DE10218409A1 - Verfahren zur Herstellung von Nitriden - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Nitriden

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Abstract

Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Nitriden der Formel Ga¶1-x¶In¶x¶N, wobei 0,01 x 1 ist, bei dem eine oder mehrere Verbindungen der allgemeinen Formel M(NR¶2¶)¶3,¶ wobei alle R unabhängig voneinander stehen für H, lineares oder verzweigtes -C¶1-8¶-Alkyl oder -SiR·x·¶2,¶ mit R·x· gleich lineares oder verzweigtes -C¶1-8¶-Alkyl, und M steht für Ga, In oder Ga¶1-x¶In¶x¶ mit Ammoniak umgesetzt werden, wobei die eine oder mehreren Verbindungen M(NR¶2¶)¶3¶ so ausgewählt werden, dass das Verhältnis 1-x Ga zu x In auch in diesen Verbindungen gegeben ist.

Description

  • Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Nitriden der Formel Ga1-xInxN, wobei 0,01 ≤ x ≤ 1 ist, und die Verwendung der Verfahrensendprodukte.
  • InN und GaN sind Halbleiter mit einer direkten Bandlücke von 1,9 eV (InN) bzw. 3,4 eV (GaN) in der hexagonalen (Wurtzit-)Kristallstruktur. Beide Verbindungen zeigen effiziente (Photo-)Lumineszenz entsprechend dieser direkten Bandlücke (nach erfolgter Bestrahlung mit Licht ausreichender Energie h.ν > Egap).
  • Die Herstellung dünner Schichten gemischter Indium- und Galliumnitride ist aus verschiedenen Publikationen bekannt. Beispielsweise ist aus der Publikationen K. Osamura, S. Naka, Y. Murakami; J. Appl. Phys. Vol. 46(8), 1975; p. 3432-3437 bekannt, dass kristalline schichten mittels Elektronenstrahl-Plasma-Technik aus Mischungen von hochreinem Gallium und Indium durch Umsetzung mit hochreinem N2 abgeschieden werden können. Weiter ist aus der Publikationen bekannt, dass die Mischkristalle wie auch die binären Nitride in der Wurtzit- Struktur kristallisieren. Zwischen den Gitterkonstanten der Mischkristalle und den Zusammensetzungen der Mischkristalle besteht dabei ein linearer Zusammenhang. Es wurde dort ebenfalls gezeigt, dass die Energie der Bandlücke mit zunehmendem Anteil von Indium in den Mischkristallen kontinuierlich abnimmt. Entsprechend sollte die Farbe der Lumineszenz sich in dieser Mischkristallreihe über die Zusammensetzung der Mischkristalle von blauviolett bis rot einstellen lassen.
  • GaN- und In(x)Ga(y)N-Schichten werden häufig auch durch MOCVD (metalorganic chemical vapour deposition)-Verfahren hergestellt (vgl. H. Morkoc, "Nitride Semiconducters and Devices", Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, 1999).
  • Generell sind alle bekannten Dünnschichtverfahren sehr aufwändig. Sie erfordern sehr hohe Temperatuen, großen Überschuß der Edukte (z. B. werden beim MOCVD-Verfahren GaEt3, bzw. InEt3 mit einem ca. 1000-fachen molaren Überschuß von NH3 umgesetzt). Auch das Wachstum gleichmäßiger Schichten ist problematisch. Es existiert kein Substrat, das die erforderlichen hohen Temperaturen (um 1000°C) aushält und gleichzeitig über entsprechende Gitterparameter verfügt. Es ist also keine homoepitaktische Abscheidung möglich. Durch bestimmte Wachstumsmodi über sog. "buffer-layer" ist ein heteroepitaktisches Wachstum auf Substraten, die von dem Nitrid abweichende Gitterparameter besitzen, unter großem Aufwand möglich. Jedoch bilden sich hier leicht Gitterstörungen aus.
  • Nanokristalline Pulver sind mit den beschriebenen Verfahren nicht zugänglich.
  • Für die Ausnutzung des Lumineszenzeffektes der hexagonal kristallisierenden Mischkristallnitride in vielen technischen Anwendungen wäre jedoch ein Herstellverfahren erforderlich, dass es erlaubt größere Mengen von pulverförmigen Nitriden der Formel Ga1-xInxN in reiner Form herzustellen.
  • Daher besteht Bedarf nach einem technisch einsetzbaren Herstellverfahren für partikuläre Mischkristallnitride der Formel Ga1-xInxN.
  • Jetzt wurde überraschend gefunden, dass InxGa1-xN mittels Feststoffpyrolyse geeigneter Precursoren in Ammoniakatmosphäre erhalten werden kann.
  • Ein erster Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist daher ein Verfahren zur Herstellung von Nitriden der Formel Ga1-xInxN, wobei 0,01 ≤ x ≤ 1 ist, das dadurch gekennzeichnet ist, dass eine oder mehrere Verbindungen der allgemeinen Formel M(NR2)3, wobei alle R unabhängig voneinander stehen für H, lineares oder verzweigtes -C1-8-Alkyl oder -SiRx 2, mit Rx gleich lineares oder verzweigtes -C1-8-Alkyl, und M steht für Ga, In oder Ga1-xInx, mit Ammoniak umgesetzt werden, wobei die eine oder mehreren Verbindungen M(NR2)3 so ausgewählt werden, dass das Verhältnis 1 - x Ga zu x In auch in diesen Verbindungen gegeben ist.
  • Bei den so erhältlichen Nitriden der Formel Ga1-xInxN, wobei 0,01 ≤ x ≤ 1 ist, handelt es sich vorzugsweise um hochkristalline Pulver, die für x < 1 bevorzugt in Form phasenreiner Mischkristalle erhalten werden. Vorzugsweise werden Mischkristalle erhalten, bei denen x ≤ 0,99, vorzugsweise x ≤ 0,90 bzw. 0,05 ≤ x, vorzugsweise 0,10 ≤ x ist. In einer anderen ebenfalls bevorzugten Variante des erfindungsgemäßen Verfahren wird reines InN hergestellt.
  • Insbesondere für die beschriebenen Anwendungen ist es erforderlich, dass die Nitride in ihrer hexagonalen Modifikation (Wurtzit-Struktur) vorliegen. Während die bekannten Abscheidungsverfahren häufig auch die kubische Zinkblendeform liefern, kann mit dem erfindungsgemäßen Verfahren phasenrein die hexagonale Modifikation der Nitride erhalten werden.
  • Die erfindungsgemäßen Nitride können dabei Verunreinigungen enthalten. Insbesondere im Hinblick auf die optischen und elektronischen Anwendungen ist es allerdings bevorzugt, wenn der Anteil an Verunreinigungen möglichst gering ist. Insbesondere ist es bevorzugt, wenn der Anteil an Verunreinigungen kleiner 1 Gew.-% ist.
  • Als Verunreinigungen treten in erster Linie Oxide und Imide bzw. -O- bzw. -NH- Funktionen als Störstellen im Nitrid-Kristallgitter auf. Um diese Verunreinigungen möglichst gering zu halten ist es erforderlich während der Herstellung der Precursoren bzw. der Nitride Sauerstoff und Feuchtigkeit auszuschließen. Entsprechende Arbeitstechniken, die dies durch Einsatz von Schutzgasen, vorzugsweise Argon, und Reinigung der eingesetzten Reagenzien und Hilfsmittel ermöglichen, sind dem Fachmann geläufig.
  • Als Precursoren werden Verbindungen M(NR2)3, wobei alle R unabhängig voneinander stehen für H, lineares oder verzweigtes -C1-8-Alkyl oder -SiRx 2, mit Rx gleich lineares oder verzweigtes -C1-8-Alkyl, und M steht für Ga, In oder Ga1--xInx eingesetzt. Bevorzugte Reste R sind dabei H, Methyl, Ethyl, iso-Propyl, tertiär-Butyl und Trimethylsilyl. Insbesondere bevorzugte Verbindungen M(NR2)3sind gewählt aus den Verbindungen M(NHtBu)3, M(N(CH3)2)3, M(N(C2H5)2)3 und M(N(Si(CH3)3)2)3. Erfindungsgemäß kann es sich bei den Verbindungen M(NR2)3 um definierte, kristalline Verbindungen handeln. Beispiele für solche definierte Verbindungen sind In(NHtBu)3, das nach der Dissertation Th. Grabowy "Synthese und Struktur neuer Gallium- und Indium-Stickstoff-Verbindungen", Universität Halle, 2001 in Form eines tetrameren Kuban-Käfigs kristallisiert und Ga(NHtBu)3 bzw. [Ga(NMe2)3]2, die Dimere mit einem Vierring in dem Gallium über Stickstoff mit Gallium verbunden ist, bilden (vgl. Nöth et al. Z. Naturforsch. 1975, 30b, 681).
  • Insbesondere, wenn M in M(NR2)3 für InxGa1-x mit x < 1 steht, kann es sich bei diesen "Verbindungen" erfindungsgemäß jedoch auch um schlecht definierte Gemische von Umsetzungsprodukten der Halogenid-Mischungen oder Mischkristalle des Galliums und Indiums mit entsprechenden Amiden handeln.
  • Die Herstellung der Precursoren erfolgt vorzugsweise in einem vorgeschalteten Reaktionsschritt durch Umsetzung entsprechender Indium- und Galliumhalogenide mit Verbindungen der allgemeinen Formel LiNR2 (im folgenden auch Lithiumamid genannt), wobei alle R unabhängig voneinander stehen für H, lineares oder verzweigtes -C1-8-Alkyl oder -SiRx 2, mit Rx gleich lineares oder verzweigtes -C1-8-Alkyl. Dabei handelt es sich bei den Indium- und Galliumhalogeniden vorzugsweise um Chloride, Bromide, Iodide oder Mischungen davon, insbesondere bevorzugt um Chloride. Die Herstellung der oben beispielhaft genannten Precursoren ist dabei aus der genannten Literatur bekannt.
  • Die Umsetzung des oder der Halogenide mit dem Lithiumamid erfolgt dabei vorzugsweise in einem inerten Lösungsmittel, wobei das Lithiumamid langsam zu einer Lösung oder Suspension der Halogenide zugegeben wird. Als Lösungsmittel für diese Umsetzung eignen sich übliche aprotische Lösungsmittel. Beispielsweise können Diethylether, Tetrahydrofuran, Benzol, Toluol, Acetonitril, Dimethoxyethan, Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid und N-Methyl-pyrrolidon eingesetzt werden.
  • Das Reaktionsprodukt kann dann von dem Nebenprodukt Lithiumhalogenid entweder durch Waschen oder durch Extraktion mit einem geeigneten Lösungsmittel abgetrennt werden.
  • Wenn M in M(NR2)3 für InxGa1-x mit x < 1 steht, werden die Halogenide zur Umsetzung mit dem Lithiumamid vorzugsweise in dem Molverhältnis x In zu 1 - x Ga eingesetzt, das in dem Precursor und auch in dem resultierenden Nitrid eingestellt werden soll. In diesem Fall wird zur Herstellung des Nitrids lediglich eine Verbindung M(NR2)3 eingesetzt, wobei alle R die oben angegebene Bedeutung haben und M für Ga1-xInx steht und die Verbindung M(NR2)3 vorzugsweise hergestellt wird durch Umsetzung einer Mischung von 1 - x Teilen Galliumhalogenid und x Teilen Indiumhalogenid mit dem entsprechenden Lithiumamid.
  • In einer anderen bevorzugten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens wird mindestens eine Verbindung Ga(NR2)3 und mindestens eine Verbindung In(NR2)3 eingesetzt, wobei alle R unabhängig voneinander die oben gegebene Bedeutung haben. In diesem Fall werden die Gallium- und Indiumamide getrennt hergestellt und dann vor der Umsetzung mit Ammoniak entsprechend dem gewünschten Verhältnis Gallium zu Indium gemischt.
  • Die eine oder mehreren Verbindungen der allgemeinen Formel M(NR2)3 werden erfindungsgemäß mit Ammoniak umgesetzt. Dabei kann die Umsetzung in Ammoniakatmosphäre oder im Ammoniakstrom erfolgen. Bevorzugt erfolgt die Umsetzung mit Ammoniak im wesentlichen bei einer Temperatur aus dem Bereich von 200°C bis 1000°C. Im wesentlichen bedeutet dabei, dass es erfindungsgemäß auch bevorzugt ist, wenn die Umsetzung mit Ammoniak bei Raumtemperatur begonnen wird und bei erhöhter Temperatur fortgesetzt wird. Praktisch bedeutet dies, dass die Precursoren in dieser bevorzugten Erfindungsvariante im Ammoniakstrom erhitzt werden. Es wird jedoch davon ausgegangen, dass die eigentliche Bildung der Nitride erst bei der erhöhten Temperatur stattfindet. Vorzugsweise läuft die Umsetzung bei Temperaturen im Bereich von 400°C bis 600°C und insbesondere bevorzugt bei einer Temperatur aus dem Bereich von 450°C bis 550°C durchgeführt wird. Besonders gute Ergebnisse wurden bei Temperaturen von etwa 500°C erhalten. In der Regel kann dabei davon ausgegangen werden, dass höhere Temperaturen kürzere Reaktionszeiten erlauben und niedrigere Temperaturen längere Reaktionsdauern erforderlich machen. Wenn phasenreine, hochkristalline Produkte gewünscht werden, hat sich jedoch gezeigt, dass es von Vorteil ist, wenn bei Temperaturen im Bereich von 400°C bis 600°C gearbeitet wird, da in Einzelfällen beobachtet wurde, dass sich bei Reaktionstemperaturen oberhalb 600°C und Reaktionszeiten von 2 Stunden und mehr elementares Indium als Verunreinigung bildet.
  • Für eine Anwendung als Fluoreszenzmarker sollten die erfindungsgemäßen InxGa1-xN-Kristallite eine reproduzierbar einstellbare, schmalbandige und stabile Photolumineszenz aufweisen. Dies erfordert hochkristalline, phasenreine Mischkristalle, die auch in den Kristalldomänen als homogene Mischkristalle exakter Zusammensetzung vorliegen. Es hat sich gezeigt, dass die erfindungsgemäß herstellbaren Nitride diesen Anforderungen gerecht werden. Daher ist ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung die Verwendung der erfindungsgemäßen Verfahrensendprodukte als Fluoreszenzmarker.
  • Eine weitere Anwendung der erfindungsgemäßen Verfahrensendprodukte besteht in der Verwendung als Frequenzkonverter in Leuchtdioden (LED). Die erfindungsgemäß hergestellten Mischkristalle werden dabei in den Leuchtkörper einer intensiv leuchtenden LED integriert. Die elektrolumineszente, kurzwellige Lichtstrahlung der LED regt die Mischkristalle zur Photolumineszenz an. Das Licht, welches die LED dann emittiert, setzt sich additiv aus dem Elektrolumineszenzlicht der LED und dem Photolumineszenzlicht des Mischkristalls zusammen. Durch geeignete Anordnung unterschiedlicher Mischkristalle der Formel InxGa1-xN mit verschiedenen Werten für x und damit unterschiedlichen Bandlücken im Leuchtkörper der LED ist es so möglich Mehrbandenlumineszenz mit einer derartigen LED zu erzeugen. Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist daher eine Leuchtdiode, die mindestens ein erfindungsgemäßes Verfahrensendprodukt enthält.
  • Insbesondere polymere Emitter ("lange" Moleküle in organischen LED (= OLED) zeigen breite Elektrolumineszenzbanden. Dies wirkt sich negativ auf die spektrale Reinheit der empfundenen Farbe aus. Insbesondere bei "roten" OLEDs liegt ein großer Intensitätsanteil im Infraroten Bereich. Dadurch besitzen diese OLED nur geringe Intensität und wirken auf das menschliche Auge oft Orange statt rot. Werden die erfindungsgemäßen Verfahrensendprodukte mit den OLEDs kombiniert, so regt das elektrolumineszente Polymer in einem strahlungslosem Übergang das Mischkristallnitrid zur Photolumineszenz an. Wahrgenommen wird die schmalbandige Lumineszenz des Nitrids. Durch das direkte Bandlücke des Halbleiters kann zudem die Intensität des OLED erhöht werden.
