JPH04259372A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH04259372A JPH04259372A JP1754591A JP1754591A JPH04259372A JP H04259372 A JPH04259372 A JP H04259372A JP 1754591 A JP1754591 A JP 1754591A JP 1754591 A JP1754591 A JP 1754591A JP H04259372 A JPH04259372 A JP H04259372A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering apparatus
- shutter
- power source
- vacuum chamber
- cathodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリングにより
生成される薄膜の高速成膜および薄膜の基板面内での膜
厚均一性の改善を計ったスパッタリング装置に関する。
生成される薄膜の高速成膜および薄膜の基板面内での膜
厚均一性の改善を計ったスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来のスパッタリング装置につい
て、図２を用いて説明する。２０は真空チャンバー、２
１は排気系、２２はガス導入管、２３はガス流量制御装
置、２４はカソード２５に電圧を印加する電源、そして
カソード２５は磁石２６，ターゲット２７を備えている
。
て、図２を用いて説明する。２０は真空チャンバー、２
１は排気系、２２はガス導入管、２３はガス流量制御装
置、２４はカソード２５に電圧を印加する電源、そして
カソード２５は磁石２６，ターゲット２７を備えている
。
【０００３】２８はシャッター、２９は基板３０を装着
する基板ホルダーである。以下その動作について説明す
る。
する基板ホルダーである。以下その動作について説明す
る。
【０００４】まず排気系２１により真空チャンバー２０
内を高真空（〜１０−７Ｔｏｒｒ程度）まで排気する。 次に真空チャンバー２０の一部に一端が接続されたガス
導入管２２より、ガス流量制御装置２３を介して真空チ
ャンバー２０内に放電ガス（一般にＡｒ）を導入し、真
空チャンバー２０内を１０−３〜１０−２Ｔｏｒｒ程度
の圧力に保つ。ここでターゲット２７を取り付けたカソ
ード２５に電源２４により負の電圧を印加することでス
パッタリングが行われ、シャッター２８を交互に開閉す
ることにより、複数の異なるターゲット２７から飛び出
した粒子が基板ホルダー２９に設置された基板３０に堆
積し積層膜が生成される。またターゲット２７の下部に
磁石２６を取り付けることで、プラズマを高密度化し薄
膜の堆積速度を速くしている。
内を高真空（〜１０−７Ｔｏｒｒ程度）まで排気する。 次に真空チャンバー２０の一部に一端が接続されたガス
導入管２２より、ガス流量制御装置２３を介して真空チ
ャンバー２０内に放電ガス（一般にＡｒ）を導入し、真
空チャンバー２０内を１０−３〜１０−２Ｔｏｒｒ程度
の圧力に保つ。ここでターゲット２７を取り付けたカソ
ード２５に電源２４により負の電圧を印加することでス
パッタリングが行われ、シャッター２８を交互に開閉す
ることにより、複数の異なるターゲット２７から飛び出
した粒子が基板ホルダー２９に設置された基板３０に堆
積し積層膜が生成される。またターゲット２７の下部に
磁石２６を取り付けることで、プラズマを高密度化し薄
膜の堆積速度を速くしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】最近、一層の膜の形成
時間をより高速にする要請が増えている。シャッター２
８の開閉によって成膜を制御する場合、一方のシャッタ
ー２８を閉じた後、他方のシャッターを開くという二段
階の動作がある。成膜時間をより高速にしようとする場
合、シャッター２８の動作速度を高める必要があるが、
この速度には限界があり、高速積層膜形成に向けての課
題となっている。
時間をより高速にする要請が増えている。シャッター２
８の開閉によって成膜を制御する場合、一方のシャッタ
ー２８を閉じた後、他方のシャッターを開くという二段
階の動作がある。成膜時間をより高速にしようとする場
合、シャッター２８の動作速度を高める必要があるが、
この速度には限界があり、高速積層膜形成に向けての課
題となっている。
【０００６】また、シャッター２８の開閉動作中にも成
膜が行われているため、基板３０上の膜厚分布への弊害
が発生する問題がある。
膜が行われているため、基板３０上の膜厚分布への弊害
が発生する問題がある。
【０００７】さらに、シャッター２８の開閉動作の際、
シャッター２８の表面やその駆動部に付着していた薄膜
が落下し、基板３０やターゲット２７に付着し、膜質に
影響をおよぼすという問題もある。
シャッター２８の表面やその駆動部に付着していた薄膜
が落下し、基板３０やターゲット２７に付着し、膜質に
影響をおよぼすという問題もある。
【０００８】本発明は上記課題を解決するもので、シャ
ッターを必要とせず、蒸発物質の切換えの高速性を計る
とともに膜圧の均一性を計ったスパッタリング装置を提
供することを目的としている。
ッターを必要とせず、蒸発物質の切換えの高速性を計る
とともに膜圧の均一性を計ったスパッタリング装置を提
供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、複数のカソードと電源の間に切換えスイッ
チを設けた構成による。
するために、複数のカソードと電源の間に切換えスイッ
チを設けた構成による。
【００１０】
【作用】本発明は上記構成により、シャッターの開閉動
作がまったくなくなり、成膜時間がシャッターの開閉動
作の速度に依存しなくり、高速化が可能な放電電圧のス
イッチングの速度のみを考慮すれば、高速積層膜形成が
可能となる。
作がまったくなくなり、成膜時間がシャッターの開閉動
作の速度に依存しなくり、高速化が可能な放電電圧のス
イッチングの速度のみを考慮すれば、高速積層膜形成が
可能となる。
【００１１】また、シャッターの開閉による不均一膜の
生成がなくなり、基板表面上の膜の均一性が向上する。
生成がなくなり、基板表面上の膜の均一性が向上する。
【００１２】さらに、シャッター表面に付着した膜が落
下し、基板表面，ターゲット表面に付着することもなく
なる。
下し、基板表面，ターゲット表面に付着することもなく
なる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例のスパッタリング装
置について、図１を用いて説明する。図２の従来例と同
一部分には同一番号を付し、説明を省略する。すなわち
本発明の特徴は切換スイッチ１を電源２４とカソード２
５の間に設けたことである。すなわち従来例と同様にス
パッタリングを行うが、本発明では切換スイッチ１によ
り、放電電圧を交互に切り換えて複数のターゲット２７
に印加することで、異なる種類の膜を基板３０に形成す
ることができる。この場合、一方のターゲット２７に放
電電圧が印加されているとき、他方のターゲット２７に
は放電電圧は印加されていないため、電圧が印加されて
いないターゲット２７から粒子は飛び出さない。したが
って、本実施例においては、従来例のようなシャッター
は不要である。
置について、図１を用いて説明する。図２の従来例と同
一部分には同一番号を付し、説明を省略する。すなわち
本発明の特徴は切換スイッチ１を電源２４とカソード２
５の間に設けたことである。すなわち従来例と同様にス
パッタリングを行うが、本発明では切換スイッチ１によ
り、放電電圧を交互に切り換えて複数のターゲット２７
に印加することで、異なる種類の膜を基板３０に形成す
ることができる。この場合、一方のターゲット２７に放
電電圧が印加されているとき、他方のターゲット２７に
は放電電圧は印加されていないため、電圧が印加されて
いないターゲット２７から粒子は飛び出さない。したが
って、本実施例においては、従来例のようなシャッター
は不要である。
【００１４】他の実施例として、スイッチ１によって切
り換えを行う対象を磁石２６にする方法が考えられる。
り換えを行う対象を磁石２６にする方法が考えられる。
【００１５】磁石２６を複数のヘルムホルツ型のコイル
で構成することにすれば、電源２４によって供給される
電力によって永久磁石と同様の効果が期待できる。
で構成することにすれば、電源２４によって供給される
電力によって永久磁石と同様の効果が期待できる。
【００１６】スイッチ１によって交互にコイルに電力を
供給することで、異なる複数のターゲット２７の近傍の
プラズマを交互に高密度化し、積層膜を制御することが
できる。
供給することで、異なる複数のターゲット２７の近傍の
プラズマを交互に高密度化し、積層膜を制御することが
できる。
【００１７】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
によれば、複数のカソードと電源の間に切換スイッチを
設けた構成によるので、シャッターの開閉機構がなくな
り、蒸発物質の切換えの高速性と膜厚の均一性が計れる
スパッタリング装置を提供できる。
によれば、複数のカソードと電源の間に切換スイッチを
設けた構成によるので、シャッターの開閉機構がなくな
り、蒸発物質の切換えの高速性と膜厚の均一性が計れる
スパッタリング装置を提供できる。
【図１】本発明の一実施例によるスパッタリング装置の
概略構成図
概略構成図
【図２】従来のスパッタリング装置の概略構成図
１ 切換スイッチ
２０ 真空チャンバー
２４ 電源
２５ カソード
２６ 磁石（磁界発生手段）
２７ ターゲット
３０ 基板
Claims (1)
- 【請求項１】 真空チャンバーと、その真空チャンバ
ー内に設けられた複数の、ターゲットおよび磁界発生手
段を有するカソードと、その複数のカソードに電圧を印
加する電源とを少なくとも有するスパッタリング装置に
おいて、前記複数のカソードと前記電源の間に切換スイ
ッチを設けたことを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1754591A JPH04259372A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1754591A JPH04259372A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04259372A true JPH04259372A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=11946889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1754591A Pending JPH04259372A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04259372A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003524706A (ja) * | 2000-02-23 | 2003-08-19 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | プラズマ密度またはその分布の制御方法 |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP1754591A patent/JPH04259372A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003524706A (ja) * | 2000-02-23 | 2003-08-19 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | プラズマ密度またはその分布の制御方法 |
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