JP2009505399A - 量子ドットを有する発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
装置が発光ダイオードを含む。発光ダイオードは、1つまたは複数のIII族窒化物アロイの半導体基材、およびこの基材内に分散された量子ドットを有する。量子ドットは、基材の1つまたは複数のIII族窒化物アロイとは異なるIII族窒化物アロイを含む。
Description
本発明は発光ダイオード、および発光ダイオードを製造および使用するための方法に関する。
従来の半導体デバイスのいくつかは、赤外線波長で発光する2次元(2D)量子井戸を含む。2D量子井戸は、pn半導体接合部中に配置されてよく、このpn半導体接合部では、電気ポンピングが電荷担体を励起状態の2D量子井戸に供給する。次いで反対の電荷の担体との再結合を経て、この電荷担体の脱励起が発光を生成する。放出された光は、ある程度、2D量子井戸のバンド構造によって決定される波長を有する。
従来の光通信システムは、約1.55μmの狭い波長範囲の中で光を送信する。この範囲では、石英系光ファイバーは、低い光吸収係数を有する。このため、この波長範囲は低損失領域であり、低損失領域であることは、光通信においてはかなり好都合である。この通信範囲では、いくつかのレーザー光源が光送信機で使用可能である。それでもなお、通信範囲についてはより安価なレーザー光源を有することが望ましい。
様々な実施形態が、その中に量子ドットを有する発光ダイオード(LED)を実現する。いくつかのLEDは通信範囲内の波長で(例えば約1280nmと約1600nmの間で)、光を生成する。このため、新しいLEDは、通信用途について安価な光源となる可能性がある。
一つの態様では、装置は発光ダイオードを含む。発光ダイオードは、1つまたは複数のIII族窒化物アロイの半導体基材およびその基材内に分散された量子ドットを有する。量子ドットは、基材の1つまたは複数のIII族窒化物アロイとは異なるIII族窒化物アロイを含む。
別の態様では、製造方法は、結晶基板上に第1のIII族窒化物アロイの複数の量子ドットを成長させるステップを含む。この方法はまた、量子ドットを覆うために異なる第2のIII族窒化物アロイのキャッピング層を成長させるステップを含む。この層の部分は、量子ドット間に横方向に挿置される。
別の態様では、装置は、その中に位置する半導体スタックを有する発光ダイオードを含む。このスタックは、III族窒化物アロイのn形層、III族窒化物アロイのp形層、およびIII族窒化物アロイの複数の量子ドットを有する。量子ドットはこの層間に位置し、この層のIII族窒化物アロイとは異なるインジウム・アロイを含む。
様々な実施形態が「図面の簡単な説明」および「発明を実施するための最良の形態」に記載される。それでもなお、本発明は様々な形態で実施され、「図面の簡単な説明」および「発明を実施するための最良の形態」に記載される実施形態に限定されない。
図面および本文中で、同じ参照番号は同様の機能を有する要素を示す。
いくつかの図面では、1つまたは複数の特徴の相対寸法が実施形態をよりよく示すために誇張されている場合がある。
図面および本文中で、同じ参照番号は同様の機能を有する要素を示す。
いくつかの図面では、1つまたは複数の特徴の相対寸法が実施形態をよりよく示すために誇張されている場合がある。
図1は、インコヒーレント光またはコヒーレント光を放射可能である発光ダイオード(LED)10の一実施形態を示す。LED10は、結晶質のIII族窒化物バッファ層14上で成長され、このバッファ層自体が結晶基板12の平面の頂部表面16上に成長される。例示の結晶基板12は、サファイア基板、シリコン基板、および炭化ケイ素基板を含む。LED10は、結晶質のIII族窒化物バッファ層14の表面上に成長されるアクティブ発光スタック18を含む。アクティブ発光スタック18もまた、結晶質のIII族窒化半導体で生成される。結晶質のIII族窒化物バッファ層14は、格子ひずみが部分的または完全に緩和している領域である。格子ひずみは、結晶基板12の基本的な格子長とアクティブ発光スタック18の基本的な格子長の間の頂部表面16に沿った不整合に起因する。格子整合した結晶基板12が得られる場合、結晶質のIII族窒化物バッファ層14はなくてもよい。
LED10はまた、第1導電性電極20および第2導電性電極22も含む。第1導電性電極20は、アクティブ発光スタック18のp形層と接触する。p形層は、例えばマグネシウム(Mg)で半導体をドーピングすることによって生成可能である。第2導電性電極22は、アクティブ発光スタック18のn形層と接触する。n形層は、例えばシリコン(Si)で半導体をドーピングすることによって生成可能である。導電性電極20、22は、例えば金属または多層金属で作成可能である。例示の金属層および金属多層は、金(Au)、アルミニウム(Al)、白金(Pt)、チタニウム(Ti)/Al、Au/Ti/Al/Ti、ルテニウム(Ru)/Pt、およびAu/ニッケル(Ni)またはパラジウム(Pd)を含むが、他の金属層および金属多層が使用されてよい。導電性電極20、22は、発光を生じさせるためにアクティブ発光スタック18との間で電流を伝えるための接点である。アクティブ発光スタック18は、pnまたはnp接合デバイス、すなわち、動作中に電流を供給する回路(図示せず)におけるダイオードとして機能する。
図2は、例えば図1のLED10を組み込んだ例示の光源8を示す。光源8は、LED10の一部分から形成される光学利得媒体を有する。光学利得媒体はファブリー・ペロ(Fabry-Perot)光キャビティ中に位置する。ファブリー・ペロ光キャビティは、光導波路25、および光導波路25の各端部に反射体26、28を含む。光導波路25は、LED10のIII族窒化物部分によって形成される光学コアを有する。光導波路25は、一部が結晶基板12、一部が任意の透明誘電体層24によって形成される光クラッディングを有する。透明誘電体層24は、例えば石英ガラス、または窒化ケイ素、あるいは他の透明誘電体であってよい。キャビティの光反射体26、28は、光導波路25の端面である(例えば、半導体構造のへき開面または研磨面)。
光源8のいくつかの実施形態では、ファブリー・ペロキャビティの光導波路25中に伝播する光の利得ガイドまたはインデックス・ガイドのいずれかを実現する。いくつかのこの種の実施形態では、光源8は、例えばLED10の電気ポンピングに応じてレーザー光を放つことができる。
図3は、図1のアクティブ発光スタック18の1つの実施形態18Aを示す。底部から頂部まで、アクティブ発光スタック18Aは、底部n形III族窒化半導体層30A、量子ドット34の中間部配列32A、および頂部p形III族窒化半導体層36Aを有する。底部n形半導体層30Aは、結晶質バッファ層14(例えばGaNまたはAlN層)の上に直接位置する。頂部III族窒化半導体層36Aおよび底部III族窒化半導体層30Aは、GaxAl(1−x)Nアロイ(ここで0≦x≦1)または、この種のアロイの多層体である。III族窒化半導体層30A、36Aの両方は、同じアロイまたはアロイの多層体であってよい(例えばGaN層)。中間部配列32Aの量子ドット34は、n形III族窒化半導体層30Aとp形III族窒化半導体層36Aの間の界面に沿って位置してよく、またはGazAl(1−z)Nアロイ(ここで0≦z≦1、例えば非ドープのGaN)の離間する真性層(図示せず)中に位置してよい。アクティブ発光スタック18Aは、pnダイオードを形成する。
図4は、図3の量子ドット34の1つについての例示の形状を示す。しかし、量子ドット34は他の形状を有することが可能である。量子ドット34は、量子ドット34の隣のIII族窒化半導体基材のアロイ(例えば層30A、36A)とは異なるアロイの、真性または非ドープのIII族窒化物である。量子ドット34について、例示のIII族窒化物アロイは、InvGa(1−v)Nを含み、ここで0<v≦1である(例えば、ドーパント原子が1立方センチあたり1018未満であるInN)。個別の量子ドット34は、囲んでいる基材(例えばIII族窒化半導体層30Aおよび/または層36A)の異なる半導体アロイの介在によって横方向に離間される。
代替実施形態では、底部III族窒化半導体層30Aおよび頂部III族窒化半導体層36Aの導電性のp/n形が逆になってよい。底部III族窒化半導体層30Aがp形になり、頂部III族窒化半導体層36Aがn形になる。
光学発光スタック18Aは、通常、量子ドット34の配列が同じIII族窒化物アロイの連続する2D層によって置換される従来の多層構造とは異なる発光スペクトルを有する。特に、囲んでいる基材の異なるIII族窒化物アロイが量子ドット34を横方向に離間することで、量子ドット34のエネルギーレベルが変化する。この変化を、図5の例示のIII族窒化物の多層体について示す。
図5は、頂部GaN層、中間部InN層、および底部GaN層によって形成される多層体のバンド構造を示す。GaN層は、中間部InN層の伝導バンド端よりも、より高いエネルギー、すなわち約1.6電子ボルト(eV)高いエネルギーに偏位する伝導バンド端を有する。中間部InN層は、GaN層の価電子バンド端よりも、より高いエネルギー(例えば約1.05eV高い)に偏位する価電子バンド端を有する。GaN層中のこの偏位および適切なドーパント・レベルについて、フェルミ・エネルギー(EF)が中間部InN層の価電子バンドと伝導バンドの間に位置する。したがって、電子は中間部のInN層の伝導バンドに対して励起可能であり、次いでバンド内のジャンプによって脱励起されてInN層の価電子バンド中の正孔と再結合する。
InNは直接バンドギャップ物質であるので、この種の担体の再結合は、InNのバンドギャップとほぼ等しいエネルギーを有する光子の放出を引き起こすことが可能である。残念ながら、InNのバンドギャップは約0.77eVであり、これは通信波長の1.55ミクロン(μm)を有する光子を生成するために必要な約0.8eVより低い。このために、この種のGaN/InN/GaN多層体をポンピングすることで、1.55μmより長波長での発光を生成する。
一方で、図1〜図3、図6および図7のアクティブ発光スタック18、18A、18B、18Cは、連続する2DIII族窒化層を同じIII族窒化物の量子ドット34を空間的に離間した配列によって置換する。特に、量子ドット34の個々の単体は、別のIII族窒化物アロイの基材によって空間的に囲まれる。InNの量子ドット34について、隣接するGaN基材がInN中の電子および正孔を閉じ込め、それによって障壁として機能する。量子ドット34中で、この種の閉じ込めが、図5に示すように、伝導バンド端のレベルをより高いEcond dotに増大させ、価電子バンド端の値をより低いEval dotに低下させる。したがって、中間層InNが量子34配列であるGaN/InN量子ドット/GaN多層体は、GaN/InN/GaN多層中の連続する2DのInN層のバンドギャップEBG 2Dよりも大きいバンドギャップEBG dotを有する。より大きいバンドギャップEBG dotのため、GaN/InN量子ドット/GaN多層体は電気ポンピングに応じてより高いエネルギー光子も放出する。適切に小さく、十分に幅広く離間したInN量子ドットについて、この種の構造は、約0.8eVのエネルギーを有する光子(例えば波長が約1.60μmより短い通信範囲での光子)を放出可能となろう。
図6は、図1のLED10および/または図2の光源8についてのアクティブ発光スタック18の代替実施形態18Bを示す。底部から頂部までにかけて、光学的増幅スタック18Bは、結晶質n形III族窒化半導体層30B、中間部の真性半導体層32B、およびp形III族窒化半導体層36Bを含む。n形半導体層30Bおよびp形半導体層36Bは、例えば実質的に図3の底部III族窒化半導体層30Aおよび頂部III族窒化半導体層36Aのそれぞれと同じドープIII族窒化半導体組成を有してよい。中間部の半導体層32Bは、半導体層30B、36B中のものと同じまたは異なるIII族窒化物アロイの結晶質基材、およびその中に分散された量子ドット34を含む。アクティブ発光スタック18Bはpn構造、すなわちダイオードを形成する。
中間部の半導体層32Bは、量子ドット34の2D配列の縦方向の積層を含む。量子ドット34は、層32Bの囲んでいるIII族窒化半導体基材とは異なるIII族窒化物アロイで形成される。GaN半導体基材、またはより広範に0≦x≦1であるGaxAl(1−x)N基材。量子ドット34は、真性のInを含むアロイ(例えばInNまたは0<w≦1のInwGa(1−w)N)で形成される。量子ドット34のInを含むアロイは、1立方センチあたり約1018より少ないドーパント原子を有する。層32Bの隣接した半導体基材は、量子ドット34の一つ一つを縦横に隔離している。適切な高さおよび幅について、量子ドット34は、上記の通信波長範囲で発光可能である。さらに、量子ドット34の配列を縦方向に積層することは、アクティブ発光スタック18Bが、図3のアクティブ発光スタック18Aよりも多数の量子ドット34を保持可能であることを意味する。したがって、光源8は、アクティブ発光スタック18Aがアクティブ発光スタック18Bによってその中で置換されるとき、より強い光を供給できる。
