JP2009540587A - 熱伝導性複合インタフェース、それを用いた冷却型電子アセンブリ、及び、冷却アセンブリと熱発生電子デバイスとの結合方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 冷却アセンブリを電子デバイスに連結するための複合インタフェース及び冷却アセンブリと電子デバイスとの連結方法を提供する。このインタフェースは、第1熱伝導率を有する第1材料から形成された複数の熱伝導性ワイヤと、ワイヤを少なくとも部分的に取り囲む熱インタフェース材料とを含む。インタフェース材料は、冷却アセンブリを電子デバイスの被冷却表面に熱的に結合させるもので、第2熱伝導率を有する第2材料であり、ここで、第1熱伝導率は第2熱伝導率よりも大きなものとする。少なくとも幾つかのワイヤは、高熱流束の第1領域の上に部分的に存在し、且つ低熱流束の第2領域の上に部分的に延び、ここで、第1領域と第2領域は被冷却表面の異なる領域とする。これらのワイヤは、被冷却表面から冷却アセンブリへの熱移動を促進する熱スプレッダとして機能する。
【選択図】 図1
Description
110、210、500、700:電子デバイス
120、220、730:冷却アセンブリ
122:冷却板ベース
124,224:ピン(フィン)
126:冷却板ハウジング(マニホルド)
127:注入口
129:排出口
130、230:インタフェース
221:蒸気チャンバ
222:熱伝導性ベース
225:空冷
300:被冷却表面
310、510、710:高熱流束の第1領域
320、520、720:低熱流束の第2領域
330、330’、400、530、740:熱伝導性ワイヤ
405:ボール・チップ
410:毛管通路
412:ツール・ヘッド
415:ワイヤ・ボンディング
540、600:スタンド・オフ(隆起)
750:熱インタフェース材料(熱伝導性グリース)
Claims (20)
- 冷却アセンブリを少なくとも1つの熱発生電子デバイスに連結するための熱伝導性複合インタフェースであって、
第1熱伝導率を有する第1材料を含む複数の熱伝導性ワイヤと、
第2熱伝導率を有する第2材料を含み、前記複数の熱伝導性ワイヤを少なくとも部分的に取り囲む熱インタフェース材料であって、前記熱伝導性複合インタフェースが前記冷却アセンブリと前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスの被冷却表面との間に用いられるとき、前記冷却アセンブリを前記被冷却表面に熱的に結合させる、前記熱インタフェース材料と
を含み、
前記第1材料の前記第1熱伝導率は、前記第2材料の前記第2熱伝導率よりも大きく、
前記熱伝導性複合インタフェースを用いて前記冷却アセンブリと前記被冷却表面を連結するとき、前記複数の熱伝導性ワイヤのうちの少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤは、高熱流束の少なくとも1つの第1領域の上に部分的に存在し、且つ低熱流束の少なくとも1つの第2領域の上に部分的に延び、
前記少なくとも1つの第1領域及び前記少なくとも1つの第2領域は、前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスの前記被冷却表面の異なる領域を含み、
前記少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤは、前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスの前記被冷却表面から前記冷却アセンブリへの熱移動を促進するための熱スプレッダとして機能する、
熱伝導性複合インタフェース。 - 前記熱伝導性複合インタフェースが前記冷却アセンブリと前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスの前記被冷却表面との間に用いられるとき、前記少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤは、前記熱インタフェース材料の内部で少なくとも部分的に浮かせられる、請求項1に記載の熱伝導性複合インタフェース。
- 前記熱伝導性複合インタフェースを用いて前記冷却アセンブリと前記被冷却表面とを連結するとき、前記複数の熱伝導性ワイヤのうちの前記少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤは、前記冷却アセンブリの表面又は前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスの前記被冷却表面のうちの少なくとも1つにワイヤ・ボンディングされる、請求項1又は請求項2に記載の熱伝導性複合インタフェース。
- 前記少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤはそれぞれ別々に第1端部で、前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスの前記被冷却表面に、前記高熱流束の少なくとも1つの第1領域内でワイヤ・ボンディングされる、請求項3に記載の熱伝導性複合インタフェース。
- 前記熱伝導性複合インタフェースを用いて前記冷却アセンブリと前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスの前記被冷却表面とを連結するとき、前記少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤのそれぞれの第2端部は、前記低熱流束の少なくとも1つの第2領域の上に配置されて、前記熱インタフェース材料内に浮かせられる形態、前記冷却アセンブリに部分的に接触する形態、又は前記冷却アセンブリの面に取り付けられる形態のうちの1つの形態にする、請求項4に記載の熱伝導性複合インタフェース。
- 前記複数の熱伝導性ワイヤの前記第1材料は、金、銅、アルミニウム又はグラファイトのうちの少なくとも1つを含み、
前記熱インタフェース材料の前記第2材料は、熱伝導性グリース、エポキシ樹脂、エラストマー材料又は液体金属のうちの1つを含む、
前記請求項のいずれかに記載の熱伝導性複合インタフェース。 - 前記第1材料の前記第1熱伝導率は、前記第2材料の前記第2熱伝導率の10倍よりも大きく、
前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスは、集積回路チップ、多数集積回路チップ、単一チップ・モジュール又はマルチチップ・モジュールのうちの少なくとも1つを含む、前記請求項のいずれかに記載の熱伝導性複合インタフェース。 - 前記熱伝導性複合インタフェースを用いて前記冷却アセンブリと前記被冷却表面を連結するとき、前記冷却アセンブリの表面又は前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスの前記被冷却表面のうちの少なくとも1つに取り付けられた多数のワイヤ・ボンディングされたスタッドをさらに含み、
前記ワイヤ・ボンディングされたスタッドの各々は、
前記熱伝導性複合インタフェースを用いて前記冷却アセンブリと前記被冷却表面を連結するとき、前記冷却アセンブリと前記被冷却表面の間に空間を設けるためのスタンド・オフとして構成される形態と、
前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスの前記被冷却表面の前記高熱流束の少なくとも1つの第1領域の上に、そこからの熱移動を促進するように位置合せされる形態と
