JP2009294044A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パッド部を除く半導体基板100aの表面に耐食性絶縁膜4を形成し、続いてパッド部の表面に設けられているAl電極膜3上に密着度向上用および相互拡散防止用の金属膜5を介して金膜6を形成して積層金属膜とする工程を有する半導体装置の製造方法において、前記積層金属膜を形成する工程後に、半導体基板100aをAlのエッチング液に浸漬する工程を設ける半導体装置の製造方法とする。
【選択図】 図3
Description
また、ディーゼルエンジンにおいては、排気ガスに多く含まれ、環境問題にもなっている粒子状物質(PM)を低減させるためにDPF(Diesel Particulate Filter)の採用が始まっている。このDPFの採用に伴い、その目詰まりの検知という観点からも、DPF前後の排気ガス圧力を検出するニーズが高くなっている。いずれにしても、半導体圧力センサの、特に感圧部は排気ガスに対する耐性が強く求められるようになってきている。
従来の半導体圧力センサでは排気ガスなどに対する耐食性を持たせるために、感圧部を有する半導体装置チップ表面を窒化シリコン(SiN)膜などの耐食性のある材料でコーティングして保護する構造にしている。ただし、感圧部を構成する半導体歪ゲージが受けた機械的変位を変換して生じる電気信号の入出力部となるワイヤボンディング用パッド部および特性確認用のプローブ用パッド部は前記窒化シリコン膜では保護されない。そこで、これらのパッド部に対しては、当該パッド部の半導体基板表面に被着されているAl(アルミニウム)電極膜配線上に密着度確保と相互拡散防止のための金属層を積層し、さらにその上の最表面を金膜でコーティングしてなる積層金属膜構造を採用することにより、外部気体に曝される感圧部の全体を耐食性とする構造が知られている(特許文献1)。
さらに半導体基板上に下層の金属層と上層の化学蒸着膜との積層金属膜を有する基板を、前記金属層に対する反応速度が前記化学蒸着膜に対する反応速度より大きい化学腐食液に浸漬することにより、前記化学蒸着膜のピンホールを前記金属層に拡大転写して検知するピンホール検知方法が知られている(特許文献3)。
本発明は、以上説明した問題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、下層にAl(アルミニウム)電極膜を有する積層金属膜の最表面に金膜を形成することにより前記下層のAl(アルミニウム)電極膜の腐食を防止するようにした半導体装置に対して、金膜にピンホールを有する半導体装置を有効に選別または除去できる半導体装置の製造方法を提供することである。
また、本発明では請求項2の記載のように、前記半導体装置が半導体圧力センサである特許請求の範囲の請求項1記載の半導体装置の製造方法とすることが好ましい。
また、本発明では請求項3の記載のように、前記耐食性絶縁膜が窒化シリコン膜である特許請求の範囲の請求項1記載の半導体装置の製造方法とすることもできる。
また、本発明では請求項4の記載のように、前記密着度向上用および相互拡散防止用の金属膜がチタンタングステン膜である前記請求項1記載の半導体装置の製造方法とすることが好ましい。
さらにまた、本発明では請求項5の記載のように、前記エッチング液として燐硝酸を用いる前記特許請求の範囲の請求項1記載の半導体装置の製造方法とすることがより好ましい。
前記特許文献1で開示されているように、半導体装置チップに含まれるシリコン圧力センサ領域の表面は、まず、受圧時に半導体歪ゲージに発生する電気信号の入出力部となるワイヤボンディング用パッドおよび特性確認用のプローブパッド以外の全面を窒化シリコン(SiN)などの耐食性のある材料でコーティングされる。さらに、前記ワイヤボンディング用パッド部および特性確認用のプローブパッド部の表面にも、既に形成されているアルミニウム電極膜またはアルミニウム合金電極膜上に、さらに密着度確保と相互拡散防止のためのチタンタングステン(TiW)層を介して最表面を金膜をコーティングすることにより、前述の耐食性を向上させるという製造方法が知られている。その際に最表面を金でコーティングした膜には目視では見つけられないピンホールと呼ばれる微細な孔が形成されている場合があり、耐食性の保証という点では充分ではないことを見つけて改良されたのが本発明である。金膜のピンホールを検出するためにスクリーニング方法として、Al(アルミニウム)電極膜またはAl合金電極膜のエッチング液を用いて、目視では見つけられない微細な金膜のピンホールを容易に検知可能にして、ピンホールを有して低信頼性の半導体装置チップを選別除去するのである。
