JP2009290008A - 反射型発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【課題】複数個の発光素子を１つの素子マウント側リードの先端の素子マウント部に同時に搭載することで、高輝度発光できる反射型発光ダイオードを提供する。
【解決手段】凹状ケース６の反射面２の上方を横切り、かつ中央部にて先端の素子マウント部が位置するように素子マウント側リード７を設置し、その反対側に平行な複数本のワイヤ接続側リード８１，８２，８３を設置し、素子マウント側リードの素子マウント部に複数個の発光素子９１，９２，９３をマウントし、複数個の発光素子と複数本のワイヤ接続側リードの先端のワイヤ接続部との間にワイヤ１０１，１０２，１０３をボンディングし、凹状ケースの凹部内に透明樹脂１３を充填して、当該凹部内に位置する素子マウント側リード、複数本のワイヤ接続側リード、複数個の発光素子及びワイヤを当該透明樹脂にて固定した反射型発光ダイオードである。
【選択図】 図１
【解決手段】凹状ケース６の反射面２の上方を横切り、かつ中央部にて先端の素子マウント部が位置するように素子マウント側リード７を設置し、その反対側に平行な複数本のワイヤ接続側リード８１，８２，８３を設置し、素子マウント側リードの素子マウント部に複数個の発光素子９１，９２，９３をマウントし、複数個の発光素子と複数本のワイヤ接続側リードの先端のワイヤ接続部との間にワイヤ１０１，１０２，１０３をボンディングし、凹状ケースの凹部内に透明樹脂１３を充填して、当該凹部内に位置する素子マウント側リード、複数本のワイヤ接続側リード、複数個の発光素子及びワイヤを当該透明樹脂にて固定した反射型発光ダイオードである。
【選択図】 図１
Description
本発明は、プリント回路基板などの表面に実装される表面実装型反射型発光ダイオードに関するものである。
従来、特許第３９８２６３５号公報（特許文献１）に記載されたような表面実装型発光ダイオードが知られている。この従来の表面実装型発光ダイオードは、内部に凹面形状の反射面を有し、周囲の壁部の上部に溝を有する凹状ケースと、凹状ケースの外部に位置する広幅リード部とその先端側の狭幅リード部とから成る一対のリードと、一方のリードの狭幅リード部の先端のマウント部に搭載された発光素子とから成り、リードそれぞれは、狭幅リード部が凹状ケースの溝に嵌合され、凹状ケースの溝の外部でリード構造の狭幅リード部が折り曲げられて、広幅リード部が凹状ケースの外側面に沿い、さらに、凹状ケースの外側面に沿って折り曲げられた広幅リード部の下端部が凹状ケースの底面に沿って内側に向かって折り曲げられ、その折り曲げ部分によって実装用端子を構成するようにした構成である。そして、凹状ケースの凹部には透明エポキシ樹脂もしくは透明シリコン樹脂のような透明樹脂を充填し、狭幅リード部を固定し、また発光素子を固定している。
このような反射型発光ダイオードの製造方法は次の通りである。エッチングまたは金型によって抜かれた一対のリードの一方の先端のマウント部に発光素子を導電性接着剤を用いて接着し、次に、発光素子の他端を他方のリードの狭幅リード部の先端に金線を用いて電気的に接続し、さらに、発光素子を搭載した１対のリードを発光素子が下向きにして凹部中心に位置するようにして凹状ケースに溝を利用して嵌合して位置決めし、この状態で凹状ケースの凹部に透明樹脂を充填して硬化させ、発光素子とリードの狭幅リード部を凹状ケースと一体化する。そしてこの後に、両側のリードそれぞれの所定の部分を曲げ加工して凹状ケースの側面に沿ったコの字状にする。
このような従来の反射型発光ダイオードは、発光素子で発生した熱は凹状ケースの外側に位置する広幅リード部を通じて外部に逃がせるので反射型発光ダイオードの熱抵抗を低減させることができ、結果的に大電流の通電を可能にして反射型発光ダイオードの高出力化が可能な利点がある。
ところが、従来の反射型発光ダイオードでは、上述したように発光素子を搭載した１対のリードを発光素子が下向きにして凹部中心に位置するようにして凹状ケースに嵌合し、その状態で透明樹脂を凹状ケースの凹部に充填して硬化させることで発光素子とリードの狭幅リード部を固定し、その後に、両側のリードそれぞれを曲げ加工して凹状ケースの外側面に沿うようにコの字状にしていたので、この曲げ加工の際にリードの狭幅リード部に上下方向にも左右方向にも力が働くことが避けられず、その力によって狭幅リード部が位置ずれし透明エポキシ樹脂もしくは透明シリコン樹脂の透明樹脂を損傷させたり発光素子にダメージを与えたりすることがあり、不良品を発生させてしまうことがある問題点があった。
この問題点を解決するために、素子マウント側リード、ワイヤ接続側リードそれぞれの広幅の垂直片と広幅の下片との境目に曲げ易くするために穴若しくは薄肉部を形成すれば、リードの曲げ加工時に透明エポキシ樹脂もしくは透明シリコン樹脂の透明樹脂を損傷させたり発光素子にダメージを与えたりしないで高輝度出力の反射型発光ダイオードを歩留まり良く製造できるようになる。
そして、大きな電流を流すことで高輝度出力が得られる反射型発光ダイオードが製造できるのであれば、１つの素子マウント側リードの先端の素子マウント部に複数の発光素子を搭載し、それらを同時に発光させるようにすることも可能であり、ＲＧＢ３個の発光素子を１つの素子マウント側リードの素子マウント部に同時に搭載させ、それらを同時に発光させて白色光を放出させたり、同色の発光素子を１つの素子マウント側リードの素子マウント部に同時に搭載させることで高輝度の光を放出させたりすることが可能となる。
特許第３９８２６３５号公報
特許第４００１３４７号公報
本発明は、上述した技術的な課題に鑑みてなされたもので、同色あるいは異色の複数個の発光素子を１つの素子マウント側リードの先端の素子マウント部に同時に搭載することで、任意の色の光が発光できる反射型発光ダイオードを提供することを目的とする。
本発明はまた、任意の色光を高輝度に発光できる反射型発光ダイオードを提供することを目的とする。
本発明は、内部に凹面形状の反射面を有し、この反射面の開口部側中央に素子マウント部が位置するように素子マウント側リードを設置し、前記素子マウント部に隣接してワイヤ接続部が位置するように複数本のワイヤ接続側リードを設置し、前記素子マウント側リードの素子マウント部に複数個の発光素子をマウントし、前記複数個の発光素子それぞれと前記複数本のワイヤ接続側リードのワイヤ接続部それぞれとの間にワイヤをボンディングし、前記複数個の発光素子及びワイヤを透明樹脂にて固定して収容する凹状ケースを具備して成る反射型発光ダイオードを特徴とする。
上記発明の反射型発光ダイオードにおいて、前記素子マウント側リードは、前記凹状ケースの開口部側を横切り、当該凹状ケースの外側面及び底面に沿うように狭幅の上片、広幅の垂直片、広幅の下片がコの字状をなすように折り曲げられたものとすることができる。
本発明の反射型発光ダイオードによれば、同色あるいは異色の複数個の発光素子を１つの素子マウント側リードの先端の素子マウント部に同時に搭載することで、任意の色光を発光できる反射型発光ダイオードを提供できる。
また、本発明によれば、素子マウント側リードを、凹状ケースの反射面の上方を横切り、当該凹状ケースの外側面及び底面に沿うように狭幅の上片、広幅の垂直片、広幅の下片がこの順にコの字状をなすように折り曲げられたものにしたことで、任意の色光を高輝度に発光できる反射型発光ダイオードを提供できる。
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて詳説する。図１、図２、図６は、本発明の１つの実施の形態の反射型発光ダイオード１を示している。この反射型発光ダイオード１は、上面部に放物曲面形状の反射面２を有し、周囲の壁部３の一辺の上部に溝４が形成され、対向辺の上部に溝５が形成された直方体の凹状ケース６と、この凹状ケース６の反射面２の上方を横切り、当該凹状ケース６の壁側面及び底面に沿うように狭幅の上片７ａ、広幅の垂直片７ｂ、広幅の下片７ｃがコの字状に折り曲げられて形成されている素子マウント側リード７と、この素子マウント側リード７と対置され、同様に狭幅の上片８１ａ，８２ａ，８３ａ、やや広幅の垂直片８１ｂ，８２ｂ，８３ｂ、このやや広幅の垂直片８１ｂ，８２ｂ，８３ｂと等幅の下片８１ｃ，８２ｃ，８３ｃがコの字状に折り曲げられて形成されている３本の平行なワイヤ接続側リード８１，８２，８３と、素子マウント側リード７の上片７ａのケース中心側先端の素子マウント部に搭載された３個の発光素子９１，９２，９３とから構成されている。この３個の発光素子９１，９２，９３は同色の発光素子であってもよく、また、例えばＲＧＢそれぞれの異なる発光色の発光素子であってもよい。同色の発光素子の場合には全体として高輝度が得られる。またＲＧＢ３色の発光素子であれば、全体として高輝度の白色光あるいはＲＧＢの混合色が得られる。
図４に詳しいように、発光素子９１，９２，９３それぞれにはワイヤ１０１，１０２，１０３それぞれの一端が接続され、ワイヤ１０１，１０２，１０３の他端はワイヤ接続側リード８１，８２，８３それぞれの上片８ａの先端のワイヤ接続部８１ｆ，８２ｆ，８３ｆに接続されている。
素子マウント側リード７、３本のワイヤ接続側リード８１，８２，８３それぞれの狭幅の上片７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａの折り曲げ基部７ａ’，８１ａ’，８２ａ’，８３ａ’が凹状ケース６の溝４，５１，５２，５３それぞれに嵌合され、凹状ケース６の溝４，５１，５２，５３の外部でリード７，８１，８２，８３それぞれの広幅の垂直片７ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ｂが凹状ケース６の側面に沿い、かつリード７，８１，８２，８３それぞれの広幅の下片７ｃ，８１ｃ，８２ｃ，８３ｃが凹状ケース６の底面に接している。また、素子マウント側リード７の上片７ａに、その両側縁それぞれから側方に延出する翼片７ｄが形成されている。他方、両側位置のワイヤ接続側リード８１，８３の上片８１ａ，８３ａと折り曲げ基部８１ａ’，８３ａ’とのつなぎの部分には水平に屈曲するアングル部８１ｄ，８３ｄが形成され、中央位置のワイヤ接続側リード８２の上片８２ａと折り曲げ基部８２ａ’とのつなぎの部分にはその両側縁それぞれから側方に延出する翼片８２ｄが形成されている。
凹状ケース６の溝４，５１，５２，５３それぞれにおいて、リード７，８１，８２，８３それぞれの折り曲げ基部７ａ’，８１ａ’，８２ａ’，８３ａ’の嵌合部分の上面側から凹状ケース６の上縁面までの段差を塞ぐようにその段差部分に小さなＵＶ硬化性樹脂を詰めて硬化させて堰止め１１，１２１，１２２，１２３とし、同時にリード７，８１，８２，８３それぞれの上片７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａの折り曲げ基部７ａ’，８１ａ’，８２ａ’，８３ａ’を固定している。そして、凹状ケース６の凹部内に、例えば、特許第４００１３４７号公報（特許文献２）に記載されているカチオン重合型透明エポキシ樹脂のような透明エポキシ樹脂もしくは透明シリコン樹脂のような透明樹脂１３を凹状ケース６の上縁面に達する深さに充填して硬化させることで、素子マウント側リード７、ワイヤ接続側リード８１，８２，８３の上片７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａ、翼片７ｄ，８２ｄ、アングル部８１ｄ，８３ｄの部分や発光素子９１，９２，９３、ワイヤ１０１，１０２，１０３を透明樹脂１３の中に埋没させた状態で固定している。
図２に示すように、上記構成の反射型発光ダイオード１は、図示していない基板上にこの反射型発光ダイオード１を載置し、底部両側のリード７，８１，８２，８３の下片７ｃ，８１ｃ，８２ｃ，８３ｃそれぞれを半田にてプラス端子、マイナス端子に接続して固定する。このマウント状態で、それらのプラス端子、マイナス端子に通電することで発光素子９１，９２，９３に両側のリード７，８１，８２，８３それぞれを通じて通電して発光させる。発光素子９１，９２，９３からの光は、図２において矢印線で示すように大部分が下方に出て放物曲面の反射面２にて反射され、ほぼ平行光線となって凹状ケース６の上面からそれに垂直な方向に出光する。このため、この反射型発光ダイオード１では、光の向きが揃い指向性が強い光、したがって光が当たるところでは輝度の高い光を得ることができる。
