kは割られる。なお、メモリ効果の検出対象の電池ブロックは、乱数を発生させてランダムに選択するようにしてもよい。さらには、前回のメモリ効果の解消からの経過時間が長いものから順に、メモリ効果の検出を行うことがより好ましい。複数の電池ブロックに同時にメモリ効果が発生している場合等には、より強いメモリ効果が発生している可能性の高い、前回のメモリ効果解消からの経過時間が長い電池ブロックを優先して、メモリ効果の解消を実行することが望ましいからである。
次に、変数kにより指定される番号の電池ブロックについて、上述した方法により放電側のメモリ効果の発生が検出されたか否かを判定する(ステップS4)。ここで、当該電池ブロックについて放電側のメモリ効果の発生が検出されていなければ、ステップS3に戻り、メモリ効果の発生が検出されていれば、ステップS5に進む。
ステップS5においては、上記ステップS4において放電側のメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を低残容量対応範囲(第1低残容量範囲、図5参照)に設定する一方、それ以外の電池ブロックの少なくとも1つの電池ブロックについて、その充放電範囲を高残容量対応範囲(第2高残容量範囲、図6参照)に設定する。
低残容量対応範囲は、図5に示すように、図4の通常範囲よりも充電状態が低残容量側にシフトした充放電範囲である。放電側のメモリ効果が発生した電池ブロックの充放電範囲を低残容量対応範囲に設定することによって、通常範囲におけるよりも当該電池ブロックはより低い充電状態となるまで放電されることになる。そして、それを何度か繰り返すことによってメモリ効果が解消される。したがって、ステップS5における低残容量対応範囲(第1低残容量範囲)は、電池ブロック3A〜3Dのメモリ効果を解消するのに十分な深度まで電池ブロック3A〜3Dを放電し得るようにその範囲が設定される。
なお、図示例では、低残容量対応範囲の上限値Cu2および下限値Cd2の両方が通常範囲の上限値Cu1および下限値Cd1よりも低くなっている。しかしながら、上限値Cu2および下限値Cd2の一方、例えば下限値Cd2のみを通常範囲の下限値Cd1よりも低くすることも可能である。
また、高残容量対応範囲は、図6に示すように、図4の通常範囲よりも高残容量側に充電状態がシフトした充放電範囲である。メモリ効果が発生した電池ブロック以外の少なくとも1つの電池ブロックの充放電範囲を、高残容量対応範囲に設定することによって、通常範囲におけるよりも当該電池ブロックはより高い充電状態となるまで充電されることになる。これにより、電池ユニット2の充電量が全体として低下するのを防止することができる。したがって、自動車1の加速時等に駆動を補助するのに十分な放電余力を確保することが可能となる。また、ステップS5における高残容量対応範囲(第2高残容量範囲)は、電池ユニット2の充電量が全体として低下するのを防止し得るようにその範囲が設定される。図示例では、高残容量対応範囲の上限値Cu3および下限値Cd3の両方が通常範囲の上限値Cu1および下限値Cd1よりも高くなっている。しかしながら、上限値Cu3および下限値Cd3の一方のみを通常範囲の上限値Cu1および下限値Cd1よりも高く設定するものとすることも可能である。
より具体的には、電池制御部6は、モータ5の発電時に発電量が小さいときには、低残容量対応範囲に設定された電池ブロックは充電しないか、または充電電流を制限して、当該電池ブロックの充電量を低下させる。また、モータ5により駆動補助を行う場合は、低残容量対応範囲に設定された電池ブロックを優先的に放電して当該電池ブロックの充電量を低下させる。
なお、ある電池ブロックの充放電範囲が変更になった直後は、充電状態が変更前の充放電範囲にあるため、当該電池ブロックの充電状態が変更後の充放電範囲から外れている場合がある。また、大電流による駆動補助が必要な場合には、設定された充放電範囲の下限値を充電状態が一時的に下回ることもある。また、モータ5による発電量が一時的に大きくなった場合には、設定された充放電範囲の上限を一時的に上回ることもある。このように、充放電範囲の変更過程や、一時的な要因により充電状態が設定された充放電範囲を外れることはあるが、各電池ブロックの充放電容量を制御して、目標となる充放電範囲におさまるように制御を行うことが、電池制御装部6の役割である。
上記ステップS5の処理が終了すると、上記ステップS4においてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックについて当該メモリ効果の解消が検出された否かを判定する(ステップS6)。ここで、メモリ効果が解消していれば、上記ステップS2に戻り、解消していなければ、メモリ効果の解消が検出されるまで本ステップS6の処理を繰り返し実行する。ここで、メモリ効果の解消は、例えば、定められた電圧まで一定回数放電されたか否かに基づいて検出することができる。なお、メモリ効果の解消は、積算された放電容量が定められた容量に達したか否かに基づいて検出することもできるし、当該電池ブロックの測定電圧と、その時点の充電状態に対応する標準的な電圧とのずれが十分に縮小したか否かに基づいて検出することも可能である。
〈実施の形態2〉
次に、図7を参照して、本発明の実施の形態2に係る充放電制御方法を説明する。実施の形態2においても本発明はハイブリッドカーである自動車に適用される。自動車の構成は実施の形態1と同様であり、自動車の各部の動作も基本的には実施の形態1と同様であるので、図1を流用して説明する。
次に、図7を参照して、本発明の実施の形態2に係る充放電制御方法を説明する。実施の形態2においても本発明はハイブリッドカーである自動車に適用される。自動車の構成は実施の形態1と同様であり、自動車の各部の動作も基本的には実施の形態1と同様であるので、図1を流用して説明する。
