JP3814764B2

JP3814764B2 - スパッタ処理方式

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Publication number: JP3814764B2
Application number: JP02119696A
Authority: JP
Inventors: ハーウィットスティーブン
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1995-02-23
Filing date: 1996-02-07
Publication date: 2006-08-30
Anticipated expiration: 2016-02-07
Also published as: JPH08246147A; US5783048A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリング（以下「スパッタ」ということがある。）により薄膜を溶着させる装置に関し、詳しくは、溶着された薄膜の厚さにおける不均一度を減らす補正磁石デバイス（素子）をもつスパッタ陰極に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のスパッタ溶着装置においては、スパッタ処理の一部として、基板の上に所望材料の薄いコーティング又は薄膜を作る際にスパッタリング・ターゲット（極板）を使用している。図１は、ターゲット１０及び基板１２の従来の配置を示す断面図である。ターゲット１０及び基板１２は、スパッタ処理が行われる処理室（図示せず）内に配置されている。これに関連していえば、スパッタ溶着装置は、各室が図１に示す如きターゲット及び基板を中に含む複数の処理室を具えることもある。
【０００３】
ターゲット１０は、上面１４と、凹形底面、即ちスパッタ面１６とを有する。スパッタ面１６は、スパッタ処理の際に基板１２の上に薄膜１８を作るためのターゲット材料を供給する。上面１４は、スパッタ処理の際にターゲット１０を冷却する働きをするスパッタ陰極（カソード）２０に固着される。基板１２は、その外縁１５に隣接する支持取付け具２６に着脱可能に取付けられる。基板１２はまたスパッタ面１６から所定の距離に配置され、従って、基板１２とスパッタ面１６との間に空隙２８が形成されている。
【０００４】
使用時、アルゴンの如き処理ガス（図示せず）が空隙２８の中に導入され、処理室はスパッタに適した真空レベルに維持される。それから、高いＤＣ又はＡＣ電圧が陰極２０及びターゲット１０に印加され、正に帯電したアルゴン・イオンを有するプラズマ放電が発生し、それらのイオンがスパッタ面１６に激突する。この結果、ターゲット材料がスパッタ面１６から取去られ、溶着処理が開始される。該処理により、ターゲット材料の一部が基板１２の上に付着して薄膜１８が作られる。一般に、溶着処理は、完了するまでに５秒ないし５分を要する。多くの装置では、溶着処理の際、基板１２はスパッタ面１６に対し静止状態に保持される。また他の装置では、基板１２をスパッタ面１６に平行な方向にゆっくり走査することもある。
【０００５】
陰極２０は、スパッタ面１６上の種々の位置へのプラズマ放電の形状や相対的な強さを制御するための主磁石３０を含むことがある。主磁石３０はまた、ターゲット１０に対し回転軸３２を中心として回転するように作られることもある。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿ってスパッタ面１６を見た図である。スパッタ面１６は、ほぼ円形をしており、その外周に周壁２４を有する。主磁石３０は大抵、所定の形状をもつ連続的な閉じた磁気トンネル３４（点線で示す。）を発生するように作られる。例えば、磁気トンネル３４は、各部分がターゲット１０の周壁２４に近接する外周ローブ部３９をもつ複数のローブ部分３８を含むようなものである。主磁石３０を軸３２の周りに回転すると、スパッタ面１６に対し磁気トンネル３４がこれに対応して回転する。これにより、ターゲット材料がスパッタ面１６から対称的なパターンで取出されるようにプラズマ放電が制御され、周知のように同心的な溝が作られる。
【０００６】
