JP2009290234A - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009290234A JP2009290234A JP2009205926A JP2009205926A JP2009290234A JP 2009290234 A JP2009290234 A JP 2009290234A JP 2009205926 A JP2009205926 A JP 2009205926A JP 2009205926 A JP2009205926 A JP 2009205926A JP 2009290234 A JP2009290234 A JP 2009290234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- silicon film
- film
- type amorphous
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
【課題】出力特性が向上された光起電力素子を提供することである。
【解決手段】n型単結晶シリコン基板11の主面上にi型非晶質シリコン膜21およびn型非晶質シリコン膜22が形成され、n型非晶質シリコン膜22上に表面電極12が形成されている。n型単結晶シリコン基板11の裏面上にi型非晶質シリコン膜23およびp型非晶質シリコン膜24が形成され、p型非晶質シリコン膜24上に裏面電極16が形成される。表面電極12側が主たる受光面となる。p型非晶質シリコン膜24の膜厚は、6nm以上80nm以下である。
【選択図】図5
Description
できる。また、スパッタリングにより裏面電極16を形成する際にp型非晶質シリコン膜24の表面が劣化しても、p型非晶質シリコン膜24が十分な膜厚を有するので、その影響を低減することができる。
上記実施の形態においては、結晶系半導体基板としてn型単結晶シリコン基板11が用いられているが、これに限定されず、n型単結晶シリコン基板11の代わりにn型多結晶シリコン基板を用いてもよく、p型単結晶シリコン基板を用いてもよく、p型多結晶シリコン基板を用いてもよい。
上記実施の形態においては、n型単結晶シリコン基板11が一導電型の結晶系半導体に相当し、i型非晶質シリコン膜21が第1の非晶質系半導体膜に相当し、n型非晶質シリコン膜22が第2の非晶質系半導体膜に相当し、表面電極12が第1の電極層に相当し、i型非晶質シリコン膜23が第3の非晶質系半導体膜に相当し、p型非晶質シリコン膜24が第4の非晶質系半導体膜に相当し、裏面電極16が第2の電極層に相当する。
<実施例>
以下、実施例および比較例の光起電力素子を作製し、作製した光起電力素子の出力特性を測定した。
実施例においては、上記実施の形態の方法で図3の光起電力素子100を作製した。なお、実施例においては表面電極12側を光入射面としている。実施例の光起電力素子の作製条件を表1に示す。
比較例の光起電力素子が実施例の光起電力素子100と異なるのは、裏面電極16側を光入射面としている点である。
各非晶質シリコン膜の膜厚が異なる実施例および比較例の光起電力素子を種々作製し、各光起電力素子の最大出力Pmaxを比較した。
p型非晶質シリコン膜24の膜厚が異なる実施例および比較例の光起電力素子を種々作製し、それらの最大出力Pmaxを測定した。図4に測定結果を示す。図4において、横軸はp型非晶質シリコン膜24の膜厚を示し、縦軸は、最大出力Pmaxを示し、一点鎖線は実施例の測定結果を示し、実線は比較例の測定結果を示す。なお、最大出力Pmaxの値は、比較例の光起電力素子の最大出力Pmaxの最大値を1として規格化した値である。また、実施例においては、i型非晶質シリコン膜21の膜厚は5nmであり、n型非晶質シリコン膜22の膜厚は5nmであり、i型非晶質シリコン膜23の膜厚は15nmであり、比較例においては、i型非晶質シリコン膜21の膜厚は15nmであり、n型非晶質シリコン膜22の膜厚は14nmであり、i型非晶質シリコン膜23の膜厚は8nmである。
n型非晶質シリコン膜22の膜厚が異なる実施例および比較例の光起電力素子を種々作製し、それらの最大出力Pmaxを測定した。図5に測定結果を示す。図5において、横軸はn型非晶質シリコン膜22の膜厚を示し、縦軸は、最大出力Pmaxを示し、一点鎖線は実施例の測定結果を示し、実線は比較例の測定結果を示す。なお、最大出力Pmaxの値は、比較例の光起電力素子の最大出力Pmaxの最大値を1として規格化した値である。また、実施例においてはi型非晶質シリコン膜21の膜厚は5nm、i型非晶質シリコン膜23の膜厚は15nm、p型非晶質シリコン膜24の膜厚は20nmであり、比較例においてはi型非晶質シリコン膜21の膜厚は15nm、i型非晶質シリコン膜23の膜厚は8nm、p型非晶質シリコン膜24の膜厚は5nmである。
i型非晶質シリコン膜21の膜厚が異なる実施例の光起電力素子およびi型非晶質シリコン膜23の膜厚が異なる比較例の光起電力素子を種々作製し、それらの最大出力Pmaxを測定した。図6に測定結果を示す。図6において、横軸は実施例のi型非晶質シリコン膜21または比較例のi型非晶質シリコン膜23の膜厚すなわち光入射面側のi型非晶質シリコン膜の膜厚を示し、縦軸は、最大出力Pmaxを示し、一点鎖線は実施例の測定結果を示し、実線は比較例の測定結果を示す。なお、最大出力Pmaxの値は、比較例の光起電力素子の最大出力Pmaxの最大値を1として規格化した値である。また、実施例においては、n型非晶質シリコン膜22の膜厚は5nmであり、i型非晶質シリコン膜23の膜厚は15nmであり、p型非晶質シリコン膜24の膜厚は20nmである。また、比較例においては、i型非晶質シリコン膜21の膜厚は15nmであり、n型非晶質シリコン膜22の膜厚は14nmであり、p型非晶質シリコン膜24の膜厚は15nmである。
i型非晶質シリコン膜23の膜厚が異なる実施例およびi型非晶質シリコン膜21の膜厚が異なる比較例の光起電力素子を種々作製し、それらの最大出力Pmaxを測定した。図7に測定結果を示す。図7において、横軸は実施例のi型非晶質シリコン膜23または比較例のi型非晶質シリコン膜21の膜厚すなわち裏面側のi型非晶質シリコン膜の膜厚を示し、縦軸は、最大出力Pmaxを示し、一点鎖線は実施例の測定結果を示し、実線は比較例の測定結果を示す。なお、最大出力Pmaxの値は、比較例の光起電力素子の最大出力Pmaxの最大値を1として規格化した値である。また、実施例においては、i型非晶質シリコン膜21の膜厚は5nmであり、n型非晶質シリコン膜22の膜厚は5nmであり、p型非晶質シリコン膜24の膜厚は20nmである。また、比較例においては、n型非晶質シリコン膜22の膜厚は14nmであり、i型非晶質シリコン膜23の膜厚は8nmであり、p型非晶質シリコン膜24の膜厚は5nmである。
12 表面電極
13,17 バスバー電極部
14,18 フィンガー電極部
15,19 集電極
16 裏面電極
21,23 i型非晶質シリコン膜
22 n型非晶質シリコン膜
24 p型非晶質シリコン膜
100 光起電力素子
Claims (4)
- n型の結晶系半導体の第1の面上に、実質的に真性の第1の非晶質系半導体膜と、n型の第2の非晶質系半導体膜と、透光性の第1の電極層と、第1の集電電極とを順に備え、
前記結晶系半導体の第2の面上に、実質的に真性の第3の非晶質系半導体膜と、p型の第4の非晶質系半導体膜と、第2の電極層と、第2の集電電極とを順に備え、
第2の集電電極に対して前記第1の集電電極の面積を小さくし、前記第1の集電電極側を主たる光入射面としたことを特徴とする光起電力素子。 - 前記第1の非晶質系半導体膜は膜厚が3.5nm以上8nm以下のi型非晶質シリコン膜であり、
前記第2の非晶質系半導体膜は膜厚が2nm以上8nm以下のn型非晶質シリコン膜であり、
前記第3の非晶質系半導体膜は膜厚が10nm以上20nm以下のi型非晶質シリコン膜であり、
前記第4の非晶質系半導体膜は膜厚が6nm以上80nm以下のn型非晶質シリコン膜であることを特徴とする請求項1記載の光起電力素子。 - 前記第2の非晶質系半導体膜の膜厚が4nm以上であることを特徴とする請求項2記載の光起電力素子。
- 前記第4の非晶質系半導体膜の膜厚が40nm以下であることを特徴とする請求項2記載の光起電力素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009205926A JP5031007B2 (ja) | 2009-09-07 | 2009-09-07 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009205926A JP5031007B2 (ja) | 2009-09-07 | 2009-09-07 | 光起電力素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005052741A Division JP4744161B2 (ja) | 2005-02-25 | 2005-02-28 | 光起電力素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009290234A true JP2009290234A (ja) | 2009-12-10 |
JP5031007B2 JP5031007B2 (ja) | 2012-09-19 |
Family
ID=41459075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009205926A Active JP5031007B2 (ja) | 2009-09-07 | 2009-09-07 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5031007B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012105146A1 (ja) | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置及び光電変換モジュール |
WO2012105155A1 (ja) | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
EP2506310A3 (en) * | 2011-03-29 | 2013-05-08 | Lg Electronics Inc. | Bifacial solar cell |
WO2014148392A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | 長州産業株式会社 | 光発電装置 |
CN104752536A (zh) * | 2013-12-25 | 2015-07-01 | 新日光能源科技股份有限公司 | 太阳能电池及其制造方法 |
WO2016111339A1 (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-14 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
US9425340B2 (en) | 2010-12-29 | 2016-08-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell and solar cell module |
US10164129B2 (en) | 2011-06-13 | 2018-12-25 | Lg Electronics Inc. | Solar cell |
US10269992B2 (en) | 2012-11-30 | 2019-04-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell |
EP2682990B1 (en) | 2012-07-02 | 2021-03-24 | Meyer Burger (Germany) GmbH | Hetero-junction solar cells with edge isolation and methods of manufacturing same |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59169185A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-25 | リツエンツイア・パテント−フエルヴアルツングス−ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 太陽電池 |
JPH11112011A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
JP2003282905A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2004221437A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置およびその製造方法 |
JP2004289058A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
-
2009
- 2009-09-07 JP JP2009205926A patent/JP5031007B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59169185A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-25 | リツエンツイア・パテント−フエルヴアルツングス−ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 太陽電池 |
JPH11112011A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
JP2003282905A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2004221437A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置およびその製造方法 |
JP2004289058A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9425340B2 (en) | 2010-12-29 | 2016-08-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell and solar cell module |
WO2012105155A1 (ja) | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
WO2012105146A1 (ja) | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置及び光電変換モジュール |
US9893225B2 (en) | 2011-03-29 | 2018-02-13 | Lg Electronics Inc. | Bifacial solar cell |
EP2506310A3 (en) * | 2011-03-29 | 2013-05-08 | Lg Electronics Inc. | Bifacial solar cell |
US9698294B2 (en) | 2011-03-29 | 2017-07-04 | Lg Electronics Inc. | Bifacial solar cell |
US10153390B2 (en) | 2011-03-29 | 2018-12-11 | Lg Electronics Inc. | Bifacial solar cell |
US11251319B2 (en) | 2011-06-13 | 2022-02-15 | Lg Electronics Inc. | Solar cell |
US10164129B2 (en) | 2011-06-13 | 2018-12-25 | Lg Electronics Inc. | Solar cell |
EP2682990B1 (en) | 2012-07-02 | 2021-03-24 | Meyer Burger (Germany) GmbH | Hetero-junction solar cells with edge isolation and methods of manufacturing same |
US10269992B2 (en) | 2012-11-30 | 2019-04-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell |
CN105103307A (zh) * | 2013-03-19 | 2015-11-25 | 长州产业株式会社 | 光发电装置 |
CN105103307B (zh) * | 2013-03-19 | 2017-05-24 | 长州产业株式会社 | 光发电装置 |
WO2014148392A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | 長州産業株式会社 | 光発電装置 |
CN104752536A (zh) * | 2013-12-25 | 2015-07-01 | 新日光能源科技股份有限公司 | 太阳能电池及其制造方法 |
JPWO2016111339A1 (ja) * | 2015-01-07 | 2017-10-19 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
CN107112378A (zh) * | 2015-01-07 | 2017-08-29 | 株式会社钟化 | 太阳能电池及其制造方法、以及太阳能电池模块 |
WO2016111339A1 (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-14 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
CN107112378B (zh) * | 2015-01-07 | 2020-02-14 | 株式会社钟化 | 太阳能电池及其制造方法、以及太阳能电池模块 |
US10566470B2 (en) | 2015-01-07 | 2020-02-18 | Kaneka Corporation | Solar cell, method for manufacturing same and solar cell module |
US10998456B2 (en) | 2015-01-07 | 2021-05-04 | Kaneka Corporation | Solar cell, method for manufacturing same and solar cell module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5031007B2 (ja) | 2012-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5031007B2 (ja) | 光起電力素子 | |
JP4744161B2 (ja) | 光起電力素子 | |
JP4502845B2 (ja) | 光起電力素子 | |
US7781669B2 (en) | Photovoltaic cell | |
JP3998619B2 (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
US8872020B2 (en) | Heterojunction solar cell based on epitaxial crystalline-silicon thin film on metallurgical silicon substrate design | |
US10084107B2 (en) | Transparent conducting oxide for photovoltaic devices | |
JP2009503848A (ja) | 組成傾斜光起電力デバイス及び製造方法並びに関連製品 | |
KR20100132504A (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
CN103907205A (zh) | 光电变换装置及其制造方法、以及光电变换模块 | |
EP2467882B1 (en) | Solar cell | |
JP2005101427A (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
JP5869674B2 (ja) | 光発電素子 | |
JP4169671B2 (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
JP2014072416A (ja) | 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール | |
KR20120096177A (ko) | 박막 태양 전지 | |
JP4070648B2 (ja) | 光起電力素子 | |
KR101863068B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
US8642881B2 (en) | Thin film solar cell and method of manufacturing the same | |
JP4159390B2 (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
KR20120122023A (ko) | 이종접합형 태양전지 | |
JP5872877B2 (ja) | 薄膜太陽電池モジュール | |
KR101821392B1 (ko) | 박막 태양 전지 | |
JP2015073057A (ja) | 光発電素子 | |
KR20120064270A (ko) | 박막 태양 전지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091007 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20111117 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120529 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120626 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5031007 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706 Year of fee payment: 3 |