JP2009530644A - プラズマ処理器具で用いるためのrfセンサー - Google Patents
プラズマ処理器具で用いるためのrfセンサー Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009530644A JP2009530644A JP2009501515A JP2009501515A JP2009530644A JP 2009530644 A JP2009530644 A JP 2009530644A JP 2009501515 A JP2009501515 A JP 2009501515A JP 2009501515 A JP2009501515 A JP 2009501515A JP 2009530644 A JP2009530644 A JP 2009530644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor assembly
- sensor
- pickup
- conductor
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/145—Indicating the presence of current or voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
【解決手段】ミニチュアRFセンサーは、PCB構造内に配置された積み重ねられた電流ピックアップおよび電圧ピックアップを含み、そのセンサーは、1/4波長変換フィルター、3軸遮蔽、および、表皮効果フィルタリング、をさらに含む。
【選択図】なし
Description
以下の出願が参照されると共に以下の出願に基づく優先権が主張され、すなわち、2006年3月20日に出願された出願第60/783,894号、および、米国特許法第119条の下で2007年3月19日に出願された米国出願第(これから決定される。)「マイクロ電子技術プラズマ処理器具で用いるための高性能ミニチュアRFセンサー(HIGH PERFORMANCE MINIATURE RF SENSOR FOR USE IN MICROELECTRONICS PLASMA PROCESSING TOOLS)」が参照されると共にこれらの出願に基づく優先権が主張され、これらの出願の開示内容の全体は、引用するとこによって、本明細書に組み込まれる。
RFセンサーの価値、すなわち、高出力RF電源によって、マイクロ電子技術処理器具のプラズマ処理チャンバに供給されるRF電流および電圧を測定する装置の価値、は、十分確立されている。例えば米国特許第6,501,285号などのような、さまざまな特許は、センサーおよび関連する信号処理電子回路の両方の設計および適用に関して認められてきた。しかし、これらの発明の各々は、そのようなシステムの電磁気的性能を最大にすることに焦点を合わせてきた。ほとんどすべてのRFセンサーの適用が、その装置(センサー)を収容するように最初から設計されたものでない既存の処理チャンバに、センサーを追加導入することを含む、という事実が、広く見落とされてきた。このような性能への焦点合わせの結果、既存のRFセンサーは、処理器具および/またはRFセンサーを大規模かつ望ましくない変更をせずには、ほとんどの適用に適合しないほどあまりにも大きい。
多数の特徴が、本明細書中で、改善されたミニチュアRFセンサーアセンブリに関して記載されている。結果として得られた構造は、追加導入の目標および電磁気的性能の目標の両方を満たす高性能ミニチュアRFセンサーである。
RFセンサーの電圧および電流利得は、測定点での実際の電圧および電流レベルの関数としての、各トランスデューサの、出力レベル、として定義される。使用に適したRFセンサーに対する重要な要求は、センサーの利得がセンサーの用途によらず同じであること、そして、より詳しく言えば、利得がRF電気経路の幾何学的形状の変化に反応しないこと、である。このように、検査台で得られた較正値が、用途によらずセンサー出力を工学ユニットに変換するために用いることができる。
プラズマ処理器具は、数百kHzからほぼ100MHzまでの範囲の周波数に亘って動作するRF電源を用いる。標準的なピックアップは、誘導性電流ピックアップと容量性電圧ピックアップとの間でファラデー結合を用いる。その結果として得られるこれらのセンサーの利得は、図2に関して上述したように周波数に正比例する。補正されなければ、この効果は、プロット46に示されているような、低周波数での測定できないほど弱い信号、および、高周波数での破壊的に強い信号、を結果としてもたらす。
指向性は、信号の、とりわけ電圧ピックアップへの高出力RF電圧の、および、電流ピックアップへの高出力RF電流の、向きをもった流れを意味する。上述したように、いずれの構造も純粋に誘導性または容量性であるというわけではない。その結果、電圧ピックアップの信号の一部は、実際の電流のレベルに起因することがあり、電流ピックアップの信号の一部は、電圧に起因することがある。高い指向性は、このクロストークが最小化されることを意味する。
絶縁性は、信号経路間の分離を意味する。あるRFセンサーの用途では、絶縁性は、RFピックアップが測定されるべき場(電磁界)以外の場に対して反応しないことを意味する。プラズマ処理チャンバでのRF電気経路は、複雑であることが多い場合があり、導体がある場合には導体自体の上に2つに折りたたまれている状態を伴うことがある。そのような場合には、ピックアップが、測定点でのRF電気経路の電気的状態にのみ反応し、他のいずれの点での電気的状態にも反応しないまたは絶縁されていることが、特に重要である。
負荷を加えることは、その回路を含む電気ネットワーク上の回路の、吸収された電力またはインピーダンスの変化、のいずれかに関する影響力を記述している。RFセンサーの場合、負荷を加えることは、センサーを追加した結果のRF電気経路の変化を意味する。プラズマ処理器具は、発振器出力(generator power)および処理時間のような設定値の関数としての望ましい結果を得るために、正確に較正されている。RFセンサーがRF電気経路に「負荷」を加えると、同じ設定値が、同じプラズマ状態を結果としてもたらさず、処理結果が変化する。明らかに、RFセンサーによる負荷を加えることの効果は、最小にされなければならない。
