JP2009301662A - 再生ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】CPP構造の磁気抵抗効果型再生素子を備える再生ヘッドに関して、バイアス印加層における形状のバラツキを防止して高精度に形成することを可能とし、それにより再生出力を安定させることが可能な再生ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る再生ヘッドの製造方法は、ワーク上に磁気抵抗効果層を形成する工程と、磁気抵抗効果層上にパターニングされたマスク層を形成する工程と、マスク層が形成されていない領域の磁気抵抗効果層をエッチングするパターニング工程と、絶縁層、バイアス印加層を全面に順次形成する工程と、金属層を全面に形成し、少なくとも金属層の上面がマスク層が形成されていない領域においてバイアス印加層の上面より高くなるまで積層する工程と、磁気抵抗効果層上のマスク層の上面が表出するまで金属層及び前記バイアス印加層を研磨する平坦化工程とを有する。
【選択図】図11
【解決手段】本発明に係る再生ヘッドの製造方法は、ワーク上に磁気抵抗効果層を形成する工程と、磁気抵抗効果層上にパターニングされたマスク層を形成する工程と、マスク層が形成されていない領域の磁気抵抗効果層をエッチングするパターニング工程と、絶縁層、バイアス印加層を全面に順次形成する工程と、金属層を全面に形成し、少なくとも金属層の上面がマスク層が形成されていない領域においてバイアス印加層の上面より高くなるまで積層する工程と、磁気抵抗効果層上のマスク層の上面が表出するまで金属層及び前記バイアス印加層を研磨する平坦化工程とを有する。
【選択図】図11
Description
本発明は、再生ヘッドの製造方法に関し、さらに詳細には、磁気抵抗効果型再生素子を用いた再生ヘッドの製造方法に関する。
近年、磁気ディスク装置等の記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の高記録密度化と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。例えば、再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるGMR(Giant Magnetoresistance)素子、あるいは、より高い再生感度の得られるTMR(Tunneling Magnetoresistance)素子等の磁気抵抗効果型再生素子を用いたヘッドが開発されている。一方、記録ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型のヘッドが開発されている。
例えば、再生ヘッドに、TMR素子のようなCPP(Current Perpendicular to the Plane)構造を備える磁気抵抗効果型再生素子が用いられる場合には、当該磁気抵抗効果型再生素子を挟むように設けられるバイアス印加層の形状のバラツキが、再生出力の変動を誘発する原因となってしまうため、バイアス印加層を高精度に形成することが課題となっている。
ここで、CPP構造の磁気抵抗効果型再生素子を備える再生ヘッドの製造方法に関する従来技術として、例えば、特許文献1に記載された方法等が提案されている。
ここで、CPP構造の磁気抵抗効果型再生素子を備える再生ヘッドの製造方法に関する従来技術として、例えば、特許文献1に記載された方法等が提案されている。
本発明は、CPP構造の磁気抵抗効果型再生素子を備える再生ヘッドに関して、バイアス印加層における形状のバラツキを防止して高精度に形成することを可能とし、それにより再生出力を安定させることが可能な再生ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。
この再生ヘッドの製造方法は、ワーク上に磁気抵抗効果層を形成する工程と、前記磁気抵抗効果層上にパターニングされたマスク層を形成する工程と、前記マスク層が形成されていない領域の磁気抵抗効果層をエッチングするパターニング工程と、絶縁層、バイアス印加層を全面に順次形成する工程と、金属層を全面に形成し、少なくとも前記金属層の上面が前記マスク層が形成されていない領域において前記バイアス印加層の上面より高くなるまで積層する工程と、前記磁気抵抗効果層上のマスク層の上面が表出するまで前記金属層及び前記バイアス印加層を研磨する平坦化工程と、を有することを要件とする。
これによれば、再生ヘッドのバイアス印加層の形状をバラツキなく高精度に形成することが可能となる。