図7は、電池ブロック3A〜3Dのいずれかに充電側のメモリ効果が発生したときに、そのメモリ効果を解消するように、電池制御部6が各電池ブロックの充放電範囲を設定する処理を示している。なお、充電側のメモリ効果とは、電池を完全充電状態まで充電する前に充電をやめて放電を開始することを繰り返したときに、充電をやめた残容量付近で充電電圧が急激に上昇する現象である。また、図7においてステップS11〜S13の処理は、実施の形態1のステップS1〜S3(図3参照)と同じであるので、その説明は省略する。
ステップS14においては、変数kにより指定される番号の電池ブロックについて、上述した方法により充電側のメモリ効果の発生が検出されたか否かが判定される。ここで、当該電池ブロックについて充電側のメモリ効果の発生が検出されていなければ、ステップS13に戻り、メモリ効果の発生が検出されていれば、ステップS15に進む。
ステップS15においては、上記ステップS14において放電側のメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を高残容量対応範囲(第1高残容量範囲、図8参照)に設定する一方、それ以外の電池ブロックの少なくとも1つの電池ブロックについて、その充放電範囲を低残容量対応範囲(第2低残容量範囲、図9参照)に設定する。
高残容量対応範囲(第1高残容量範囲)は、図8に示すように、図4の通常範囲よりも充電状態が高残容量側にシフトした充放電範囲である。充電側のメモリ効果が発生した電池ブロックの充放電範囲を高残容量対応範囲に設定することによって、通常範囲におけるよりも当該電池ブロックはより高い充電状態となるまで充電されることになる。そして、それを何度か繰り返すことによってメモリ効果が解消される。したがって、ステップS15における高残容量対応範囲(第1高残容量範囲)は、電池ブロック3A〜3Dのメモリ効果を解消するのに十分な深度まで電池ブロック3A〜3Dを充電し得るようにその範囲が設定される。
なお、図示例では、高残容量対応範囲の上限値Cu4および下限値Cd4の両方が通常範囲の上限値Cu1および下限値Cd1よりも高くなっている。しかしながら、上限値Cu4および下限値Cd4の一方、例えば上限値Cu4のみを通常範囲の上限値Cu1よりも低くすることも可能である。また、以上の説明から明らかなように、ステップS15の高残容量対応範囲(第1高残容量範囲)と実施の形態1のステップS5の高残容量対応範囲(第2高残容量範囲)とは、ともに通常範囲よりも高残容量側にシフトした充放電範囲であるが、その範囲は同じである必要はなく、上限値および下限値はその目的に応じて適宜設定されるものである。
また、ステップS15の低残容量対応範囲は、図9に示すように、図4の通常範囲よりも低残容量側に充電状態がシフトした充放電範囲である。メモリ効果が発生した電池ブロック以外の少なくとも1つの電池ブロックの充放電範囲を、低残容量対応範囲に設定することによって、通常範囲におけるよりも当該電池ブロックはより低い充電状態となるまで放電されることになる。これにより、電池ユニット2の充電量が全体として上昇するのを防止することができる。したがって、回生電力等を受け入れるのに十分な充電余力を確保することが可能となる。また、ステップS15における低残容量対応範囲(第2低残容量範囲)は、電池ユニット2の充電量が全体として上昇するのを防止し得るようにその範囲が設定される。図示例では、高残容量対応範囲の上限値Cu5および下限値Cd5の両方が通常範囲の上限値Cu1および下限値Cd1よりも低くなっている。しかしながら、上限値Cu5および下限値Cd5の一方のみを通常範囲の上限値Cu1および下限値Cd1よりも低く設定するものとすることも可能である。
上記ステップS15の処理が終了すると、上記ステップS14においてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックについて当該メモリ効果の解消が検出された否かを判定する(ステップS16)。ここで、メモリ効果が解消していれば、上記ステップS12に戻り、解消していなければ、メモリ効果の解消が検出されるまで本ステップS16の処理を繰り返し実行する。ここで、メモリ効果の解消は、例えば、定められた電圧まで一定回数充電されたか否かに基づいて検出することができる。なお、メモリ効果の解消は、積算された充電容量が定められた容量に達したか否かに基づいて検出することもできるし、当該電池ブロックの充電電圧と、その時点の充電状態に対応する標準的な電圧とのずれが十分に縮小したか否かに基づいて検出することも可能である。
〈実施の形態3〉
次に、図10を参照して、本発明の実施の形態3に係る充放電制御方法を説明する。実施の形態3においても本発明はハイブリッドカーである自動車に適用される。自動車の構成は実施の形態1と同様であり、自動車の各部の動作も基本的には実施の形態1と同様であるので、図1を流用して説明する。
次に、図10を参照して、本発明の実施の形態3に係る充放電制御方法を説明する。実施の形態3においても本発明はハイブリッドカーである自動車に適用される。自動車の構成は実施の形態1と同様であり、自動車の各部の動作も基本的には実施の形態1と同様であるので、図1を流用して説明する。
図10は、電池ブロック3A〜3Dのいずれかに放電側のメモリ効果が発生したときに、そのメモリ効果を解消した後、併せて当該電池ブロックの充電側のメモリ効果の解消を実行するように、電池制御部6が各電池ブロックの充放電範囲を設定する処理を示している。電池ブロック3A〜3Dに例えば放電側のメモリ効果が発生しているときには、充電側のメモリ効果が同時に発生している場合が多いことを考慮して、両方のメモリ効果を同じ機会に解消するようにしたものである。なお、図10においてステップS21〜S25の処理は、実施の形態1のステップS1〜S5(図3参照)と同じであるので、その説明は省略する。