この発明の具体的な実施態様は以下の通りである。
(1)高出力RF電源によってマイクロ電子技術処理器具のプラズマ処理チャンバに供給されるRF電流および電圧を測定するミニチュアRFセンサーアセンブリにおいて、
前記アセンブリが、
センサーヘッドと、
導体と、
電圧ピックアップと、
電流ピックアップであって、前記電圧ピックアップおよび前記電流ピックアップの各々が、前記センサーヘッド内に配置されていて、前記電圧ピックアップおよび前記電流ピックアップの各々が、前記導体に対して前記センサーヘッド内で互いに積み重ねられている、電流ピックアップと
を具備する、ミニチュアRFセンサーアセンブリ。
(2)実施態様(1)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記電圧ピックアップおよび前記電流ピックアップの少なくとも一方が、プリント回路基板内に配置されている、センサーアセンブリ。
(3)実施態様(2)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記電圧ピックアップおよび前記電流ピックアップの各々が、前記プリント回路基板内に配置されている、センサーアセンブリ。
(4)実施態様(2)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記電流ピックアップが、前記プリント回路基板の2つの層から形成されたインダクターであり、前記2つの層は、ブラインドビアによって結合されている、センサーアセンブリ。
(5)実施態様(2)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記センサーヘッドが、複数の側面を有するエンクロージャーによって画定されていて、
前記導体が、プラズマ器具のストラップ導体によって形成されていて、
前記導体が、前記エンクロージャーの側面をさらに形成している、センサーアセンブリ。
(6)実施態様(5)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記回路基板が、前記複数の側面を有するエンクロージャー内に配置されていて、
前記回路基板が、前記回路基板の外周に沿って配置された複数の遮蔽ビアを含む、センサーアセンブリ。
(7)実施態様(6)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記プリント回路基板が、一定の利得を生み出すために、周波数に対する前記導体の応答を平坦化する手段を含む、センサーアセンブリ。
(8)実施態様(7)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記応答平坦化手段が、前記導体に近接して配置された表皮効果遮蔽層を含み、
前記表皮効果遮蔽層は、ローパスフィルターとして働くように応答する、センサーアセンブリ。
(9)実施態様(2)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記電圧ピックアップが、前記プリント回路基板の金属層を含み、
前記金属層は、前記導体からの磁束線の方向と平行に配向されたグリッドまたはメッシュ構造を有する、センサーアセンブリ。
(10)実施態様(2)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記プリント回路基板は、前記センサーヘッドに結合されたコネクターおよびケーブルにいずれの電磁界も結合することを阻止する遮蔽を含む、センサーアセンブリ。
前記プリント回路基板は、接地された金属製の上部層を含む、センサーアセンブリ。
(12)実施態様(2)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記センサーアセンブリが、
前記センサーヘッドに接続された3軸ケーブル、
をさらに具備し、
前記3軸ケーブルは、前記センサーからの電圧信号および電流信号を伝える2つの同軸ケーブルを収容している、センサーアセンブリ。
(13)実施態様(12)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記3軸ケーブルは、
外側の同軸導体、および、
前記外側の同軸導体を覆って配置された誘電層、
を含む、センサーアセンブリ。
(14)実施態様(13)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記センサーアセンブリが、
インピーダンス終端、
をさらに具備し、
前記インピーダンス終端は、3軸ケーブルによって前記センサーヘッドに接続されていて、
前記3軸ケーブルの電気的な長さは、前記RFセンサーの最大動作周波数で1/4波長である、センサーアセンブリ。
(15)実施態様(14)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記インピーダンス終端は、一対の変成器を含み、
前記変成器の各々は、前記センサーヘッドからの電圧および電流のピックアップの信号のために用いられ、
前記変成器は、絶縁を提供するように、前記信号の各々の負荷を不整合にさせる(mismatch)ために用いられる、センサーアセンブリ。
(16)実施態様(15)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記一対の変成器は、
前記電圧信号に対する低インピーダンスから高インピーダンスへの変成器、および、
前記電流信号に対する高インピーダンスから低インピーダンスへの変成器、
を含む、センサーアセンブリ。
(17)実施態様(12)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記センサーヘッドは、
前記回路基板に取り付けられた前記ケーブルおよび歪み除去装置を受容するための開口、
を含む、センサーアセンブリ。
(18)実施態様(17)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記歪み除去装置は、電気遮蔽材を含む、センサーアセンブリ。
(19)センサーアセンブリにおいて、
前記アセンブリが、
複数の側面を有する誘電エンクロージャーを含むセンサーヘッドと、
前記センサーヘッドの一つの側面として配列された導体であって、前記導体は、プラズマ処理器具の導体ストラップである、導体と、
