JP2009506476A - 自己識別型積層ダイ半導体構成要素 - Google Patents
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Abstract
積層ダイ半導体構成要素(たとえばランダム・アクセス・メモリ構成要素)内での使用に適した、機能回路(たとえばメモリ・アレイ)および復号回路を有する半導体ダイを記載する。復号回路は、積層ダイ構造体内の個々のダイが、ダイ間相互接続パターンに基づいて積層体内のそれらの場所または位置を自動的に決定し、この決定に応答して1つまたは複数の外部制御信号(たとえばチップ選択信号およびクロック・イネーブル信号)を復号回路の関連する機能回路に選択的に渡すことを可能にする。この「自己設定」機能は、特定の機能(たとえば、垂直に配列された4つのダイを含むメモリ・モジュール)用に指定されたすべてのダイが一様に、または一貫して製造されることを可能にする。こうすると、積層ダイ構成要素を製造するためのコストを低減させることができる。
【選択図】図1
【選択図】図1
Description
本発明は、一般に半導体デバイスに関し、より詳細には積層ダイ半導体デバイスと、積層ダイ構造体内の個々のダイを一意に識別する方法とに関する。
半導体デバイスは一般に、いくつかの堆積ステップ、マスキング・ステップ、拡散ステップ、エッチング・ステップ、および注入ステップを含む製造工程によってシリコン・ウェハまたはガリウム砒素ウェハから作製される。製造行程ごとに、多数の同じ集積回路(「IC」)デバイスがその中に形成されたウェハが得られる。製造後、ウェハは個別のユニットすなわちダイに分離され、各ダイが1つのICデバイスを含む。従来より、個々のダイは成形ケースに入れられ、そこから突出するリードに電気的に接続される。最近では、複数のダイが単一の筐体内に配置されている。このように配置された1つのものでは、2つ以上のダイが垂直に配列され、電気的に相互接続されて単一の構成要素を形成する。このようにして形成された構成要素は、積層ダイまたは積層ダイ構造体を使用しているといわれる。
積層ダイ構造体は、設計技術者がシステムの回路密度、すなわちプリント回路基板の単位面積当たりの回路数を増大させることを可能にする。しかし、積層ダイ構造体内では、ダイが個別に選択可能であることが重要になることがある。たとえば、複数のメモリ回路ダイが積層されて単一のメモリ構成要素を形成する場合、各ダイが個別に活性化される、または選択されることが重要になることがある。これまで、この機能は、チップ選択ピンおよび/またはクロック・イネーブル・ピンなど、積層体内の各ダイからの様々な制御ピンをヒューズ、アンチ・ヒューズおよび再配線層(「RDL」)の使用により再配置することによって実現されてきた。これらの手法は成功しているとはいえ、第1の位置用のダイ(たとえば積層体内の最下部のダイ)を第2の位置用のダイ(たとえば積層体内の最上部のダイ)とは別に加工する必要がある。このようにダイを加工する追加コストに加えて、他のダイとは異なる各ダイが隔離され、製造部品追跡システムによって一意的に追跡されなければならず、それによって従来の積層ダイ・デバイスのコストはさらに増大する。したがって、一貫した方法で製造されたダイを利用し、このようなダイが積層ダイ構造体内のそれらの位置を自動的に感知でき、その結果それらが個別に一意的に選択可能になる、改善された積層ダイ構造体を提供することは有益であろう。
本発明は、積層ダイ半導体構成要素内での使用に適した、機能回路および復号回路を有する半導体ダイを提供する。この復号回路は、積層ダイ構造体内の個々のダイが、ダイ間接続パターンに基づいて積層体内のそれらの場所または位置を決定し、それに応じて1つまたは複数の外部制御信号を復号回路の関連する機能回路に選択的に渡すことを可能にする。したがって、積層半導体ダイ構成要素は、本発明により一貫して加工または製造された半導体ダイを使用して組み立てることができる。
一実施形態では、本発明による半導体ダイは機能回路を含み、この機能回路は、イネーブル入力接続部、ダイのパッケージ外部の制御信号を受け取るための複数の外部制御信号接続部、複数の内部制御信号入力接続部、および復号回路を有する。次に復号回路は、外部制御信号入力接続部に結合された第1の組の入力端、内部制御信号入力接続部に結合された第2の組の入力端、および機能回路のイネーブル入力接続部に結合された出力端を含
む。この復号回路は、内部制御信号入力接続部から供給されダイ間接続部のパターンによってその状態が決定される信号に基づいて、外部制御信号入力接続部に結合された信号を復号器の出力端まで(したがって機能回路のイネーブル入力接続部までも)選択的に送るように構成される。