ステップS26においては、ステップS24においてメモリ効果が検出された電池ブロックのメモリ効果が解消したか否かを判定する。ここで、メモリ効果が解消していれば、ステップS27に進み、解消していなければ、メモリ効果の解消が検出されるまで本ステップS26の処理を繰り返し実行する。
ステップS27においては、上記ステップS24においてメモリ効果が検出された電池ブロックの充放電範囲を高残容量対応範囲(第1高残容量対応範囲、図8参照)に設定するとともに、当該電池ブロック以外の電池ブロックの少なくとも1つの電池ブロックについて、その充放電範囲を低残容量範囲(第2低残容量対応範囲、図9参照)に設定する。これにより、メモリ効果の発生した電池ブロックは、充放電範囲が高残容量側にシフトして、充電側のメモリ効果を解消するのに十分な程度まで深く充電される。同時に、メモリ効果の発生した電池ブロック以外の少なくとも1つの電池ブロックの充放電範囲は低残容量側にシフトするので、電池ユニット2の充電量を規定の充電量に保つことができる。
次に、上記ステップS24においてメモリ効果が検出された電池ブロックの充電側のメモリ効果の解消が検出されたか否かを判定する(ステップS28)。ここで、メモリ効果が解消していれば、ステップS22に戻り、解消していなければ、メモリ効果の解消が検出されるまで本ステップS28の処理を繰り返し実行する。なお、メモリ効果の解消は、例えば、定められた電圧まで一定回数充電されたか否かに基づいて検出される。なお、メモリ効果の解消の検出は、積算された充電容量が定められた容量に達したか否か、または当該電池ブロックの充電電圧と、その時点の充電状態に対応する標準的な電圧とのずれが十分に縮小したかということから判定することも可能である。
このように、本実施の形態3の充放電制御方法によれば、電池ブロック3A〜3Dのいずれかに放電側のメモリ効果が検出されたときに、放電側のメモリ効果を解消するための処理を行うのみならず、充電側のメモリ効果を解消するための処理をも行う。これは、放電側のメモリ効果が検出されたときには、充電側についてもメモリ効果が発生している場合が多いのを考慮したためである。
以上のように制御することによって、放電側のみならず充電側のメモリ効果についても同一の機会に解消することが可能となり、電池ユニット2を各電池ブロックに充電側にも放電側にもメモリ効果が発生していない、より望ましい状態に電池ユニット2を保持することが可能となる。
以上のように制御することによって、放電側のみならず充電側のメモリ効果についても同一の機会に解消することが可能となり、電池ユニット2を各電池ブロックに充電側にも放電側にもメモリ効果が発生していない、より望ましい状態に電池ユニット2を保持することが可能となる。
〈実施の形態4〉
次に、図11を参照して、本発明の実施の形態4に係る充放電制御方法を説明する。実施の形態4においても本発明はハイブリッドカーである自動車に適用される。自動車の構成は実施の形態1と同様であり、自動車の各部の動作も基本的には実施の形態1と同様であるので、図1を流用して説明する。
次に、図11を参照して、本発明の実施の形態4に係る充放電制御方法を説明する。実施の形態4においても本発明はハイブリッドカーである自動車に適用される。自動車の構成は実施の形態1と同様であり、自動車の各部の動作も基本的には実施の形態1と同様であるので、図1を流用して説明する。
図11は、電池ブロック3A〜3Dのいずれかに充電側のメモリ効果が発生したときに、そのメモリ効果を解消した後、併せて当該電池ブロックの放電側のメモリ効果の解消を実行するように、電池制御部6が各電池ブロックの充放電範囲を設定する処理を示している。電池ブロック3A〜3Dに例えば充電側のメモリ効果が発生しているときには、放電側のメモリ効果も同時に発生している場合が多いことを考慮して、両方のメモリ効果を同じ機会に解消するようにしたものである。なお、図11においてステップS31〜S35の処理は、実施の形態2のステップS11〜S15(図7参照)と同じであるので、その説明は省略する。
ステップS36においては、上記ステップS34においてメモリ効果が検出された電池ブロックのメモリ効果が解消したか否かを判定する。ここで、メモリ効果が解消していれば、ステップS37に進み、解消していなければ、メモリ効果の解消が検出されるまで本ステップS36の処理を繰り返し実行する。
ステップS37においては、上記ステップS34においてメモリ効果が検出された電池ブロックの充放電範囲を低残容量対応範囲(第1低残容量対応範囲、図5参照)に設定するとともに、当該電池ブロック以外の電池ブロックの少なくとも1つの電池ブロックについて、その充放電範囲を高残容量範囲(第2高残容量対応範囲、図6参照)に設定する。これにより、メモリ効果の発生した電池ブロックは、充放電範囲が低残容量側にシフトして、放電側のメモリ効果を解消するのに十分な程度まで深く放電される。同時に、メモリ効果の発生した電池ブロック以外の少なくとも1つの電池ブロックの充放電範囲は高残容量側にシフトするので、電池ユニット2の充電量を規定の充電量に保つことができる。
次に、上記ステップS34においてメモリ効果が検出された電池ブロックの放電側のメモリ効果の解消が検出されたか否かを判定する(ステップS38)。ここで、メモリ効果が解消していれば、ステップS32に戻り、解消していなければ、メモリ効果の解消が検出されるまで本ステップS38の処理を繰り返し実行する。なお、メモリ効果の解消は、例えば、定められた電圧まで一定回数放電されたか否かに基づいて検出される。なお、メモリ効果の解消の検出は、積算された放電容量が定められた容量に達したか否か、または当該電池ブロックの放電電圧と、その時点の充電状態に対応する標準的な電圧とのずれが十分に縮小したかということから判定することも可能である。