電流ピックアップと、
電圧ピックアップであって、前記電流ピックアップおよび前記電圧ピックアップの各々は、プリント回路基板内に配列されていて、前記電圧ピックアップおよび前記電流ピックアップは、互いに上下に、前記導体の上に、配列されている、電圧ピックアップと
を具備する、センサーアセンブリ。
(20)実施態様(19)に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記電流ピックアップは、前記プリント回路基板の一対の平行な層によって画定され、
前記一対の平行な層は、インダクターを形成するブラインドビアによって接続されている、センサーアセンブリ。
前記電圧ピックアップは、
前記導体によって生み出された電磁界と平行な方向に配向されたメッシュまたはグリッド構造から形成された金属層である、センサーアセンブリ。
Claims (21)
- 高出力RF電源によってマイクロ電子技術処理器具のプラズマ処理チャンバに供給されるRF電流および電圧を測定するミニチュアRFセンサーアセンブリにおいて、
前記アセンブリが、
センサーヘッドと、
導体と、
電圧ピックアップと、
電流ピックアップであって、前記電圧ピックアップおよび前記電流ピックアップの各々が、前記センサーヘッド内に配置されていて、前記電圧ピックアップおよび前記電流ピックアップの各々が、前記導体に対して前記センサーヘッド内で互いに積み重ねられている、電流ピックアップと
を具備する、ミニチュアRFセンサーアセンブリ。 - 請求項1に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記電圧ピックアップおよび前記電流ピックアップの少なくとも一方が、プリント回路基板内に配置されている、センサーアセンブリ。 - 請求項2に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記電圧ピックアップおよび前記電流ピックアップの各々が、前記プリント回路基板内に配置されている、センサーアセンブリ。 - 請求項2に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記電流ピックアップが、前記プリント回路基板の2つの層から形成されたインダクターであり、前記2つの層は、ブラインドビアによって結合されている、センサーアセンブリ。 - 請求項2に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記センサーヘッドが、複数の側面を有するエンクロージャーによって画定されていて、
前記導体が、プラズマ器具のストラップ導体によって形成されていて、
前記導体が、前記エンクロージャーの側面をさらに形成している、センサーアセンブリ。 - 請求項5に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記回路基板が、前記複数の側面を有するエンクロージャー内に配置されていて、
前記回路基板が、前記回路基板の外周に沿って配置された複数の遮蔽ビアを含む、センサーアセンブリ。 - 請求項6に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記プリント回路基板が、一定の利得を生み出すために、周波数に対する前記導体の応答を平坦化する手段を含む、センサーアセンブリ。 - 請求項7に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記応答平坦化手段が、前記導体に近接して配置された表皮効果遮蔽層を含み、
前記表皮効果遮蔽層は、ローパスフィルターとして働くように応答する、センサーアセンブリ。 - 請求項2に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記電圧ピックアップが、前記プリント回路基板の金属層を含み、
前記金属層は、前記導体からの磁束線の方向と平行に配向されたグリッドまたはメッシュ構造を有する、センサーアセンブリ。 - 請求項2に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記プリント回路基板は、前記センサーヘッドに結合されたコネクターおよびケーブルにいずれの電磁界も結合することを阻止する遮蔽材を含む、センサーアセンブリ。 - 請求項10に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記プリント回路基板は、接地された金属製の上部層を含む、センサーアセンブリ。 - 請求項2に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記センサーアセンブリが、
前記センサーヘッドに接続された3軸ケーブル、
をさらに具備し、
前記3軸ケーブルは、前記センサーからの電圧信号および電流信号を伝える2つの同軸ケーブルを収容している、センサーアセンブリ。 - 請求項12に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記3軸ケーブルは、
外側の同軸導体、および、
前記外側の同軸導体を覆って配置された誘電層、
を含む、センサーアセンブリ。 - 請求項13に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記センサーアセンブリが、
インピーダンス終端、
をさらに具備し、
前記インピーダンス終端は、3軸ケーブルによって前記センサーヘッドに接続されていて、
前記3軸ケーブルの電気的な長さは、前記RFセンサーの最大動作周波数で1/4波長である、センサーアセンブリ。 - 請求項14に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記インピーダンス終端は、一対の変成器を含み、
前記変成器の各々は、前記センサーヘッドからの電圧および電流のピックアップの信号のために用いられ、
前記変成器は、絶縁を提供するように、前記信号の各々の負荷を不整合にさせるために用いられる、センサーアセンブリ。 - 請求項15に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記一対の変成器は、
前記電圧信号に対する低インピーダンスから高インピーダンスへの変成器、および、
