JP2009521539A - 安定なフォトレジスト組成物の製造法 - Google Patents
安定なフォトレジスト組成物の製造法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009521539A JP2009521539A JP2008547238A JP2008547238A JP2009521539A JP 2009521539 A JP2009521539 A JP 2009521539A JP 2008547238 A JP2008547238 A JP 2008547238A JP 2008547238 A JP2008547238 A JP 2008547238A JP 2009521539 A JP2009521539 A JP 2009521539A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- solvent
- solution
- composition derived
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F6/00—Post-polymerisation treatments
- C08F6/02—Neutralisation of the polymerisation mass, e.g. killing the catalyst also removal of catalyst residues
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F6/00—Post-polymerisation treatments
- C08F6/06—Treatment of polymer solutions
- C08F6/10—Removal of volatile materials, e.g. solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F6/00—Post-polymerisation treatments
- C08F6/06—Treatment of polymer solutions
- C08F6/12—Separation of polymers from solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
- C08J3/02—Making solutions, dispersions, lattices or gels by other methods than by solution, emulsion or suspension polymerisation techniques
- C08J3/09—Making solutions, dispersions, lattices or gels by other methods than by solution, emulsion or suspension polymerisation techniques in organic liquids
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
Abstract
Description
発明の分野
本発明は安定なフォトレジスト組成物の製造法に関する。
業界ではリソグラフィ技術を用いて製造されるマイクロ電子デバイスの高密度回路が求められている。チップあたりの素子数(集積度)を増加させる一つの方法は、チップ上の最小加工寸法(minimum feature size)を小さくすることで、これには高いリソグラフィ解像度が必要とされる。現在使用されている中間UVスペクトル範囲(例えば350nm〜400nm)より短波長の放射線(例えば遠紫外線、例えば190〜315nm)の使用は、より高解像度の可能性を提供する。しかしながら、遠紫外線では同じエネルギー線量で少ない光子しか移送されず、同じ所望の光化学的応答を達成するのに高い照射線量が必要となる。さらに、現在のリソグラフィ用装置は遠UVスペクトル領域では非常に減弱された出力しか持たない。
先行技術
以下の参考文献を一般的な背景情報として開示する。
2.米国特許第5,239,015号は、フォトレジスト及び光学用の低光学濃度ポリマー及びコポリマーの製造法を開示している。
4.米国特許第5,625,020号は、感光性酸発生剤と、ヒドロキシスチレンとアクリレート、メタクリレート又はアクリレートとメタクリレートの混合物との反応生成物を含むポリマーとを含有するフォトレジスト組成物の製造法を開示している。
6.WO94 14858 Aは、保護基なしにヒドロキシスチレンを重合する方法を開示している。
発明の要旨
(a)ポリマー、第一の溶媒及び微量金属を含有するポリマー溶液を準備する工程と;
(b)前記ポリマー溶液を酸性の陽イオン交換材料に通して前記微量金属を該溶液から除去することによって遊離酸基を含有するポリマー溶液を形成させる工程と;
(c)工程bの前記ポリマー溶液から前記ポリマーを、前記ポリマーが実質的に不溶である第二の溶媒と接触させることによって沈殿させる工程と;
(d)前記溶液と前記第二の溶媒をろ過することによって固体のポリマーケーキを形成させる工程と;
(e)工程dの前記ケーキを十分量の追加の前記第二の溶媒と接触させて遊離酸基をそれから除去する工程と;