このように、本実施の形態4の充放電制御方法によれば、電池ブロック3A〜3Dのいずれかに充電側のメモリ効果が検出されたときに、充電側のメモリ効果を解消するための処理を行うのみならず、放電側のメモリ効果を解消するための処理をも行う。これは、充電側のメモリ効果が検出されたときには、放電側についてもメモリ効果が発生している場合が多いのを考慮したためである。
以上のように制御することによって、充電側のみならず放電側のメモリ効果についても同一の機会に解消することが可能となり、電池ユニット2を各電池ブロックに充電側にも放電側にもメモリ効果が発生していない、より望ましい状態に電池ユニット2を保持することが可能となる。
以上のように制御することによって、充電側のみならず放電側のメモリ効果についても同一の機会に解消することが可能となり、電池ユニット2を各電池ブロックに充電側にも放電側にもメモリ効果が発生していない、より望ましい状態に電池ユニット2を保持することが可能となる。
〈実施の形態5〉
次に、図12を参照して、本発明の実施の形態5に係る充放電制御方法を説明する。実施の形態5においても本発明はハイブリッドカーである自動車に適用される。自動車の構成は実施の形態1と同様であり、自動車の各部の動作も基本的には実施の形態1と同様であるので、図1を流用して説明する。
次に、図12を参照して、本発明の実施の形態5に係る充放電制御方法を説明する。実施の形態5においても本発明はハイブリッドカーである自動車に適用される。自動車の構成は実施の形態1と同様であり、自動車の各部の動作も基本的には実施の形態1と同様であるので、図1を流用して説明する。
図12は、電池ブロック3A〜3Dのいずれかに放電側および充電側の両方のメモリ効果が発生したような場合にも、それらを同時に解消することができるように、電池制御部6が各電池ブロックの充放電範囲を設定する処理を示している。なお、図12においてステップS41〜S43の処理は、実施の形態1のステップS1〜S3(図3参照)と同じであるので、その説明は省略する。
ステップS44においては、変数kにより指定される番号の電池ブロックについて、上述した方法により充電側および放電側のいずれかのメモリ効果の発生が検出されたか否かが判定される。ここで、当該電池ブロックについてメモリ効果の発生が検出されていなければ、ステップS43に戻り、メモリ効果の発生が検出されていれば、ステップS45に進む。
ステップS45においては、上記ステップS44において放電側のメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を低残容量対応範囲(第1低残容量範囲、図5参照)に設定する一方、それ以外の電池ブロックの少なくとも1つの電池ブロックについて、その充放電範囲を高残容量対応範囲(第2高残容量範囲、図6参照)に設定する。
ステップS46においては、上記ステップS44においてメモリ効果が検出された電池ブロックの充電側および放電側の両方のメモリ効果が解消したか否かを判定する。ここで、メモリ効果が解消していれば、ステップS42に戻り、解消していなければ、ステップS47に進む。
ステップS47においては、上記ステップS44においてメモリ効果が検出された電池ブロックの充電状態が低残容量対応範囲(第1低残容量範囲、図5参照)の下限値Cd2まで低下したか否かを判定する。当該電池ブロックの充電状態が上記下限値Cd2まで低下していれば、ステップS48に進む。当該電池ブロックの充電状態が上記下限値Cd2まで低下していなければ、上記ステップS46に戻る。
ステップS48においては、上記メモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を低残容量対応範囲から高残容量対応範囲(第1高残容量範囲、図8参照)に変更するとともに、ステップS45において充放電範囲が高残容量対応範囲に変更された電池ブロックの充放電範囲を低残容量対応範囲(第2低残容量範囲、図9参照)に変更する。
ステップS48の処理により、メモリ効果の発生した電池ブロックは、充放電範囲が高残容量側にシフトして、充電側のメモリ効果を解消するのに十分な程度まで深く充電される。これにより、メモリ効果を解消することができる。また、同時に、メモリ効果の発生した電池ブロック以外の電池ブロックの充放電範囲は低残容量側にシフトするので、電池ユニット2の充電量を規定の充電量に保つことができる。
ステップS49においては、上記メモリ効果が検出された電池ブロックの充電側および放電側の両方のメモリ効果が解消したか否かを判定する。ここで、メモリ効果が解消していれば、ステップS42に戻り、解消していなければ、ステップS50に進む。
ステップS50においては、上記メモリ効果が検出された電池ブロックの充電状態が高残容量対応範囲(第1高残容量範囲、図8参照)の上限値Cu4まで上昇したか否かを判定する。当該電池ブロックの充電状態が上記上限値Cu4まで上昇していれば、上記ステップS45に戻る。当該電池ブロックの充電状態が上記上限値Cu4まで上昇していなければ、上記ステップS49に戻る。
〈実施の形態6〉
次に、図13Aおよび図13Bを参照して、本発明の実施の形態6に係る充放電制御方法を説明する。実施の形態6においても本発明はハイブリッドカーである自動車に適用される。自動車の構成は実施の形態1と同様であり、自動車の各部の動作も基本的には実施の形態1と同様であるので、図1を流用して説明する。
次に、図13Aおよび図13Bを参照して、本発明の実施の形態6に係る充放電制御方法を説明する。実施の形態6においても本発明はハイブリッドカーである自動車に適用される。自動車の構成は実施の形態1と同様であり、自動車の各部の動作も基本的には実施の形態1と同様であるので、図1を流用して説明する。