例えば、各溝が夫々の直径をもつ１次（３６）、２次（４０）及び３次（４２）の同心溝が、スパッタ面１６の中心部２２の周りに対称的に形成される。１次溝３６は、最大の直径を有し周壁２４に近接している。３次溝４２は、最小の直径を有し中心部２２の周りに位置する。２次溝４０は、１次（３６）及び３次（４２）の溝の直径の中間の直径を有し、従って、１次及び３次の溝の間に位置する。
【０００７】
図３は、図２のＢ−Ｂ線に沿うターゲット１０の浸食された側面４４を示す断面図である。磁気トンネル３４が回転するに従い、プラズマ放電は対称的な浸食パターン（形態）を形成し、その際にスパッタ面１６の別々の部分が円形パターンで浸食され、１次（３６）、２次（４０）及び３次（４２）の溝が作られる。１次溝３６は一般に、２次（４０）及び３次（４２）の溝のどちらよりも深く作られ、より大きな外周をもつ。これは、１次溝３６を作るために浸食されるターゲット材料の量が、２次又は３次の溝のどちらか一方を作るために浸食されるターゲット材料の量よりも多いことを示している。したがって、１次溝３６を作ることで、薄膜１８を作るための材料の大部分を提供しており、従って、基板１２上に薄膜の総合的均一性に大幅の影響を与えている。また、周壁２４の近くの材料の大量の浸食は、基板１２の外縁１５に近い部分の薄膜の厚さを均一にすることにも寄与している。
【０００８】
図４は、１次溝に対する配置を示すための、図１の装置の左半部の拡大図である。同図に、図１について述べたターゲット１０及び陰極２０の左半分が示され、また、１次溝３６（点線で示す。）に対する相対的配置が示されている。主磁石３０は、反時計方向に向かう主磁界５６（点線で示す。）を発生する。主磁界５６は、プラズマ放電の形状及び強さを制御し、最終的に１次溝３６を作る働きをする。１次溝３６は１対の内壁を含み、各内壁は次第に深くターゲット１０の中に伸びて交わり、１次溝３６の最も深い部分が溝の中心６０に形成される。また、溝の中心６０は、周壁２４からＡの距離にあり、スパッタ面１６の所定領域内にある。
【０００９】
基板１２上に作られる薄膜１８は、その最も厚い部分と最も薄い部分の厚さがほぼ等しいか又は偏差が±５％より小さい（±１％のように小さいのがよい。）極めて均一な厚さを有するのが望ましい。極めて均一な厚さの薄膜を作るのに影響を及ぼす幾つかの要因がある。要因の１つのグループには、ターゲット１０及び基板１２間の幾何学的関係、陰極２０の設計並びに磁気トンネル３４の形状に起因する、スパッタ面１６から取去られる材料の浸食パターン等のパラメータが含まれる。図５は、シミュレートした薄膜の溶着側面を示す図である。この図は、シミュレートした薄膜層の基板上における溶着側面４６を示している。溶着側面４６は、基板上の任意に選択した方向に伸びる半径に沿う層の厚さの均一度を示すものである。この層は、選択された入力パラメータに従って薄膜層を作るスパッタ処理をシミュレートするコンピュータ・モデリング（モデルを作る）技法を用いて作成した。１つの入力パラメータは、図３を参照して前述した浸食側面４４を作るようにスパッタ面１６を浸食することを含み、他の入力パラメータは、スパッタ面を半径４ンチ（約１０センチ）の基板から２インチ（約５センチ）離すことを含んでいた。これらのパラメータを用いてシミュレートされた層のシミュレートされた、即ち理論的な厚さの均一度は、０．９４２％であった。
【００１０】
主磁石３０の回転により、なるべく基板上に対称的な薄膜を生じるのがよい。そうすると、溶着側面４６は、基板上の任意の方向に伸びる任意の半径に沿う全体的な厚さの均一度を表すことになる。更に、対称的な薄膜に存在する不所望のどんな不均一さもまた、対称的になるであろう。とすれば、かかる対称的な不均一さは、スパッタ面１６及び基板１２間の距離を変えるか、又は磁気トンネル３４の形状を調整して浸食側面４４を修正するなどの技法により、減らすことができるであろう。
【００１１】
しかし、非対称的な不均一さを頻繁に発生させる他の要因のグループが存在することが分かった。詳しくいうと、これらの要因は、プラズマ放電の形状を歪ませる可能性のあるすぐ近くの構造物の存在の如き、非対称的な装置の状況に関するものである。もう１つの要因は、プラズマ放電がすぐ近くの処理室にある他の陰極によって望ましくない影響を受けることである。
【００１２】
