JP2009520878A - 少なくとも1つのスパッタコーティングされた基板を製造する方法およびスパッタソース - Google Patents
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Abstract
Description
問題である。明らかなことに、ある目標が他の領域よりも局所的にスパッタ腐食される場合は、目標の寿命は腐食が増加した領域で目標が費やされた時間によって決定される。したがって、目標に沿った不均一なスパッタ腐食分布によって、スパッタコーティングのために所与の目標から利用され得る材料の割合についての効率性が大きく決定される。さらに、局所的に顕著なスパッタ腐食により、基板に沿った、スパッタリングされる材料の堆積率の均一性が損なわれる。
・目標のスパッタリング表面に言及し、このような表面を他の幾何学的な実体に対する幾何学的な実体として用いる場合、目標搭載配列またはおよび特にスパッタ腐食プロファイルによってもたらされるような実際のスパッタリング表面のいかなる不安定さも考慮せ
ず、スパッタリング表面は幾何学的な面またはおそらく湾曲した幾何学的な表面として理解される。
。このドラムは強磁性部材および磁極の少なくとも一方のパターンを有する。
スパッタ表面を有する少なくとも1つのスパッタ目標と、
目標に沿った第1の静的細長磁極配列と、
第1の静的細長磁極配列と相互に間隔を置くとともにそれに沿って配置される第2の静的細長磁極配列とを含むスパッタリングソースに関する。
対して垂直に、および/またはそれに沿って駆動により移動可能である。これにより、静的な磁界の変調は、上述した一方の静的細長磁極配列に沿って、波のような態様で、時間および場所に依存して行われてもよい。
は、磁極の螺旋パターンを有するとともに自身の軸について回転するドラムにより独占的にプラズマにおいて磁界を生成するステップを含む。
図1には、この発明に従った一般的な方策を説明するために、この発明に従ったスパッタリングソースの部分が概略的に示される。点線で示される、スパッタリング表面3を有する目標1が設けられる。第1の磁極配列5が一方向yに延在し、双極子DPの磁極を与える。これらの磁極は、具体的に選択される交互に異なる極性のものであってもよいが、通常は、配列5の少なくともある範囲に沿って、たとえばSで示されるように同じ極性のものである。配列5は目標1に対して静的に搭載される。
図9の実施例でのような駆動回転可能なドラムを用いての実現のほうが非常に有利である。
プを形成し、特に上述したトンネルループの内側のスパッタリング表面の中心領域はあまり腐食されず、これにより目標の利用は最適にはならず、スパッタリングコーティングされることになる基板の表面に沿ったスパッタ堆積分布が最適に均一化されない。
表面3上における磁力線および瞬間のスパッタリング腐食プロファイルは異なる。回転する双極子が静的磁極配列の双極子と平行ならば、左側および右側の腐食プロファイルは対称となるが、図13でのような変調がないスパッタリングと比べるとそれでも異なる。
Claims (23)
- 少なくとも1つのスパッタコーティングされた基板を製造する方法であって、
スパッタリング表面を有する少なくとも1つのスパッタ目標を含む目標構成からの前記少なくとも1つの基板を磁界向上スパッタコーティングするステップを含み、これにより、
・第1の静的細長磁極配列および第2の静的細長磁極配列により前記表面の上に時変の磁界を生成し、前記第1および第2の静的細長配列は互いに間隔を置くとともに、一方が他方に沿い、かつ少なくとも一方が前記スパッタリング表面の下にあるよう配置され、前記第1および第2の静的細長配列は、前記表面に垂直なそれぞれの面で考えると前記表面の上で弧を描き、前記面に垂直な方向で考えるとトンネルのようである磁力線のパターンを有する静的な磁界を共通に生成し、
・前記第1および前記第2の静的細長磁極配列のうちの一方の近くに、かつ前記一方の静的細長配列の少なくとも主な部分に沿って、前記静的な磁界に対して変調磁界を重畳させる、方法。 - 時間および場所を関数として、前記少なくとも一方の静的細長配列に沿って、したがって前記一方の配列に沿った波のような態様で、前記変調を行なうステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記変調を行なうステップは、前記少なくとも一方の静的細長磁極配列の近くであって、それに対して垂直に、および/またはそれに沿って、単一または交互に異なる極性の磁極の配列を移動させるステップを含む、請求項1または2の1つに記載の方法。
- 前記変調を行うステップは、前記少なくとも一方の静的細長磁極配列の近くであって、それに対して垂直に、および/またはそれに沿って、強磁性分路部材の配列を移動させるステップを含み、前記部材は前記移動の方向に相互に間隔を置く、請求項1〜請求項3の1つに記載の方法。
- 第3の静的細長磁極配列を設けるステップをさらに含み、前記第2の静的配列は前記第1および第3の静的細長配列の間に、かつ前記スパッタリング表面の下に配置され、前記変調は、前記第2の静的細長磁極配列の近くで、かつそれに沿って前記変調を行なうステップを含む、請求項1〜請求項4の1つに記載の方法。
- 前記重畳される変調磁界を前記静的な磁界よりも強くなるよう選択するステップを含む、請求項1〜請求項5の1つに記載の方法。