図1は本発明の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置チップを搭載した半導体圧力センサユニットの断面図である。図2は本発明の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置チップの、前記図1で破線の丸枠で示す部分の拡大断面図である。図3は本発明の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置チップの、前記図1で破線の丸枠で示す部分の製造工程を示す拡大断面図である。図4は本発明の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置チップのスクリーニング方法の工程フロー図である。図5は本発明にかかる半導体装置チップのスクリーニング方法に関する拡大断面図である。
前記半導体装置チップ100は、半導体基板の裏面側を凹状に削ってダイヤフラム部1を形成し、基板表面側には図示しない歪ゲージ抵抗とその抵抗を接続するアルミニウム電極膜配線を形成する構成を有する。ここで、アルミニウム電極膜に代えてAl−Si−Cuなどのアルミニウム合金電極膜で形成してもよい。この歪ゲージ抵抗とアルミニウム電極膜配線を含む半導体装置チップ100の表面は、排気ガスなどの腐食性ガスなどから保護するために、窒化シリコン(SiN)4で覆われている。しかし、受圧によって歪ゲージ抵抗で発生した信号を外部に出力するためのワイヤボンディング用パッド部と特性確認用のプローブ用パッド部は窒化シリコン4で被覆できない。通常、これらの露出部分のAl(アルミニウム)電極膜3上にはチタンタングステン(TiW)膜5による密着確保と相互拡散防止層を形成した上で、さらに最表層に金メッキなどによる金膜6をコーティングすると共に、金ワイヤ14を用いて端子10と接続して外部に信号出力している。このような構成とすることにより、排気ガス等の環境下で使用した場合に、窒素酸化物(Nox)と水から生成される硝酸などの腐食性物質によりアルミニウム電極膜3などが腐食されることを防止している。
ガラス基板7上に陽極接合した半導体装置チップ100はサブモジュールとして、センサ本体の下部ケース8の凹部内へ接着剤9で接着され固着される。
下部ケース8には、サブモジュール上の半導体装置チップ100で受けた圧力から変換された電気信号を外部へ出力するための端子10がインサート成形されている。この端子10は銅などの母材11の周囲にニッケルメッキ12を被着させた後に最表面に金メッキ13が施されている。端子10のうち、半導体装置チップ100と電気的に接続する部分は、半導体装置チップ100と同様に腐食環境に曝されるため、金メッキ13により耐食性を向上させる必要がある。
半導体装置チップ100の金膜6と端子10の金メッキ13とは金ワイヤ14によるワイヤボンディング接続にて電気的接続がされる。金ワイヤ14を用いることで、腐食性物質による耐食性を向上させている。
図2に、図1で破線の丸枠で示した、本発明の半導体装置の製造方法にかかる半導体基板の表面に設けられている前記パッド部の積層金属膜部分(金ワイヤを除く)の拡大断面図を示す。
半導体基板100aの表面の前記パッド部に形成されているアルミニウム(Al)電極膜3の上に設けたチタンタングステン膜5は良好な密着性と相互拡散防止機能を有しているが、さらに前記層5を窒化シリコン4にオーバーハングするようスパッタなどにより被着させる。これは窒化シリコン4とチタンタングステン膜5の界面を伝わって腐食性物質が下層のAl(アルミニウム)電極膜3へ到達し難いように界面の距離を長くするためである。さらにチタンタングステン膜5の上に金メッキを施して全体を金で覆う金膜6をメッキなどにより被着させる。このような構成とすることによって、腐食性物資がこれらの積層金属の界面に侵入した場合でも、電気的不具合が発生する可能性のある部分を全てイオン化傾向の一番小さい金で覆っているため、耐食性が向上する。
図3に、前記図2で示したパッド部の積層金属膜部分の製造プロセスを示す。いずれも図示しないダイヤフラム、所要の歪ゲージ抵抗および所要の半導体回路などを作り込んだ半導体基板100aの表面に、所要の配線パターンを有するアルミニウム電極膜3の信号の入出力用パッド部と、半導体基板100aの表面の保護膜となる窒化シリコン膜4を形成し、アルミニウム電極膜3からなる入出力用パッド部を露出させるように開口する(図3(a))。チタンタングステン膜5を全面にスパッタ蒸着により形成する(図3(b))。金膜をスパッタ蒸着により形成する(図3(c))。チタンタングステン膜5はアルミニウムとの密着性および積層金属間の相互拡散防止の機能を有する。
次にポジレジストをマスクとしてAuバンプメッキを行う(図3(d))。ポジレジストを剥離(図3(e))後、従来はAuバンプをマスクとして、チタンタングステン膜5と金のスパッタ膜をウエットエッチングにより除去する(図3(f))。本発明では、前記図3(e)の工程で、図3(g)に示すように、Auバンプにピンホール21があると、図3(f)の工程に相当する図3(h)に示すように、チタンタングステン膜5のスパッタ膜のウエットエッチング時に同時に、ピンホール21中のチタンタングステン膜5までエッチングされる。その結果、耐食性の劣るAl(アルミニウム)電極膜が露出することとなる。次に、下記に説明する本発明にかかるAlのエッチング液に浸漬する。
燐硝酸からなるアルミニウムエッチングの条件の一例を次に示す。
燐酸:硝酸=10:1(容量比)、液温60℃でエッチング時間を30分とする。エッチング後、水洗40分行う。
このスクリーニング方法により、Auバンプ6にピンホール21がある場合、ピンホール21発生箇所よりパッド部のアルミニウム電極膜3のエッチングが進行し、Al(アルミニウム)が無くなった部分に空隙が形成されて凹んでいる状態となり、ピンホール21不良の状態を当初よりは顕在化させることができる。後工程の外観検査工程において金属顕微鏡や、金属顕微鏡に微分干渉フィルタを用いることで、Auバンプ6のピンホール21からのAl(アルミニウム)電極膜3のエッチング部における凹みを容易に確認し不良チップとして選別することができる。このスクリーニング方法によれば、製造工程内のウエハ状態で、Auバンプ6の製造の際に形成されるピンホール不良を選別することが可能である。その後、ダイシングにより個別の半導体装置チップ化し、ピンホール21のない耐食性能を充分に満たす金バンプ6が形成された半導体装置チップのみをピックアップして搭載した半導体圧力センサユニットを市場へ提供することが可能となる。
図5は、ピンホール21からエッチング液が浸透して、パッド部のアルミニウム電極膜3がエッチングされる状態を示す前記図2および図3と同じ箇所の拡大断面図である。
以上の実施例ではシリコン圧力センサ領域を有する半導体装置の製造方法について、説明したが、本発明は、シリコン圧力センサ領域を有する半導体装置だけでなく、半導体基板表面のアルミニウム電極膜の上に金膜が形成されてなる積層金属膜を有する半導体装置の製造方法にも適用することができる。
2 半導体基板
3 アルミニウム電極膜
4 窒化シリコン膜
5 チタンタングステン膜
6 Auバンプ、金膜
7 ガラス支持基板
8 下部ケース
9 接着剤
10 端子
11 銅材
12 ニッケルメッキ
13 金メッキ
14 金ワイヤ
15 ゲル
16 ポジレジスト
20 上部ケース
21 ピンホール
100 半導体装置チップ
200 半導体圧力センサユニット。
Claims (6)
- パッド部を除く半導体基板の表面に耐食性絶縁膜を形成し、続いて、前記パッド部の前記半導体基板表面上に被着されているアルミニウム電極膜またはアルミニウム合金電極膜上に密着度向上用および相互拡散防止用の金属膜を介して金膜を形成して積層金属膜とする工程を有する半導体装置の製造方法において、前記積層金属膜を形成する工程後に、前記半導体基板をアルミニウムのエッチング液に浸漬する工程を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置が半導体圧力センサであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記耐食性絶縁膜が窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記密着度向上用および相互拡散防止用の金属膜がチタンタングステン膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチング液として燐硝酸を用いることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板を前記エッチング液に浸漬する工程の後、前記半導体基板を水で冷却しながらブレードソーを用いるダイシングを行って半導体装置チップに分割し、その後、外観検査を行う工程を設けることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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