図13Aおよび図13Bは、電池ブロック3A〜3Dの中の複数の電池ブロックに同時にメモリ効果が発生したような場合にも、それらの電池ブロックのメモリ効果を同時に解消することができるように、電池制御部6が各電池ブロックの充放電範囲を設定する処理を示している。
まず、ステップS51において、メモリ効果の検出対象となる電池ブロックの番号を指定するための変数kを初期値1に設定する。また、充電側のメモリ効果の解消を行っている電池ブロックの番号を示す変数kcを、そのような電池ブロックが存在しないことを示す値「0」に設定する。また、放電側のメモリ効果の解消を行っている電池ブロックの番号を示す変数kdを、そのような電池ブロックが存在しないことを示す値「0」に設定する。そして、メモリ効果の解消を行っていない電池ブロックの充放電範囲を示す変数Rを、通常範囲を示す値「0」に設定する。ここで、電池ブロックの番号は、実施の形態1と同様にして設定する。
次に、変数kの値が変数kdの値と等しいか否かを判定する(ステップS52)。つまり、k番目の電池ブロックについて放電側のメモリ効果の解消が行われているか否かを判定する。本ステップS52の処理は、放電側のメモリ効果が発生していると判定されている場合に、続くステップS53〜ステップS57においてk番目の電池ブロックの充電側のメモリ効果の発生および解消を判定する処理が行われるのをスキップするためのものである。すなわち、本ステップS52は、放電側のメモリ効果が発生していると判定されている場合に充電側のメモリ効果についての判定を回避するためのステップである。ここで、k番目の電池ブロックについて放電側のメモリ効果の解消が行われていなければ、ステップS53に進み、メモリ効果の解消が行われていれば、ステップS58に進む。
ステップS53においては、変数kcの値が「0」と等しいか否か、つまり、充電側のメモリ効果の解消を行っている電池ブロックがないかあるかを判定する。ここで、充電側のメモリ効果の解消を行っている電池ブロックがあれば、ステップS54に進み、そのような電池ブロックがなければ、ステップS56に進む。
ステップS53においては、変数kcの値が「0」と等しいか否か、つまり、充電側のメモリ効果の解消を行っている電池ブロックがないかあるかを判定する。ここで、充電側のメモリ効果の解消を行っている電池ブロックがあれば、ステップS54に進み、そのような電池ブロックがなければ、ステップS56に進む。
ステップS54においては、k番目の電池ブロックに充電側のメモリ効果が発生しているか否かを判定する。ここで、メモリ効果が発生していれば、ステップS55に進み、発生していなければ、ステップS58に進む。
ステップS55においては、変数kcに変数kの値を設定する。つまり、k番目の電池ブロックを充電側のメモリ効果が発生している電池ブロックとして登録する。変数kcに番号が設定された電池ブロックは、充電側のメモリ効果の解消を行うために、高残容量用範囲(第1高残容量範囲、図8参照)で充放電制御を行う。なお、他の電池ブロックの充放電範囲は後のステップS64で設定を行う。
ステップS55においては、変数kcに変数kの値を設定する。つまり、k番目の電池ブロックを充電側のメモリ効果が発生している電池ブロックとして登録する。変数kcに番号が設定された電池ブロックは、充電側のメモリ効果の解消を行うために、高残容量用範囲(第1高残容量範囲、図8参照)で充放電制御を行う。なお、他の電池ブロックの充放電範囲は後のステップS64で設定を行う。
ステップS56においては、充電側のメモリ効果が発生したものとして登録されたkc番目の電池ブロックのメモリ効果が解消したか否かの判定を行う。メモリ効果が解消していれば、ステップS57に進み、解消していなければ、ステップS58に進む。
ステップS57においては、上記ステップS56にてメモリ効果が解消されたものと判断された結果を受けて、充電側のメモリ効果が発生している電池ブロックが存在しないことを示すように、変数kcを値「0」と設定する。本ステップS57の処理が終わると、ステップS64に進む。なお、充電側のメモリ効果が発生していた電池ブロック以外の電池ブロックについての充放電範囲の変更はステップS64において行われる。
ステップS57においては、上記ステップS56にてメモリ効果が解消されたものと判断された結果を受けて、充電側のメモリ効果が発生している電池ブロックが存在しないことを示すように、変数kcを値「0」と設定する。本ステップS57の処理が終わると、ステップS64に進む。なお、充電側のメモリ効果が発生していた電池ブロック以外の電池ブロックについての充放電範囲の変更はステップS64において行われる。
ステップS58においては、k番目の電池ブロックについて充電側のメモリ効果の解消処理が行われているか、つまり変数kの値が変数kcと等しいか否かを判定する。本ステップS58の処理は、充電側のメモリ効果が発生していると判定されている場合に、続くステップS59〜ステップS63においてk番目の電池ブロックの放電側のメモリ効果の発生および解消を判定する処理が行われるのをスキップするためのものである。すなわち、本ステップS58は、充電側のメモリ効果が発生していると判定されている場合に放電側のメモリ効果についての判定を回避するためのステップである。ステップS58の処理は、続くステップS59〜ステップS63においてk番目の電池ブロックの放電側のメモリ効果の発生および解消を判定する処理を行うものとされているために、充電側のメモリ効果が発生していると判定されている場合にはそれらの処理をスキップするために行われる。、放電側メモリ判定を回避するためのステップである。
ここで、k番目の電池ブロックについて充電側のメモリ効果の解消処理が行われていなければ、ステップS59に進み、行われていれば、ステップS65に進む。