(f)工程eの前記固体ポリマーケーキに相溶性のフォトレジスト溶媒を加え、その二つを混合して前記ポリマーを前記フォトレジスト溶媒中に溶解させることによってフォトレジスト溶液を形成させる工程と;そして
(g)前記ポリマーを含有する前記フォトレジスト溶液から残留するあらゆる第一及び第二の溶媒を除去して、安定なフォトレジスト溶液を形成させる工程と
を含む。
発明の詳細な説明
従って、本発明は、一部は、酸基を含まないポリマーの新規製造法を提供する。該ポリマーはその後、安定なフォトレジスト組成物を提供するのに使用できる。以下の主題は、ある種のポリマーに向けられているが、これは例示であって、広範囲のポリマーが本発明の方法に使用するためのポリマー溶液の製造に使用できることは理解されるはずである。
ポリマー溶液の製造
以下は、I:
工程1−重合
本工程では、式III:
i)R1及びR2は、同一又は異なっており、
水素;
フッ素、塩素又は臭素;
式CnHxFy(式中、nは1〜4の整数、x及びyは0〜2n+1の整数、及びxとyの合計は2n+1である)を有するアルキル又はフルオロアルキル基;及び
フェニル又はトリル
からなる群から独立して選ばれ;
ii)R3は、
水素;及び
メチル、エチル、n−プロピル、イソ−プロピル、n−ブチル、イソ−ブチル又はt−ブチル
からなる群から選ばれ;
iii)R4は、メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、t−アミル、ベンジル、シクロヘキシル、9−アントラセニル、2−ヒドロキシエチル、シンナミル、アダマンチル、メチル又はエチルアダマンチル、イソボルニル、2−エトキシエチル、n−ヘプチル、n−ヘキシル、2−ヒドロキシプロピル、2−エチルブチル、2−メトキシプロピル、2−(2−メトキシエトキシ)、2−ナフチル、2−フェニルエチル、フェニルなどからなる群から選ばれ;
iv)R5は、直鎖又は分枝鎖いずれかのC1〜C5アルキルである。
本工程1の別の態様において、反応混合物は追加の共溶媒を含んでいてもよい。共溶媒は、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、アセトン、及び1,4−ジオキサンからなる群から選ばれる。
工程2−精製
工程1の重合後、所望であれば、工程3のエステル交換の前に工程1のポリマーを精製プロセスにかける。その場合、同じ種類のカルボキシルアルコール溶媒(第一溶媒)を用い、多段階分別法(multi-step fractionation process)によってポリマーを精製する。追加の第一溶媒を工程1のポリマー混合物に加え、得られたスラリーを激しく撹拌、及び/又は沸点(約66℃)に数分間加熱し、その後25℃ほどの低温に冷却して放置する。これによってスラリーは相分離を起こすので、その後液体を遠心分離、ろ過、デカンテーション又は類似手段によって取り出す。このプロセスをそれ以上精製が確認されなくなるまで、例えばデカントされた溶媒の小サンプルを蒸発乾固しても実質的に残渣が認められなくなるまで、少なくとももう1回繰り返す。この分別プロセス、すなわち加熱、冷却、分離、及び溶媒交換は一般的に2〜10回行われる。
工程3−エステル交換
エステル交換工程では、工程2のポリマー/溶媒混合物を、触媒量のエステル交換触媒の存在下、前記アルコール溶媒中でエステル交換条件に委ねる。触媒は、ポリマー、又は前記アルキルアクリレートモノマーII、又は前記共重合可能モノマー(EUCM)と実質的に反応しないようなものである。該触媒は、(無水)アンモニア、リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウムイソプロポキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムイソプロポキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムイソプロポキシド、セシウムメトキシド、セシウムエトキシド、セシウムイソプロポキシド、及びそれらの組合せからなる群から選ばれる(カルボキシルアルコキシドアニオンはカルボキシルアルコール溶媒と類似している)。触媒は、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム及びそれらの組合せのようなアルカリ金属水酸化物でもよいことも理解されるはずである。使用されるモノマーが、−R5である−Rの場合、触媒はHClのような鉱酸などの強酸である。
好適な態様において、触媒は、前記アルコール溶媒中の溶液として工程(b)で添加される。
工程4−精製
この所望による精製工程は触媒除去工程の前に来る。この工程4によれば、アルコール溶液中のポリマーに、前記アルコール溶媒とは非混和性の第二の溶媒を第二の層が形成されるまで加える。次に混合物を激しく撹拌するか数分間加熱沸騰させた後、放冷する。明らかに分離した第二の層が形成されたら、次にこれをデカンテーション又は類似手段によって取り出す。該プロセスをそれ以上精製が確認されなくなるまで、例えばデカントされた第二の(非アルコール)溶媒の小サンプルを蒸発乾固しても残渣が認められなくなるまで繰り返す。このようにして副産物及び低平均分子量の材料が除去される。
本発明の方法の工程
工程A:ポリマー溶液の準備
この時点で、ポリマー、第一の溶媒、及び微量金属を含有するポリマー溶液は準備できており(上記)、これが本発明の新規方法の出発材料となる。
工程B:微量金属の除去