む。この復号回路は、内部制御信号入力接続部から供給されダイ間接続部のパターンによってその状態が決定される信号に基づいて、外部制御信号入力接続部に結合された信号を復号器の出力端まで(したがって機能回路のイネーブル入力接続部までも)選択的に送るように構成される。
別の実施形態では、本発明による複数の良品ダイが垂直に積層され、電気的に結合されて、特定の機能を有する構成要素を実現する。例示的な機能回路はメモリ・アレイを含み、例示的な積層ダイ構成要素はランダム・アクセス・メモリ構成要素を含み、例示的な外部制御信号はチップ選択信号およびクロック・イネーブル信号を含む。
一貫して製造されたダイからなり、ダイがそれらの位置を構造体内で自動的に感知し、特定の制御信号によって一意的に選択可能である積層ダイ構造体を説明する。以下の説明は、半導体デバイス設計および製造の当業者が特許請求の範囲に記載の本発明品を製作し使用できるように提示されるとともに、当業者にはその変形形態が容易に明らかになるであろう以下に論じる特定の例に即して提供される。したがって、本明細書に添付の特許請求の範囲は、開示される実施形態によって限定されるものではなく、本明細書で開示される原理および特徴と一致するそれらの最も広い範囲が与えられるべきものである。
本発明によれば、複数の良品ダイが積層され電気的に結合されて、特定の機能を有する構成要素を形成し、この構成要素には、積層ダイ構造体内で個々のダイの一意的な選択/活性化を可能にする複数の外部制御ピンが設けられる。好ましい一実施形態では、機能的に同一の一貫して製造された4つのメモリ・ダイが積層され相互接続される。例示的なメモリ・デバイスの1つの種類としては、本明細書の譲受人により設計および製造されたSDRAMデバイスなどのシンクロナス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(「SDRAM」)がある。しかしながらこれは、本発明の概念に従って使用できる集積回路構成要素の1つの例示的な種類を構成するにすぎないことを理解されたい。特許請求の範囲の主題の精神および範囲から逸脱することなく、集積回路デバイスの他の種類(必ずしもメモリ・デバイスではない)を提供することができる。
図1を参照すると、本発明の一実施形態によるダイ100は、外部制御接続部110およびダイ接続部115を有する機能回路105を含んでいる。たとえば、機能回路105はスタティック・メモリ・アレイ、ダイナミック・メモリ・アレイ、またはフラッシュ・メモリ・アレイを実装することができ、外部制御接続部110はチップ選択入力および/またはクロック・イネーブル入力を含むことができ、ダイ接続部115は電源、グランド、アドレス信号およびデータ信号、ならびに他の制御信号およびダイ試験接続部を含むことができる。内部制御信号120は、復号回路125に供給するために本発明に応じて使用される信号経路を表す。本明細書では、「内部制御信号」とは、対象の構成要素内部の回路から、つまりその構成要素内の個々のダイから発生し、その回路で使用される信号のことである。次に、復号回路125は、外部制御信号110のどれを機能回路105のダイ制御接続部130(たとえば、チップ選択接続部および/またはクロック・イネーブル接続部)に供給するかを制御する。
一般には、本発明による特定の積層ダイ構造構成要素(たとえばメモリ構成要素)内で使用するための各ダイ(たとえばダイ100)は、同一の内部制御信号経路120、復号回路125、ならびに外部制御信号110と復号回路125とダイ制御接続部130の間の接続部を備えて製造することができる。構成要素製造中に、積層体内の第1のダイ上の内部制御信号120とその隣接するダイとの間の接続のパターンが、各ダイ上の復号回路125への入力を決定する。以下でなお詳細に説明するが、このようにして復号回路125は、積層構造体内のダイの位置に応じて一意的に、外部制御接続部110を介して入力
された1つまたは複数の信号を機能回路105まで伝達する。
された1つまたは複数の信号を機能回路105まで伝達する。
図2を参照すると、復号回路125は復号器200、および選別器205を含んでいる。実際には復号器200は、その入力信号(内部制御信号120)のパターンを「復号」して、選別器205がその入力信号(外部制御接続部110を介して供給される)のうちの1つをその機能回路(たとえば回路105)までダイ制御接続部130を介して渡すようにする。一実施形態では、積層ダイ構造体内にあるダイと同じ数だけの外部制御信号がある。たとえば積層ダイ・メモリ構成要素では、外部制御接続部110は、積層ダイ構造体内のそれぞれのダイに1つのCHIP SELECT信号を伝達することができる。この実施形態では、ダイ制御接続部130は単一のCHIP SELECT信号を供給する。別の実施形態では、機能回路105に供給されるべき一意の各制御信号に対し一群の外部制御接続部がある。たとえば図3を参照すると、積層ダイ・メモリ構成要素内で外部制御接続部110は、第1群のCHIP SELECT信号300、および第2群のCLOCK ENABLE信号305を伝達することができる。外部制御信号の各群は、それぞれの選別器310および315を駆動することができる。次に、各選別器は単一の出力信号(CHIP SELECT信号320、およびCLOCK ENABLE信号325)を供給し、その集まったものがダイ制御接続部130を介して機能回路105まで搬送される。
説明した実施形態に関しては、選別器205、310および315がN対1マルチプレクサとして働き、内部制御信号の数が、積層されるべきダイの数によって決まることを理解されたい。たとえば、本発明による積層ダイ構成要素が8個のダイを含む場合、内部制御信号がわずか3つしかないこともあれば、8つあることもありうる。
本発明により一貫して加工されたダイの使用を容易にするために、各ダイは、積層ダイ構造体内に組み込まれたときに初期値をダイの復号器回路125に与えるように、ダイ製造工程中にその内部制御信号を結合しておくべきことを理解されたい。多くの半導体デバイスの実施形態では、ダイの接続パッドを弱いグランド電位にバイアスすることが一般的である。(「弱い」とは、ダイのグランド電位を超える電圧レベルによってその値を容易に打ち消すことができるという意味である。)この特徴を利用して、本発明により製造されるダイ上の各内部制御信号を弱いグランド電位に個別に結合することができる。こうすると、構成要素製造時にダイを相互接続する方法によって(以下の議論参照)、各ダイの復号器200への最終入力を設定、決定または指定することができる。こうすると、各ダイの復号回路125が、積層ダイ構造体内のダイの位置にかかわらず、そのダイの機能回路105を一意に選択またはイネーブルできるようになる。つまり、本発明によるダイは、積層ダイ構造体内のそれらの場所を自動的に決定し、その場所に基づいてそれらの機能回路を活性化、イネーブルまたは選択する。したがって、本発明による積層ダイ構成要素では、それらを構成するダイが、たとえば再配線層の形成など追加の半導体加工ステップまたは加工後作業によって、一意の信号再配置特徴を含むように加工されることを必要としない。
例として、本発明の一実施形態による積層ダイ構造体400を使用するメモリ構成要素がプリント回路板(「PCB」)基板405、第1のダイ(DIE0)410、第2のダイ(DIE1)415、第3のダイ(DIE2)420、および第4のダイ(DIE3)425を含む図4を考える。この実施形態では、構造体400は、ウェハ貫通相互接続ビア435をそれぞれが含む別々のダイを相互接続するために、マイクロボール430(小さなはんだビーズ)を使用する。基板405は、構造上の支持、ならびに積層ダイと積層ダイ構造体400がその中に配置される物理的パッケージとの間の電気的接続性を提供する役割を果たすことを理解されたい。図示のPCB基板材料は、それだけには限らないが、FR2、FR4、ならびにRogers(登録商標)4000、Rogers(登録商
標)Duroid、デュポン(登録商標)テフロン(登録商標)(タイプGTおよびGX)、ポリイミド、ポリスチレン、および架橋ポリスチレンなどのプラスチックを含む。さらに、ダイ間接続がウェハ貫通相互接続およびマイクロボール以外の技術、たとえばワイヤ・ボンド、フリップ・チップ、またはこれらの技術と他の技術の組合せを使用して行えることも理解されたい。加えて、各ダイ間にスペーサまたは接合層(たとえばエポキシ)を含むことが望ましい、あるいは必要になることがある(使用されるダイおよび基板の種類による)。
標)Duroid、デュポン(登録商標)テフロン(登録商標)(タイプGTおよびGX)、ポリイミド、ポリスチレン、および架橋ポリスチレンなどのプラスチックを含む。さらに、ダイ間接続がウェハ貫通相互接続およびマイクロボール以外の技術、たとえばワイヤ・ボンド、フリップ・チップ、またはこれらの技術と他の技術の組合せを使用して行えることも理解されたい。加えて、各ダイ間にスペーサまたは接合層(たとえばエポキシ)を含むことが望ましい、あるいは必要になることがある(使用されるダイおよび基板の種類による)。
図示のように、外部制御接続部110は、CHIP SELECT 0(CS0)信号、CHIP SELECT 1(CS1)信号、CHIP SELECT 2(CS2)信号、およびCHIP SELECT 3(CS3)信号を伝達する。同様に、内部制御信号120は、STACK ENABLE 0(STE0)信号、STACK ENABLE 1(STE1)信号、STACK ENABLE 2(STE2)信号、およびSTACK ENABLE 3(STE3)信号を含む。示されているように、PCB基板405上の積層体イネーブル接続部STE0〜STE3のそれぞれは、電圧源440に電気的に結合される。こうすることが各ダイの内部制御信号の接続パッドを、それが弱いグランド電位にバイアスされるように(ダイ製造工程中に)接続することと併せて行われると、内部制御信号ダイ間接続パターン(たとえばマイクロボールや非接続部445、450、および455)が入力信号の一意の集まりを各ダイ上の各復号回路に与えることが可能になり、その結果、外部制御接続部110に応じてダイの一意的な選択が可能になる。
図4の例示的なダイ間接続パターンであれば、表1が復号回路125の機能動作を示す。表1に表された「論理」が本発明による復号回路125の動作を規定するのに十分であることは、当業者には理解されよう。これに加えて、示された論理が唯一の可能な論理ではないこともまた、当業者には直ちに明らかになるであろう。本発明によれば、内部制御入力120の一意の組を各ダイの復号回路125に与えるどんなダイ間接続パターンも使用することができ、表1は可能なパターンを1つ表すにすぎない。
本発明の利点は、本発明により製造されたどのダイも積層ダイ構造体内の任意の位置に使用できることを含む。積層体内のダイ間の内部制御信号経路を選択的に相互接続することによって、各ダイの復号回路は、その関連する機能回路を一意的に選択、活性化またはイネーブルすることができる。したがって、特定の積層ダイ構成要素内で使用するためのすべてのダイが同一であり、特別な加工(たとえば再配線層の形成)または一意の部品の追加的な追跡が製造時に不要であるので、本発明による積層ダイ構造構成要素は、一貫した方法で製造されたダイを用いて組み立てることができる。こうすると、このような構成要素を製造するコストが低減し、加工ステップの削除によって総合歩留まりが改善する。(復号回路125を実施するために必要な回路数は、機能回路105を実施するために必要な回路数(たとえばトランジスタ数)に比べて最小限であることを理解されたい。)
図示の実施形態の材料、構成要素および回路要素の様々な変更は、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく可能である。たとえば、本発明による積層ダイ構造体は、図4の例示的な4つのダイ構成要素に限定されない。同様に、本発明による積層ダイを使用する構成要素は、図4に示した単一の群の外部制御信号を利用することに限定されない。たとえば、本発明によるSDRAM積層ダイ構成要素は、CHIP SELECT信号もCLOCK ENABLE信号も選択的にそれぞれの機能回路に渡すことができる(たとえば図3参照)。異なる機能回路を実施するダイのための他の制御信号組合せは、当業者には直ちに明らかになるであろう。加えて、本発明による積層ダイ構造体は、メモリ構成要素に限定されず、さらには同一の機能回路を有するダイの使用にも限定されない(たとえば図1の要素105)。異なる機能回路を有するダイが、本明細書に記載の方法で復号回路および内部制御信号を含むように製造される限り、本発明による積層ダイ構成要素を組み立てるのに異なる機能回路を有するダイを使用することができる。
Claims (28)
- イネーブル入力接続部を有する機能回路と、
複数の外部制御信号入力接続部と、
複数の内部制御信号入力接続部と、
前記外部制御信号入力接続部に結合された第1の複数の入力端、前記内部制御信号入力接続部に結合された第2の複数の入力端、および前記イネーブル入力接続部に結合された出力端を有する復号回路とを含み、
前記復号回路が、前記内部制御信号入力接続部に結合された信号に基づいて、前記外部制御信号入力接続部に結合された1つの信号を前記出力端に結合するように適合される、半導体ダイ。 - 前記機能回路がメモリ・アレイを含む、請求項1に記載の半導体ダイ。
- 前記メモリ・アレイがランダム・アクセス・メモリ・アレイを含む、請求項2に記載の半導体ダイ。
- 前記複数の外部制御信号入力接続部のそれぞれが、CHIP SELECT信号を受け取るように適合される、請求項2に記載の半導体ダイ。
- 前記複数の外部制御信号入力接続部のそれぞれが、CLOCK ENABLE信号を受け取るように適合される、請求項2に記載の半導体ダイ。
- 前記外部制御信号入力接続部の第1の複数の接続部それぞれがCHIP SELECT信号を受け取るように適合され、前記外部制御信号入力接続部の第2の複数の接続部がCLOCK ENABLE信号を受け取るように適合される、請求項2に記載の半導体ダイ。
- 前記イネーブル入力接続部が、CHIP SELECT信号を受け取るように適合された1つの接続部と、CLOCK ENABLE信号を受け取るように適合された1つの接続部との2つの接続部を含む、請求項6に記載の半導体ダイ。
- 前記内部制御信号入力接続部のそれぞれがさらに、前記半導体ダイの基板に結合される、請求項1に記載の半導体ダイ。
- 前記基板がグランド電位に弱くバイアスされるように適合される、請求項8に記載の半導体ダイ。
- 積層ダイ半導体構成要素であって、
複数の外部構成要素制御接続部、および複数の内部構成要素制御接続部を有する基板と、
前記基板の上にほぼ垂直に配列された複数の半導体ダイとを含み、
前記複数の半導体ダイのそれぞれが、
イネーブル入力接続部を有する機能回路と、
前記基板の前記外部構成要素制御接続部の1つにそれぞれが結合された複数の外部制御信号入力接続部と、
複数の内部制御信号入力接続部と、
前記外部制御信号入力接続部の1つにそれぞれが結合された第1の複数の入力端、前記内部制御信号入力接続部の1つにそれぞれが結合された第2の複数の入力端、および前記機能回路の前記イネーブル入力接続部に結合された出力端を有する復号回路とを含み、
前記復号回路が、その前記内部制御信号入力接続部に結合された信号に基づき、前記外部制御信号入力接続部に結合された1つの信号を前記出力端に結合するように適合される、積層ダイ半導体構成要素。 - 前記構成要素がメモリ構成要素を含む、請求項10に記載の積層ダイ半導体構成要素。
- 前記メモリ構成要素がランダム・アクセス・メモリ構成要素を含む、請求項11に記載の積層ダイ半導体構成要素。
- 前記外部構成要素制御接続部がCHIP SELECT信号接続部を含む、請求項10に記載の積層ダイ半導体構成要素。
- 前記外部構成要素制御接続部がCLOCK ENABLE信号接続部を含む、請求項13に記載の積層ダイ半導体構成要素。
- 前記外部構成要素制御接続部がCHIP SELECT信号接続部およびCLOCK ENABLE信号接続部を含む、請求項10に記載の積層ダイ半導体構成要素。
- 前記複数の半導体ダイのそれぞれがグランド電位に弱くバイアスされるように適合される、請求項10に記載の積層ダイ半導体構成要素。
- 前記基板の内部構成要素制御接続部が、グランド電位を超える電位にバイアスされるように適合される、請求項10に記載の積層ダイ半導体構成要素。
- 前記複数の半導体ダイ間の接続部がマイクロボールを含む、請求項10に記載の積層ダイ半導体構成要素。
- 前記複数の半導体ダイ間の接続部がワイヤ・ボンドを含む、請求項10に記載の積層ダイ半導体構成要素。
- 前記複数の半導体ダイそれぞれの上の各復号回路が、内部制御信号入力接続部の異なるパターンを受け取る、請求項10に記載の積層ダイ半導体構成要素。
- 前記複数の半導体ダイのそれぞれの前記機能回路が同一の機能回路を含む、請求項10に記載の積層ダイ半導体構成要素。
- マイクロボールが、前記基板からの接続部を前記複数の半導体ダイのそれぞれに接続するために使用される、請求項10に記載の積層ダイ半導体構成要素。
- ワイヤ・ボンドが、前記基板からの接続部を前記複数の半導体ダイのそれぞれに接続するために使用される、請求項10に記載の積層ダイ半導体構成要素。
- 4つの半導体ダイを含む、請求項10に記載の積層ダイ半導体構成要素。
- 半導体ダイであって、
イネーブル入力接続部を有する機能回路と、
複数の外部制御信号入力接続部と、
複数の内部制御信号入力接続部と、
前記複数の内部制御信号入力接続部に結合された入力信号のパターンに基づいて、前記外部制御信号入力接続部の1つに結合された信号を前記機能回路イネーブル入力接続部ま
で送る復号器手段とを含む、半導体ダイ。 - 請求項25に記載の半導体ダイを複数含む積層ダイ半導体構成要素。
- 前記半導体構成要素の外部からの外部制御信号を前記外部制御信号入力接続部に結合する基台手段をさらに含む、請求項26に記載の積層ダイ半導体構成要素。
- 前記基台手段がさらに、第1の論理信号レベルを前記複数の半導体ダイの第1の半導体ダイ上の前記内部制御信号入力接続部に与える手段を含む、請求項26に記載の積層ダイ半導体構成要素。
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