ここで、k番目の電池ブロックについて充電側のメモリ効果の解消処理が行われていなければ、ステップS59に進み、行われていれば、ステップS65に進む。
ステップS59においては、変数kdの値が「0」であるか否か、すなわち、放電側のメモリ効果の解消処理を行っている電池ブロックがないかあるかを判定する。ここで、そのような電池ブロックがなければ、ステップS60に進み、あれば、ステップS62に進む。
ステップS60においては、k番目の電池ブロックに放電側のメモリ効果が発生しているか否かを判定する。ここで、メモリ効果が発生していれば、ステップS61に進み、発生していなければ、ステップS65に進む。
ステップS60においては、k番目の電池ブロックに放電側のメモリ効果が発生しているか否かを判定する。ここで、メモリ効果が発生していれば、ステップS61に進み、発生していなければ、ステップS65に進む。
ステップS61においては、変数kdに変数kの値を代入して、k番目の電池ブロックが放電側のメモリ効果を発生しているものとして登録する。ここで、変数kdに番号が設定されたk番目の電池ブロックについては、放電側のメモリ効果を解消するために、低残容量対応範囲(第1低残容量範囲、図5参照)での充放電制御が行われる。また、それ以外の電池ブロックの充放電範囲はステップS64で設定される。
ステップS62においては、変数kdに番号が設定されたk番目の電池ブロックの充電側のメモリ効果が解消したか否かの判定を行う。ここで、メモリ効果が解消していれば、ステップS63に進み、メモリ効果が解消していなければ、ステップS65に進む。
ステップS63においては、上記ステップS62にて変数kdに番号が登録されたk番目の電池ブロックの放電側のメモリ効果が解消されたという判定結果にしたがって、変数kdに値「0」を設定する。なお、放電側のメモリ効果が発生していた電池ブロック以外の電池ブロックについての充放電範囲の変更はステップS64において行われる。
ステップS63においては、上記ステップS62にて変数kdに番号が登録されたk番目の電池ブロックの放電側のメモリ効果が解消されたという判定結果にしたがって、変数kdに値「0」を設定する。なお、放電側のメモリ効果が発生していた電池ブロック以外の電池ブロックについての充放電範囲の変更はステップS64において行われる。
ステップS64においては、メモリ効果が発生した電池ブロック以外の電池ブロックの充放電範囲の設定を行う。充電側のメモリ効果を発生している電池ブロック、並びに放電側のメモリ効果を発生している電池ブロックがともに存在しない場合、すなわちkc=0かつkd=0である場合には、メモリ効果を発生している電池ブロック以外の電池ブロック、すなわち全ての電池ブロックの充放電範囲を通常範囲に設定する(R=0)。
また、ステップS64において充電側のメモリ効果を発生している電池ブロック、並びに放電側のメモリ効果を発生している電池ブロックがともに存在する場合、すなわちkc≠0かつkd≠0である場合にもまた、メモリ効果を発生している電池ブロック以外の電池ブロックの充放電範囲は、通常範囲に設定する(R=0)。これは、充電側のメモリ効果を発生している電池ブロックは充放電範囲が高残容量充放電範囲に設定され、放電側のメモリ効果を発生している電池ブロックは充放電範囲が高低残容量充放電範囲に設定されるために、電池ユニット全体の充放電余力は通常時と変わらないと考えられるからである。
また、ステップS64において充電側のメモリ効果を発生している電池ブロックが存在し、かつ放電側のメモリ効果を発生している電池ブロックが存在しない場合、すなわちkc≠0かつkd=0である場合には、メモリ効果を発生している電池ブロック以外の電池ブロックの充放電範囲が、低残容量充放電範囲(第2高残容量範囲、図9参照)に設定される(R=−1)。
これは、充電側のメモリ効果を発生した電池ブロックの充放電範囲が高残容量対応範囲に設定されるために、それ以外の電池ブロックの充放電範囲を低残容量側にシフトして、電池ユニット全体の充放電余力を一定に保つ必要があるからである。
このとき、図1の装置では、電池ブロックの総数は「4」であり、メモリ効果を発生している電池ブロック以外の電池ブロックの個数は「3」である。このため、それらの電池ブロックの充放電範囲は、放電側のメモリ効果を解消するために使用される低残容量対応範囲ほど低残容量側にシフトしていない、低残容量対応範囲に設定することによって、電池ユニット全体の充放電余力を一定としている。
このとき、図1の装置では、電池ブロックの総数は「4」であり、メモリ効果を発生している電池ブロック以外の電池ブロックの個数は「3」である。このため、それらの電池ブロックの充放電範囲は、放電側のメモリ効果を解消するために使用される低残容量対応範囲ほど低残容量側にシフトしていない、低残容量対応範囲に設定することによって、電池ユニット全体の充放電余力を一定としている。
また、ステップS64において充電側のメモリ効果を発生している電池ブロックが存在せず、かつ放電側のメモリ効果を発生している電池ブロックが存在する場合、すなわちkc=0かつkd≠0である場合には、メモリ効果を発生している電池ブロック以外の電池ブロックの充放電範囲は、高残容量対応範囲に設定される(R=+1)。
これは、放電側のメモリ効果を発生した電池ブロックの充放電範囲が低残容量対応範囲に設定されるために、それ以外の電池ブロックの充放電範囲を高残容量側にシフトして、電池ユニット全体の充放電余力を一定に保つ必要があるからである。
このとき、図1の装置では、電池ブロックの総数は「4」であり、メモリ効果を発生している電池ブロック以外の電池ブロックの個数は「3」である。このため、それらの電池ブロックの充放電範囲は、放電側のメモリ効果を解消するために使用される第1高残容量対応範囲ほど低残容量側にシフトしていない、第2高残容量対応範囲に設定することによって、電池ユニット全体の充放電余力を一定としている。
