JP2007051299A - フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明のフォトレジスト用高分子化合物は、酸の作用によりアルカリ可溶性となるフォトレジスト用高分子化合物であって、ポリマー中の不純物としてのモノマー含有量が2重量%以下であることを特徴とする。このようなフォトレジスト用高分子化合物は、例えば、酸の作用によりアルカリ可溶性となるフォトレジスト用高分子化合物の溶液を、口径6mmφ以下のノズルから貧溶媒中に供給して沈殿又は再沈殿させることにより製造できる。
【選択図】 なし
Description
で表される繰り返し単位、下記式(2)
で表される繰り返し単位、又は下記式(3)
で表される繰り返し単位を有していてもよい。
下記構造のフォトレジスト用高分子化合物の製造
上記方法により調製したポリマー溶液A1kgをヘキサンと酢酸エチルの9:1(体積比;25℃)混合液10kg中に、25℃の温度下、口径2mmφのノズルを用いて滴下して(滴下速度:1m/秒)、沈降粒子を得た。なお、滴下開始時から滴下終了して30分後まで、攪拌翼(ファウドラー/パドル)を用いて攪拌した(回転数:200rpm)。沈降粒子を濾別し、減圧下50℃で8時間乾燥することにより、所望の粒子状ポリマーを得た(得量:140g)。得られた粒子状ポリマーの粒子径をレーザー回折/散乱法粒度分布測定装置(HORIBA LA−910)により測定した結果、体積平均粒子径は180μmであり、粒子径10〜500μmの粒子は全粒子の94体積%を占めていた。また、得られた粒子状ポリマー中の残存モノマー含有量を高速液体クロマトグラフィーにより分析した結果、0.3重量%であった。
下記構造のフォトレジスト用高分子化合物の製造
上記方法により調製したポリマー溶液B1kgをヘキサンと酢酸エチルの9:1(体積比;25℃)混合液10kg中に、25℃の温度下、口径1mmφのノズルを用いて滴下して(滴下速度:2m/秒)、沈降粒子を得た。なお、滴下開始時から滴下終了して30分後まで、攪拌翼(ファウドラー/パドル)を用いて攪拌した(回転数:200rpm)。沈降粒子を濾別し、減圧下50℃で8時間乾燥することにより、所望の粒子状ポリマーを得た(得量:140g)。得られた粒子状ポリマーの粒子径をレーザー回折/散乱法粒度分布測定装置(HORIBA LA−910)により測定した結果、体積平均粒子径は150μmであり、粒子径10〜500μmの粒子は全粒子の92体積%を占めていた。また、得られた粒子状ポリマー中の残存モノマー含有量を高速液体クロマトグラフィーにより分析した結果、0.3重量%であった。
実施例1と同様の方法により調製したポリマー溶液A1kgをヘキサンと酢酸エチルの9:1(体積比;25℃)混合液10kg中に、25℃の温度下、口径0.5mmφのノズルを用いて滴下して(滴下速度:3m/秒)、沈降粒子を得た。なお、滴下開始時から滴下終了して30分後まで、攪拌翼(ファウドラー/パドル)を用いて攪拌した(回転数:200rpm)。沈降粒子を濾別し、減圧下50℃で8時間乾燥することにより、所望の粒子状ポリマーを得た(得量:139g)。得られた粒子状ポリマーの粒子径をレーザー回折/散乱法粒度分布測定装置(HORIBA LA−910)により測定した結果、体積平均粒子径は50μmであり、粒子径10〜500μmの粒子は全粒子の94体積%を占めていた。また、得られた粒子状ポリマー中の残存モノマー含有量を高速液体クロマトグラフィーにより分析した結果、0.3重量%であった。
実施例2と同様の方法により調製したポリマー溶液B1kgをヘキサンと酢酸エチルの9:1(体積比;25℃)混合液10kg中に、25℃の温度下、口径8mmφのノズルを用いて滴下して(滴下速度:1m/秒)、沈降粒子を得た。なお、滴下開始時から滴下終了して30分後まで、攪拌翼(ファウドラー/パドル)を用いて攪拌した(回転数:200rpm)。沈降粒子を濾別し、減圧下50℃で8時間乾燥することにより、粒子状ポリマーを得た(得量:142g)。得られた粒子状ポリマーの粒子径をレーザー回折/散乱法粒度分布測定装置(HORIBA LA−910)により測定した結果、体積平均粒子径は450μmであり、粒子径10〜500μmの粒子は全粒子の82体積%を占めていた。また、得られた粒子状ポリマー中の残存モノマー含有量を高速液体クロマトグラフィーにより分析した結果、2.2重量%であった。
Claims (6)
- 酸の作用によりアルカリ可溶性となるフォトレジスト用高分子化合物であって、ポリマー中の不純物としてのモノマー含有量が2重量%以下であることを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物。
- 請求項1〜4の何れかの項に記載のフォトレジスト用高分子化合物と光酸発生剤を溶媒に溶解させて得られるフォトレジスト用樹脂組成物。
- 請求項5記載のフォトレジスト用樹脂組成物を基材又は基板上に塗布してレジスト塗膜を形成し、露光及び現像を経てパターンを形成する工程を含む半導体の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007116614A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 半導体リソグラフィー用樹脂の製造方法 |
JP2009292983A (ja) * | 2008-06-07 | 2009-12-17 | Daicel Chem Ind Ltd | アダマンタノン骨格を有する重合性化合物、フォトレジスト用樹脂組成物、及び半導体の製造方法 |
JP2012001625A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 重合体の製造方法、半導体リソグラフィー用重合体、レジスト組成物、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
JP2013006888A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | リソグラフィー用重合体の製造方法、レジスト組成物の製造方法、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001109153A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2001142213A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001109153A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2001142213A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007116614A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 半導体リソグラフィー用樹脂の製造方法 |
JP2009292983A (ja) * | 2008-06-07 | 2009-12-17 | Daicel Chem Ind Ltd | アダマンタノン骨格を有する重合性化合物、フォトレジスト用樹脂組成物、及び半導体の製造方法 |
JP2012001625A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 重合体の製造方法、半導体リソグラフィー用重合体、レジスト組成物、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
JP2013006888A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | リソグラフィー用重合体の製造方法、レジスト組成物の製造方法、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
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