JP5133049B2 - スパッタ被覆された基板を製造する方法、マグネトロン源、およびそのような源を有するスパッタリングチャンバ - Google Patents
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Description
図1に例示されるように、ターゲット1のターゲット表面3に沿って確立されるマグネトロン磁界パターンは、ターゲット表面3に向かって見て、閉じたループを形成する磁界のパターンF m を含む。ターゲット上の断面図において、マグネトロン磁界パターンF m は、一方の磁極の外側領域A0から他方の磁極を有する隣接する内側領域Aiへ弧を描く磁界を有するトンネル形状である。実質的に閉じられたループを形成する外側領域A0から外の磁束は、シグナムを除いて第2の内側領域Aiでの磁束に実質的に等しい。
マグネトロン磁界パターンは、図1のような平衡の構成から逸脱して、内側領域Aiおよび外側領域A0の一方を通る磁束が、他方の領域でのそのような磁束に対して増加される場合、非平衡になる。図1において、マグネトロン磁界パターンFm、およびさらに非平衡の磁界パターンFuの生成が概略的に示されている。ターゲット1に沿ってかつターゲット表面3とは反対側のターゲット表面に隣接して、内側の磁石副構成5および第2の外側の磁石副構成7を有する磁石構成が提供される。ターゲット1に面する第1の副構成5の表面は、一方の磁極Sであるのに対し、ターゲット1に面する外側の副構成7の表面は、一方の磁極Nを有する。2つの磁石副構成の間に、磁界パターンFmが形成され、それによって2つの磁石副構成7および5の表面での磁束が、実質的に等しい。
そのように知られている非平衡の磁界パターンFuは、したがって、例えば外側領域A0で、その領域A0のループに沿った磁束密度の均一な増加を有する、磁束増加の結果である。本発明を考慮して、図1のようなそのような非平衡の磁界パターンFuを、対称の非平衡の磁界パターンと呼ぶ。
ターゲット表面を有するターゲットを提供するステップと、
ターゲット表面から離間しておよびターゲット表面に対向して、少なくとも1つの基板、すなわち単一の基板または1を超える基板を提供するステップ。
本発明を完全に理解するために好ましい実施形態で記載されるように、本発明によって独創的に用いられる非対称の非平衡のマグネトロンの原理は、図2を用いて例示される。
5kHz≦f≦500kHz
であるように選択され、それによって好ましくは、
100kHz≦f≦200kHz
であるように選択される。
10−2Pa≦p≦5×10−2Pa
である。
ターゲット表面および反対側表面を有するターゲットと、
反対側表面に隣接する磁石構成とを備え、
この磁石構成が、
少なくとも1つの第1の磁石副構成と、
少なくとも1つの第2の磁石副構成とを備え、
前記第1の磁石副構成は、前記ターゲットの反対側表面に向かって向きかつ一方の磁極である第1の領域を有し、
前記第2の磁石副構成は、前記ターゲットの反対側表面に向かって向きかつ他方の磁極である第2の領域を有し、
第2の領域は、第1の領域の周囲に第1の領域から離れたループを形成し、
第1の領域は、ターゲット表面を通る第1の磁束を生成し、
第2の領域は、ターゲット表面を通る第2の磁束を生成し、
第2の磁束は、第1の磁束より大きく、かつ第2の領域に沿って不均一に分配され、
ターゲット表面に沿って不均一に分配された磁束を移動する掃引構成を備える。
ターゲット材料:Ti
ターゲット直径:300mm
処理チャンバおよびシールドの形状:円筒形
基板キャリアからスパッタリング表面への距離:330mm/370mm
円形の単一基板キャリアの直径:200mmまたは150mm
プラズマ放電源:直流またはパルス電源
単一のコイル電流:10A
単一のコイルによる軸方向磁界:10ガウス
基板キャリアのバイアス:直流源
ターゲットと基板との距離:37cm
第1の参照実験として、磁石システム12は、図1にしたがって想定される。したがって、円筒状の対称設計を有する非平衡のマグネトロンが適用される。図1にしたがった対称の非平衡の磁界パターンFuの長い範囲は、図1にしたがった非平衡の磁界パターンFuを強化する電流極性を有する、図3にしたがったコイル構成20の直流電流源を変えることによって変更される。大きな領域の対称の非平衡のマグネトロン構成は、0.025Paより下のArなどの非常に低い作動ガス圧で動作される。
Claims (14)
- 真空プラズマ処理された表面を有する基板を製造する方法であって、
軸(AS)の周りの円状のターゲット表面を有するターゲットを提供するステップと、
前記ターゲット表面から離間しておよびターゲット表面に対向する、基板表面を有する少なくとも1つの基板(18)を提供するステップと、
前記ターゲット表面と前記基板表面との間の容積(PR)内に磁界パターン(Fm、FAU)を生成するステップであって、磁界パターンが、
a)前記スパッタリング表面に向かう方向で考えて、前記軸(AS)の周りでそこから離れかつ前記ターゲット表面の沿ったループを形成するマグネトロン磁界パターン(Fm)であり、前記ループは前記軸(AS)に向かう半径方向の拡張を有し、前記ターゲット表面に平行に考えて、前記マグネトロン磁界パターン(Fm)は第1の磁極の外側領域(A0、A△)から第2の磁極の内側領域(Ai)へのトンネル状円弧であり、それによって、前記内側領域(Ai)は、前記ターゲット表面に垂直な前記マグネトロン磁界パターン(Fm)の磁界のゼロ成分の位置(L’)によって、前記外側領域(A0、A△)に対して閉じ込められ、
b)非平衡の長い範囲の磁界パターン(FAU)であり、これは前記内側領域(Ai)を通る磁束に比べて前記外側領域(A0、A△)の特別領域(A△)を通る磁束を前記外側領域の残りの部分(A0)を通る磁束に比べても増大させることによって非対称に生成され、前記特別領域(A△)は前記外側領域の前記ターゲットの端(88)に向けて前記残りの部分(A0)を増大させる突出部であり、それによって基板表面に到達する前記長い範囲の磁界(FAU)は、少なくとも0.1ガウスの前記基板表面に平行な磁界の成分を有する、磁界パターンを生成するステップと、
前記磁界パターン(Fm、FAU)においてプラズマ放電を生成するステップと、
前記基板表面をプラズマ処理するステップと、それによって、
前記軸(AS)の周りの回転運動によって前記磁界パターン(Fm、FAU)を前記基板表面に沿って掃引するステップとを含む方法。 - 前記基板表面に平行な前記磁界の成分は、1ガウスと20ガウスとの間であるように選択される請求項1に記載の方法。
- 前記ターゲット表面の60%より多くを前記トンネル状のマグネトロン磁界パターン(F m )で覆うステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記ターゲット表面の85%より多くを前記トンネル状のマグネトロン磁界パターン(F m )で覆うステップを含む請求項3に記載の方法。
- 前記特別領域(A△)を通る前記磁束を調整することによって、前記基板表面でのイオン電流密度の均一性を調整するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 1を超える基板を提供するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 円形である前記基板、または円形領域内に配置された前記1を超える基板を選択し、前記基板または領域の中心軸の周りで前記磁界パターン(F m 、F AU )を掃引するステップをさらに含む請求項6に記載の方法。
- マグネトロン源が、
軸(AS)の周りに円状のターゲット表面および反対側表面を有するターゲットと、
前記反対側表面に隣接する磁石構成とを備え、磁石構成が、
第1の磁石副構成と、
第2の磁石副構成とを有し、
前記第1の磁石副構成は、前記反対側表面に向かって向きかつ一方の磁極である第1の領域(870、8701)を有し、
前記第2の磁石副構成(87i)は、前記反対側表面に向かって向きかつ他方の磁極である第2の領域(87i)を有し、
前記第1の領域(870、8701)は、前記軸(AS)の周りでそこから離れたループを形成しかつ前記軸(AS)に向かう半径方向の拡張部(8701)を有し、
前記第2の磁石副構成(87i)は前記第1の領域(870、8701)に沿って内側へ離れて閉じたループを形成し、
前記第1の領域(870、8701)は、前記ターゲット表面を通る第1の磁束(Fm、Fu)を生成し、
前記第2の領域(87i)は、前記ターゲット表面を通る第2の磁束(Fm)を生成し、
前記第1の磁束(Fm、Fu)は、前記第2の磁束(Fm)より大きく、
前記反対側表面に対向していて前記ターゲット表面を通る前記第1の磁束(Fm、Fu)に重畳された第3の磁束を生じる第3の磁石副構成をさらに含み、前記第3の磁石副構成は前記第1の磁石副構成(870、8701)の突出部として形成されており、それによって特別領域(A△)を通る合成磁束(FAU)を生じ、前記特別領域(A△)は前記第1領域(870、8701)の前記ターゲットの端(88)に向かう範囲を拡大させ、前記合成磁束(FAU)は前記第1の領域(870、8701)の残りの部分を通る前記第1の磁束(Fm、Fu)より大きく、それによって非平衡で非対称の長範囲磁界(FAU)を生じかつ前記軸(AS)の周りで前記第1、第2および第3の磁石副構成を動かすようにされた掃引構成を生じる、マグネトロン源。 - 請求項8のマグネトロン源と、前記マグネトロン源のターゲット表面(13)から離れてそれに対向する基板キャリア(16)とを備えるマグネトロン処理チャンバ。
- 前記基板キャリア(16)に隣接するアノード構成(24)をさらに備える請求項9に記載のチャンバ。
- 前記源と前記基板キャリア(16)との間の処理領域(PR)を閉じ込め、かつ電気的に浮動しまたはアノード電位にある遮蔽(26、28)をさらに備える請求項10に記載のチャンバ。
- 前記アノード(24)は、遮蔽構成(28)の背後に隠れ、かつ処理容積(PR)に対して隠れる請求項10に記載のチャンバ。
- 前記源のターゲット表面に垂直なコイル軸を有する少なくとも1つのコイル(20)をさらに備える請求項9に記載のチャンバ。
- 前記基板キャリア(16)は、所定のバイアス電位に対して電気的に浮動し、または所定のバイアス電位に接続可能である請求項9に記載のチャンバ。
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