本発明によれば、バイアス印加層に段差やバラツキを発生させることなく、その形状を高精度に形成することが可能となり、それによって、再生ヘッドの出力特性を安定させることが可能となる。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳しく説明する。図1〜図4は、本発明の実施形態に係る再生ヘッドの製造方法と、従来の実施形態に係る再生ヘッドの製造方法とに共通の工程を説明する説明図である。図5〜図7は、従来の実施形態に係る再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。図8は、従来の実施形態に係る再生ヘッドの製造方法により製造される再生ヘッドの構成を示す概略図である。図9、図10は、再生ヘッドの製造方法を説明する平面図(概略図)である。図11、図12は、本発明の第一の実施形態に係る再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。図13は、本発明の第一の実施形態に係る再生ヘッドの製造方法により製造される再生ヘッドの構成を示す概略図である。図14は、本発明の第二の実施形態に係る再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。図15は、本発明の第二の実施形態に係る再生ヘッドの製造方法により製造される再生ヘッドの構成を示す概略図である。なお、以上の図は、図9、図10を除いて、再生ヘッドにおける媒体対向面と平行な断面図として記載する。また、図中の矢印はエッチング方向(概略方向)である。
本発明に係る再生ヘッド1は、ハードディスク等の磁気記録媒体に記録された磁気信号を読み出す再生ヘッドである。なお、当該再生ヘッドの上に記録ヘッドを備える複合型磁気ヘッドとして形成してもよい。
本発明の実施形態(第一の実施形態)に係る再生ヘッド1の製造方法について説明する。ただし、途中工程までは、従来の実施形態に係る再生ヘッドの製造方法と同じであり、共通の工程として説明を行う。なお、積層構造(膜構成)は一例に過ぎない。
先ず、図1(a)に示すように、ベースとなるウエハ基板(図示せず)上に、下部シールド層11形成する。例えば、下部シールド層11は、NiFe等の磁性材料(軟磁性材)を用いて構成する。なお、図中の手前側が媒体対向面となる(以下図15に至るまで同様。ただし、図9、図10を除く)。
ここで、本明細書において、下部シールド層11以下の層をまとめて「ワーク」と呼ぶ。ワークの積層構造は種々の構成を採用し得る。
ここで、本明細書において、下部シールド層11以下の層をまとめて「ワーク」と呼ぶ。ワークの積層構造は種々の構成を採用し得る。
下部シールド層11の上層に、磁気抵抗効果層13を形成する。この磁気抵抗効果層13は、多層構造を有し、後の工程において加工されて、磁気抵抗効果型再生素子(再生素子)として機能することとなる。当該素子として、例えば、TMR素子もしくはCPP−GMR素子等が想定されるが、その積層構造(膜構成)は、種々の構成を採用することができる。なお、本実施形態では、TMR素子の場合を例としている。
次いで、図1(b)に示すように、磁気抵抗効果層13の上に、マスク層15を形成する。例えば、マスク層15は、Ta(タンタル)等の金属材料を用いて構成する。
次いで、図2(a)に示すように、マスク層15の上に、レジスト層17をパターニング形成する。例えば、レジスト層17は、材料にフォトレジストを用いて、公知のフォトリソグラフィプロセス等によって所望のパターン(ここでは、後の工程でマスク層15を除去しない領域)に形成する。
次いで、図2(b)に示すように、エッチングプロセスによって、レジスト層17で覆われていない領域のマスク層15を除去する。例えば、当該エッチングプロセスには、RIE(Reactive Ion Etching)プロセスを用いる。なお、IBE(Ion Beam Etching)プロセス等を用いてもよい。
次いで、図3(a)に示すように、マスク層15上に残っているレジスト層17を除去する。例えば、リフトオフプロセスを用いて実施する。
次いで、図3(b)に示すように、上記工程により所定領域が除去されたマスク層15をエッチングマスクとして用いるエッチングプロセスによって、当該マスク層15で覆われていない領域の磁気抵抗効果層13を除去する。例えば、当該エッチングプロセスとして、IBEプロセス等を用いる。
ここで、図3(b)中(以下の図において同様)の左側に残された磁気抵抗効果層は、前述の再生素子として機能する素子部13Aである。一方、右側に残された磁気抵抗効果層は、後の製造工程中のエッチング工程において工程の進行状態を検出するための検出部13Bとして用いられる等、重要な機能を果たす部位であり、この時点で除去してしまうことはできない。