のうちの少なくとも1つの形態にする、
前記請求項のいずれかに記載の熱伝導性複合インタフェース。 - 冷却型電子アセンブリであって、
冷却アセンブリと、
高熱流束の少なくとも1つの第1領域、及び低熱流束の少なくとも1つの第2領域を含む被冷却表面を有する少なくとも1つの熱発生電子デバイスと、
前記冷却アセンブリと前記被冷却表面を連結する熱伝導性複合インタフェースと
を含み、
前記熱伝導性複合インタフェースは、
第1熱伝導率を有する第1材料を含む複数の熱伝導性ワイヤと、
第2熱伝導率を有する第2材料を含み、前記複数の熱伝導性ワイヤを少なくとも部分的に取り囲み、前記冷却アセンブリを前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスの前記被冷却表面に熱的に結合させる、熱インタフェース材料と
を含み、
前記第1熱材料の前記第1熱伝導率は、前記第2材料の第2熱伝導率よりも大きく、
前記複数の熱伝導性ワイヤのうちの少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤは、前記高熱流速の少なくとも1つの第1領域の上に部分的に存在し、且つ前記低熱流束の少なくとも1つの第2領域の上に部分的に延び、前記被冷却表面と前記冷却アセンブリの間で熱スプレッダとして機能して、前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスから前記冷却アセンブリへの熱移動を促進する、
冷却型電子アセンブリ。 - 前記少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤは、前記熱インタフェース材料の内部で少なくとも部分的に浮かせられる、請求項9に記載の冷却型電子アセンブリ。
- 前記複数の熱伝導性ワイヤのうちの前記少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤは、それぞれ別々に第1端部において、前記冷却アセンブリの表面又は前記高熱流束の少なくとも1つの第1領域の上の前記被冷却表面のうちの少なくとも1つにワイヤ・ボンディングされる、請求項9又は請求項10に記載の冷却型電子アセンブリ。
- 前記少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤのそれぞれは、別々に前記第1端部において、前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスの前記被冷却表面に、前記高熱流束の少なくとも1つの第1領域内でワイヤ・ボンディングされ、前記少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤのそれぞれの第2端部は、前記低熱流束の少なくとも1つの第2領域の上に配置されて、前記熱インタフェース材料の内部に浮かせられる形態、前記冷却アセンブリに部分的に接触する形態、又は前記冷却アセンブリの前記表面に取り付けられる形態のうちの1つの形態にする、請求項11に記載の冷却型電子アセンブリ。
- 前記複数の熱伝導性ワイヤの前記第1材料は、金、銅、アルミニウム又はグラファイトのうちの少なくとも1つを含み、
前記熱インタフェース材料の前記第2材料は、熱伝導性グリース、エポキシ樹脂、エラストマー材料又は液体金属のうちの1つを含む、
請求項9乃至請求項12のいずれかに記載の冷却型電子アセンブリ。 - 前記第1材料の前記第1熱伝導率は、前記第2材料の前記第2熱伝導率の10倍よりも大きく、
前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスは、集積回路チップ、多数集積回路チップ、単一チップ・モジュール又はマルチチップ・モジュールのうちの少なくとも1つを含む、請求項9乃至請求項13のいずれかに記載の冷却型電子アセンブリ。 - 前記冷却アセンブリの表面又は前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスの前記被冷却表面のうちの少なくとも1つに取り付けられた多数のワイヤ・ボンディングされたスタッドをさらに含み、
前記ワイヤ・ボンディングされたスタッドの各々は、
前記冷却アセンブリと前記被冷却表面の間に空間を設けるためのスタンド・オフとして構成される形態と、
前記被冷却表面の前記高熱流束の少なくとも1つの第1領域の上に、そこからの熱移動を促進するように位置合せされる形態と
のうちの少なくとも1つの形態にする、
請求項9乃至請求項14のいずれかに記載の冷却型電子アセンブリ。 - 冷却アセンブリと少なくとも1つの熱発生電子デバイスの被冷却表面とを結合させる方法であって、
第1熱伝導率を有する第1材料を含む複数の熱伝導性ワイヤを準備するステップと、
前記複数の熱伝導性ワイヤのうちの少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤが、それぞれ、前記被冷却表面の高熱流束の少なくとも1つの第1領域の上に部分的に存在し、且つ前記被冷却表面の低熱流束の少なくとも1つの第2領域の上に部分的に延びるように、前記複数の熱伝導性ワイヤを前記冷却アセンブリと前記被冷却表面の間に配置するステップと、
前記複数の熱伝導性ワイヤを少なくとも部分的に取り囲み、前記冷却アセンブリを前記被冷却表面に熱的に結合させる熱インタフェース材料を、前記冷却アセンブリと前記被冷却表面の間に供給するステップと
を含み、
前記少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤは、前記被冷却表面と前記冷却アセンブリの間の熱スプレッダとして機能して、前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスから前記冷却アセンブリへの熱移動を促進する、
方法。 - 前記配置するステップは、前記複数の熱伝導性ワイヤのうちの前記少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤを、前記冷却アセンブリの表面又は前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスの前記被冷却表面のうちの少なくとも1つにワイヤ・ボンディングするステップを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤを前記ワイヤ・ボンディングするステップは、前記少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤの各々の熱伝導性ワイヤの第1端部を別々に、前記高熱流束の少なくとも1つの第1領域内の前記被冷却表面にワイヤ・ボンディングするステップを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記配置するステップは、前記少なくとも幾つかの熱伝導性ワイヤの各々の第2端部を前記低熱流束の少なくとも1つの第2領域の上に、前記熱インタフェース材料の内部に浮かせられる形態、前記冷却アセンブリに部分的に接触する形態、又は前記冷却アセンブリの面に取り付けられる形態のうちの1つの形態となるように位置決めするステップをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 前記冷却アセンブリの表面又は前記少なくとも1つの熱発生電子デバイスの前記被冷却表面のうちの少なくとも1つに取り付けられた多数のワイヤ・ボンディングされたスタッドを設けるステップをさらに含み、