前記電流信号に対する高インピーダンスから低インピーダンスへの変成器、
を含む、センサーアセンブリ。 - 請求項12に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記センサーヘッドは、
前記回路基板に取り付けられた前記ケーブルおよび歪み除去装置を受容するための開口、
を含む、センサーアセンブリ。 - 請求項17に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記歪み除去装置は、電気遮蔽材を含む、センサーアセンブリ。 - センサーアセンブリにおいて、
前記アセンブリが、
複数の側面を有する誘電エンクロージャーを含むセンサーヘッドと、
前記センサーヘッドの一つの側面として配列された導体であって、前記導体は、プラズマ処理器具の導体ストラップである、導体と、
電流ピックアップと、
電圧ピックアップであって、前記電流ピックアップおよび前記電圧ピックアップの各々は、プリント回路基板内に配列されていて、前記電圧ピックアップおよび前記電流ピックアップは、互いに上下に、前記導体の上に、配列されている、電圧ピックアップと
を具備する、センサーアセンブリ。 - 請求項19に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記電流ピックアップは、前記プリント回路基板の一対の平行な層によって画定され、
前記一対の平行な層は、インダクターを形成するブラインドビアによって接続されている、センサーアセンブリ。 - 請求項20に記載のセンサーアセンブリにおいて、
前記電圧ピックアップは、
前記導体によって生み出された電磁界と平行な方向に配向されたメッシュまたはグリッド構造から形成された金属層である、センサーアセンブリ。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US78389406P | 2006-03-20 | 2006-03-20 | |
US60/783,894 | 2006-03-20 | ||
US11/725,275 | 2007-03-19 | ||
US11/725,275 US7538562B2 (en) | 2006-03-20 | 2007-03-19 | High performance miniature RF sensor for use in microelectronics plasma processing tools |
PCT/US2007/006921 WO2007109276A2 (en) | 2006-03-20 | 2007-03-20 | Rf sensor for use in plasma processing tools |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009530644A true JP2009530644A (ja) | 2009-08-27 |
JP5599607B2 JP5599607B2 (ja) | 2014-10-01 |
Family
ID=38523057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009501515A Active JP5599607B2 (ja) | 2006-03-20 | 2007-03-20 | プラズマ処理器具で用いるためのrfセンサー |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7538562B2 (ja) |
EP (1) | EP2002270B1 (ja) |
JP (1) | JP5599607B2 (ja) |
KR (2) | KR20080107417A (ja) |
WO (1) | WO2007109276A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015200631A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-12 | 株式会社ダイヘン | 電流検出用プリント基板および電流検出器 |
JP2015200630A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-12 | 株式会社ダイヘン | 電流・電圧検出用プリント基板および電流・電圧検出器 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009076568A2 (en) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Lam Research Corporation | Plasma unconfinement sensor and methods thereof |
CN101566642B (zh) | 2008-04-10 | 2013-11-20 | Mks仪器有限公司 | 具有高动态范围的正交射频电压/电流传感器 |
US9291649B2 (en) | 2012-08-16 | 2016-03-22 | Mks Instruments, Inc. | On the enhancements of planar based RF sensor technology |
WO2018151920A1 (en) * | 2017-02-16 | 2018-08-23 | Applied Materials, Inc. | Voltage-current probe for measuring radio-frequency electrical power in a high-temperature environment and method of calibrating the same |
KR20200126177A (ko) | 2019-04-29 | 2020-11-06 | 삼성전자주식회사 | Rf 파워 모니터링 장치, 및 그 장치를 포함하는 pe 시스템 |
US11527385B2 (en) | 2021-04-29 | 2022-12-13 | COMET Technologies USA, Inc. | Systems and methods for calibrating capacitors of matching networks |