上記工程3で使用される触媒の性質を考慮すると、使用触媒に由来するあらゆる微量金属を系から除去することは重要である。本工程では、陽イオン交換樹脂、好ましくは酸性陽イオン交換樹脂を用いて所望の最終結果を達成する。酸性イオン交換樹脂、例えば水素形のスルホン化スチレン/ジビニルベンゼン陽イオン交換樹脂が本方法に好適に利用される。適切な酸性交換樹脂は、Rohm and Haas Companyから例えばAMBERLYST 15 酸性イオン交換樹脂を入手できる。このAmberlyst樹脂は、典型的には80,000〜200,000ppbほどのナトリウム及び鉄を含有している。本発明の方法に利用する前に、該イオン交換樹脂は水と鉱酸溶液で順次処理して金属イオン濃度を低減すべきである。ポリマー溶液から触媒を除去する際、イオン交換樹脂は、ポリマー溶液の溶媒と同一又は少なくとも相溶性の溶媒で濯ぐことが重要である。この工程Bの手順は、米国特許第5,284,930号及び米国特許第5,288,850号に開示されている手順と類似しうる。一般的に、陽イオン交換手順は、所望の最終結果を達成する任意の温度、圧力及び流量で実施される。
工程C:ポリマーの沈殿
本工程では、ポリマー溶液をポリマーが実質的に不溶である第二の溶媒と接触させることによって、第一の溶媒からポリマーを分離する。沈殿は、この接触プロセスが行われると発生する。第二の溶媒は一般的に、水、ヘキサン類、ヘプタン類、オクタン類、石油エーテル、リグロイン、低級アルキルハロ炭化水素(例えば塩化メチレン)、及びそれらの混合物からなる群から選ばれる。これには上記全アルカン類の混合異性体も含まれる。
例示すると、ポリマー溶液は、メタノール中27〜30%固体溶液を18MΩの撹拌脱イオン水中に室温及びポリマー溶液:水の比率1:10で量り入れることによって沈殿させる。撹拌速度は、最終結果として生成物がろ過可能な粒子となるような速度である。ポリマー溶液の計量装填速度は、一般的に、撹拌脱イオン水に毎分ポリマー溶液の10〜15%を入れるというものである(例えば60kgのポリマーの場合、6〜8kg/分を600kgの脱イオンH2Oに)。この装填速度は最適の沈殿粒径を可能にするので、適切なろ過及び洗浄スキームの助けとなる。本工程の結果は、水/メタノール媒体中の沈殿ポリマー粒子のスラリー混合物で、ポリマーの大部分は不溶性である(ポリマーの一部の低分子量フラグメント及び不純物は、得られた水/メタノール溶液に可溶性でありうる)。イオン交換(IEX)樹脂工程に由来する酸性種は母液溶媒に可溶である。
工程D:ろ過
本工程では、ポリマー溶液、第二溶媒、及び沈殿ポリマーをろ過して、実質的に固体のポリマーケーキを得る。このろ過は、重力によって又は真空を使用して実施できる。
例示すると、沈殿ポリマー粒子及び水/メタノール溶液からなるポリマースラリーを室温で25〜30μmフィルタに通してろ過し、ポリマー粒子を水/メタノール溶液から分離/単離する。ポリマー粒子はフィルタ上に捕捉されるが、水/メタノール溶液はフィルタを通過し、該溶液と共にあらゆる可溶性の低分子量ポリマーフラグメント及び不純物(酸性IEX樹脂工程由来の酸性不純物を含む)を取り去って廃棄する。結果は、水/メタノールで湿ったポリマーウェットケーキである。ろ過は典型的には遠心力又は真空条件下で実施され、所望でない水/メタノール溶液をフィルタ上のポリマーウェットケーキからさらに除去し、水分を約40〜約60%、例えば50%に下げる。
沈殿したポリマーウェットケーキを少なくとももう1回、適当な溶媒に再溶解し、適当な溶媒中で沈殿させ、次いでろ過することも本発明の範囲に含まれる。
工程E:ポリマーケーキの洗浄
本工程では、工程Dのポリマーケーキを十分な量の追加の新鮮な第二溶媒で少なくとも1回洗浄し、遊離酸基をそれから除去する。この工程は前記ケーキからの酸基の除去を提供するが、まだ少量の前記第一及び第二溶媒は存在している。
例示すると、ポリマーウェットケーキをフィルタ上で新鮮な脱イオン水で洗浄して、ポリマー中のメタノールの量を削減し、そしてあらゆる可溶性低分子量フラグメント及びIEX樹脂工程由来の酸性不純物を含む不純物をさらに除去する。洗浄は室温及び大気圧で1〜10分間かけて弱く撹拌しながら実施される。新鮮な脱イオン水の装填量は、予洗されたウェットケーキの重量の約50〜67wt%、又は沈殿前の出発ポリマー溶液の約30〜50wt%である。この装填量の水洗は、ポリマーウェットケーキからのメタノールの適切な除去を提供するため、引火の危険性を最小限化し、また、あらゆる可溶性低分子量ポリマーフラグメント及び不純物もさらに除去される。結果は、脱イオン水中で再スラリー化されたポリマーウェットケーキとなり、次いでこれを前工程で述べたようにろ過/単離して洗浄水を除去する。洗浄はフィルタ上で行われるので、更なる不純物への暴露が最小限に抑えられ、ポリマーウェットケーキの時宜を得た再単離を可能にする。再度ポリマーウェットケーキは水分約50wt%にまで“脱水”される。
工程F:溶媒交換
本工程では、固体ポリマーは溶媒交換され、フォトレジスト相溶性(PC)溶媒である非プロトン性/有機溶媒中に溶解される。このPC溶媒は、グリコールエーテル類、グリコールエーテルアセテート類及びヒドロキシル又はケト基を持たない脂肪族エステル類から選ばれる少なくとも一つのメンバーである。該溶媒の例は、グリコールエーテルアセテート類、例えばエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)並びにエステル類、例えばエチル−3−エトキシプロピオネート、メチル−3−メトキシプロピオネートなどであるが、この中でPGMEAが好適である。これらの溶媒は単独でもそれらの混合物の形態でも使用できる。