更に付け加えるべき要因は、ターゲット１０及び基板１２に対する処理ガスの分布が、流れ及び圧力の勾配の存在によって望ましくない影響を受けることである。これより、図６を用いてかような流れ及び圧力の勾配の影響の一例を述べる。図６は、直径が２００ミリのシリコン・ウェーハ（図示せず）上に作られたアルミニウム薄膜（図示せず）の均一部分をＸ−Ｙ軸に関してプロットしたマップ（写像）５５を示す。該アルミニウム薄膜は、先に図１〜４について述べたターゲット１０及び基板１２の従来配置を用いて作ったものである。図６には、ウェーハ上で測定した薄膜の厚さの同じ点を結んで得られた複数の第１の等高線４８が示されている。第１の等高線４８は、平均の膜厚を示す平均等高線５０（他の等高線より濃くして示す。）を含む。また、「＋」又は「−」の符号のどちらかを付した第１等高線は夫々、平均膜厚より小さいか又は大きい膜厚を示す。選択した等高線の厚さの値を、大から小への順に表１に示す。
【００１３】
【表１】

なお、測定された薄膜の不均一度は３．８４％であった。
【００１４】
第１の等高線４８は、互いに非同心的であってＸ−Ｙ軸に関して非対称的である。これは、アルミニウム薄膜がウェーハ上に非対称的に形成されていることを示している。これは、「ポンピング歪（ゆが）み」として知られる効果によるためとされている。従来のスパッタ溶着装置は大抵、装置を排気するのに使用するポンプ（図示せず）を含んでいる。かかる装置はまた、排気を行うための吸込み口７２を含む。図６においては、マップ５５の右下に吸込み口７２を示す。この位置は、装置のターゲット及びウェーハに対する吸込み口７２の相対的な位置と一致する。装置の排気は、処理ガスの所望の流れ方向を変えるので望ましくないことが分かってきた。詳しくいうと、ポンプによる排気は、処理ガスを吸込み口７２に向かう方向（矢印５２で示す。）に流れさせる。このため、処理ガスの分布が吸込み口７２の方向に歪み、結局、望ましくない非対称的な不均一度を有する薄膜が作られている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
スパッタ面１６及び基板１２間の距離を変えたり、磁気トンネル３４の形状を調整したりする、対称的な不均一性を補正する技法は、非対称的な不均一性を容認できる程度に減らすのに有効でないことが判明した。したがって、本発明の課題は、非対称的な薄膜の不均一性を容認可能な程度に少なくする装置を提供することである。もう１つの課題は、かかる薄膜の不均一性を減じるために、処理室に関して適切に配置しうる装置を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板上に薄膜を作るためのスパッタ装置に関するもので、該スパッタ装置は、薄膜を作るためのターゲット材料を供給するターゲットを有し、該ターゲットは第１の領域を含む。該スパッタ装置はまた、該ターゲットからターゲット材料を取出すことを可能にするプラズマ放電を使う。また、ターゲット材料を取出すプラズマ放電を制御するために、主磁界を発生する主磁石を設ける。更に、上記第１領域に近接して補正磁石を配置する。補正磁石は、主磁界と相互作用をすると共に、上記第１領域に近接して配置されたプラズマ放電の選定された外側の部分のみを制御する補正磁界を発生し、これにより、上記第１領域においてプラズマ放電の非対称性を補正するための所望の浸食パターンを作り、基板上にほぼ均一な厚さの薄膜を形成させることができる。
【００１７】
本発明はまた、ターゲットの表面の第１の領域から材料を取出すのを制御する方法をも提供する。この方法は、材料を取出すためのプラズマ環境を供給するステップと、表面から材料を取出すのを制御する主磁界を発生するステップを含む。この方法は更に、主磁界と相互に作用して非対称的な磁界を形成し、上記第１領域における上記プラズマ環境の選定された外側の部分のみを制御するのに充分な強度であって上記第１領域における材料の取出しを制御し、該第１領域における材料を非対称的に取出して基板上に所望の非対称的な浸食パターンを作るための補正磁界を発生するステップを含む。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図７〜１０を参照して本発明を具体的に説明する。これらの図において、対応する要素には同一の符号を付してある。
薄膜を作るのに用いる材料の大部分は、１次溝３６が形成されるスパッタ面１６からターゲット材料を浸食することによって得られる。したがって、１次溝３６のセクション（一部分）の半径方向における変化は、浸食されて１次溝３６を作るターゲット材料の量に影響し、基板１２上に作られる薄膜１８のパターン及び均一度に大きな影響を与える。
【００１９】
図７は、本発明の第１の実施例を示す、図１の装置の左半部の拡大図である。同図に、ターゲット１０の近くに配置した第１の補正磁石デバイス（素子）５４が示されている。以下の図７〜９においては、本発明によって最終的に形成される１次溝３６及び主磁界５６を、それらの位置の変化を示すために実線で示した。
【００２０】
第１の補正磁石デバイス５４は、周壁２４から離し、１次溝３６を含むスパッタ面１６上の第１領域８４に近接して配置する。第１補正磁石デバイス５４は、Ｎ磁極６２及びＳ磁極６４をもつ永久磁石５８を含む。この第１の実施例では、永久磁石５８は、Ｓ磁極６４が垂直方向にＮ磁極６２の上方に位置し、反時計方向に向かう第１の補正磁界６６を生じるように配置される。永久磁石はまた、磁界を方向づけて第１補正磁界６６の分布を制御する働きをする上及び下の磁極片６８及び７０の間に配置される。或いは、上下の磁極片６８及び７０を省略してもよい。また、電磁石装置又は軟磁性分路（soft magnetic shunt ）を使用してもよい。
【００２１】
第１補正磁界６６は、主磁界５６の各外周ローブ部３９（図２）と相互作用をして、主磁界５６を中心部２２から周壁２４に向かう外側方向（第２の矢印５７で示す。）にシフトさせる。その結果、第１の領域８４内で最終的に１次溝３６のセクション（一部分）が形成される位置が、それに対応して外側にシフトする。詳しくいうと、１次溝３６は、第１領域８４内に、溝の中心６０が周壁２４から第１の距離Ａより小さい第２の距離Ｂに来るように形成される。この外方シフトにより１次溝３６の長さが増し、従って浸食されるターゲット材料の量が増す。この外方シフトはまた、スパッタ面１６上でターゲット材料が浸食される半径方向位置を、周壁２４にもっと近い位置に変える。
【００２２】
前述のとおり、薄膜１８を作るのに用いる材料の大部分は、１次溝３６が形成されるスパッタ面１６からターゲット材料を浸食することによって得られる。したがって、１次溝３６の位置の外側へのシフトは、ターゲット材料の浸食を増し、最終的に基板１２上に作られる薄膜１８のパターン及び均一度に大きな影響を与える。
【００２３】
図８は、本発明の第２の実施例を示す。第２の補正磁石デバイス７６は、溝中心６０を含むスパッタ面１６上の第２の領域８６の近くに配置される。この第２実施例では、永久磁石５８の向きが反転され、Ｎ磁極６２がＳ磁極６４の垂直方向上方に位置し、時計方向に向かう第２の補正磁界７８が作られる。第２補正磁界７８は、主磁界５６を図７で述べた方向と逆方向に動かす。詳しくいうと、第２補正磁界７８は、主磁界５６の各外周ローブ部３９と相互作用をして、主磁界５６を周壁２４から中心部２２に向かう内側方向（第３の矢印５９で示す。）にシフトさせる。このため、最終的に１次溝３６のセクションが第２領域８６内に形成される位置が、それに対応して内側にシフトされる。詳しくいうと、１次溝３６は、第２領域８６内で、溝中心６０が周壁２４から第１の距離Ａより大きい第３の距離Ｃに来るように形成される。この内方シフトにより１次溝３６の長さが減じ、従って浸食されて１次溝３６を形成するターゲット材料の量が減じる。この内方シフトはまた、ターゲット材料が浸食されるスパッタ面１６上の半径方向位置を、周壁２４から遠い位置に変える。これはまた、基板１２の上に最終的に形成される薄膜１８のパターン及び均一度に大きな影響を与える。
【００２４】
第１（５４）及び第２（７６）の補正磁石デバイスは、主磁界５６と第１（６６）及び（又は）第２（７８）の補正磁界との間で適当な相互作用をさせるために、処理室の内側又は外側のいずれかに選択的に配置することができる。
【００２５】
図９は、ターゲットの周壁に近接して配置した第１及び第２の補正磁石デバイスを示す平面図である。同図には、第１（５４）及び第２（７６）補正磁石デバイスが夫々第１（８４）及び第２（８６）領域に近接して配置されたスパッタ面１６が示されている。これに関連して、第１又は第２の実施例のどちらかの補正磁石を、１次溝３６の他のセクションの位置を変えるために、スパッタ面１６の他の選択された領域の近くに配置してもよいことを述べておく。
【００２６】
図１〜３を参照して先に述べたように、従来のスパッタ溶着装置は大抵、ほぼ円形の１次溝を作っている。本発明によれば、第１（５４）及び第２（７６）補正磁石デバイスは夫々、それらのデバイスに近接した第１（８４）及び第２（８６）の領域にある１次溝３６の第１（８０）及び第２（８２）のセクション（点線で示す。）の位置を非対称的に変える働きをする。第１補正磁石デバイス５４により発生される第１補正磁界６６（図７）は、主磁界５６を中心部２２から周壁２４に向かって外側にシフトさせる。これに対応して第１セクション８０を形成する位置が外側にシフトし、第１セクション８０が第１領域８４内で周壁２４に向かって外側に広がり、非対称的な浸食パターンが作られる。
【００２７】
第１補正磁界６６と反対方向に向いた第２補正磁界７８（図８）は、第２セクション８２を、中心部２２に向かって第１補正磁界６６によるのとは反対に内側に広げる。詳しくいうと、第２補正磁界７８は、主磁界５６を、周壁２４から中心部２２に向かって内側にシフトさせる。これに対応して、第２セクション８２が形成される位置が内側にシフトし、第２セクション８２が第２領域８６内で中心部２２に向かって内側に広がり、非対称的な浸食パターンが作られる。
【００２８】
図１０は、流れ及び圧力勾配の影響を受けるスパッタ処理に第１補正磁石デバイスを用いて作られたアルミニウム薄膜の均一度を示すＸ−Ｙ軸に関するマップである。図１０には、マップ８８に対して、周壁２４に近接し吸込み口７２と反対側の位置に対応する位置に、第１補正磁石デバイス５４が示されている。第１補正磁石デバイス５４は、１次溝３６の選択されたセクションを外側にシフトし（図７）、薄膜１８の形成に使用されるスパッタ面１６から浸食される材料の量を増す。外方へのシフトはまた、ターゲット材料が浸食されたスパッタ面１６上の半径方向位置を、周壁２４にもっと近い位置に変える。これによって、流れ及び圧力勾配による処理ガスの分布への影響を相殺する新しいターゲット材料の分布が生まれ、ほぼ対称的な層が形成される。
【００２９】
図１０に、第２の平均膜厚を示す第２の平均等高線９２（他の等高線より濃くして示す。）を含む複数の第２の等高線９０が示されている。第２の等高線９０に関する膜厚値を、表２に大から小への順に示す。
【００３０】
【表２】

【００３１】
第２の等高線９０は、互いにほぼ同心的に位置する。第２等高線９０は更に、Ｘ−Ｙ軸に対してほぼ対称的に位置し、歪んでいない。したがって、これは、基板上にアルミニウム薄膜がほぼ対称的に形成されていることを示す。また、不均一度は、１．９９％と大幅に改善されている。
【００３２】
以上、円形回転磁石陰極として知られる配置をもつターゲット及び基板配置に関連して、本発明を説明してきた。しかし、本発明は、可動内部磁石をもつ長方形陰極や固定内部磁石をもつ陰極にも使用できるものである。本発明はまた、内部磁石をもたない陰極に使用してもよい。この構成では、上記磁石デバイスは、非対称的な不均一度を減じるようターゲットの局部領域で直接プラズマ放電に影響を与える。本発明は更に、基板の表面から材料を取去るプラズマ放電を使う他の処理に使用できる。これは、基板の表面を原子的に食刻し浄化するのにプラズマ放電を使う、プラズマ・スパッタ・エッチングとして知られる処理を含む。この処理では、上記磁石デバイスは、プラズマ放電の形状及び強さを制御して基板のエッチングの均一性を改善するのに使用されることになろう。
【００３３】
よって、本発明によれば、前述した目的、意図及び効果を十分に満たすことが明らかである。本発明を特定の具体例について説明してきたが、これまでの説明から多くの代案、改変、置換及び変形が当業者には明らかであろう。したがって、本発明は、特許請求の範囲に属するすべてのかような代案、改変物及び変形を包含するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のターゲット及び基板の配置を示す断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿ってスパッタ面を見た図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ線に沿うターゲットの浸食された側面を示す断面図である。
