JP5765632B2 - 化合物半導体超微粒子の製造方法 - Google Patents
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Description
第1の含イオウ金属化合物としてのジエチルジチオカルバミン酸銀(II)(Ag(S2CN(C2H5)2)2)を0.10mmol、第2の含イオウ金属化合物としてのジエチルジチオカルバミン酸亜鉛(II)(Zn((S2CN(C2H5)2)2)を0.05mmolを秤量し、さらに第3の含イオウ金属化合物としてのジエチルジチオカルバミン酸スズ(IV)(Sn(S2CN(C2H5)2)4)を0.05mmol、0.075mmol、0.15mmol、0.30mmolをそれぞれ秤量した。
試料番号1〜4の各試料を透過型電子顕微鏡(TEM)(日立ハイテクノロジーズ社製H-7650)で観察した。
Claims (5)
- Agを含有した第1の含イオウ金属化合物、Znを含有した第2の含イオウ金属化合物、及びSnを含有した第3の含イオウ金属化合物を脂肪族アミン中で加熱処理し、化学式Ag 2 ZnSnS 4 で表される化合物半導体を作製する化合物半導体超微粒子の製造方法であって、
前記第1及び第2の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比となるように秤量する一方、前記第3の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比の3倍以上となるように秤量し、前記第1〜第3の含イオウ金属化合物を前記脂肪族アミンに添加し、前記加熱処理を280℃〜350℃の温度範囲で行なうことを特徴とする化合物半導体超微粒子の製造方法。 - 前記第3の含イオウ金属化合物は、前記化合物半導体の化学量論組成比の6倍以下となるように秤量することを特徴とする請求項1記載の化合物半導体超微粒子の製造方法。
- 前記第1〜第3の含イオウ金属化合物は、Ag、Zn、及びSnの各金属元素をそれぞれ含有したジアルキルジチオカルバミン酸化合物であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の化合物半導体超微粒子の製造方法。
- 前記ジアルキルジチオカルバミン酸化合物に含有されるアルキル基は、エチル基であることを特徴とする請求項3記載の化合物半導体超微粒子の製造方法。
- 前記脂肪族アミンは、オレイルアミンであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の化合物半導体超微粒子の製造方法。
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