- 前記重畳される変調磁界を、それが重畳される前記静的な磁界よりも弱くなるよう選択するステップを含む、請求項1〜請求項6の1つに記載の方法。
- 前記変調磁界を実現することは、ある軸について回転可能であり、かつ前記少なくとも一方の静的細長配列の近くであるとともにそれに沿ってドラムを設けることを含み、前記ドラムは強磁性部材および磁極の少なくとも一方の少なくとも1つのパターンを有する、請求項1〜請求項7の1つに記載の方法。
- 前記パターンは前記ドラムの表面の周りの螺旋パターンである、請求項8に記載の方法。
- 一方が他方の傍にあるよう配置される少なくとも2つの目標を設けることで、前記一方の静的細長磁極配列は前記少なくとも2つの目標の間に実質的に存在する、請求項1〜請
求項9の1つに記載の方法。 - 前記第1および第2の静的細長磁極配列に沿って、かつそれらの間に配される磁気双極子の静的細長配列を用いて、双極子の軸が前記表面に実質的に平行であるとともにその下にある状態で、前記静的な磁界を平坦化するステップをさらに含む、請求項1〜請求項10の1つに記載の方法。
- 前記第1および第2の静的細長磁極配列に沿って、かつそれらの間に配されるとともに、前記第3および第2の静的細長磁極配列の間に配される磁気双極子の静的細長配列を用いて、双極子の軸が前記スパッタリング表面に対して実質的に平行であるとともにその下にある状態で、前記静的な磁界を平坦化するステップをさらに含む、請求項5〜請求項11の1つに記載の方法。
- ・スパッタリング表面を有する少なくとも1つのスパッタ目標と、
・前記目標に沿った第1の静的細長磁極配列と、
・前記第1の静的細長磁極配列と相互に間隔を置くとともにそれに沿って配置される第2の静的細長磁極配列とを含み、前記第1および前記第2の静的細長磁極配列のうちの少なくとも一方は前記スパッタリング表面の下に配置され、前記第1および第2の静的細長配列は、前記スパッタリング表面に垂直なそれぞれの面で考えると前記スパッタリング表面の上で弧を描くとともに、前記面に対して垂直な方向で考えるとトンネルのようである磁力線のパターンを有する静的な磁界を共通に生成し、さらに
・前記第1および第2の静的細長磁極配列の一方の近くに駆動により移動可能である、相隔たる強磁性部材および磁極の少なくとも一方の動的配列を含む、スパッタリングソース。 - 強磁性部材および磁極の少なくとも一方の前記動的配列は、前記第1および第2の静的細長磁極配列のうちの前記一方の近くであって、それに対して垂直に、および/またはそれに沿って駆動により移動可能である、請求項13に記載のソース。
- 第3の静的細長磁極配列を含み、前記第2の静的細長配列は前記第1および前記第3の静的細長配列の間であるとともに、それらからは離れて、かつ前記スパッタリング表面の下に配置され、前記一方の静的細長磁極配列は前記第2の配列である、請求項13または請求項14の1つに記載のソース。
- 前記静的な磁界は、前記一方の静的細長磁極配列に沿うとともにその近くの共通位置で考えると、前記動的配列の前記磁極の少なくともある部分で生成される磁界よりも強い、請求項13〜請求項15の1つに記載のソース。
- 前記静的な磁界は、前記一方の静的細長磁極配列に沿うとともにその近くの共通位置で考えると、前記動的配列の前記磁極の少なくともある部分で生成される磁界よりも弱い、請求項13〜請求項16の1つに記載のソース。
- 前記動的配列は、ある軸について駆動回転可能であるとともに強磁性部材および磁極のうちの前記少なくとも一方のパターンを含むドラムを含む、請求項13〜請求項17の1つに記載のソース。
- 前記パターンは前記ドラムの表面の周りの螺旋パターンである、請求項18に記載のソース。
- 一方が他方の傍にあるよう配置される少なくとも2つの目標を含み、前記一方の静的細
長磁極配列は前記少なくとも2つの目標の間に実質的に存在する、請求項13〜請求項19の1つに記載のソース。 - 少なくとも前記第1および前記第2の静的細長磁極配列に沿って、かつそれらの間に磁気双極子の静的細長配列を含み、前記双極子の軸は、前記スパッタリング表面と実質的に平行であり、前記スパッタリング表面の近くであるとともにその下にある、請求項13〜請求項20の1つに記載のソース。
- プラズマ密度を変調する方法であって、
・磁極の螺旋パターンを有するとともに自身の軸について回転するドラムにより独占的にプラズマにおいて磁界を生成するステップを含む、方法。 - 少なくとも1つのスパッタコーティングされた基板を製造する方法であって、
・スパッタリング表面を有する少なくとも1つのスパッタ目標を含む目標構成からの前記少なくとも1つの基板を磁界向上スパッタコーティングするステップを含み、これにより、
・第1の静的細長磁極配列および第2の静的細長磁極配列により前記表面の上に時変の磁界を生成するステップを含み、前記第1および第2の静的細長配列は互いに間隔を置くとともに、一方が他方に沿い、かつ少なくとも一方が前記スパッタリング表面の下にあるよう配置され、前記第1および第2の静的細長配列は、前記表面に垂直なそれぞれの面で考えると前記表面の上で弧を描き、前記面に垂直な方向で考えるとトンネルのようである磁力線のパターンを有する静的な磁界を共通に生成し、前記方法はさらに、
・前記第1および前記第2の静的細長磁極配列のうちの少なくとも一方の近くで、変調の態様で前記静的な磁界を制御可能に不均衡にするステップを含む、方法。
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