JP5493196B2 - プラズマ密度またはその分布の制御方法 - Google Patents
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Description
ここに言うマグネトロンソースとは、放電がDC、ACまたは混合して、ACおよびDCまたは脈動DCによって駆動されるスパッタリングソースのことであり、その際にACは高周波領域まで理解されている。このソースは、常法により、たとえばアルゴンのような作業ガスを入れた真空中で数mbarから10-3mbarの圧力で駆動される。反応プロセスのために、公知の方法で反応性の添加ガスを混合させてもよい。
・被膜基板の被膜均質性
・ターゲット材料の利用率
に負の影響も及ぼす。
図1に、概略的にかつ学術的な厳密さを要求せずに、本発明を実現する際の関係をその第1アプローチのもとに示している。ターゲット配列3のスパッタ面1の全体に渡り、ここでより詳しく説明しない方法で、たとえば2つの冠状体と共に配列された永久磁石のターゲット配列3の下側でスパッタ面1の全体に渡り閉ループ5の中で循環するトンネル状の磁界Hが作られる。
本発明によるマグネトロンソースに2またはそれ以上のループ状に循環する、トンネル状に循環する磁界が設けられ、この磁界がそれぞれ少なくとも主としてターゲット配列の異種材料のゾーンで作用する場合、本発明による制御の導入によって、2種またはそれ以上の材料のスパッタリング速度分布を全時間に渡って制御すると共に、被膜速度分布を前記材料からワークピースもしくは基板で非反応性の被膜法でも反応性の被膜法でも制御することが可能になる。
Claims (31)
- マグネトロンスパッタリングソースのターゲット配列(3)のスパッタ面(1)の全体に渡るプラズマ密度分布の被膜プロセス中の制御方法であって、
前記ターゲット配列(3)の横断面方向に見てトンネル状である磁界(H)により、前記ターゲット配列(3)のスパッタ面(1)の全体に渡って少なくとも1つの電子トラップが、前記ターゲット配列を上から見て閉ループ(5)に形成され、アノードとカソードとしてのターゲットとの間に作られる電界(E)により、前記ループ(5)の中に前記ループ(5)に沿った電子流(Ie)が形成されるものにおいて、
前記ループ(5)の周長(U)の最大1/4の長さl B の局在的な領域で、前記ループ(5)に沿ったトンネル状の磁界強度を制御しながら変化(±Δ S H)させることによって、前記電子流(Ie)の一部または全部をアノードに流すことを特徴とする、方法。
- トンネル状の磁界(H)が、スパッタ面(1)から流出し、再び流入する磁極の平均距離dに対して0<lB≦dが当てはまることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- アノードが、トンネル状の磁界(H)の中へ介入する質量が局在的な領域の磁界強度の変化によって制御されることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- トンネル状の磁界(H)が、局在的な磁界の発生器(9a)に制御された介入をすることによって変化し、電界(E)が、局在的なアノードの制御された介入によって変化することを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の方法。
- トンネル状の磁界(H)にそのループ(5)の少なくとも大部分に沿って制御磁界(HS)が、スパッタ面(1)に対して垂直に重畳することを特徴とする、請求項1ないし4のいずれか1項に記載の方法。
- 制御磁界(HS)がループ(5)に沿って均質に印加されることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- ターゲット配列(3)のスパッタ面(1)の全体に渡って少なくとも2つの電子トラップが作られ、制御された変化が前記電子トラップの少なくとも1つで実現されると共に、プラズマ密度比が前記電子トラップの間で制御されて変化することを特徴とする、請求項1ないし6のいずれか1項に記載の方法。
- 一方の電子トラップが他方の電子トラップの内側で実現されることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 両方の電子トラップが並設されて実現されることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 少なくとも1つの電子トラップが、スパッタ面(1)の全体に渡り、周期的にシフトされることを特徴とする、請求項1ないし9のいずれか1項に記載の方法。
- 磁界強度の変化と共に、電子トラップのループ(5)の形状が制御されて変化し、前記電子トラップがそのスイッチオフおよびスイッチオンまで制御されて減衰もしくは増幅されることを特徴とする、請求項1ないし10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記形状の変化が、トンネル状の磁界の局在的な変化によって実施されることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 磁界強度の制御が、不連続的に少なくとも1回のステップで一方の状態から他方の状態へ実施されることを特徴とする、請求項1ないし12のいずれか1項に記載の方法。
- トンネル状の磁界(H)が、電磁石配列(19a、38)、機械的に制御されて回転可能な永久磁石配列(19)、または機械的に制御されて回転可能な強磁性シャントによって変化することを特徴とする、請求項1ないし13のいずれか1項に記載の方法。
- 磁界強度の変化が、電磁石配列(19a、38)、機械的に制御されて回転した永久磁石配列(19)、または機械的に制御されて回転した強磁性シャントによって実施され、その場合に、前記電磁石配列、永久磁石配列、または強磁性シャントが、電子トラップと共にターゲット配列(3)に対してシフトされることを特徴とする、請求項1ないし14のいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも1つの電子トラップがスパッタ面(1)の全体に渡ってシフトされ、ターゲット配列に対して固定して設けられた制御磁界(HS)がトンネル状の磁界(H)に重畳されていることを特徴とする、請求項1ないし15のいずれか1項に記載の方法。
- それぞれの電子トラップに割り当てられたターゲット配列の表面領域が異種材料から選ばれることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 被膜速度および被膜材料の分布が、少なくとも前記被膜の一部で、請求項1ないし17のいずれか1項に記載の方法によって制御されることを特徴とする、被膜基板の製造方法。
- スパッタ面(1)を備えたターゲット配列(3)と、前記スパッタ面(1)の全体に渡って、前記スパッタ面(1)から流出し、前記スパッタ面(1)の中へ再び流入するトンネル状の磁界(H)の少なくとも1つの閉ループ(5)を作る前記スパッタ面(1)の反対側の磁石配列(9、9a、9au、9m、9i)と、さらに前記ターゲット配列(3)に対してアノードに駆動される電極配列(32、30)とを有するマグネトロンスパッタリングソースにおいて、
前記ループ(5)の周長(U)の最大1/4の長さl B の局在的な領域に、前記ループ(5)に沿ったトンネル状の磁界強度の被膜プロセス中の制御機構を設け、アノードに駆動された前記電極配列が、前記磁界(H)の領域に配列された少なくとも1つの部分を有し、前記制御機構が前記部分で磁界強度を調整することを特徴とする、マグネトロンスパッタリングソース。
- トンネル状の磁界(H)を発生する磁石配列の磁極の平均距離dに対して、0<l B ≦dであることを特徴とする、請求項19に記載のマグネトロンスパッタリングソース。
- 制御機構が、少なくとも1つのヘルムホルツ−コイル配列(38)を包含することを特徴とする、請求項19または20に記載のマグネトロンスパッタリングソース。
- 制御機構が、電磁石配列(19a)、機械的に制御されて回転可能な永久磁石配列(19)、または機械的に制御されて回転可能な強磁性シャント配列を包含することを特徴とする、請求項19ないし21のいずれか1項に記載のマグネトロンスパッタリングソース。
- 制御可能な永久磁石配列が、少なくとも1つの駆動されて回動可能に支承されたマグネットシリンダ(19)を包含することを特徴とする、請求項22に記載のマグネトロンスパッタリングソース。
- マグネットシリンダ(19)のための駆動装置が、コイル配列(21)を包含し、前記コイル配列の磁界(Hλ)が前記マグネットシリンダ(19)の磁気双極子(DS)に作用することを特徴とする、請求項23に記載のマグネトロンスパッタリングソース。
- トンネル状にスパッタ面(1)から流出し、前記スパッタ面(1)の中へ再び流入する磁界(H)を作る磁石配列(9i、9m、9a、9au)が、ターゲット配列(3)に対して駆動されて移動可能であり、制御機構が、前記磁石配列と共に移動することを特徴とする、請求項19ないし24のいずれか1項に記載のマグネトロンスパッタリングソース。
- 各々1つのトンネル状にスパッタ面(1)から流出し、前記スパッタ面(1)の中へ再び流入する磁界(Ha、Hi)の2つのループ(5a、5i)を作る磁石配列(9i、9m、9a、9au)が設けられていることを特徴とする、請求項19ないし25のいずれか1項に記載のマグネトロンスパッタリングソース。
- 制御機構が、少なくとも磁石配列によって作られたトンネル状にスパッタ面から流出し、前記スパッタ面の中へ再び流入する磁界(Hi、Ha)の2つのループ(5a、5i)の1つに作用することを特徴とする、請求項26に記載のマグネトロンスパッタリングソース。
- スパッタ面(1)が前記磁界(Hi、Ha)の2つのループ(5a、5i)の領域で異種材料からなることを特徴とする、請求項26または27に記載のマグネトロンスパッタリングソース。
- 制御機構が、機械的にトンネル状の磁界の中へ、かつ、前記トンネル状の磁界から外へシフトされるアノード電極を包含することを特徴とする、請求項19ないし28のいずれか1項に記載のマグネトロンスパッタリングソース。
- 請求項19ないし29のいずれか1項に記載のマグネトロンスパッタリングソースを備えたスパッタリングチャンバ。
- 請求項30に記載の少なくとも1つのスパッタリングチャンバを備えた真空処理設備。
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