このとき、図1の装置では、電池ブロックの総数は「4」であり、メモリ効果を発生している電池ブロック以外の電池ブロックの個数は「3」である。このため、それらの電池ブロックの充放電範囲は、放電側のメモリ効果を解消するために使用される第1高残容量対応範囲ほど低残容量側にシフトしていない、第2高残容量対応範囲に設定することによって、電池ユニット全体の充放電余力を一定としている。
そして、ステップS65においては、メモリ効果の判定対象である電池ブロックを変更するように、変数kの値を4で割り、その余りに1を加えた値を、新たに変数kに設定する。本ステップS65の処理が終了すると、ステップS51に戻る。
以上のように、充電側のメモリ効果の発生が検出された電池ブロックと、放電側のメモリ効果の発生が検出された電池ブロックとが共存する場合には、前者の充放電範囲を高残容量対応範囲に設定し、後者の充放電範囲を低残容量対応範囲に設定することで、電池ユニット2の充電量を規定の充電量に保つことが可能となる。
以上のように、充電側のメモリ効果の発生が検出された電池ブロックと、放電側のメモリ効果の発生が検出された電池ブロックとが共存する場合には、前者の充放電範囲を高残容量対応範囲に設定し、後者の充放電範囲を低残容量対応範囲に設定することで、電池ユニット2の充電量を規定の充電量に保つことが可能となる。
本発明の充放電制御方法は、ハイブリッドカーの駆動用電源として使用される電池ユニットに好適に適用することができる。
2 電池ユニット
3 電池ブロック
5 モータ
6 電池制御部
3 電池ブロック
5 モータ
6 電池制御部
Claims (9)
- 複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、放電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から低残容量側にシフトした低残容量対応範囲に設定するステップ、並びに
(c)前記ステップbにて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの前記電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした高残容量対応範囲に設定するステップ、
を含む充放電制御方法。 - 複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、充電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から高残容量側にシフトした高残容量対応範囲に設定するステップ、並びに
(c)前記ステップbにて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの前記電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から低残容量側にシフトした低残容量対応範囲に設定するステップ、
を含む充放電制御方法。 - (d)前記メモリ効果の発生が検出された電池ブロックについて当該メモリ効果の解消を検出するステップ、および
(e)前記ステップdにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに前記ステップbおよびcにおいて充放電範囲の設定が行われた全ての電池ブロックの充放電範囲を前記通常範囲に設定し直すステップ、
をさらに含む請求項1または2記載の充放電制御方法。 - 複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、放電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から低残容量側にシフトした第1低残容量対応範囲に設定するステップ、
(c)前記ステップbにおいて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの前記電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした第2高残容量対応範囲に設定するステップ、
(d)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックについて当該メモリ効果の解消を検出するステップ、
(e)前記ステップdにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに、当該メモリ効果の解消が検出された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした第1高残容量対応範囲に設定するステップ、並びに
(f)前記ステップdにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに、前記ステップcにおいて前記充放電範囲が前記第2高残容量対応範囲に設定された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から低残容量側にシフトした第2低残容量対応範囲に設定するステップ、
を含む充放電制御方法。 - 複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、充電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から高残容量側にシフトした第1高残容量対応範囲に設定するステップ、
(c)前記ステップbにおいて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの前記電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から低残容量側にシフトした第2低残容量対応範囲に設定するステップ、