US11114279B2 (en) | 2019-06-28 | 2021-09-07 | COMET Technologies USA, Inc. | Arc suppression device for plasma processing equipment |
US11596309B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-07 | COMET Technologies USA, Inc. | Hybrid matching network topology |
US11887820B2 (en) | 2020-01-10 | 2024-01-30 | COMET Technologies USA, Inc. | Sector shunts for plasma-based wafer processing systems |
US11830708B2 (en) * | 2020-01-10 | 2023-11-28 | COMET Technologies USA, Inc. | Inductive broad-band sensors for electromagnetic waves |
US11521832B2 (en) | 2020-01-10 | 2022-12-06 | COMET Technologies USA, Inc. | Uniformity control for radio frequency plasma processing systems |
US11670488B2 (en) | 2020-01-10 | 2023-06-06 | COMET Technologies USA, Inc. | Fast arc detecting match network |
US11605527B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-03-14 | COMET Technologies USA, Inc. | Pulsing control match network |
US11961711B2 (en) | 2020-01-20 | 2024-04-16 | COMET Technologies USA, Inc. | Radio frequency match network and generator |
US20220270859A1 (en) * | 2021-02-22 | 2022-08-25 | COMET Technologies USA, Inc. | Electromagnetic field sensing device |
US11923175B2 (en) | 2021-07-28 | 2024-03-05 | COMET Technologies USA, Inc. | Systems and methods for variable gain tuning of matching networks |
WO2023028713A1 (en) * | 2021-09-03 | 2023-03-09 | National Research Council Of Canada | Sensor connectors |
US11657980B1 (en) | 2022-05-09 | 2023-05-23 | COMET Technologies USA, Inc. | Dielectric fluid variable capacitor |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5912359A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-23 | San Eisha Seisakusho:Kk | 電圧電流センサ− |
JPS63191072A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-08 | Toshiba Corp | シグナルレベルメ−タ回路 |
JPH01142865U (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | ||
JPH0653293A (ja) * | 1992-06-11 | 1994-02-25 | Cascade Microtech Inc | プローブステーション |
JPH0658967A (ja) * | 1992-04-01 | 1994-03-04 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 容量性近接センサ |
JPH118095A (ja) * | 1997-03-19 | 1999-01-12 | Scient Syst Res Ltd | プラズマに供給されるrf電流を感知する装置及びこのような装置に使用する波形サンプリング回路 |
JP2002040057A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-06 | Miyachi Technos Corp | 電流検出コイルおよび電流検出方法 |
JP2003315386A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-11-06 | Eni Technology Inc | 無線周波数(rf)出力の測定方法および装置 |
JP2004093257A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光センサユニット |
JP2004357376A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Hitachi Ltd | 開閉装置用計測装置 |
WO2005069020A1 (en) * | 2004-01-07 | 2005-07-28 | Suparules Limited | Voltage measuring device |