前記ワイヤ・ボンディングされたスタッドの各々は、
前記冷却アセンブリと前記被冷却表面の間に空間を設けるためのスタンド・オフとして構成される形態と、
前記被冷却表面の前記高熱流束の少なくとも1つの第1領域の上に、そこからの熱移動を促進するように位置合せされる形態と
のうちの少なくとも1つの形態にする、
請求項16乃至請求項19のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/424,642 US7967062B2 (en) | 2006-06-16 | 2006-06-16 | Thermally conductive composite interface, cooled electronic assemblies employing the same, and methods of fabrication thereof |
US11/424,642 | 2006-06-16 | ||
PCT/EP2007/055260 WO2007144264A2 (en) | 2006-06-16 | 2007-05-30 | Thermally conductive composite interface, cooled electronic assemblies employing the same, and methods of fabrication thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009540587A true JP2009540587A (ja) | 2009-11-19 |
JP4979768B2 JP4979768B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=38754663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009514736A Expired - Fee Related JP4979768B2 (ja) | 2006-06-16 | 2007-05-30 | 熱伝導性複合インタフェース、それを用いた冷却型電子アセンブリ、及び、冷却アセンブリと熱発生電子デバイスとの結合方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7967062B2 (ja) |
EP (1) | EP2036123B1 (ja) |
JP (1) | JP4979768B2 (ja) |
CN (1) | CN101454897B (ja) |
WO (1) | WO2007144264A2 (ja) |
Families Citing this family (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101053079A (zh) | 2004-11-03 | 2007-10-10 | 德塞拉股份有限公司 | 堆叠式封装的改进 |
US8058101B2 (en) | 2005-12-23 | 2011-11-15 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
US7967062B2 (en) * | 2006-06-16 | 2011-06-28 | International Business Machines Corporation | Thermally conductive composite interface, cooled electronic assemblies employing the same, and methods of fabrication thereof |
FR2909656B1 (fr) * | 2006-12-12 | 2009-12-04 | Thales Sa | Relais de cablage et boitier de protection de micro-systeme electromecanique. |
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US9159708B2 (en) | 2010-07-19 | 2015-10-13 | Tessera, Inc. | Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors |
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US20120146206A1 (en) | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Tessera Research Llc | Pin attachment |
KR101128063B1 (ko) | 2011-05-03 | 2012-04-23 | 테세라, 인코포레이티드 | 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리 |
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US8883563B1 (en) | 2013-07-15 | 2014-11-11 | Invensas Corporation | Fabrication of microelectronic assemblies having stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation |
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- 2007-05-30 CN CN200780018850.2A patent/CN101454897B/zh active Active
- 2007-05-30 WO PCT/EP2007/055260 patent/WO2007144264A2/en active Application Filing
- 2007-05-30 JP JP2009514736A patent/JP4979768B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-05-30 EP EP07729673.9A patent/EP2036123B1/en active Active
-
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- 2011-04-15 US US13/087,678 patent/US8322029B2/en not_active Expired - Fee Related
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CN101454897B (zh) | 2011-01-12 |
WO2007144264A2 (en) | 2007-12-21 |
JP4979768B2 (ja) | 2012-07-18 |
CN101454897A (zh) | 2009-06-10 |
US20070289729A1 (en) | 2007-12-20 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |