CN100432645C

CN100432645C - 制造压力传感器的方法

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Publication number: CN100432645C
Application number: CNB2006100054647A
Authority: CN
Inventors: 富坂学; 渡边善文; 田中宏明
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2005-01-18
Filing date: 2006-01-17
Publication date: 2008-11-12
Anticipated expiration: 2026-01-17
Also published as: CN1808086A

Abstract

一种制备压力传感器的方法，包括如下步骤：制备半导体基底(21)；在基底(21)上形成绝缘膜(22)；在绝缘膜(22)上形成第一金属膜(23)；在第一金属膜(23)和绝缘膜(22)上形成第一保护膜(25)；在第一金属膜(23)和第一保护膜(25)上形成第二保护膜(26)；在第二保护膜(26)上进行附着力减小处理，附着力是在第二保护膜(26)和第二金属膜(24，27-29)之间；在第一金属膜(23)以及第一保护膜(25)上形成第二金属膜(24，27-29)；以及去除一部分第二金属膜(24，27-29)。

Description

制造压力传感器的方法

技术领域

本发明涉及一种制造压力传感器的方法。

背景技术

在一种现有的结构中，传感器元件包括半导体和结合部分，结合部分电连接到传感器元件上的焊点(pad)。传感器元件和结合部分覆盖着其中充满油的金属隔膜。例如，JP-A-H7-243926披露了这种结构，此专利对应于美国专利5,595,939。

在具有这种结构的压力传感器中，一旦作为压力介质的流体通过压力传感器上的压力引入孔引入，流体的压力通过金属隔膜和油施加到传感器元件上。因此，传感器元件中的隔膜变形，隔膜中形成的计量电阻(gageresistance)在压应力或拉应力作用下改变，从而从传感器元件输出对应于流体压力的检测信号。

对于具有这种结构的压力传感器，其问题在于，由于需要金属隔膜而增多了组件数量；并且由于需要使用金属隔膜密封油的结构，压力传感器的结构复杂。

相反，可以考虑取消金属隔膜的结构。但是，当使用这种结构时，当压力传感器在包括半导体的传感器元件暴露于腐蚀液体的情况下应用时，例如，压力传感器用于测量柴油动力汽车废气清洁过滤器DPF的差压时、或机舱内气氛的压力测量时，将出现腐蚀的问题，因为结合焊点材料是Al。

因此，本发明申请人先前提出一种结构，其中结合部分覆盖凝胶保护层，包括Al的结合焊点表面被镀Au膜覆盖。因此，减少了腐蚀介质与被腐蚀目标Al之间的接触机会。相应地，可以提高焊点抵抗腐蚀的耐久性。这披露在日本专利申请2004-562923。

但是，即使使用上述结构，最近发现，由于焊点周围形成的、包括SiN的保护膜与Au膜之间的附着不好，腐蚀介质已经通过Au膜与保护膜之间的界面穿过凝胶保护层进入焊点周围，由此腐蚀介质引起腐蚀。

发明内容

考虑到上述问题，本发明的目的是提供一种高密封性压力传感器的制造方法。

制造压力传感器的方法包括以下步骤：制备上面具有传感器元件的半导体基底，传感器元件根据作为检测目标的压力产生检测信号；在半导体基底的表面上形成具有接触孔的绝缘膜，接触孔连接到传感器元件；在绝缘膜的预定部分上形成第一金属膜，第一金属膜通过接触孔电连接到传感器元件；在第一金属膜和绝缘膜上形成第一保护膜，露出第一金属膜的焊点区；在第一金属膜和第一保护膜上形成有机树脂制成的第二保护膜，露出第一金属膜的焊点区以及设置在焊点区周围的一部分第一保护膜；在形成第二保护膜的步骤之后，进行第二保护膜的表面上附着力减小的处理，以减小第二保护膜和其上面的第二金属膜之间的附着力，其中，进行附着力减小的处理步骤是在包括CF₄气和氮气、以及CF₄气和氩气的两种混合气氛中的等离子处理；在执行减小处理步骤之后，在第一金属膜的焊点区以及设置在焊点区周围的一部分第一保护膜上形成第二金属膜；以及去除第二保护膜表面上的一部分第二金属膜。

在上述方法中，容易去除第二金属膜上的部分第二金属膜；因此，第二金属膜的其它部分牢固附着在第一金属膜和第一保护膜上，从而第二金属膜与第一金属膜或第一保护膜之间的密封性变得较高。由此提高了它们之间的密封性，因此防止腐蚀介质从第二金属膜和第一保护膜之间的界面渗入。相应地，在焊点一侧不出现腐蚀。

优选地，进行附着力减小的处理步骤能增大第二金属膜与第一金属膜焊点区或设置在焊点区周围的一部分第一保护膜之间的附着力。

优选地，第一金属膜具有表面突起，其高度等于或小于0.5μm。更优选地，第一金属膜包括钛膜和铝基膜。形成第一金属膜的步骤包括：形成钛膜；以及在钛膜上形成铝基膜。钛膜的取向减小表面突起的高度。更优选地，第一金属膜包括铝-硅-铜合金膜，并且通过铝-硅-铜合金膜的热稳定性减小表面突起的高度。

此外，制造压力传感器的方法包括以下步骤：制备上面具有传感器元件的半导体基底，传感器元件根据检测目标的压力产生检测信号；在半导体基底的表面上形成具有接触孔的绝缘膜，接触孔连接到传感器元件；在绝缘膜的预定部分上形成第一金属膜，第一金属膜通过接触孔电连接到传感器元件；在第一金属膜和绝缘膜上形成第一保护膜，露出第一金属膜的焊点区；在第一金属膜和第一保护膜上形成有机树脂制成的第二保护膜，露出第一金属膜的焊点区以及设置在焊点区周围的一部分第一保护膜；在形成第二保护膜的步骤之后，进行第一金属膜的焊点区的表面以及设置在焊点区周围的一部分第一保护膜上附着力增大的处理，以增大第一金属膜或第一保护膜和上面的第二金属膜之间的附着力，其中，进行附着力增大的处理步骤是在包括CF₄气和氮气、以及CF₄气和氩气的两种混合气氛中的一种气氛中的等离子处理；在进行附着力增大的处理之后，在第一金属膜的焊点区和设置在焊点区周围的部分第一保护膜上形成第二金属膜；以及去除第二保护膜表面上的一部分第二金属膜。

在上述方法中，部分第二金属膜牢固地附着在第一金属膜和第一保护膜上，从而第二金属膜与第一金属膜或第一保护膜之间的密封性变得较高。由此提高了它们之间的密封性，因此防止腐蚀介质从第二金属膜和第一保护膜之间的界面渗入。相应地，在焊点一侧不出现腐蚀。

附图说明

参考附图并结合以下详细说明，本发明的上述和其它目标、特征和优点将变得更加清楚。在附图中：

图1是表示本发明第一实施例的压力传感器的剖视图；

图2是表示第一实施例的压力传感器中的传感器元件与结合线之间的连接部分的局部放大剖视图；

图3A到3G是解释制造第一实施例传感器的方法的局部放大剖视图；

图4A和4B是表示本发明第二实施例的压力传感器中传感器元件与结合线之间连接部分的局部放大剖视图；

图5是表示第二实施例的压力传感器中传感器元件与结合线之间的连接部分的局部放大剖视图；

图6是表示本发明第三实施例的压力传感器中传感器元件与结合线之间的连接部分的局部放大剖视图；以及

图7是表示本发明一个修改的压力传感器中传感器元件与结合线之间的连接部分的局部放大剖视图。

具体实施方式

(第一实施例)

下面将描述应用本发明第一实施例的压力传感器。图1是此实施例压力传感器S1的剖视图，并且根据此图进行描述。压力传感器S1例如用于柴油动力汽车废气清洁过滤器的DPF差压测量。