WO2005074661A2 (en) * | 2004-02-02 | 2005-08-18 | Inficon, Inc. | Rf sensor clamp assembly |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5175472A (en) * | 1991-12-30 | 1992-12-29 | Comdel, Inc. | Power monitor of RF plasma |
US5420464A (en) * | 1992-10-30 | 1995-05-30 | Rockwell International Corp. | RF voltage/current sensor apparatus |
US5467013A (en) * | 1993-12-07 | 1995-11-14 | Sematech, Inc. | Radio frequency monitor for semiconductor process control |
US20020123263A1 (en) | 1995-05-05 | 2002-09-05 | Lazaro Luis J. | EMI terminating and grounding strain relief clamp assembly |
US5770922A (en) * | 1996-07-22 | 1998-06-23 | Eni Technologies, Inc. | Baseband V-I probe |
GB2326018B (en) * | 1997-06-07 | 2002-01-09 | Ibm | Grid electrodes for a display device |
US6501285B1 (en) * | 2000-06-20 | 2002-12-31 | Scientific Systems Research Limited | RF current sensor |
US6846201B2 (en) * | 2002-12-20 | 2005-01-25 | The Boeing Company | Electrical cable clamping method and apparatus |
US6967305B2 (en) * | 2003-08-18 | 2005-11-22 | Mks Instruments, Inc. | Control of plasma transitions in sputter processing systems |
US7342801B2 (en) * | 2004-04-29 | 2008-03-11 | Harris Corporation | Printed wiring board with enhanced structural integrity |
-
2007
- 2007-03-19 US US11/725,275 patent/US7538562B2/en active Active
- 2007-03-20 KR KR1020087022742A patent/KR20080107417A/ko active Search and Examination
- 2007-03-20 WO PCT/US2007/006921 patent/WO2007109276A2/en active Application Filing
- 2007-03-20 KR KR1020147015804A patent/KR20140089433A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-03-20 EP EP07753542.5A patent/EP2002270B1/en active Active
- 2007-03-20 JP JP2009501515A patent/JP5599607B2/ja active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5912359A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-23 | San Eisha Seisakusho:Kk | 電圧電流センサ− |
JPS63191072A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-08 | Toshiba Corp | シグナルレベルメ−タ回路 |
JPH01142865U (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | ||
JPH0658967A (ja) * | 1992-04-01 | 1994-03-04 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 容量性近接センサ |
JPH0653293A (ja) * | 1992-06-11 | 1994-02-25 | Cascade Microtech Inc | プローブステーション |
JPH118095A (ja) * | 1997-03-19 | 1999-01-12 | Scient Syst Res Ltd | プラズマに供給されるrf電流を感知する装置及びこのような装置に使用する波形サンプリング回路 |
JP2002040057A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-06 | Miyachi Technos Corp | 電流検出コイルおよび電流検出方法 |
JP2003315386A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-11-06 | Eni Technology Inc | 無線周波数(rf)出力の測定方法および装置 |
JP2004093257A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光センサユニット |
JP2004357376A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Hitachi Ltd | 開閉装置用計測装置 |
WO2005069020A1 (en) * | 2004-01-07 | 2005-07-28 | Suparules Limited | Voltage measuring device |