ここで、図3(b)中(以下の図において同様)の左側に残された磁気抵抗効果層は、前述の再生素子として機能する素子部13Aである。一方、右側に残された磁気抵抗効果層は、後の製造工程中のエッチング工程において工程の進行状態を検出するための検出部13Bとして用いられる等、重要な機能を果たす部位であり、この時点で除去してしまうことはできない。
次いで、図4(a)に示すように、下部シールド層11、所定領域が除去された磁気抵抗効果層13、当該磁気抵抗効果層13上のマスク層15の上に絶縁層19を形成する。例えば、絶縁層19は、Al2O3等の絶縁材料を用いて、スパッタリングにより形成する。
次いで、図4(b)に示すように、絶縁層19の上に、バイアス印加層21を形成する。例えば、バイアス印加層21は、CoPt等の磁性材料(硬磁性材)を用いて構成する。
なお、バイアス印加層21は、絶縁層19の全面上に形成されるが、素子部13Aおよび検出部13Bの側面(図中の傾斜面)に位置する絶縁層19の箇所においては膜厚が薄いため、図示を省略して簡略化を図った。
さらに、バイアス印加層21の上に、保護層23を形成する。例えば、保護層23は、Ta等の金属材料を用いて構成する。
同様に、保護層23も、バイアス印加層21の全面上に形成されるが、素子部13Aおよび検出部13Bの側面(図中の傾斜面)に位置するバイアス印加層21の箇所においては膜厚が薄いため、図示を省略して簡略化を図った。
なお、バイアス印加層21は、絶縁層19の全面上に形成されるが、素子部13Aおよび検出部13Bの側面(図中の傾斜面)に位置する絶縁層19の箇所においては膜厚が薄いため、図示を省略して簡略化を図った。
さらに、バイアス印加層21の上に、保護層23を形成する。例えば、保護層23は、Ta等の金属材料を用いて構成する。
同様に、保護層23も、バイアス印加層21の全面上に形成されるが、素子部13Aおよび検出部13Bの側面(図中の傾斜面)に位置するバイアス印加層21の箇所においては膜厚が薄いため、図示を省略して簡略化を図った。
ここまでの工程が、本発明の実施形態に係る再生ヘッド1の製造方法と、従来の実施形態に係る再生ヘッドの製造方法とにおける共通の工程である。
上記に続く工程について、先ず、従来の実施形態に係る再生ヘッドの製造方法の場合から説明する。
従来の実施形態では、上記工程に次いで、図5(a)に示すように、保護層23の上に、レジスト層25をパターニング形成する。例えば、レジスト層25は、材料にフォトレジストを用いて、公知のフォトリソグラフィプロセス等によって所望のパターン、すなわち、ここでは、後の工程で保護層23およびバイアス印加層21を除去しない領域に形成する。逆に、除去を行う対象は、検出部13Bの上に形成されている保護層23Bおよびバイアス印加層21Bである。
従来の実施形態では、上記工程に次いで、図5(a)に示すように、保護層23の上に、レジスト層25をパターニング形成する。例えば、レジスト層25は、材料にフォトレジストを用いて、公知のフォトリソグラフィプロセス等によって所望のパターン、すなわち、ここでは、後の工程で保護層23およびバイアス印加層21を除去しない領域に形成する。逆に、除去を行う対象は、検出部13Bの上に形成されている保護層23Bおよびバイアス印加層21Bである。
次いで、図5(b)に示すように、エッチングプロセスによって、レジスト層25で覆われていない領域の保護層23およびバイアス印加層21を除去する。例えば、当該エッチングプロセスとして、IBEプロセス等を用いる。
このとき図5(b)中の丸枠で示される箇所(溝B)において、本来、除去を行う対象ではない領域、特に、バイアス印加層21Aにおける右端部が除去され、その部位に段差が形成されてしまうという問題が生じていた。その原因として、図5(a)で示される前工程においてレジスト層25を形成する際に、その形成プロセス上、パターンの端部位置(図5(a)中の右端部A)を高精度に制御することが不可能なことが挙げられる。すなわち、素子部13Aの再生特性に影響を与えるバイアス印加層21Aの形状において段差、バラツキ等が生じる結果、再生ヘッド1の再生特性が安定しない原因となっていた。
ここで、図5(b)中の丸枠で示される溝Bを上方から視た場合の平面図を図9に示す。なお、当該図9は、平面方向における配設位置が明確となるように記載した概略図である。ちなみに、図1〜図7は、C−C線による断面図である。
このとき図5(b)中の丸枠で示される箇所(溝B)において、本来、除去を行う対象ではない領域、特に、バイアス印加層21Aにおける右端部が除去され、その部位に段差が形成されてしまうという問題が生じていた。その原因として、図5(a)で示される前工程においてレジスト層25を形成する際に、その形成プロセス上、パターンの端部位置(図5(a)中の右端部A)を高精度に制御することが不可能なことが挙げられる。すなわち、素子部13Aの再生特性に影響を与えるバイアス印加層21Aの形状において段差、バラツキ等が生じる結果、再生ヘッド1の再生特性が安定しない原因となっていた。
