JP2009543351A - 相変化合金のエッチング - Google Patents
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Abstract
【解決手段】デバイスを形成する方法が提供されている。相変化層が設けられる。相変化層は、臭素含有化合物を含むエッチングガスを供給してエッチングガスからプラズマを形成することによりエッチングされる。相変化層は、電流で加熱できる材料から成り、その後の冷却時に、その材料を冷却する速さに応じてアモルファス材料または結晶材料を形成する。さらに、アモルファス材料は、結晶材料の少なくとも数倍の抵抗を有する。
【選択図】図1
Description
Claims (16)
- デバイスを形成するための方法であって、
相変化層を設ける工程と、
前記相変化層をエッチングする工程と、
を備え、
前記相変化層をエッチングする工程は、
臭素含有化合物を含むエッチングガスを供給する工程と、
前記エッチングガスからプラズマを形成する工程と、
を備える、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記相変化層をエッチングする工程は、さらに、ウエハ温度を40℃以下に維持する工程を備える、方法。
- 請求項1または2に記載の方法であって、前記エッチングガスは、さらに、フッ素含有化合物および塩素含有化合物の少なくとも一方を含む、方法。
- 請求項1ないし3のいずれかに記載の方法であって、前記エッチングガスは、さらに、希ガスを含む、方法。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載の方法であって、前記エッチングガスは、前記臭素含有ガスの流量よりも大きい希ガスの流量を有する、方法。
- 請求項1ないし5のいずれかに記載の方法であって、前記相変化層は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル合金、および、アンチモン−テルル合金、の内の1つである、方法。
- 請求項1ないし6のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記相変化層の上に電極層を設ける工程を備える方法。
- 請求項7に記載の方法であって、さらに、前記相変化層のエッチングと同じエッチング処理で、前記電極層を開口する工程を備える、方法。
- 請求項1ないし8のいずれかに記載の方法であって、前記臭素含有化合物はHBrである、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、フッ素含有化合物および塩素含有化合物の前記少なくとも一方の流量は、前記HBrの流量よりも小さい、方法。
- 請求項1ないし10のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記相変化層をエッチングする工程の間に形成された不動態層をフラッシングする工程を備え、前記フラッシング工程は、前記不動態層を除去する、方法。
- 請求項3ないし11のいずれかに記載の方法であって、フッ素含有化合物および塩素含有化合物の前記少なくとも一方の流量は、前記HBrの流量よりも小さい、方法。
- 配置された相変化層にフィーチャを形成するための装置であって、
プラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理チャンバ容器を形成するチャンバ壁と、
前記プラズマ処理チャンバ容器内で基板を支持するための基板支持と、
前記プラズマ処理チャンバ容器内の圧力を調整するための圧力調整手段と、
前記プラズマ処理チャンバ容器に電力を供給してプラズマを維持するための少なくとも1つの電極と、
前記プラズマ処理チャンバ容器にガスを供給するためのガス流入口と、
前記プラズマ処理チャンバ容器からガスを排出するためのガス流出口と、を備える、プラズマ処理チャンバと、
前記ガス流入口と流体連通するガス供給源であって、
臭素含有化合物供給源と、
希ガス供給源と、
フッ素含有化合物ガス供給源および塩素含有化合物ガス供給源の少なくとも一方と、を備える、ガス供給源と、
前記ガス供給源と前記少なくとも1つの電極とに制御可能に接続された制御部であって、
少なくとも1つのプロセッサと、
コンピュータ読み取り可能な媒体と、を備える、制御部と、
を備え、
前記コンピュータ読み取り可能な媒体は、
臭素含有化合物を含むエッチングガスを供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記エッチングガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、を備える、装置。 - 請求項13に記載の装置であって、さらに、前記エッチングガスからプラズマを形成する工程の間、ウエハ温度を40℃以下に維持するためのコンピュータ読み取り可能なコードを備える、装置。
- 請求項13または14に記載の装置であって、前記臭素含有化合物はHBrである、装置。
- 請求項13ないし15のいずれかに記載の方法であって、前記エッチングガスは、さらに、フッ素含有化合物および塩素含有化合物の少なくとも一方を含む、方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015525468A (ja) * | 2012-05-30 | 2015-09-03 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基板同士をボンディングする装置および方法 |
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100838527B1 (ko) * | 2006-07-31 | 2008-06-17 | 삼성전자주식회사 | 상변화 기억소자 형성 방법 |
US8283255B2 (en) * | 2007-05-24 | 2012-10-09 | Lam Research Corporation | In-situ photoresist strip during plasma etching of active hard mask |
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CN113707551A (zh) * | 2020-05-21 | 2021-11-26 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法及等离子体处理装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005011011A1 (en) * | 2003-07-21 | 2005-02-03 | Unaxis Usa Inc. | Etching method for making chalcogenide memory elements |
JP2005340554A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6087689A (en) | 1997-06-16 | 2000-07-11 | Micron Technology, Inc. | Memory cell having a reduced active area and a memory array incorporating the same |
TW466266B (en) * | 1997-12-18 | 2001-12-01 | Central Glass Co Ltd | Gas for removing deposit and removal method using same |
US20030000924A1 (en) | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of gas injection sequencing |
EP1475848B1 (en) * | 2003-05-07 | 2006-12-20 | STMicroelectronics S.r.l. | Process for defining a chalcogenide material layer, in particular in a process for manufacturing phase change memory cells |
CN100524878C (zh) * | 2005-11-21 | 2009-08-05 | 旺宏电子股份有限公司 | 具有空气绝热单元的可编程电阻材料存储阵列 |
US20070158632A1 (en) * | 2006-01-09 | 2007-07-12 | Macronix International Co., Ltd. | Method for Fabricating a Pillar-Shaped Phase Change Memory Element |
-
2006
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005011011A1 (en) * | 2003-07-21 | 2005-02-03 | Unaxis Usa Inc. | Etching method for making chalcogenide memory elements |
JP2005340554A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015525468A (ja) * | 2012-05-30 | 2015-09-03 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基板同士をボンディングする装置および方法 |
US9443820B2 (en) | 2012-05-30 | 2016-09-13 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Device and method for bonding substrates |
JP7482684B2 (ja) | 2020-05-21 | 2024-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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