  • Die folgenden Beispiel dienen der Erläuterung der vorliegenden Erfindung und schränken den Gegenstand der Erfindung nicht ein. Im übrigen ist die Erfindung im gesamten beanspruchten Bereich in der beschriebenen Weise ausführbar.
    • Beispiele
  • Alle im folgenden beschriebenen Umsetzungen werden soweit nichts anderes angegeben unter Luft- und Feuchtigkeitsausschluss (Argon-Atmosphäre) durchgeführt. Alle Reagenzien werden entweder direkt in entsprechender Reinheit eingesetzt oder nach Standardmethoden (z. B. gemäß "Handbuch der präparativen anorganischen Chemie" Georg Brauer (Herausg.) 3. Auflage, F. Enke Verlag Stuttgart 1975 oder "Organikum", 21. Auflage, Wiley-VCH Weinheim, 2001) gereinigt und getrocknet. Abkürzungen Me = Methyl
    tBu = tertiär-Butyl
    THF = Tetrahydrofuran
    • Beispiel 1a Herstellung von In(NHtBu)3
  • In einem Kolben werden bei -80°C 6 g InCl3 mit 150 ml gekühltem Tetrahydrofuran (THF) gemischt. Es wird einige Zeit gerührt und anschließend wird LiNHtBu (3 mol pro mol InCl3; gelöst in 200 ml THF) unter ständigem Rühren und Kühlen zugetropft. Anschließend wird das Reaktionsgefäß langsam erwärmt und 40 Stunden gerührt. Die resultierende Lösung wird bis zur Trockne eingeengt und das anfallende Pulver in einem Soxhlet-Extraktor 24 h bei 135°C mit Toluols behandelt. Die erhaltene Lösung wird stark eingeengt und mit n-Hexan aufgenommen. Bei -20°C fallen die Kristalle des In(NHtBu)3 aus. Die Kristalle werden von der Lösung abdekantiert und im Vakuum getrocknet.
    • Beispiel 1b
  • In(N(CH3)2)3 wird analog Beispiel 1a aus InCl3 und LiN(CH3)2 erhalten. Ga(NHtBu)3 und Ga(NMe2)3 werden ebenfalls analog Beispiel 1a aus GaCl3 erhalten. Da diese Verbindungen besser in Toluol löslich sind, kann die Extraktion hier durch einfaches Lösen und Abfiltrieren ersetzt werden.
    • Beispiel 2 Herstellung von InxGa1-xN durch Ammonolyse der Precursoren aus Beispiel 1
  • Die beiden Precursoren In(N(CH3)2)3 und Ga(NMe2)3 werden in dem gewünschten Molverhältnis x In zu 1 - x Ga innig miteinander vermischt und anschließend in einem Schlenkrohr mit Einfüllstutzen im Ammoniakstrom umgesetzt. Dabei wird zuerst 10 h bei Raumtemperatur Ammoniak über die Mischung geleitet, anschließend wird auf 500°C erwärmt (Heizrate: 100°C/h) und die Temperatur 2 h gehalten. Nach dem Abkühlen im Argonstrom wird feinkristallines InxGa1-xN erhalten.
  • Analog kann die Umsetzung auch ausgehend von den anderen Precursoren erfolgen. Allgemein werden x In(NR2)3 mit 1 - x Ga(NR2)3 umgesetzt, wobei alle R gleich oder verschieden sein können.
    • Beispiel 3 Herstellung von InxGa1-x(NMe2)3
  • In einem Kolben werden bei -80°C 6 g einer Mischung aus InCl3 und GaCl3 im Molverhältnis x : 1 - x mit 150 ml gekühltem Tetrahydrofuran (THF) gemischt. Es wird einige Zeit gerührt und anschließend wird LiNMe2 (3 mol pro mol MCl3; gelöst in 200 ml THF) unter ständigem Rühren und Kühlen zugetropft. Anschließend wird das Reaktionsgefäß langsam erwärmt und 40 Stunden unter Rückfluss gerührt. Die resultierende Lösung wird bis zur Trockne eingeengt und das anfallende Pulver in einem Soxhlet-Extraktor 24 h bei 135°C mit Toluol behandelt. Die erhaltene Lösung wird stark eingeengt und mit n-Hexan aufgenommen. Bei -20°C fallen die Kristalle des InxGa1-x(NMe2)3 aus. Der Feststoff wird von der Lösung abdekantiert und im Vakuum getrocknet.
  • Analog kann auch die Umsetzung mit anderen Verbindungen LiNR2 z. B. LiNHtBu erfolgen.
    • Beispiel 4 Herstellung von InxGa1-xN durch Ammonolyse des Precursoren aus Beispiel 3
  • Das Produkt aus Beispiel 3 wird in einem Strömungsrohr im Ammoniakstrom umgesetzt. Dabei wird zuerst 10 h bei Raumtemperatur Ammoniak über die Mischung geleitet, anschließend wird auf 500°C erwärmt (Heizrate: 100°C/h) und die Temperatur 2 h gehalten. Nach dem Abkühlen im Argonstrom wird feinkristallines InxGa1-xN erhalten.

Claims (10)

1. Verfahren zur Herstellung von Nitriden der Formel Ga1-xInxN, wobei 0,01 ≤ x ≤ 1 ist, dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Verbindungen der allgemeinen Formel M(NR2)3, wobei
alle R unabhängig voneinander stehen für H, lineares oder verzweigtes -C1-8-Alkyl oder -SiRx 2, mit Rx gleich lineares oder verzweigtes -C1-8- Alkyl, und
M steht für Ga, In oder Ga1-xInx
mit Ammoniak umgesetzt werden, wobei die eine oder mehreren Verbindungen M(NR2)3 so ausgewählt werden, dass das Verhältnis 1 - x Ga zu x In auch in diesen Verbindungen gegeben ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in einem vorgeschalteten Reaktionsschritt Indium- und Galliumhalogenide mit Verbindungen der allgemeinen Formel LiNR2, wobei alle R unabhängig voneinander stehen für H, lineares oder verzweigtes -C1-8-Alkyl oder -SiRx 2, mit Rx gleich lineares oder verzweigtes -C1-8-Alkyl, zu den Verbindungen M(NR2)3, wobei M die oben gegebene Bedeutung hat, umgesetzt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei den Indium- und Galliumhalogeniden um Chloride, Bromide, Iodide oder Mischungen davon, vorzugsweise um Chloride handelt, wobei die Halogenide vorzugsweise im Molverhältnis x In zu 1 - x Ga eingesetzt werden.
4. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Umsetzung mit Ammoniak im wesentlichen bei einer Temperatur aus dem Bereich von 200°C bis 1000°C, bevorzugt im Bereich von 400°C bis 600°C und insbesondere bevorzugt bei einer Temperatur aus dem Bereich von 450°C bis 550°C durchgeführt wird.
5. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Umsetzung mit Ammoniak bei Raumtemperatur begonnen wird und bei erhöhter Temperatur fortgesetzt wird.
6. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung M(NR2)3 gewählt ist aus den Verbindungen M(NHtBu)3, M(N(CH3)2)3, M(N(C2H5)2)3 und M(N(Si(CH3)3)2)3.
7. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine Verbindung M(NR2)3 eingesetzt wird, wobei alle R die oben angegebene Bedeutung haben und M für Ga1-xInx steht, wobei die Verbindung M(NR2)3 vorzugsweise hergestellt wird durch Umsetzung einer Mischung von 1 - x Teilen Galliumhalogenid und x Teilen Indiumhalogenid gemäß Anspruch 2.
8. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Verbindung Ga(NR2)3 und mindestens eine Verbindung In(NR2)3 eingesetzt werden, wobei alle R unabhängig voneinander die oben gegebene Bedeutung haben.
9. Verwendung der Produkte eines Verfahrens nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8 als Fluoreszenzmarker.
10. Leuchtdiode, die mindestens ein Nitrid der Formel Ga1-xInxN, wobei 0,01 ≤ x ≤ 1, hergestellt nach einem Verfahren gemäß mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8 enthält.
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