如图1所示，在此实施例中，作为第一外壳的连接器外壳10是通过模制诸如PPS(聚苯撑硫)或PBT(聚对苯二甲酸丁酯)的树脂得到的，并形成大致的圆柱形。在作为树脂外壳的连接器外壳10的一个端部部分(在图1的下侧的端部部分)形成凹部11。

用于压力检测的传感器元件20设置在凹部11的底部。

传感器元件20是半导体隔膜类型的元件，其中具有作为压力接收表面的隔膜。隔膜受到的压力通过隔膜表面形成的计量电阻转换成电信号。接着，输出电信号作为传感器信号。

传感器元件20通过阳极结合或类似方法集成在包括玻璃的底座20a上，底座20a粘在凹部11的底部，从而将传感器元件20装在连接器外壳10上。

用于电连接传感器元件20和外部电路的多个金属棒端子12穿过连接器外壳10。

在此实施例中，端子12包括经过电镀(例如，镀镍)、并通过夹物模压与连接器外壳10整体成形而保持在连接器外壳10中的黄铜材料。

在每个端子12的一个端部侧(图1的下端侧)的端部部分的布置方式是在装有传感器元件20的区域周围从凹部11底部突出。另一方面，在每个端子12另一端部侧(图1的上端侧)的端部部分暴露在连接器外壳10另一端部侧的开口16中。

每个端子12突出在凹部11中的端部部分与传感器元件20通过金或铝的连接线13连线和电连接。上述传感器元件20和连接线13之间的电连接结构将在下面详细描述。

在凹部11中设置有包括硅酮基树脂和类似物的密封剂14，用于密封端子12伸入凹部11的根部与连接器外壳10之间的间隙。

在作为壳体的连接器外壳10的一个表面10a一侧具有凝胶保护层15，使其覆盖传感器元件20、连接线13和端子12的根部。

另一方面，在图1中，连接器外壳10的另一端部部分(图1中的上侧端部部分)包括开口16，并且开口16形成为连接器部分，用于通过外部连线部件(未图示)例如线束将端子12的另一端部侧电连接到外部电路(车辆的ECU等)。

即，每个端子12暴露在开口16中的另一端部侧可以通过连接器部分电连接到外部。这样，信号通过连接线13和端子12在传感器元件20和外部之间传输。

如图1所示，壳体30作为第二外壳装在连接器外壳10的一个端部部分。特别是，它设计成作为容纳空腔的接收凹部30a形成在外壳30中，连接器外壳10的一个端部侧插在接收凹部30a中，从而将壳体30装在连接器外壳10上。

通过将作为第一外壳的连接器外壳10和作为第二外壳的壳体30组装成一个整体形成外壳100，传感器元件20装在外壳100中。

壳体30包括金属材料，其中包括例如铝(Al)作为主要成分，并具有压力引入孔31，用于从测量目标引入测量压力，以及将压力传感器S1固定在测量目标上的螺纹部分32。如上所述，测量目标包括柴油动力汽车废气清洁过滤器的DPF，并且测量压力包括DPF差压。

此外，壳体30中的接收凹部30a具有朝向连接器外壳10的端面10a的一个表面30b。连接器外壳10接触这个表面30b，从而将连接器外壳10定位。

环形槽(O形圈槽)17形成在连接器外壳10的端面10a上，从而它围住压力引入孔31的外边缘；并且在此槽17中装有O形圈18，使得从连接器外壳10的端面10a与壳体30的一个表面30b之间的界面进入的作为测量目标的流体不会泄露。

如图1所示，在壳体30的接收凹部30a一侧的端部钩住连接器外壳10的一个端部部分，从而形成钩住部分36，结果将壳体30固定在连接器外壳10上并与之形成整体。

在按这种方式将连接器外壳10与壳体30组装形成的压力传感器S1中，一旦作为测量目标的流体通过压力引入孔31流入，则流体的压力通过凝胶保护层15作用在传感器元件20、连接线13和端子12上。

下面说明上述结构压力传感器S1中传感器元件20与连接线13之间的电连接结构。图2是表示传感器元件20与连接线13之间的电连接部分的剖面结构。

如图2所示，在传感器元件20已经形成在其上的作为半导体基底的半导体芯片21的表面上形成包括SiN的绝缘膜22。在绝缘膜22表面上形成铝膜23作为第一金属膜。对应于第一金属膜的铝膜23其结构是通过绝缘膜22中形成的未图示接触孔电连接到传感器元件20的所需区域。

金膜24作为具有耐蚀性的第二金属膜形成在铝膜23的表面。对应于本发明第二金属膜的金膜24形成在第一保护膜25的暴露部分上，而第一保护膜25形成在绝缘膜22和铝膜23的表面上，即，金膜形成在铝膜23中作为焊点的区域表面上以及第一保护膜25中焊点的周围。

具体地，其结构是，包括聚酰亚胺的第二保护膜26形成在第一保护膜25的表面上，但在铝膜23中作为焊点的区域上以及此区域的周围不形成第二保护膜26，铝膜在其中是暴露的；并且在作为焊点的暴露区及其周围形成金膜24。因此，在此结构中，金膜24的端部部分大致对应于第二保护膜26的端部部分。

通过下面所述的用于提高附着力的处理，金膜24对铝膜23和包括SiN的第一保护膜25具有高的附着力。

在此结构中，将连接线13结合到金膜24表面，通过金膜24和铝膜23将连接线13电连接到半导体芯片21上形成的传感器元件20。

下面描述此实施例中压力传感器S1的制造方法。但是，由于压力传感器S1的基本制造方法与传统方法相同，因此这里描述传感器元件20和连接线13之间的电连接部分，这是本发明的一个特征。

图3表示图2所示传感器元件20与连接线13之间的电连接部分的制造过程。

首先，按公知的传统方法在半导体芯片21上形成传感器元件20，例如计量电阻；接着按诸如电化学腐蚀的方法形成隔膜。然后，如图3A所示，形成绝缘膜22；接着如图3B所示，通过沉积或类似的方法形成作为第一金属膜的铝膜23，再在所需位置留下所需图案。

随后，如图3C所示，在铝膜23和绝缘膜22的表面上沉积第一保护膜25，第一保护膜25包括氮化硅膜或氧化硅膜和堆积在上面的氮化硅膜；接着通过光刻蚀和类似方法去除铝膜23中作为焊点区域上形成的一部分第一保护膜25。因此铝膜23中作为焊点的区域处于暴露状态。

接着，如图3D所示，沉积包括聚酰亚胺的第二保护膜26，再通过光刻蚀和类似方法去除铝膜23中作为焊点的区域上形成的一部分第二保护膜26以及此区域周围的第一保护膜25上形成的一部分。因此，铝膜23中作为焊点的区域以及位于此区域周围的第一保护膜25处于暴露状态。

然后，在平行板等离子处理设备(未图示)中，在包括氩(Ar)或氮(N₂)和碳氟化合物(CF₄)的气体气氛下执行等离子处理。因此，如图3E所示，可以改变作为随后形成的金膜24基础的铝膜23、第一保护膜25和第二保护膜26的附着力。

具体地，在铝膜23和第一保护膜25中，要保证对金膜24的附着力；并且在第二保护膜26中，要减小对金膜24的附着力。这种附着力变化的机理尚不清楚，但是，可以认为，在包括聚酰亚胺的第二保护膜26中，由于第二保护膜26中的碳与气氛中的氟结合并处于稳定状态，当在上面形成金膜24时不能得到对金膜的附着力。在铝膜23和包括SiN的第一保护膜25中，可以认为，在表面上自然形成的氧化膜通过蒸气处理去除，氟仍存在于已经去除氧化物的部分中，并且氟用于在形成金膜24时提高附着力。尤其是，可以认为，当形成金膜24时，在残余氟作用下金进入铝，从而形成金属-金属结合，由此提高附着力。

如果不仅是在此过程中使用这里的等离子处理，而是从此过程之前的一个过程连续使用，并且在等离子处理设备中连续执行各个过程，则可以防止半导体芯片21暴露在空气中，从而可以防止空气中包含的颗粒或类似物吸附到半导体芯片的表面。

随后，如图3F所示，通过溅射工艺或真空沉积工艺在铝膜23、第一保护膜25和第二保护膜26的表面上沉积金膜24。使用起始压力等于或大于1MPa的流体例如水接触半导体芯片21的表面，如图3G所示，在具有弱附着力的第二保护膜26表面上形成的一部分金膜24分离，仅在铝膜23和第一保护膜25的表面上残留金膜。

接着，连接线13结合到金膜24表面；结果，完成如图2所示的电连接结构。

根据上述实施例的压力传感器S1的制造方法，对作为金膜24基础的铝膜23、第一保护膜25和第二保护膜26进行改变附着力的处理。因此，可以分离第二保护膜26上附着力减小的金膜24，相应地仅在保证附着力的铝膜23和第一保护膜25的表面上形成金膜24。

此外，通过改变附着力的处理，铝膜23和第一保护膜25处于以高附着力与金膜24结合的状态。因此，可以防止腐蚀介质通过金膜24与第一保护膜25之间的界面进入焊点一侧，相应地可以防止对焊点的腐蚀。

(第二实施例)

下面描述本发明的第二实施例。尽管用铝膜23作为第一金属膜的情况在第一实施例中描述了，但当使用铝膜23时，由于形成铝膜23之后进行热处理而可能在晶界出现原子自扩散，这有时导致原子在铝膜23表面聚集并形成称为小丘的突起23a(下面称为小丘)。作为铝膜23的表面突起的小丘23a的高度有时达到2μm到3μm。

当小丘23a的高度增大时，可以出现图4A中连接结构的剖视图所示的问题：小丘23a减小了包括作为第二金属膜的金膜的薄膜覆盖性能，从而不能保护铝膜23免受腐蚀气氛腐蚀，结果未充分覆盖的一部分被腐蚀，例如，如在图4B中连接结构的剖视图所示。第二实施例的方法用于避免这个问题。

图5是此实施例的压力传感器中传感器元件与连接线之间结合部分的电连接结构的剖视图。此实施例是结合部分的电连接结构与第一实施例不同的实施例，但压力传感器的基本结构与第一实施例相同，因此仅描述与第一实施例不同的部分。

如图5所示，在绝缘膜22的表面上形成钛膜23b，接着在钛膜23b上形成铝膜23，从而构成第一金属膜。

当按这种方式使用钛膜23b时，由于钛具有高的取向，因此与直接在绝缘膜22上形成的铝膜相比，提高了上面形成的铝膜23的取向，由此铝膜可以是热稳定的。因此，难以发生由于热处理造成的铝的自扩散，相应地小丘23a的高度变成小于0.5μm。

当小丘23a的高度小于0.5μm时，即使利用通常的溅射设备形成作为第二金属膜的金膜24，也能在小丘23a周围充分地形成覆盖。因此，即使铝膜23暴露在腐蚀气氛中也能防止其腐蚀。

(第三实施例)

下面描述本发明的第三实施例。本发明用于减小铝膜23中形成的小丘23a的高度，如同第二实施例一样。

图6是此实施例的压力传感器中传感器元件与连接线之间的结合部分的电连接结构的剖视图。此实施例是结合部分的电连接结构与第一实施例不同的实施例，但压力传感器的基本结构与第一实施例相同，因此仅描述与第一实施例不同的部分。

在图6所示的连接结构中，铝膜23从纯铝膜变成含有铝作为主要成分的合金膜，例如Al-Si-Cu。特别是，使用含有铝作为主要成分的合金Al-Si-Cu构成铝膜23：Si 0.01％到4％(例如，0.4％)，Cu 0.01％到5％(例如，1％)。

这种铝合金与纯铝相比是热稳定的。因此，用这种铝合金构成铝膜23，从而减小丘23a的高度，相应地使小丘23a的高度小于0.5μm。

(修改)

在此实施例中，描述使用在铝膜23的表面上形成金膜24的电连接结构的情况。但是，这种结构仅仅表示为一个例子，也可以使用其它的结构。

例如，如图7所示，也可以使用在铝膜23的表面上沉积铝膜27、钛膜28和镍膜29，然后在上面沉积金膜24的结构，即，通过堆积很多类型的金属构成第二金属膜的结构。另外，也可以使用在铝膜23和金膜24之间仅插入钛膜28的结构。

虽然本发明是通过在每个实施例中给出含有铝作为主要成分的金属作为示例用于第一金属膜被描述，但本发明也可以应用于使用其它金属的情况，例如，含有铜作为主要成分的金属。在第一和第二实施例中，至少部分第一金属膜是由铝膜23构成。铝膜23不仅可以是包括纯铝的薄膜，也可以是包括含有铝作为主要成分的铝合金的薄膜。

此外，第一保护膜25和第二保护膜26的所述材料仅是表示为一个例子，并且第一保护膜25不是必须包括SiN，第二保护膜26不是必须包括聚酰亚胺。关键是改变附着力的处理，第一保护膜25可以包括提高附着力的材料，第二保护膜26可以包括减小附着力的材料。在这种情况下，从提高附着力的材料来看，第一保护膜25可以包括任何材料，只要材料是在处理后残留氟时不减小附着力的材料，即，材料不含碳。此外，第二保护膜26可以包括任何减小附着力的材料，例如有机树脂材料。

虽然参考优选的实施例描述了本发明，但应该理解的是，本发明并不限于优选的实施例和结构。本发明旨在覆盖各种修改和等同结构。另外，虽然优选的是多种组合和结构，但其它组合和结构，包括或多、或少或仅一个单独要素也在本发明的精神和范围内。

Claims

1.一种制造压力传感器的方法，包括以下步骤：

制备上面具有传感器元件(20)的半导体基底(21)，传感器元件(20)根据作为检测目标的压力产生检测信号；

在半导体基底(21)的表面上形成具有接触孔的绝缘膜(22)，接触孔连接到传感器元件(20)；

在绝缘膜(22)的预定部分上形成第一金属膜(23)，第一金属膜(23)通过接触孔电连接到传感器元件(20)；

在第一金属膜(23)和绝缘膜(22)上形成第一保护膜(25)，露出第一金属膜(23)的焊点区；

在第一金属膜(23)和第一保护膜(25)上形成有机树脂制成的第二保护膜(26)，露出第一金属膜(23)的焊点区以及设置在焊点区周围的一部分第一保护膜(25)；

在形成第二保护膜(26)的步骤之后，进行第二保护膜(26)的表面上附着力减小的处理，以减小第二保护膜(26)与其上面的第二金属膜(24，27-29)之间的附着力，其中，进行附着力减小的处理步骤是在包括CF₄气和氮气、以及CF₄气和氩气的两种混合气氛中的一种气氛中的等离子处理；

在进行附着力减小的处理步骤之后，在第一金属膜(23)的焊点区以及设置在焊点区周围的一部分第一保护膜(25)上形成第二金属膜(24，27-29)；以及

去除设置在第二保护膜(26)表面上的一部分第二金属膜(24，27-29)。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

进行附着力减小的处理步骤增大了第二金属膜(24，27-29)与第一金属膜(23)的焊点区或设置在焊点区周围的一部分第一保护膜(25)之间的附着力。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

第一金属膜(23)由铝基材料(23)制成；以及

第二金属膜(24，27-29)包括金膜(24)。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：

第二金属膜(24，27-29)还包括铝膜(27)、钛膜(28)和镍膜(29)中的至少一种；

第二金属膜(24，27-29)中的金膜设置在铝膜(27)、钛膜(28)和镍膜(29)中的至少一种上。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

形成第二金属膜(24，27-29)的步骤是通过溅射法或气相沉积法进行。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

第一金属膜(23)包括钛膜(23b)和铝基膜(23)；

形成第一金属膜(23)的步骤包括以下步骤：

形成钛膜(23b)；以及

在钛膜(23b)上形成铝基膜(23)。

7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

第一金属膜(23)包括铝基膜(23)；以及

铝基膜(23)包括硅或铜。

8.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

第一金属膜(23)具有表面突起(23a)，其高度等于或小于0.5μm。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：

第一金属膜(23)包括钛膜(23b)和铝基膜(23)；以及

形成第一金属膜(23)的步骤包括以下步骤：

形成钛膜(23b)；

在钛膜(23b)上形成铝基膜(23)；以及

通过钛膜(23b)的取向减小表面突起(23a)的高度。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于：

第一金属膜(23)包括铝-硅-铜合金膜(23)；以及

通过铝-硅-铜合金膜(23)的热稳定性减小表面突起(23a)的高度。

11.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

第一保护膜(25)由氧化硅或氮化硅制成；以及

第二保护膜(26)由聚酰亚胺制成。

12.一种制造压力传感器的方法，包括以下步骤：

在形成第二保护膜(26)的步骤之后，进行第一金属膜(23)的焊点区的表面以及设置在焊点区周围的一部分第一保护膜(25)上附着力增大的处理，以增大第一金属膜(23)或第一保护膜(25)和上面的第二金属膜(24，27-29)之间的附着力，其中，进行附着力增大的处理步骤是在包括CF₄气和氮气、以及CF₄气和氩气的两种混合气氛中的一种气氛中的等离子处理；

在执行附着力增大的处理之后，在第一金属膜(23)的焊点区和设置在焊点区周围的一部分第一保护膜(25)上形成第二金属膜(24，27-29)；以及

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于：

第一金属膜(23)由铝基材料(23)制成；以及

第二金属膜(24，27-29)包括金膜(24)。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于：

第二金属膜(24，27-29)中的金膜(24)设置在铝膜(27)、钛膜(28)和镍膜(29)中的至少一种上。

15.如权利要求12到14的任一项所述的方法，其特征在于：

形成第二金属膜(24，27-29)的步骤是通过溅射法或气相沉积法进行的。

16.如权利要求12-14的任一项所述的方法，其特征在于：

第一金属膜(23)包括钛膜(23b)和铝基膜(23)；以及

形成第一金属膜(23)的步骤包括以下步骤：

形成钛膜(23b)；以及

在钛膜(23b)上形成铝基膜(23)。

17.如权利要求12-14的任一项所述的方法，其特征在于：

第一金属膜(23)包括铝基膜(23)；以及

铝基膜(23)包括硅或铜。

18.如权利要求12-14的任一项所述的方法，其特征在于：

第一金属膜(23)具有表面突起(23a)，其高度等于或小于0.5μm。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于：

第一金属膜(23)包括钛膜(23b)和铝基膜(23)；

形成第一金属膜(23)的步骤包括以下步骤：

形成钛膜(23b)；

在钛膜(23b)上形成铝基膜(23)；以及

通过钛膜(23b)的取向减小表面突起(23a)的高度。

20.如权利要求18所述的方法，其特征在于：

第一金属膜(23)包括铝-硅-铜合金膜(23)；以及

21.如权利要求12-14的任一项所述的方法，其特征在于：

第一保护膜(25)由氧化硅或氮化硅制成；以及

第二保护膜(26)由聚酰亚胺制成。