図7は、光源のファブリー・ペロキャビティの光導波路25中に伝播する光の縦横方向へのインデックス・ガイドを実現する、図2の光源8の実施形態を示す。特に、この実施形態は、結晶基板12、結晶質バッファ層14、導電性電極20、22、誘電体層24、およびIII族窒化アクティブ発光スタック18Cを含む。結晶基板12は、例えば図1のLED10に対して記載したように適切に配向された結晶サファイア、シリコンまたは炭化ケイ素であってよい。結晶質バッファ層14は、約20nm〜50nmの範囲内の厚み(例えば20nm)を有するAlNまたはGaN層であってよい。導電性電極20、22は、例えば図1のLED10に関してすでに記載したように、単一金属または複数金属の層であってよい。任意の誘電体層24は、約0.1μm〜約0.3μmの厚みを有するコンフォーマル層SiO2またはSi3N4であってよい。
アクティブ発光スタック18Cでは、縦方向の多層構造および横方向の断面形状の両方が、その中の光のインデックス・ガイドをするように適合される。つまり、この特徴は、光源のファブリー・ペロキャビティの光導波路25に伝播する光のインデックス・ガイドを実現する。
アクティブ発光スタック18Cの縦方向の多層構造は、底部n形AlxGa(1−x)N層30C、中間部真性III族窒化層32C、および頂部p形AlyGa(1−y)N層36Cを含む。底部n形AlxGa(1−x)N層30Cは、例えば約1μm以上の厚み、および[0,0.25]の範囲内のアロイ・パラメータ「x」(例えばx=0.15)を有してよい。n形層30Cは、例えば1立方センチあたり約1017〜1018のn形Si原子でドープされる。中間部真性III族窒化層32Cは、例えば約0.1μm〜約0.2μmの厚みを有する真性GaN半導体基材を含む。真性GaN中では、ドーパント原子の濃度は、この種の原子で1立方センチあたり約1015〜1016、またはそれより少ない。半導体基材は、その中に分布する量子ドット34の1つまたは複数の横方向配列を含む。量子ドット34は、真性III族窒化インジウム・アロイ、例えばInN、または[0,1]の範囲内にありw+z>0であるwおよびzを有するInw+zGa(1−w)Al(1−z)Nで形成される。したがって、量子ドット34は、層32Cの囲んでいる半導体基材とは異なるアロイで形成される。真性Inアロイ中では、ドーパント濃度は、ドーパント原子が1立方センチあたり約1017〜1018の濃さであることが可能である。頂部p形AlyGa(1−y)N層36Cは、例えば、約0.5μmの厚みおよび[0,0.25]の範囲内のアロイ・パラメータ「y」を有することが可能である。p形層36Cは、例えば1立方センチあたり約1018〜1020のMg原子でドープ可能である。多層のIII族窒化物アロイ構造は、光をインデックス・ガイドしやすい縦方向の屈折率プロファイルを有し、その結果、光は中間部の真性III族窒化層32Cの周りに集中する。つまり、光がインデックス・ガイドされて、隣接する量子ドット34および囲んでいる半導体基材に集中し、この集中が光源8の光学利得媒体を形成する。
アクティブ発光スタック18Cの横方向の断面形状はまた、頂部AlyGa(1−y)N層36Cの頂部表面に沿った隆起部38も含む。隆起部38は、例えば約0.25μmの高さおよび約2μm〜約10μmの横幅を有してよい。光導波路25は、例えば約30μm〜約50μmの全横幅を有してよい。この種の断面形状について、隆起部38の比較的高い屈折率が、図2の光導波路25中に伝播している光を横方向へインデックス・ガイドする補助をする。
図8Aは、図1および図3のアクティブ発光スタック18の実施形態を製造するための1つの方法50Aを示す。
方法50Aは、平面成長表面を有する結晶成長基板を準備するステップを含む(例えば、頂部表面16および結晶基板12)(ステップ52)。結晶成長基板は、サファイア(すなわちAl2O3)、シリコン、または他の基板(例えば6H−SiCまたは4H−SiC)であってよい。サファイアおよびSiCについて、平面成長表面は、(0001)格子面である。シリコンについては、平面成長表面は、(111)格子面である。
方法50Aは、平面成長表面を有する結晶成長基板を準備するステップを含む(例えば、頂部表面16および結晶基板12)(ステップ52)。結晶成長基板は、サファイア(すなわちAl2O3)、シリコン、または他の基板(例えば6H−SiCまたは4H−SiC)であってよい。サファイアおよびSiCについて、平面成長表面は、(0001)格子面である。シリコンについては、平面成長表面は、(111)格子面である。
方法50Aは、結晶成長基板の成長表面上にAlNまたはGaNの結晶質バッファ層をエピタキシャル成長させるステップを含む(ステップ54)。この成長は、分子線エピタキシー(MBE)などの従来のエピタキシャル加工を行うステップを含む。エピタキシャル成長は、約20nm〜約50nmの厚みを有する薄い結晶質バッファ層を生成する。結晶質バッファ層格子は、格子不整合の結晶成長基板上のIII族窒化物の成長から生じるひずみを緩和する。格子整合した結晶成長基板が入手可能な場合、結晶質のバッファ層は必要ない。
次に、方法50Aは、結晶質のバッファ層上に、0≦z≦0.25(例えばz=0.15)のn形層のGazAl(1−z)N(例えば層30A)をエピタキシャル成長させるステップを含む(ステップ56)。このエピタキシャル成長のステップは、厚みが約0.5μm〜約4.0μmである結晶層を形成する。この成長の間、結晶成長基板は、約650℃〜約800℃の温度に保持される。
エピタキシャル成長ステップ56の間、いくつかのソースが成長層に物質を供給する。ソース一式がGa、Al、In、およびNを供給する。Gaについてのソースは、例えばRiber社(133 boulevard National、BP 231、92503 Rueil Malmaison Cedex、France)(www.riber.com)のABN−135型エフュージョン・セルであってよい。Gaエフュージョン・セルは、約980℃〜1030℃の温度で操作される。Alについてのソースは、約1020℃〜1120℃の温度で操作される別のRiber社のABN−135型エフュージョン・セルであってよい。Nについてのソースは、約250ワット〜350ワットのRFパワー、および約0.5標準立方センチメートル毎分(sccm)〜0.9sccmのガス流速で操作されるプラズマ・ソースであってよい。例示のプラズマ・ソースは、ADDON社(19 rue des Entrepreneurs、78420 Carrieres sur seine、France)(contact@addon−mbe.com)のプラズマ・ソース、RFB−RB3型、シリアル番号001206である。最後のソースは、同時に1立方センチあたり約1017〜1018のドーパント濃度のn形原子を与えるために、n形のドーパント原子(例えばSi)を供給する。Siについてのソースは、約900℃〜1100℃の温度で操作される別のRiber社ABN−135型エフュージョン・セルであってよい。
次に方法50Aは、窒化インジウム・アロイの量子ドット(例えば量子ドット34)の配列を成長させるステップを含む(ステップ58A)。量子ドットは、GazAl(1−z)Nのn形層の自由表面上に成長される。成長の間、量子ドットが劣化しないように、基板の温度は約600℃よりも低く(例えば400℃〜500℃に)保持される。例えば、InNは約500℃〜600℃の高温で分解する。Inについてのソースは、約700℃〜850℃の温度で操作される別のRiberのABN−135型エフュージョン・セルであってよい。
ステップ58Aのエピタキシャル成長は、インジウム、窒素、ならびに適宜のガリウムおよび/またはアルミニウムのアロイである(例えばInN)量子ドットを生成する。GaまたはAlを含むアロイは、通常はInNよりも大きいバンドギャップを有し、それによって量子ドットが潜在的により長波長での発光を有することができる。成長ステップは、予め選択された波長または予め選択された波長範囲内で発光するために適切な大きさの量子ドットを生成する。例えば、量子ドットは、1280nm〜約1600nmの通信範囲内で発光するようになされてよい。量子ドットは、約1nm〜5nmの高さに成長でき(例えば2nm)、約10nm〜50nmの直径に成長できる。ステップ58Aの間、成長条件によって、連続した層の2次元成長ではなく複数の島の3次元(3D)成長が起こる。
InN島の3D成長を生成するための1つの方法は、例えばRiber社の型番号32PのMBEチャンバ内で第1および第2の成長ステップ作業を交互に行うステップを含む。第1の成長ステップでは、窒素ソースが遮断された状態で、成長表面が30〜60秒間In蒸着を受ける。このステップ間で、Inエフュージョン・セルは約670℃よりも高温になる(例えば約740℃〜約790℃)。第2の成長ステップでは、Inエフュージョン・セルが遮断された状態で、成長表面が約30〜60秒間窒素を受ける。このステップ間で、窒素ガスは0.4sccm〜0.6sccmの流速を有し、プラズマを生成する約200ワット〜350ワットのRFパワーのRFバックグラウンド・パワー中にある。第1および第2の成長ステップ作業は、InN量子ドットが所望の大きさを有するまで繰り返される。
InN島のこの種の3D成長を生成するための別の方法は、Stranski−Krastanov成長についての条件を発生させるステップを含む。Stranski−Krastanov成長の間、成長表面は継続的にInおよびNの両方に対して露出され、その結果、少しのInNの二重層が付着した後、成長は2Dモードから3Dモードへ切り替わる。
次に、方法50Aは、0<z≦0.25であるGazAl(1−z)Nアロイ(例えばGaN)の薄い真性のまたはp形のキャッピング層を量子ドットの配列上にエピタキシャル成長させるステップを含む(ステップ60A)。キャッピング層は約20nm〜約50nmの厚みを有することが好ましい。この成長の間、結晶基板は量子ドットを成長させるために使用される温度とほぼ同じ温度に保持される(例えばInN量子ドットについては約450℃〜約550℃)。この低い成長温度のために、量子ドットはキャッピング層の成長の間に分解しない。成長の間に、GazAl(1−z)Nは、1立方センチあたり約1×1018〜約1×1020の不純物原子濃度までマグネシウム(Mg)などのp形不純物でドープされてよい。250℃と400℃の間の温度で操作されるRiber社のABN−135型エフュージョン・セルは、p形ドーピングについてのMgソースになることが可能である。
次に、方法50Aは、約650℃〜750度へ基板温度を上昇させ、この高くされた温度で同じまたは異なるGazAl(1−z)Nアロイのp形層(例えば層36A)のエピタキシャル成長を継続するステップを含む(ステップ62)。頂部p形GazAl(1−z)Nが約0.2μm〜約0.5μmの厚みを有するとき、エピタキシャル成長は停止される。
図8Bは、図7のアクティブ発光スタック18Cの実施形態を製造するための例示の方法50Bを示す。
方法50Bは、図8Aの方法50Aに関して記載したようなステップ52、54、および56を実行するステップを含む。このステップは、例えば、図7に示したように、層30Cおよび層14ならびに結晶基板12を有する多層構造を生成する。
方法50Bは、図8Aの方法50Aに関して記載したようなステップ52、54、および56を実行するステップを含む。このステップは、例えば、図7に示したように、層30Cおよび層14ならびに結晶基板12を有する多層構造を生成する。
次に方法50Bは、n形層のGazAl(1−z)Nの自由表面上に真性GaNの層をエピタキシャル成長させるステップを含む(ステップ57B)。得られる真性GaN層は、例えば約0.5μm〜約0.1μmの厚みを有してよく、ドーパント原子が1立方センチあたり約1015〜1016のドーパント・レベルを有することができる。生成されたGaNの層の例は、図7の量子ドット34の配列より下に位置する層32Cの部分である。
次に方法50Bは、量子ドット(例えば量子ドット34)の配列を真性または非ドープのGaN層の自由表面上に成長させるステップを含む(ステップ58B)。成長は、非ドープのIII族のInの窒化物アロイである量子ドットを生成し、上記ステップ60Aに関してすでに記載した成長条件を使用する。特に、成長はInアロイを分解しない低温でなされ、2D層成長よりもむしろ3D島成長を生成するように制御される。成長は、例えば約1nm〜5nmの高さ(例えば2nm)および約10nm〜50nmの直径を有する量子ドット、または所望の発光スペクトルに対して適切な他の大きさの量子ドットを生成することができる。例えば、量子ドットは上記記載の通信範囲内で発光のために適切な大きさに成長させることができる。
次に、方法50Bは、量子ドットの配列を覆うように真性または非ドープのGaNのキャッピング層をエピタキシャル成長させるステップを含む(ステップ60B)。真性GaNのキャッピング層は、例えば約0.5μm〜約0.1μmの厚みを有してよく、ドーパント原子が1立方センチあたり約1015〜1016のドーパント・レベルを有することができる。キャッピング層はGaNの基材で個別の量子ドットを横方向に囲み、量子ドットを覆う。キャッピング層の例は、例えば、図7の層32Cの上方部分である。
GaNキャッピング層の20nm〜50nmの第1の成長の間、結晶成長基板は量子ドットを成長させるために使用された温度に保持される。InN量子ドットについて、温度は約600℃より低く保持され(例えば450℃〜550℃)、その結果量子ドットは劣化しない。低い成長温度は、GaNキャッピング層の成長の間、量子ドットの分解を軽減させる。
次に方法50Bは、約650℃〜750℃に基板温度を上昇させるステップ、およびGazAl(1−z)Nアロイ(ここで0<z≦0.25)のp形層(例えば図7の層36C)をエピタキシャル成長させるステップを含む(ステップ62)。この成長は、例えば約0.2μm〜約0.5μmの厚みを有するGazAl(1−z)Nのp形層を生成可能である。この成長についての条件は、方法50Aのステップ62に関してすでに記載した。
製造方法50Bの代替実施形態は、例えば図6の層32B中と同じように真性GaNの基材中の同じInNアロイの量子ドットの縦方向に積層された配列を生成するように58B〜60Bのステップを数回繰り返すステップを含む。縦方向の断面は、n形GazAl(1−z)N/[非ドープGaN/InNアロイ量子ドット]/[非ドープGaN/InNアロイ量子ドット]/[非ドープGaN/InNアロイ量子ドット]/…/非ドープGaN/p形GazAl(1−z)Nといった形状の順である。縦方向の配列の総厚は、例えば1μm〜2μmの厚みであってよい。縦方向の配列中では、真性GaN層はまた量子ドットのInNアロイとは異なる別の真性III族窒化物アロイの層によって置換されてよい。この種の実施形態では、底部n形のGazAl(1−z)N層および頂部p形のGazAl(1−z)N層は、上記記載のドーパント濃度を有する。この種のInN量子ドットの配列の縦方向の積層は、通常LED光源の強さを増加することになる。
図9は光源(例えば図2および図7の光源8)を製造するための方法70を示す。光源は光導波路を備えるファブリー・ペロキャビティを含み、例えばレーザーであってよい。製造方法70は、図10に示すように、中間部構造82、83、84を製造する。
方法70は、LEDのアクティブ発光スタック(例えば発光スタック18C)の上に矩形光導波路構造96およびより低い導電性の電極についての領域を形成するように1つまたは複数のドライ・エッチングを実行し、それによってLED構造82を形成するステップを含む(ステップ72)。各ドライ・エッチングは従来型のリソグラフィ・マスクによって制御され、従来型の処理を使用する(例えば塩素(Cl)/アルゴン(Ar)混合気体に基づく誘導結合型反応性イオン・エッチング)。
方法70は、LEDのアクティブ発光スタック(例えば発光スタック18C)の上に矩形光導波路構造96およびより低い導電性の電極についての領域を形成するように1つまたは複数のドライ・エッチングを実行し、それによってLED構造82を形成するステップを含む(ステップ72)。各ドライ・エッチングは従来型のリソグラフィ・マスクによって制御され、従来型の処理を使用する(例えば塩素(Cl)/アルゴン(Ar)混合気体に基づく誘導結合型反応性イオン・エッチング)。
エッチングステップは1回または2回のドライ・エッチングを含んでよい。1回のドライ・エッチングは、n形III族窒化物の発光スタックの底部層(例えば底部層30C)の一部分を露出することによって光導波路構造96を常に形成する。任意の2回目のドライ・エッチングは、光導波路構造96の中央部上にインデックス・ガイドを行う隆起部38を画定してよい。隆起部38は、例えば高さ約0.5μmであってよい。隆起部を画定するステップは、p形III族窒化物の頂部層の光クラッディング部分(例えば頂部層36Cの部分)をエッチングして除去するステップを含む。2回目のエッチングは、光導波路構造96中に横方向に光をインデックス・ガイドする断面形状を生成する。断面形状は、例えば、図2および図7に示す光源8の光導波路25に適している。
次に方法70は、LED構造82の頂部表面100上に透明誘電体の共形層24を付着させ、それによって構造83を製造するステップを含む(ステップ74)。誘電体は、光半導体導波路構造96の外側光クラッディングに適する屈折率を有する。誘導体層の厚みは、約0.1μmと約0.3μmの間であることができる。層24について、例示の誘導体は、ドープまたは非ドープの石英ガラスおよびドープまたは非ドープの窒化ケイ素を含む。この種の誘導体を付着させるための方法は、当業者に知られている。
次に、方法70は光導波路構造96の全長に沿う誘導体層24を介して窓104、106をドライ・エッチングするステップを含む(ステップ76)。一方の窓104は、光導波路構造96の中央部分上の隆起部38上にあり、他方の窓106は、光導波路構造96に隣接する。
次に方法70は、窓104、106を介して露出されるLED構造のIII族窒化半導体上に導電性電極20、22を形成し、それによってLED構造84を生成するステップを含む(ステップ78)。導電性電極20、22を形成するステップは、例えばマスク制御蒸着を実行するステップを含み、単層または多層の金属を付着させるステップを含んでよい。導電性電極20、22の例は、図1のLED10に関して記載してあり、Au、Al、Al/Ti、またはPt、Au/Ni、あるいはRu/Ptなどの単層または多層の金属を含んでよい。
最後に方法70は、ファブリー・ペロキャビティの両端面に反射体を生成するように光導波路構造96の端面をへき開または研磨するステップを含む(例えば図2の面26、28)(ステップ80)。
図1のLED10または図2あるいは図7の光源8から光を発生させるために、電流が導電性電極20と22の間に送り込まれる。電流は量子ドット34中の伝導バンドのレベルに電子を励起してよい。電子は次いで量子ドット34の価電子バンドから正孔に連続して再結合することによって発光可能である。
別の実施形態では、n形ドーピングおよびp形ドーピングの役割は入れ替わる。つまり、図1〜図3および図6、図7の発光スタック18、18A〜18C中で、III族窒化物の頂部層(例えば層36A〜36C)はn形となり、III族窒化物の底部層(例えば層30A〜30C)はp形となる。
上記の開示、図面、および特許請求項の範囲から、本発明の他の実施形態は当業者に明らかとなるだろう。
上記の開示、図面、および特許請求項の範囲から、本発明の他の実施形態は当業者に明らかとなるだろう。
Claims (10)
- 1つまたは複数のIII族窒化物アロイの半導体基材と、前記基材内に分散された量子ドットとを有する発光ダイオードを備え、前記量子ドットが前記基材の前記1つまたは複数のIII族窒化物アロイとは異なるIII族窒化物アロイとを備える、
装置。 - 前記量子ドットがインジウムを備える、請求項1に記載の装置。
- 前記基材が、ガリウム・アロイまたはアルミニウム・アロイを備える、請求項2に記載の装置。
- 前記量子ドットが前記ダイオードのn形領域とp形領域の間に分散された装置であって、
前記基材が前記ダイオードのn形領域とp形領域の間にはさまれ、前記n形およびp形領域よりも高い屈折率の半導体アロイを有する、
請求項2に記載の装置。 - 前記量子ドットが前記ダイオードのn形領域と前記ダイオードのp形領域の間の方向に沿って縦方向の積層を形成する層中に分布する、請求項1に記載の装置。
- ファブリー・ペロキャビティ及びその中に光学利得媒体を有するレーザーをさらに備え、前記光学利得媒体が前記発光ダイオードの前記基材および量子ドットを備える、
請求項1に記載の装置。 - 結晶基板上に第1のIII族窒化物アロイの複数の量子ドットを成長させるステップと、
前記量子ドットを覆うために異なる第2のIII族窒化物アロイのキャッピング層を成長させるステップとを含み、前記層の部分が前記量子ドット間に横方向に挿置される、
製造方法。 - 前記量子ドットがインジウムを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記層を成長させるステップが、約600℃よりも低い温度に前記基板を保持するステップを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記層の露出した表面上に前記第1のIII族窒化物アロイの別の複数の量子ドットを成長させるステップと、
前記別の複数の量子ドットを覆うように上にIII族窒化物アロイの別の層を成長させるステップとをさらに含み、前記別の層が前記第1のIII族窒化物アロイとは異なるIII族窒化物アロイを備える、
請求項7に記載の方法。
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