WO2005074661A2 (en) * | 2004-02-02 | 2005-08-18 | Inficon, Inc. | Rf sensor clamp assembly |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015200631A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-12 | 株式会社ダイヘン | 電流検出用プリント基板および電流検出器 |
JP2015200630A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-12 | 株式会社ダイヘン | 電流・電圧検出用プリント基板および電流・電圧検出器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2002270A2 (en) | 2008-12-17 |
EP2002270A4 (en) | 2013-08-28 |
US7538562B2 (en) | 2009-05-26 |
KR20140089433A (ko) | 2014-07-14 |
JP5599607B2 (ja) | 2014-10-01 |
US20070222428A1 (en) | 2007-09-27 |
EP2002270B1 (en) | 2014-08-20 |
KR20080107417A (ko) | 2008-12-10 |
WO2007109276A3 (en) | 2008-09-18 |
WO2007109276A2 (en) | 2007-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5599607B2 (ja) | プラズマ処理器具で用いるためのrfセンサー | |
JP4219634B2 (ja) | 磁気センサ、側面開放型temセル、およびこれらを利用した装置 | |
JP5151032B2 (ja) | 磁界プローブ装置及び磁界プローブ素子 | |
US6781476B2 (en) | Filter having directional coupler and communication device | |
US8937480B2 (en) | High frequency detection device and coaxial cable including the same | |
US6534708B2 (en) | Signal transmission cable with a noise absorbing high loss magnetic film formed on a sheath of the cable | |
US7126356B2 (en) | Radiation detector for electrostatic discharge | |
TW502261B (en) | Electronic component comprising a metallic case provided with a magnetic loss material | |
US6225876B1 (en) | Feed-through EMI filter with a metal flake composite magnetic material | |
CN114966230A (zh) | 电磁场探头 | |
JPH07225634A (ja) | 情報処理装置 | |
Sivaraman et al. | Broad band PCB probes for near field measurements | |
JPH09199237A (ja) | コネクタ付きシールドケーブル | |
JP7016238B2 (ja) | 方向性結合器 | |
US11946953B2 (en) | Electromagnetic field sensor | |
CN113422614B (zh) | 射频耦合装置 | |
CN114966231A (zh) | 电磁场复合近场探头 | |
CN101405607A (zh) | 用于微电子等离子体处理工具的高性能微型射频传感器 | |
US20040131198A1 (en) | Noise measurement apparatus and noise measuring cable | |
JP3590932B2 (ja) | Emiプローブ | |
WO2023238784A1 (ja) | 電子部品ユニット | |
WO2021234479A1 (en) | Active antenna including a screened loop aerial | |
WO2021171119A1 (en) | Active antenna comprising a screened loop aerial | |
JPH09199238A (ja) | コネクタ付きケーブル | |
JP2012013582A (ja) | ノイズ測定用ケーブル及びノイズ測定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091228 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100831 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120808 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120815 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130723 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140715 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140813 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5599607 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |