JP2009503445A - 二重測定スケールおよび高フルスケール値を有する集積化圧力センサ - Google Patents
二重測定スケールおよび高フルスケール値を有する集積化圧力センサ Download PDFInfo
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Abstract
Description
ΔL=E・σ
ただし、ΔLはコアの線形寸法の幾何学的な変化を示し、Eはコアを構成する材料のヤング係数であり、σは変形寸法に平行な方向にコアに作用する圧力である。このひずみゲージ素子は、電気抵抗の変化によってその素子が関連するコアの幾何学的変形を検出する。しかし、信頼性、寸法、およびコスト上の理由から、これらのセンサは生産フェーズでなく、これまでに述べたタイプのブレーキシステムの評価および改善の目的のみに適用可能であり利用可能である。さらに、それらは精度が高くなく、単一の測定スケールを装備している。
Claims (19)
- 第1主表面(16a)、バルク領域(17)、および圧力(P)が作用する感知部分(33)を有する半導体材料のモノリシック体(16)と、
前記モノリシック体(16)に形成し、また可撓性があり、前記圧力(P)の関数として変形可能な薄膜(19)によって前記第1の主表面(16a)から分離したキャビティ(18)であって、前記薄膜(19)を前記感知部分(33)の内側に配置し、前記バルク領域(17)によって囲した該キャビティ(18)と、
前記圧力(P)の第1範囲の値を感知可能な、前記薄膜(19)に集積化し、前記薄膜(19)の変形の関数として可変抵抗を有する、圧電抵抗型の第1低圧検出素子(28)と、
を備えた二重の測定スケールを備える圧力センサ(15)において、
前記薄膜(19)の外部に配置し、前記第1範囲の値よりも高い前記圧力(P)の第2範囲の値を感知可能な高圧感知素子(29)をさらに備えた
ことを特徴とする、二重の測定スケールを備える圧力センサ。 - 前記高圧感知素子は、前記感知部分(33)の内側の前記バルク領域(17)に形成し、前記圧力(P)の関数として可変抵抗を有する圧電抵抗型の第1高圧感知素子(29)を備える、請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記モノリシック体(16)は、前記第1主表面(16a)に対向し、距離(w)だけ前記第1主表面(16a)から離れる第2主表面(16b)をも有し、前記第1高圧感知素子(29)を、密実であり前記距離(w)にほぼ等しい厚さを有する前記バルク領域(17)の第1部分に形成した、請求項1または2に記載の圧力センサ。
- 前記距離(w)をほぼ一定とした、請求項3に記載の圧力センサ。
- 前記キャビティ(18)を、前記モノリシック体(16)内に内在かつ完全に隔離した、請求項1〜4のいずれか一項に記載のセンサ。
- 前記第1低圧検出素子(28)および前記高圧感知素子(29)は、互いに電気接続しない、請求項1〜5のいずれか一項に記載のセンサ。
- 前記バルク領域(17)は、第1タイプの導電性を示すものとし、前記第1低圧検出素子(28)および前記第1高圧感知素子(29)は、前記1タイプの導電性とは逆の第2タイプの導電性を有するものとし、前記モノリシック体(16)内へのドーパントの導入によって形成されるそれぞれのドープ領域を備える、請求項2〜6のいずれか一項に記載の圧力センサ。
- さらに、前記薄膜(19)内に集積化した圧電抵抗型の他の低圧検出素子(28)を備え、また前記高圧感知素子も、前記バルク領域(17)内および前記感知部分(33)の内側に集積化した圧電抵抗型の他の高圧検出素子(29)を備え、前記第1低圧検出素子(28)および前記他の低圧検出素子(28)は第1ブリッジ回路(36)をなすよう接続し、前記第1高圧検出素子(29)および前記他の高圧検出素子(29)は、前記第1ブリッジ回路(36)とは別個の第2ブリッジ回路(37)をなすよう接続した、請求項2〜7のいずれか一項に記載の圧力センサ。
- 前記バルク領域(17)は、第1タイプの導電性を示すものとし、前記第1低圧検出素子(28)および前記他の低圧検出素子(28)、ならびに前記第1高圧検出素子(29)および前記他の高圧検出素子(29)をそれぞれの相互接続部(30)によって互いに接続し、前記相互接続部(30)は前記第1タイプの導電性と逆の第2タイプの導電性を有するものとし、前記感知部分(33)の内側にドーパントを導入することによって形成されるドープ領域を備える、請求項8に記載の圧力センサ。
- さらに、前記バルク領域(17)における感知部分(33)に対して離れかつ別個の第2位置内に集積化した圧電抵抗型の少なくとも1個の基準素子(34)を備え、前記少なくとも1個の基準素子(34)は前記圧力(P)が変化するとき一定の抵抗を有し、前記第1高圧感知素子(29)および前記他の高圧感知素子(29)と前記第2ブリッジ回路(37)をなすよう接続した、請求項8または9に記載の圧力センサ。
- 前記薄膜(19)を前記感知部分(33)に対して中央位置に配置し、また前記感知部分(33)を前記モノリシック体(16)に対する中央位置に配置した、請求項1〜10のいずれか一項に記載の圧力センサ。
- 前記第1高圧感知素子(29)を50μm以上離れた距離に前記薄膜(19)配置した、請求項2〜11のいずれか一項に記載のセンサ。
- さらに、前記第1の主表面(16a)の上方に形成し、前記圧力(P)が前記感知部分(33)に均一に分布するように構成した弾性材料のクッション層(32a)を備える、請求項1〜12のいずれか一項に記載の圧力センサ。
- 圧力センサ(15)およびこの圧力センサ(15)に電気接続した測定回路(50)を備えた圧力測定デバイス(51)において、前記圧力センサ(15)は請求項1〜13のいずれか一項に記載のものとしたことを特徴とする、圧力測定デバイス。
- 前記圧力センサ(15)および前記測定回路(50)を前記モノリシック体(16)内に集積化した、請求項14に記載の圧力測定デバイス。
- 請求項10に従属する場合の請求項14または15に記載の圧力測定デバイスにおいて、前記測定回路(50)は、特定の動作条件の下で前記第1高圧感知素子(29)と前記第1基準素子(34)との間における抵抗差分の関数として圧力測定を行う、圧力測定デバイス。
- ブレーキシステム(1)において、請求項14〜16のいずれか一項に記載の圧力測定デバイス(51)を備えることを特徴とするブレーキシステム。
- 請求項17に記載のシステムにおいて、ブレーキディスク(8)と、電子制御ユニット(4)と、および前記電子制御ユニット(4)によって生成された制御信号に応答して前記ブレーキディスク(8)に制動作用が加わるように構成した電気機械式のアクチュエータ(5)とを備え、前記圧力測定デバイス(51)は、前記電気機械式のアクチュエータ(5)によって前記ブレーキディスク(8)に加わる圧力(P)の測定値を取得するように構成し、またこの測定値を前記電子制御ユニット(4)にフィードバック供給するように前記電子制御ユニットに接続した、システム。
- 圧力測定方法において、請求項1〜13のいずれか一項に記載の圧力センサ(15)を使用することを特徴とする、圧力測定方法。
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