ここで、図5(b)中の丸枠で示される溝Bを上方から視た場合の平面図を図9に示す。なお、当該図9は、平面方向における配設位置が明確となるように記載した概略図である。ちなみに、図1〜図7は、C−C線による断面図である。
なお、この後に続く工程としては、図6(a)に示すように、保護層23上に残っているレジスト層25を、例えば、リフトオフプロセスを用いて除去し、次いで、図6(b)に示すように、次工程で実施するCMP(Chemical Mechanical Polishing:化学機械的研磨)プロセスにおけるストッパの役割を果たすストッパ層27を例えばTaを用いて形成した後、図7に示すように、CMPプロセスを実施して、素子部13A上の保護層23、バイアス印加層21、絶縁層19を除去し、さらに金属層15が所定厚さとなるまで研磨をし、上面の平坦化を行う。なお、ストッパ層27の形成工程は省略しても構わない。
その後は、上部シールド層33等の積層工程、検出部13Bの切除工程等が実施されることによって、再生ヘッド1が所定の積層構造として完成される(図8参照)。
その後は、上部シールド層33等の積層工程、検出部13Bの切除工程等が実施されることによって、再生ヘッド1が所定の積層構造として完成される(図8参照)。
ここまでの図5〜図7に示す工程が、前記図1〜図4に続く従来の実施形態に係る再生ヘッドの製造方法である。
これに対し、前記図1〜図4に続く本発明の実施形態に係る再生ヘッドの製造方法を以下に説明する。なお、以下の図11、図12も、前記図9におけるC−C線による切断位置と同じ位置である。
前記図4で示す工程に次いで、図11(a)に示すように、保護層23の全面上に、金属層29を形成する。このとき、少なくとも金属層29の上面が、前記マスク層15が形成されていない領域において、当該マスク層15の上に形成されている保護層23の上面高さよりも高くなるまで積層を行う。
なお、金属層29は、その上層に形成されることとなる上部シールド層と同一の材料、例えば、NiFe等の磁性材料(軟磁性材)を用いて構成することが特性上、好適である。
前記図4で示す工程に次いで、図11(a)に示すように、保護層23の全面上に、金属層29を形成する。このとき、少なくとも金属層29の上面が、前記マスク層15が形成されていない領域において、当該マスク層15の上に形成されている保護層23の上面高さよりも高くなるまで積層を行う。
なお、金属層29は、その上層に形成されることとなる上部シールド層と同一の材料、例えば、NiFe等の磁性材料(軟磁性材)を用いて構成することが特性上、好適である。
次いで、図11(b)に示すように、CMPプロセス(第1のCMPプロセス)によって、磁気抵抗効果層13上の保護層23の上面が表出するまで金属層29を研磨する。
次いで、図12(a)に示すように、エッチングプロセスによって、磁気抵抗効果層13上のバイアス印加層21の上面が表出するまで金属層29および保護層23をエッチング(除去)する。例えば、当該エッチングプロセスとして、IBEプロセス等を用いる。
本実施形態のように、保護層23の形成材料(ここでは、Ta)が前記CMPプロセスにより研磨することが困難な場合に、当該エッチングプロセスの採用が有効である。
本実施形態のように、保護層23の形成材料(ここでは、Ta)が前記CMPプロセスにより研磨することが困難な場合に、当該エッチングプロセスの採用が有効である。
次いで、図12(b)に示すように、CMPプロセス(第2のCMPプロセス)によって、磁気抵抗効果層13上のマスク層15の上面が表出するまで金属層29およびバイアス印加層21を研磨する。
さらに、平坦化工程(上記第2のCMPプロセスによる研磨工程)の後に、素子部13Aを覆うようにパターニングされたレジスト層31を形成する。より具体的には、図10に示す平面図のように、素子部13Aが所定の素子形状として残るように、レジスト層31をパターニングし、当該レジスト層31で覆われていない部分をエッチングプロセスによってエッチング(除去)する。その際に、前記検出部13Bが設けられていることによって、相対的に小さな面積の素子部13Aに連続している隣接上部領域をエッチングするに当たり、相対的に大きな面積であって、且つ素子部13A(および隣接上部領域)と同一高さで、同一の積層構造を有する検出部13Bがエッチングプロセスの進行状態を検出するための検出部として有効となる。
なお、このように素子部13Aの形成に際して、前記図3(b)で示される工程において素子部13Aの左右の領域(図10中の左右)をエッチングし、本工程において素子部13Aの上部領域(図10中の上方)をエッチングするという、二段階のエッチングプロセスを採用するのは、素子部13Aの角部(図10中の上方における両角部)を丸みを帯びない形状(角状)に形成することによって、再生素子の出力特性を向上させることが可能となるためである。
仮に、素子部13Aの左右および上部を同時にエッチングするとなると、それに応じたレジスト層(マスク層)を素子部13A上に形成する必要があるが、角部が鋭角のレジスト層(マスク層)を形成することが実際上困難であるため、本実施の形態において採用する上記の工程が非常に有効な形成手段となる。
ちなみに、素子部13Aの下部領域(図10中の下方)に関しては、その後実施される媒体対向面(浮上面)形成工程において、研磨が行われるため、両角部(図10中の下方における両角部)が丸みを帯びない形状(角状)に形成される。
なお、このように素子部13Aの形成に際して、前記図3(b)で示される工程において素子部13Aの左右の領域(図10中の左右)をエッチングし、本工程において素子部13Aの上部領域(図10中の上方)をエッチングするという、二段階のエッチングプロセスを採用するのは、素子部13Aの角部(図10中の上方における両角部)を丸みを帯びない形状(角状)に形成することによって、再生素子の出力特性を向上させることが可能となるためである。
仮に、素子部13Aの左右および上部を同時にエッチングするとなると、それに応じたレジスト層(マスク層)を素子部13A上に形成する必要があるが、角部が鋭角のレジスト層(マスク層)を形成することが実際上困難であるため、本実施の形態において採用する上記の工程が非常に有効な形成手段となる。
ちなみに、素子部13Aの下部領域(図10中の下方)に関しては、その後実施される媒体対向面(浮上面)形成工程において、研磨が行われるため、両角部(図10中の下方における両角部)が丸みを帯びない形状(角状)に形成される。
その後は、上部シールド層33等の積層工程、検出部13Bの切除工程等が実施されることによって、再生ヘッド1が所定の積層構造として完成される(図13参照)。
このように、図11、図12で示される本発明の実施形態に特徴的な構成を備える工程によって、バイアス印加層21に段差やバラツキを発生させることなく、その形状を高精度に形成することが可能となる。それにより、再生ヘッドの再生特性を安定させることが可能となる。
続いて、本発明の第二の実施形態について説明する。
本実施形態は、保護層23を設けない場合の例である。より具体的には、前記第一の実施形態に対して、図4(a)で示される工程までは同じであって、絶縁層19の形成後、その上に、バイアス印加層21を形成し、その上に、保護層を形成しない点で相違する。当然ながら、それ以降の工程も相違することとなる。
それに次ぐ工程を図14(a)に示す。この工程は、前記第一の実施形態において図11(a)によって説明される工程に対応するものである。具体的には、バイアス印加層21の全面上に、金属層29を形成する。このとき、少なくとも金属層29の上面が、前記マスク層15が形成されていない領域において、当該マスク層15の上に形成されているバイアス印加層21の上面高さよりも高くなるまで積層を行う。
本実施形態は、保護層23を設けない場合の例である。より具体的には、前記第一の実施形態に対して、図4(a)で示される工程までは同じであって、絶縁層19の形成後、その上に、バイアス印加層21を形成し、その上に、保護層を形成しない点で相違する。当然ながら、それ以降の工程も相違することとなる。
それに次ぐ工程を図14(a)に示す。この工程は、前記第一の実施形態において図11(a)によって説明される工程に対応するものである。具体的には、バイアス印加層21の全面上に、金属層29を形成する。このとき、少なくとも金属層29の上面が、前記マスク層15が形成されていない領域において、当該マスク層15の上に形成されているバイアス印加層21の上面高さよりも高くなるまで積層を行う。
次いで、図14(b)に示すように、CMPプロセスによって、磁気抵抗効果層13上のマスク層15の上面が表出するまで金属層29およびバイアス印加層21を研磨する。なお、保護層が設けられない積層構造であるため、第一の実施形態と比較して、CMPプロセスは1回で足り、また、保護層除去のためのエッチングプロセスも不要となる。
さらに、平坦化工程(上記CMPプロセスによる研磨工程)の後に、素子部13Aを覆うようにパターニングされたレジスト層31を形成する。なお、当該レジスト層31のパターニング形状は前記図10と同様であり、図示を省略する。
また、二段階のエッチングプロセスによって、素子部13Aを所定の素子形状に形成する点についても、前記第一の実施形態と同じ理由によるものであり、説明を省略する。