工程G:第一及び第二溶媒の除去
本工程では、ポリマー、及び残留第一及び第二溶媒を含有する得られたフォトレジスト溶液を蒸留プロセスにかけ、それによって第一及び第二溶媒をフォトレジスト溶液から除去し、実質的に何らの遊離酸基も水(すなわち<5000ppmの水)も含まない安定なフォトレジスト組成物を提供する。
ピロガロールトリスルホネート光酸発生剤は、すべてのヒドロキシル基が、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2−トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4−フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、及びメタンスルホネートによって置換されているピロガロール、フルオログリシン、カテコール、レゾルシノール、ヒドロキノンなどである。
化学増幅ポジレジスト組成物において、光酸発生剤の適当な量は、組成物中の固体100重量部あたり0〜20部、特に1〜10重量部である。光酸発生剤は単独でも二つ以上の混合物でも使用できる。レジスト膜の透過率は、露光波長で低透過率を有する光酸発生剤を使用し、添加する光酸発生剤の量を調整することによって制御できる。
直径1インチのPPカラム(19cm)に水で湿ったUSFTM樹脂A15を加えた。この材料を1000グラムの脱イオン水で1時間フラッシュした。樹脂上に1インチの脱イオン水が残るまでカラムを排水した。500グラムのメタノールをカラムに加え、液面が樹脂の約1〜2インチ上になるまで2.5時間かけて排水した。次いで、樹脂をメタノール中に12時間浸しておいた。第二のメタノール洗浄(フラッシュ)を同様に実施し、再度さらに12時間浸し置いた。第二のメタノール浸漬後、樹脂を追加の500グラムのメタノールで1時間にわたってフラッシュし、水分測定のためにサンプルを採取した。水分保持量はKF滴定による測定で0.08%であった。
Claims (21)
- 微量金属を含有するポリマーの溶液からポリマーを含有する安定なフォトレジスト溶液を製造する方法であって、前記方法は、
(a)ポリマー、第一の溶媒及び微量金属を含有するポリマー溶液を準備する工程と;
(b)前記ポリマー溶液を酸性の陽イオン交換材料に通して前記微量金属を該溶液から除去することによって遊離酸基を含有するポリマー溶液を形成させる工程と;
(c)工程bの前記ポリマー溶液から前記ポリマーを、前記ポリマーが実質的に不溶である第二の溶媒と接触させることによって沈殿させる工程と;
(d)前記溶液と前記第二の溶媒をろ過することによって固体のポリマーケーキを形成させる工程と;
(e)工程dの前記ケーキを十分量の追加の前記第二の溶媒と接触させて遊離酸基をそれから除去する工程と;
(f)工程eの前記固体ポリマーケーキに相溶性のフォトレジスト溶媒を加え、その二つを混合して前記ポリマーを前記フォトレジスト溶媒中に溶解させることによってフォトレジスト溶液を形成させる工程と;そして
(g)前記ポリマーを含有する前記フォトレジスト溶液から残留するあらゆる第一及び第二の溶媒を除去して、安定なフォトレジスト溶液を形成させる工程と
を含む方法。 - 第一の溶媒がアルコール性溶媒である、請求項1に記載の方法。
- 第二の溶媒が、水、ヘキサン類、ヘプタン類、オクタン類、石油エーテル、リグロイン、低級アルキルハロ炭化水素、及びそれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項1に記載の方法。
- 前記アルコール性溶媒が、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、t−ブタノール、及びそれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項2に記載の方法。
- 微量金属を含有するポリマーの溶液から安定なポリマーを製造する方法であって、前記方法は、
(a)ポリマー、第一の溶媒及び微量金属を含有するポリマー溶液を準備する工程と;
(b)前記ポリマー溶液を酸性の陽イオン交換材料に通して前記微量金属を該溶液から除去することによって遊離酸基を含有するポリマー溶液を形成させる工程と;
(c)工程bの前記ポリマー溶液から前記ポリマーを、前記ポリマーが実質的に不溶である第二の溶媒と接触させることによって沈殿させる工程と;
(d)前記溶液と前記第二の溶媒をろ過することによって固体のポリマーケーキを形成させる工程と;
(e)工程dの前記ケーキを十分量の追加の前記第二の溶媒と接触させて遊離酸基をそれから除去する工程と;そして
(f)前記ポリマーから残留するあらゆる第一及び第二の溶媒を除去して、安定なポリマーを形成させる工程と
を含む方法。 - 請求項5に記載の方法から誘導された組成物に基づく電子回路のパターン形成用の一次フォトレジスト組成物。
- 請求項5に記載の方法から誘導された組成物に基づくエポキシ樹脂用の硬化剤。
- 請求項5に記載の方法から誘導された組成物を配合しているワニス。
- 請求項5に記載の方法から誘導された組成物を配合している印刷用インク。
- 請求項5に記載の方法から誘導された組成物を配合しているゴム用粘着付与剤。