(d)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された電池ブロックについて当該メモリ効果の解消を検出するステップ、
(e)前記ステップdにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに、当該メモリ効果の解消が検出された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から低残容量側にシフトした第1低残容量対応範囲に設定するステップ、並びに
(f)前記ステップdにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに、前記ステップcにおいて前記充放電範囲が前記第2低残容量対応範囲に設定された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした第2高残容量対応範囲に設定するステップ、
を含む充放電制御方法。 - (g)前記ステップeにおいて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロックについてメモリ効果の解消を検出するステップ、および
(h)前記ステップgにおいて前記メモリ効果の解消が検出されたときに前記ステップeおよびステップfにおいて充放電範囲の設定が行われた全ての電池ブロックの充放電範囲を前記通常範囲に設定し直すステップ、
を含む請求項4または5記載の充放電制御方法。 - 複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、充電側および放電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいていずれかのメモリ効果の発生が検出された電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から低残容量側にシフトした第1低残容量対応範囲に設定するステップ、
(c)前記ステップbにおいて前記充放電範囲の設定が行われた電池ブロック以外の少なくとも1つの前記電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした第2高残容量対応範囲に設定するステップ、
(d)前記ステップbにおいて前記充放電範囲が前記第1低残容量対応範囲に設定された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から高残容量側にシフトした第1高残容量対応範囲に設定するステップ、
(e)前記ステップcにおいて前記充放電範囲が前記第2高残容量対応範囲に設定された電池ブロックの充放電範囲を、前記通常範囲から低残容量側にシフトした第2低残容量対応範囲に設定するステップ、
(f)前記メモリ効果の発生が検出された電池ブロックについて充電側および放電側のメモリ効果が解消しているかを検出するステップ、
(g)前記ステップfにおいて前記充電側および放電側のメモリ効果の解消が検出されたときに前記ステップb〜eにおいて充放電範囲の設定が行われた全ての電池ブロックの充放電範囲を前記通常範囲に設定するステップ、
を含み、
前記ステップaにおいて前記メモリ効果の発生が検出されてから前記ステップfにおいて前記メモリ効果の解消が検出されるまでの間、前記ステップb〜eを繰り返し実行する充放電制御方法。 - 複数の電池ブロックから構成された電池ユニットの充電および放電を制御する制御方法であって、
(a)前記複数の電池ブロックのそれぞれについて、充電側および放電側のメモリ効果の発生を検出するステップ、
(b)前記ステップaにおいて少なくとも1つの前記電池ブロックについて充電側のメモリ効果の発生が検出され且つ他の少なくとも1つの前記電池ブロックについて放電側のメモリ効果の発生が検出されたときに、前記少なくとも1つの電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から高残容量側にシフトした第1高残容量対応範囲に設定する一方、前記少なくとも1つの電池ブロックの充放電範囲を、通常時の充放電範囲である通常範囲から高残容量側にシフトした第1高残容量対応範囲に設定するステップ、
を含む充放電制御方法。 - (c)前記ステップaにおいてメモリ効果の発生が検出された全ての電池ブロックについて当該メモリ効果の解消を検出するステップ、および
(d)前記ステップcにおいて前記全ての電池ブロックのメモリ効果の解消が検出されたときに前記ステップbにおいて充放電範囲の設定が行われた全ての電池ブロックの充放電範囲を前記通常範囲に設定し直すステップ、
をさらに含む請求項8記載の充放電制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008163497A JP2010004712A (ja) | 2008-06-23 | 2008-06-23 | 充放電制御方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN106981696A (zh) * | 2017-06-05 | 2017-07-25 | 广州视源电子科技股份有限公司 | 一种用于电池的充电方法、电子设备及充电器 |
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2008
- 2008-06-23 JP JP2008163497A patent/JP2010004712A/ja active Pending
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