また、二段階のエッチングプロセスによって、素子部13Aを所定の素子形状に形成する点についても、前記第一の実施形態と同じ理由によるものであり、説明を省略する。
その後は、上部シールド層33等の積層工程、検出部13Bの切除工程等が実施されることによって、再生ヘッド1が所定の積層構造として完成される(図15参照)。
以上説明した通り、本実施の形態に係る再生ヘッドの製造方法によれば、再生ヘッドの出力特性に大きな影響を与えるバイアス印加層の形状をバラツキなく高精度に形成することが可能となり、再生ヘッドの出力特性を安定させることが可能となる。また、その結果、当該再生ヘッドが組み込まれる磁気ディスク装置の動作安定性、すなわち信頼性を向上させることが可能となる。
1 再生ヘッド
11 下部シールド層
13 磁気抵抗効果層
15 マスク層
17 レジスト層
19 絶縁層
21 バイアス印加層
23 保護層
25 レジスト層
27 ストッパ層
29 金属層
31 レジスト層
33 上部シールド層
11 下部シールド層
13 磁気抵抗効果層
15 マスク層
17 レジスト層
19 絶縁層
21 バイアス印加層
23 保護層
25 レジスト層
27 ストッパ層
29 金属層
31 レジスト層
33 上部シールド層
Claims (5)
- ワーク上に磁気抵抗効果層を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果層上にパターニングされたマスク層を形成する工程と、
前記マスク層が形成されていない領域の磁気抵抗効果層をエッチングするパターニング工程と、
絶縁層、バイアス印加層を全面に順次形成する工程と、
金属層を全面に形成し、少なくとも前記金属層の上面が前記マスク層が形成されていない領域において前記バイアス印加層の上面より高くなるまで積層する工程と、
前記磁気抵抗効果層上のマスク層の上面が表出するまで前記金属層及び前記バイアス印加層を研磨する平坦化工程と、を有することを特徴とする再生ヘッドの製造方法。 - 前記パターニング工程は、再生に用いる素子部及びエッチング検出を行う検出部を形成する工程であり、
さらに、前記平坦化工程後に、前記素子部を覆うようにパターニングされたレジスト層を形成する工程と、
前記検出部をエッチング検出しながらエッチングする工程と、を有することを特徴とする請求項1に記載の再生ヘッドの製造方法。 - ワーク上に磁気抵抗効果層を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果層上にパターニングされたマスク層を形成する工程と、
前記マスク層が形成されていない領域の磁気抵抗効果層をエッチングするパターニング工程と、
絶縁層、バイアス印加層、保護層を全面に順次形成する工程と、
金属層を全面に形成し、少なくとも前記金属層の上面が前記マスク層が形成されていない領域において前記保護層の上面より高くなるまで積層する工程と、
前記磁気抵抗効果層上の保護層の上面が表出するまで前記金属層を研磨する第1の平坦化工程と、
前記磁気抵抗効果層上のバイアス印加層の上面が表出するまで前記金属層及び前記保護層をエッチングする工程と、
前記磁気抵抗効果層上のマスク層の上面が表出するまで前記金属層及び前記バイアス印加層を研磨する第2の平坦化工程と、を有することを特徴とする再生ヘッドの製造方法。 - 前記パターニング工程は、再生するための素子部及びエッチング検出を行う検出部を形成する工程であり、
さらに、前記第2の平坦化工程後に、前記素子部を覆うようにパターニングされたレジスト層を形成する工程と、
前記検出部をエッチング検出しながらエッチングする工程と、を有することを特徴とする請求項3に記載の再生ヘッドの製造方法。 - 前記平坦化工程が、化学機械的研磨により行われることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の再生ヘッドの製造方法。
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JP2008155913A Withdrawn JP2009301662A (ja) | 2008-06-13 | 2008-06-13 | 再生ヘッドの製造方法 |
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JP (1) | JP2009301662A (ja) |
-
2008
- 2008-06-13 JP JP2008155913A patent/JP2009301662A/ja not_active Withdrawn
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