- 請求項5に記載の方法から誘導された組成物を配合している原油分離用剤。
- 請求項5に記載の方法から誘導された組成物を配合している硬質又は軟質プリント回路板用ソルダーマスク又は感光性カバーレイ。
- 請求項5に記載の方法から誘導された組成物中のヒドロキシ基との反応によってさらに誘導体化されているエポキシ材料。
- 請求項5に記載の方法から誘導された組成物も配合しているエポキシ又はブロックトイソシアネート含有ペイント塗料。
- 請求項5に記載の方法から誘導された組成物を配合している高粘性ポリマーであって、該組成物はそのための粘度調整剤として働いている高粘性ポリマー。
- 請求項5に記載の方法から誘導された組成物を配合しているポリマー材料であって、該組成物はそのための抗酸化剤として働いているポリマー材料。
- 請求項5に記載の方法から誘導された組成物を組み込んでいる微小電気機械システム。
- 請求項5に記載の方法から誘導された組成物を含有している写真複写用トナー樹脂。
- 請求項5に記載の方法から誘導された組成物を含有している反射防止コーティング。
- 第一の溶媒が、ポリマーが実質的に可溶である任意の溶媒である、請求項1に記載の方法。
- 第二の溶媒が、ポリマーが実質的に不溶である任意の溶媒である、請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US75330905P | 2005-12-22 | 2005-12-22 | |
US60/753,309 | 2005-12-22 | ||
PCT/US2006/044808 WO2007078445A1 (en) | 2005-12-22 | 2006-11-17 | Process for preparing stable photoresist compositions |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009521539A true JP2009521539A (ja) | 2009-06-04 |
JP5455375B2 JP5455375B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=37907143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008547238A Active JP5455375B2 (ja) | 2005-12-22 | 2006-11-17 | 安定なフォトレジスト組成物の製造法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7741429B2 (ja) |
EP (1) | EP1966251A1 (ja) |
JP (1) | JP5455375B2 (ja) |
KR (1) | KR101084461B1 (ja) |
CN (1) | CN101331155A (ja) |
WO (1) | WO2007078445A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016079309A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 三菱レイヨン株式会社 | 重合体の製造方法、レジスト組成物の製造方法、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
JP2016221678A (ja) * | 2012-09-13 | 2016-12-28 | 信越化学工業株式会社 | マイクロ構造体用樹脂構造体の製造方法及びマイクロ構造体の製造方法 |
WO2016208257A1 (ja) * | 2015-06-22 | 2016-12-29 | 丸善石油化学株式会社 | 電子材料用重合体の製造方法およびその製造方法により得られた電子材料用重合体 |
JP2019073587A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | 三菱ケミカル株式会社 | リソグラフィー用重合体溶液の製造方法、レジスト組成物の製造方法、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5455375B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2014-03-26 | デュポン・エレクトロニック・ポリマーズ・エル・ピー | 安定なフォトレジスト組成物の製造法 |
TW200836002A (en) * | 2006-12-19 | 2008-09-01 | Cheil Ind Inc | Photosensitive resin composition and organic insulating film produced using the same |
JP4984067B2 (ja) * | 2007-07-23 | 2012-07-25 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト組成物用高分子化合物の合成方法 |
US20090076230A1 (en) * | 2007-09-18 | 2009-03-19 | Michael Thomas Sheehan | Process for preparing compositionally uniform copolymers |
JP5541766B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2014-07-09 | 株式会社ダイセル | フォトレジスト用高分子化合物の製造方法 |
DE102009046194A1 (de) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Evonik Röhm Gmbh | Verfahren zur Herstellung von (1-Alkoxy-2-methyl-1-oxopropan--2yl)-(meth)acrylat |
JP5914241B2 (ja) * | 2012-08-07 | 2016-05-11 | 株式会社ダイセル | 高分子化合物の製造方法、高分子化合物、及びフォトレジスト用樹脂組成物 |
US8853081B2 (en) | 2012-12-27 | 2014-10-07 | Intermolecular, Inc. | High dose ion-implanted photoresist removal using organic solvent and transition metal mixtures |
JP6369156B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2018-08-08 | 三菱ケミカル株式会社 | リソグラフィー用重合体の製造方法、レジスト組成物の製造方法、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004352989A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-12-16 | E I Du Pont De Nemours & Co | フォトレジスト組成物およびそれらの調製方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5021160A (en) * | 1990-01-09 | 1991-06-04 | Gelman Sciences, Inc. | Strongly acidic microporous membranes for cation exchange |
SG49596A1 (en) * | 1992-11-25 | 1998-06-15 | Hoechst Celanese Corp | Metal ion reduction in bottom anti-reflective coatings for photoresists |
WO1994014858A1 (en) * | 1992-12-29 | 1994-07-07 | Hoechst Celanese Corporation | Metal ion reduction in polyhydroxystyrene and photoresists |
US6379551B1 (en) * | 1997-08-18 | 2002-04-30 | Pall Corporation | Method of removing metal ions using an ion exchange membrane |
JP4977286B2 (ja) * | 2000-03-07 | 2012-07-18 | 日東電工株式会社 | 重合体の製造方法 |
AU2001269961A1 (en) * | 2000-07-06 | 2002-01-21 | Guilford Pharmaceuticals | Improved polymers and polymerization processes |
US6958123B2 (en) * | 2001-06-15 | 2005-10-25 | Reflectivity, Inc | Method for removing a sacrificial material with a compressed fluid |
US6864324B2 (en) * | 2002-04-19 | 2005-03-08 | Chem First Electronic Materials L.P. | Anhydrous, liquid phase process for preparing hydroxyl containing polymers of enhanced purity |
CN100447166C (zh) * | 2002-04-25 | 2008-12-31 | 钟渊化学工业株式会社 | 末端具有交联性甲硅烷基的(甲基)丙烯酸类聚合物的制造方法 |
US7241544B2 (en) * | 2004-04-12 | 2007-07-10 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Image forming method |
EP2336216A1 (en) * | 2004-05-05 | 2011-06-22 | DuPont Electronic Polymers L.P. | Derivatized polyhydroxystyrenes with a novolak type structure and processes for preparing the same |
US7662538B2 (en) * | 2004-11-08 | 2010-02-16 | Du Pont Electronic Polymers L.P. | Derivatized polyhydroxystyrenes (DPHS) with a novolak type structure and blocked DPHS (BDPHS) and processes for preparing the same |
JP5455375B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2014-03-26 | デュポン・エレクトロニック・ポリマーズ・エル・ピー | 安定なフォトレジスト組成物の製造法 |
-
2006
- 2006-11-17 JP JP2008547238A patent/JP5455375B2/ja active Active
- 2006-11-17 WO PCT/US2006/044808 patent/WO2007078445A1/en active Application Filing
- 2006-11-17 US US11/601,242 patent/US7741429B2/en active Active
- 2006-11-17 CN CNA2006800474092A patent/CN101331155A/zh active Pending
- 2006-11-17 KR KR1020087014328A patent/KR101084461B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-11-17 EP EP06838000A patent/EP1966251A1/en not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-05-06 US US12/800,013 patent/US7862983B2/en active Active
- 2010-12-09 US US12/928,331 patent/US8207278B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-05-23 US US13/478,208 patent/US8580915B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004352989A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-12-16 | E I Du Pont De Nemours & Co | フォトレジスト組成物およびそれらの調製方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016221678A (ja) * | 2012-09-13 | 2016-12-28 | 信越化学工業株式会社 | マイクロ構造体用樹脂構造体の製造方法及びマイクロ構造体の製造方法 |
JP2016079309A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 三菱レイヨン株式会社 | 重合体の製造方法、レジスト組成物の製造方法、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
WO2016208257A1 (ja) * | 2015-06-22 | 2016-12-29 | 丸善石油化学株式会社 | 電子材料用重合体の製造方法およびその製造方法により得られた電子材料用重合体 |
CN107849167A (zh) * | 2015-06-22 | 2018-03-27 | 丸善石油化学株式会社 | 电子材料用聚合物的制造方法及利用该制造方法得到的电子材料用聚合物 |
JPWO2016208257A1 (ja) * | 2015-06-22 | 2018-05-10 | 丸善石油化学株式会社 | 電子材料用重合体の製造方法およびその製造方法により得られた電子材料用重合体 |
US10766973B2 (en) | 2015-06-22 | 2020-09-08 | Maruzen Petrochemical Co., Ltd. | Method for producing polymer for electronic material and polymer for electronic material obtained by the production method |
JP2019073587A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | 三菱ケミカル株式会社 | リソグラフィー用重合体溶液の製造方法、レジスト組成物の製造方法、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
JP7127267B2 (ja) | 2017-10-13 | 2022-08-30 | 三菱ケミカル株式会社 | リソグラフィー用重合体溶液の製造方法、レジスト組成物の製造方法、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110082255A1 (en) | 2011-04-07 |
CN101331155A (zh) | 2008-12-24 |
WO2007078445A1 (en) | 2007-07-12 |
KR20080075524A (ko) | 2008-08-18 |
US7862983B2 (en) | 2011-01-04 |
US20120264857A1 (en) | 2012-10-18 |
US7741429B2 (en) | 2010-06-22 |
EP1966251A1 (en) | 2008-09-10 |
US8207278B2 (en) | 2012-06-26 |
JP5455375B2 (ja) | 2014-03-26 |
US20070148587A1 (en) | 2007-06-28 |
US20100221653A1 (en) | 2010-09-02 |
KR101084461B1 (ko) | 2011-11-21 |
US8580915B2 (en) | 2013-11-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5455375B2 (ja) | 安定なフォトレジスト組成物の製造法 | |
KR101055032B1 (ko) | 포토레지스트 조성물 및 그 제조 방법 | |
KR100703007B1 (ko) | 감광성 유기 반사 방지막 형성용 조성물 및 이를 이용한패턴 형성 방법 | |
JP3562599B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
WO1996024888A1 (fr) | Procede de formation d'un motif de resist | |
JP6641419B2 (ja) | フォトリソグラフィのためのオーバーコート組成物及び方法 | |
US7662538B2 (en) | Derivatized polyhydroxystyrenes (DPHS) with a novolak type structure and blocked DPHS (BDPHS) and processes for preparing the same | |
JP2005171093A (ja) | 半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法及び該方法により得られる半導体リソグラフィー用共重合体 | |
JP4261372B2 (ja) | 純度の高いヒドロキシル含有ポリマーを調製するための無水液相方法 | |
US7312281B2 (en) | Anhydrous, liquid phase process for preparing hydroxyl containing polymers of enhanced purity | |
JP6616755B2 (ja) | フォトリソグラフィのためのオーバーコート組成物及び方法 | |
JP3970562B2 (ja) | 粒子状フォトレジスト用高分子化合物とその製造法 | |
JP2007051299A (ja) | フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物 | |
JP2009024122A (ja) | フォトレジスト組成物用高分子化合物の合成方法 | |
JP2006124716A (ja) | 半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110418 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110715 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110725 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110817 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110824 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110920 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110928 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111018 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120416 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120816 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20121001 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20121228 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130723 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140107 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5455375 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |