RU2691357C1 - Устройство для ионно-плазменного напыления - Google Patents
Устройство для ионно-плазменного напыления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2691357C1 RU2691357C1 RU2018125087A RU2018125087A RU2691357C1 RU 2691357 C1 RU2691357 C1 RU 2691357C1 RU 2018125087 A RU2018125087 A RU 2018125087A RU 2018125087 A RU2018125087 A RU 2018125087A RU 2691357 C1 RU2691357 C1 RU 2691357C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- target
- cathode
- anode
- ion
- vacuum chamber
- Prior art date
Links
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 9
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области нанесения металлических и полупроводниковых пленок в вакууме поочередным или одновременным распылением наносимого материала и может быть использовано для покрытия деталей, используемых в изделиях электронной, приборостроительной и оптической отраслях промышленности. Устройство для ионно-плазменного напыления пленок содержит вакуумную камеру, в которой расположены анод, термокатод, мишень и подложкодержатель, и магнитную систему, расположенную снаружи вакуумной камеры и выполненную в виде колец Гельмгольца. Анод и термокатод размещены в отдельных нишах, при этом в открытом торце ниши термокатода установлен экран, имеющий узкое отверстие размером 80×15 мм, подложка расположена параллельно мишени и снабжена магнитоуправляемой заслонкой. Над мишенью установлен экран, оснащенный передвижной заслонкой. Мишень имеет систему охлаждения. Обеспечивается увеличение функциональных возможностей установки, что приводит к увеличению качества пленок, росту производительности, обеспечивает большую экономичность процесса, в том числе дает возможность в одном технологическом цикле напылять три различных материала как отдельными монослоями, так и их сплавами. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Description
Изобретение относится к области нанесения металлических и полупроводниковых пленок в вакууме поочередным или одновременным распылением наносимого материала и может быть использовано для покрытия деталей, применяемых в изделиях электронной, приборостроительной и оптической промышленностей.
Известна установка для ионно-плазменного распыления [SU 247001, опубл. 26.01.1970], содержащая вакуумную камеру, подложку, мишень из распыляемого материала и ионизационную систему, выполненную в виде двух одинаковых электродов - термокатодов.
Недостатками указанного устройства являются отсутствие возможности напыления нескольких материалов в одном технологическом процессе, запыление катода распыляемым материалом, быстрое изнашивание термокатодов, отсутствие системы нагрева подложек, загрязнение чистых подложек в процессе отпыления мишени, отсутствие магнитной системы, позволяющей создавать плазму высокой интенсивности, что снижает качество распыления.
Известно устройство для ионно-плазменного травления и нанесения тонких пленок [RU 2540318, опубл. 10.02.2015], содержащее вакуумную камеру, в которой расположены анод, выполненный в виде полого прямоугольного параллелепипеда, в отверстиях оснований которого находятся мишень и подложкодержатель, два спиральных термокатода, имеющие полукруглые отражатели, установленные параллельно мишени и подложке. Магнитная система представлена двумя соленойдами, связанными магнитопроводом и установленными рядом с отражателями снаружи камеры.
Недостатками указанного устройства являются отсутствие у подложкодержателя системы нагрева подложек, системы контроля их температуры и заслонок у термокатодов, что приводит к загрязнению распыляемыми материалами термокадодов, а также получаемых образцов при формировании многослойных структур. Отсутствие системы охлаждения мишеней не позволяет использовать данное устройство для работы с легкоплавкими материалами.
Наиболее близким техническим решением, принятым за прототип, является установка [Попович, Б.А. Установка ионно-плазменного распыления / Б.А. Попович, М.Н. Калинычев, А.Д. Матвеев, А.Е. Семенов, В.И. Шишкин// Электронная техника. - серия 1, Электроника СВЧ. - 1973. - выпуск 5. - с. 117-119], которая имеет систему распыления, состоящую из трех независимо управляемых электродов: источника электронов (вольфрамовый термокатод), анода и мишени. Катод помещен в отдельную камеру (ионизатор), сообщающуюся с рабочей камерой небольшим отверстием. Магнитное поле создается кольцевым соленоидом, расположенным снаружи рабочей камеры.
Недостатками указанного устройства являются отсутствие заслонки подложкодержателя, позволяющей производить отпыление мишени перед началом процесса, а расположение подложек под углом к мишени заметно влияет на рост пленок, что отражается на их структуре и физических характеристиках. Отсутствие системы охлаждения мишеней не позволяет производить распыление легкоплавких материалов, для которых критичны высокие температуры, возникающие в процессе распыления мишени. К недостаткам установки также можно отнести пошаговую систему перевода мишеней (через 90 градусов), требующую затрат дополнительного времени для получения многослойных структур.
Техническим результатом заявляемого изобретения является увеличение функциональных возможностей установки, что приводит к увеличению качества пленок, росту производительности, обеспечивает большую экономичность процесса, в том числе дает возможность в одном технологическом цикле напылять три различных материала, как отдельными монослоями, так и их сплавами.
Данный технический результат достигается за счет того, что в устройстве для ионно-плазменного напыления, содержащем вакуумную камеру, в которой расположены анод и термокатод, магнитную систему, мишень и подложкодержатель, новым является то, что анод и термокатод расположены в отдельных нишах, в открытом торце ниши термокатода установлен экран, имеющий узкое отверстие, подложка расположена параллельно мишени и снабжена магнитоуправляемой заслонкой, сверху мишени имеется экран, оснащенный передвижной заслонкой, которая может иметь различную конфигурацию, при этом мишень имеет систему охлаждения, а магнитная система представлена кольцами Гельмгольца.
Таким образом, перечисленные выше отличительные от прототипа признаки позволяют сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна». Признаки, отличающие заявляемое техническое решение от прототипа, не выявлены в других технических решениях и, следовательно, обеспечивают заявляемому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».
Устройство для ионно-плазменного напыления тонких пленок поясняется фигурами 1 «Рабочая камера, вид сверху» и 2 «Рабочая камера, вид сбоку со стороны анода».
Вакуумная камера 1 выполнена из немагнитной нержавеющей стали и представляет собой цилиндр ∅220 мм со съемными крышкой 2 и дном 3, крепящимися к корпусу камеры при помощи фланцевых соединений.
По бокам камеры под углами 90° относительно друг друга, на одинаковой высоте расположены четыре ниши 4а-4г. Одна из них (4а) фланцевым соединением крепится к системе откачки высокого вакуума. Противоположно ей расположена ниша 4б, оснащенная смотровым окном 5 ∅120 мм. В двух оставшиеся нишах 4в, 4 г вакуумной камеры ∅150 мм диаметрально противоположно друг другу и перпендикулярно нишам смотрового окна 4б и откачной системы 4а расположены термокатод 6 с экраном и анод 7. Катод 6 выполняется в виде спирали из вольфрамовой проволоки диаметром от 0,6 до 1,5 мм., диаметр спирали 14 мм., а длина 15 мм. Анод 7 имеет форму круглого выпуклого блюда с плоским дном ∅80 мм и расположен в своей нише с открытым торцом. В свою очередь, наличие экрана 8 у термокатода, выполненного из вольфрамовой фольги и имеющего узкое отверстие 80×15 мм, значительно продлевает срок службы указанного узла, а также положительно сказывается на формировании геометрии формы плазмы. Рабочий газ Аr через натекатель 9 подается в нишу термокатода и через узкое отверстие в плоскости экрана выходит в рабочую камеру 1, что способствует увеличению плотности ионной плазмы. Ниши катода и анода оснащены рубашками охлаждения 10 (проточная техническая вода), предотвращающими их перегрев. Расположение в отдельных нишах и противоположно друг другу позволяет катоду 6 и аноду 7 не запыляться распыляемыми материалами.
Ортогонально катоду 6 и аноду 7 и напротив друг друга на крышке 2 и на дне камеры 3 расположены подложкодержатель 11 и мишень 12, плоскости которых параллельны. На крепящемся к внутренней стороне крышки подложкодержателе 11 помимо «гнезд», предназначенных для загрузки подложек, размещаются нагреватель подложки 13 (галогеновая лампа) и термопара 14.
Параллельно подложкодержателю установлена магнитоуправляемая заслонка 15, предотвращающая загрязнение подложек во время отпыления материалов мишени и приводимая в движение при помощи электромагнита 16. Мишень 12 выполнена из однородного материала в виде плоского параллелепипеда с квадратом в основании, на который в определенных местах 17 размещают два различных материала заданной геометрии. Вся мишень размещается в корпусе, сверху которого имеется экран, оснащенный передвижной заслонкой 18, имеющей подвижность в плоскости 19, параллельной плоскости мишени. Задача данной заслонки, перемещаясь вперед и назад, поочередно открывать позиции мишени 20, на которых расположены распыляемые материалы 17. Перемещение передвижной заслонки 18 осуществляется при помощи кулисы 21, соединенной с поворотным механизмом 22, имеющим штангу 23 и привод 24.
Основной массив мишени имеет водяное охлаждение 25, которое позволяет избежать перегрева уплотняющих элементов камеры во время работы с высоким напряжением и обеспечивает возможность использовать материалы мишени критичные к повышенным температурам.
Магнитная система представлена катушками Гельмгольца 26, расположенными снаружи камеры параллельно друг другу и перпендикулярно электрическому полю.
В данном устройстве пространство между мишенью и подложкодержателем и область непосредственного формирования плазмы высокой плотности совмещены. Данная конструкция является одной из разновидностей устройств для ионно-плазменного напыления по трех электродной схеме. Плазма в предлагаемом устройстве, создается в скрещенных электрическом и магнитном полях.
Дно камеры имеет три отверстия. Одно по центру 27 и два 28, 29 диаметрально противоположно. Первое 27 расположено в центре дна и предназначено для ввода системы, обеспечивающей работу мишени. Второе отверстие 28 расположено ближе к краю крышки со стороны смотрового окна. Данное отверстие необходимо для ввода привода поворотного механизма 24 передвижной заслонки. Третье отверстие 29, предназначено для установки ионной лампы измерения высокого вакуума в рабочей камере.
Устройство для ионно-плазменного напыления работает следующим образом.
Объем вакуумной камеры 1, содержащий анод 7 и катод 6, откачивают до давления 10-4 Па. Затем включается термокатод и плавно повышается ток до 88 А, катод при этом разогревается до температуры эмиссии электронов. За время разогрева катода происходит и его обезгаживание в высоком вакууме. Одновременно с началом разогрева катода 6 начинается нагрев подложек в подложкодержателе 11, для чего включается нагреватель подложек 13 и постепенным увеличением тока накала лампы достигается необходимая температура. Отслеживание температуры подложек производится при помощи термопары 14, расположенной на поверхности подложкодержателя в непосредственной близости от подложек. При достижении заданных параметров на катоде 6 и подложкодержателе 11 производится напуск инертного газа Аr до рабочего давления 10-1 Па. В дальнейшем весь процесс осуществляется при проточном инертном газе. Между термокатодом 6 и анодом 7 подается напряжение 40 В, на аноде 7 устанавливается ток 4 А, включается магнитнаясистема, и возникает несамостоятельный тлеющий разряд, после чего между мишенью 12 и катодом 6 подается высокое напряжение 600-1000 В. Положительные ионы инертного газа, источником которых является плазма тлеющего разряда, ускоряются в электрическом поле и бомбардируют мишень 12 с энергией, необходимой для распыления атомов материала.
Все это время магнитоуправляемая заслонка 15, находится в положении «закрыто» во избежание преждевременного оседания атомов распыляемого материала на подложки, размещенные на подложкодержателе 11, и их «загрязнения». После отпыления выбранного материала магнитоуправляемая заслонка 15 переводится в положение «открыто» 30, и происходит процесс осаждения выбранного материала на поверхность подложки. Время и скорость напыления материала, а также температура подложки определяются экспериментально. После того, как будет закончен процесс напыления одного материала, магнитоуправляемая заслонка 15 возвращается в положение «закрыто». Затем происходит переход передвижной заслонки 17 по экрану сборной мишени 31 на позицию того материала, который заложен в технологическом процессе. Процесс отпыления и напыления материала происходит по тому же алгоритму, как и в предыдущем случае.
После окончания процесса напыления останавливается поток рабочего газа, отключается магнитная система, отключается ток анода 7, медленно убирается ток накала катода 6, отключается питание нагрева подложек 13, производится выдержка образцов в высоком вакууме для их остывания до комнатной температуры, рабочая камера 1 отсекается от диффузионного насоса задвижкой. В камеру напускается воздух, и через съемную крышку 2 производится выемка готовых образцов.
Аналогичным способом данная установка работает и при получении сплавных композиций, с той лишь разницей, что вместо передвижной заслонки с окном, открывающим только один распыляемый материал, необходимо установить передвижную заслонку с окном, открывающим два материала на составной мишени. А порядок расположения материалов на составной мишени и порядок их открывания необходимо предусмотреть заранее, во время составления технологического процесса.
Устройство для ионно-плазменного напыления позволяет получать более качественные пленки с заданными свойствами, имеет защиту электродов от загрязнения распыляемыми материалами, позволяет работать с легкоплавкими материалами, а также дает возможность в одном технологическом цикле напылять три различных материала, как отдельными монослоями, так и их сплавами, что увеличивает функционал устройства и его экономичность.
Claims (2)
1. Устройство для ионно-плазменного напыления пленок, содержащее вакуумную камеру, в которой расположены анод, термокатод, мишень и подложкодержатель, и магнитную систему, расположенную снаружи вакуумной камеры, отличающееся тем, что анод и термокатод размещены в отдельных нишах, при этом в открытом торце ниши термокатода установлен экран, имеющий узкое отверстие размером 80×15 мм, подложка расположена параллельно мишени и снабжена магнитоуправляемой заслонкой, сверху мишени установлен экран, оснащенный передвижной заслонкой, при этом мишень имеет систему охлаждения, а магнитная система выполнена в виде колец Гельмгольца.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что передвижная заслонка может иметь различную конфигурацию.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018125087A RU2691357C1 (ru) | 2018-07-09 | 2018-07-09 | Устройство для ионно-плазменного напыления |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018125087A RU2691357C1 (ru) | 2018-07-09 | 2018-07-09 | Устройство для ионно-плазменного напыления |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2691357C1 true RU2691357C1 (ru) | 2019-06-11 |
Family
ID=66947382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2018125087A RU2691357C1 (ru) | 2018-07-09 | 2018-07-09 | Устройство для ионно-плазменного напыления |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2691357C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2754147C1 (ru) * | 2020-07-16 | 2021-08-30 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Подвижная заслонка для формирования тонких пленок переменной толщины, получаемых методом вакуумного напыления |
RU2773032C1 (ru) * | 2021-06-04 | 2022-05-30 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Подвижная заслонка подложки для формирования тонких пленок различной конфигурации, получаемых методом вакуумного напыления |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1707084A1 (ru) * | 1989-02-08 | 1992-01-23 | Предприятие П/Я А-3531 | Устройство дл распылени материалов в вакууме |
SU1665717A1 (ru) * | 1989-07-21 | 1995-02-09 | Московский институт электронной техники | Магнетронное распылительное устройство с термоэлектронным ионизатором |
UA7111C2 (ru) * | 1993-12-10 | 2000-11-15 | Данило Андрійович Дудко | Способ ионного распыления и устройство для его осуществления |
US7678240B2 (en) * | 2000-02-23 | 2010-03-16 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Method for controlling plasma density or the distribution thereof |
RU2540318C2 (ru) * | 2013-03-18 | 2015-02-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Устройство для ионно-плазменного травления и нанесения тонких пленок |
-
2018
- 2018-07-09 RU RU2018125087A patent/RU2691357C1/ru active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1707084A1 (ru) * | 1989-02-08 | 1992-01-23 | Предприятие П/Я А-3531 | Устройство дл распылени материалов в вакууме |
SU1665717A1 (ru) * | 1989-07-21 | 1995-02-09 | Московский институт электронной техники | Магнетронное распылительное устройство с термоэлектронным ионизатором |
UA7111C2 (ru) * | 1993-12-10 | 2000-11-15 | Данило Андрійович Дудко | Способ ионного распыления и устройство для его осуществления |
US7678240B2 (en) * | 2000-02-23 | 2010-03-16 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Method for controlling plasma density or the distribution thereof |
RU2540318C2 (ru) * | 2013-03-18 | 2015-02-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Устройство для ионно-плазменного травления и нанесения тонких пленок |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2754147C1 (ru) * | 2020-07-16 | 2021-08-30 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Подвижная заслонка для формирования тонких пленок переменной толщины, получаемых методом вакуумного напыления |
RU2773032C1 (ru) * | 2021-06-04 | 2022-05-30 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Подвижная заслонка подложки для формирования тонких пленок различной конфигурации, получаемых методом вакуумного напыления |
RU2818099C1 (ru) * | 2023-07-10 | 2024-04-24 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Подвижная заслонка подложки для формирования тонких ступенчатых пленок |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100776861B1 (ko) | 큰 영역 기판의 마그네트론 스퍼터링 시스템 | |
US6228235B1 (en) | Magnetron for low pressure, full face erosion | |
JPH0213026B2 (ru) | ||
JP2010511788A (ja) | 均質なpvd被膜を形成するための真空被覆装置 | |
JP5004931B2 (ja) | スパッタ源、スパッタリング装置、及びスパッタリング方法 | |
JP2014525516A (ja) | 物理気相堆積チャンバターゲット用の冷却リング | |
RU2691357C1 (ru) | Устройство для ионно-плазменного напыления | |
TW201527568A (zh) | 濺鍍源裝置、濺鍍系統以及製造鍍有金屬的板狀基板的方法 | |
TW201107511A (en) | Film formation equipment and film formation method | |
KR102158659B1 (ko) | 캡슐화된 마그네트론 | |
KR101724375B1 (ko) | 나노구조 형성장치 | |
TWM592875U (zh) | Pvd濺射沉積腔室中的傾斜磁控管 | |
TWI727477B (zh) | 反應腔室及半導體加工設備 | |
JP2009120925A (ja) | スパッタリング装置 | |
US11049697B2 (en) | Single beam plasma source | |
KR20160108424A (ko) | 대기압 미만의 압력에서 로터와 컬렉터 사이에 전기적 커넥션을 갖는 회전 가능한 타겟의 앤드블록 | |
KR102526529B1 (ko) | 스퍼터링 장치 | |
US8308915B2 (en) | Systems and methods for magnetron deposition | |
JP2023522434A (ja) | 半導体加工装置及びマグネトロン機構 | |
WO2015169393A1 (en) | Shielding device for rotatable cathode assembly and method for shielding a dark space in a deposition apparatus | |
KR101773668B1 (ko) | 기판 회전이 가능한 스퍼터 장치 | |
RU2540318C2 (ru) | Устройство для ионно-плазменного травления и нанесения тонких пленок | |
KR101105842B1 (ko) | 환상형 타겟 마그네트론 스퍼터링 장치 | |
US20060081467A1 (en) | Systems and methods for magnetron deposition | |
TW202405209A (zh) | 用於半導體設備組件之塗覆系統及方法 |