【図４】１次溝に対する配置を示すための、図１の装置の左半部拡大図である。
【図５】シミュレートした薄膜層の溶着側面を示す曲線図である。
【図６】流れ及び圧力の勾配の影響を受けるスパッタ処理により、ウェーハ上に形成されたアルミニウム薄膜の均一度を示すマップである。
【図７】本発明の第１実施例を示す、図１装置左半部の拡大図である。
【図８】本発明の第２実施例を示す、図１装置左半部の拡大図である。
【図９】図７及び８の補正磁石をターゲットの周壁近くに配置した場合を示す平面図である。
【図１０】流れ及び圧力の勾配の影響を受けるスパッタ処理において、図７の補正磁石を用いて作られたアルミニウムの薄膜の均一度を示すマップである。
【符号の説明】
１０ターゲット、１２基板、１６スパッタ面（表面）、１８薄膜、２４周壁、３０主磁石、５４，７６補正磁石（デバイス）、５６主磁界、６６，７８補正磁界、８０，８２第１セクション（第１及び第２セクション）、３６第２セクション（１次溝）、８４第１の領域、８６第１の領域（第２の領域）

Claims

基板の上に薄膜を作るスパッタ装置において、
外周の周壁と第１の領域とを含むターゲットであって、上記薄膜を作るために該ターゲットから材料を取出すプラズマ環境に置かれるターゲットと、
上記ターゲット材料を取出す上記プラズマ環境を制御するための主磁界を発生する主磁石と、
上記第１の領域に近接して配置されて非対称な磁界を形成する補正磁石であって、上記主磁界と相互作用をすると共に、上記第１領域に近接して配置された上記プラズマ環境の選定された外側の部分のみを制御するに充分な強さであって、上記第１領域に上記プラズマ環境の非対称性を補正するための所望の非対称的な浸食パターンを作る補正磁界を発生する補正磁石と
を具えたスパッタ装置。
上記非対称的な浸食パターンは第１セクション及び第２セクションを含み、該第１セクションは上記周壁に対して第１の半径方向位置に形成され、上記第２セクションは、上記第１の半径方向位置よりもっと上記周壁に近い、上記第１領域における第２の半径方向位置に形成され、且つ、上記ターゲットから取出される材料の量を増して上記非対称的な浸食パターンを作るように形成される、請求項１のスパッタ装置。
上記非対称的な浸食パターンは第１セクション及び第２セクションを含み、該第１セクションは上記周壁に対して第１の半径方向位置に形成され、上記第２セクションは、上記第１の半径方向位置よりもっと上記周壁から遠い、上記第１領域における第２の半径方向位置に形成され、且つ、上記ターゲットから取出される材料の量を減じて上記非対称的な浸食パターンを作るように形成される、請求項１のスパッタ装置。
上記補正磁石は、上記第１領域に近接した処理室内に配置される請求項１のスパッタ装置。
上記ターゲット及び基板は処理室内に配置され、上記補正磁石は該処理室外に配置される請求項１のスパッタ装置。
ターゲットの表面の第１の領域から材料を取出すのを制御する方法であって、
材料を取出すためのプラズマ環境を供給するステップと、
上記表面から上記材料を取出すのを制御する主磁界を発生するステップと、
上記主磁界と相互作用をして非対称的な磁界を形成し、上記第１領域における上記プラズマ環境の選定された外側の部分のみを制御するのに充分な強度であって上記第１領域において上記材料を非対称的に取出し上記表面の上に上記プラズマ環境の非対称性を補正するための所望の非対称的な浸食パターンを作るための補正磁界を発生するステップと
を含む材料取出し制御方法。
基板の上に薄膜を作るスパッタ装置において、
上記基板を中に含み、上記薄膜を作るための処理室と、
第１の領域を含み、上記室内の上記基板から所定の距離に配置されたターゲットであって、上記薄膜を作るために該ターゲットから材料を取出すプラズマ環境に置かれるターゲットと、
上記ターゲットの近傍に配置されて、上記第１領域を含む上記ターゲットから上記ターゲット材料を取出す上記プラズマ環境を制御するための主磁界を発生する主磁石と、
上記第１領域の近傍に配置されて非対称的な磁界を形成する補正磁石であって、上記主磁界と相互作用をすると共に、上記第１領域に近接して配置された上記プラズマ環境の選定された外側の部分のみを制御するに充分な強さであって、上記第１領域に上記プラズマ環境の非対称性を補正するための所望の浸食パターンを作る補正磁界を発生する補正磁石と
を具えたスパッタ装置。