次に、上記の構造を有する反射型発光ダイオード１の製造方法について、図３〜図６を用いて説明する。大量生産においては、図３に示すような良導電性の材料、例えば、銅（Ｃｕ）を主成分として９８％〜９９％含み、若干の鉄（Ｆｅ）、硫黄（Ｓ）を含み、さらに２〜６μｍ厚に銀メッキが施された薄板を材料とし、これにエッチングあるいは打ち抜き加工にて一辺から素子マウント側リード７が延出し、それとは反対辺から１箇所３本のワイヤ接続側リード８１，８２，８３が延出し、両側に対向して多数横並びになるように形成されたリードフレーム２０を使用する。
素子マウント側リード７の形状は、狭幅の上片７ａ、広幅の垂直片７ｂ、広幅の下片７ｃそれぞれになる部分が形成されていて、さらに、上片７ａの垂直片７ｂに近い部位の両側縁それぞれにそこから側方に延出するように翼片７ｄが形成されている。３本のワイヤ接続側リード８１，８２，８３の形状は、そのうちの中央位置のリード８２については、狭幅の上片８２ａ、やや広幅の折り曲げ基部８２ａ’、さらに広幅の垂直片８２ｂ、同様に広幅の下片８２ｃそれぞれになる部分が形成されていて、さらに、上片８２ａと折り曲げ基部８２ａ’とのつなぎ部分の両側縁それぞれに側方に延出するように翼片８２ｄが形成されている。
尚、リードフレーム２０において、素子マウント側リード７とワイヤ接続側リード８１，８２，８３それぞれの垂直片７ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ｂとなる部分と下片７ｃ，８１ｃ，８２ｃ，８３ｃとなる部分との境目に相当する部分には曲げ応力を緩和するための応力逃がし穴を形成することができる。
また、図３において、素子マウント側リード７とワイヤ接続側リード８１，８２，３３それぞれの下片７ｃ，８１ｃ，８２ｃ，８３ｃとなる部分の端部に相当する位置に形成されている扁平楕円形の穴２１，２２は、破断線２３，２４にて切断加工する時の切断抵抗を小さくするためのものである。
このようなリードフレーム２０において、素子マウント側リード７と３本１組のワイヤ接続側リード８１，８２，８３とで対を成す各対のリード７，８１〜８３に対して、素子マウント側リード７の上片先端の素子マウント部７ｆに３個の発光素子９１，９２，９３をマウントし、それぞれの発光素子９１，９２，９３とワイヤ接続側リード８１，８２，８３それぞれの先端のワイヤ接続部８１ｆ，８２ｆ，８３ｆとの間にワイヤボンディングを行う。すなわち、図４に示したように素子マウント側リード７の上片７ａの先端の素子マウント部７ｆの下面側に３個の発光素子９１，９２，９３を銀ペーストにて固着し、続いてこの固着された発光素子９１，９２，９３それぞれとワイヤ接続側リード８１，８２，８３の上片８１ａ，８２ａ，８３ａの先端のワイヤ接続部８１ｆ，８２ｆ，８３ｆそれどれとの間にワイヤボンディングを行って例えば金線のようなワイヤ１０１，１０２，１０３それぞれを接続する。
他方、図５に示すように、凹状ケース６は、その上面側に放物凹曲面状の凹部が形成されていて、この凹部底面にアルミニウム若しくは銀蒸着することで反射面２が形成されている。また凹状ケース６の周囲の壁部３の一辺の上縁部に溝４が形成され、対向辺の上縁部に溝５１，５２，５３が形成されている。
リードフレーム２０の対を成す素子マウント側リード７と１組３本のワイヤ接続側リード８１，８２，８３とを凹状ケース６それぞれに取り付ける手順は、図６に示してある。すなわち、図６（ａ）に示すように、３個の発光素子９１，９２，９３を搭載し、ワイヤボンディングにてワイヤ１０１，１０２，１０３が接続された対を成す素子マウント側リード７とワイヤ接続側リード８１，８２，８３とは、上下を逆さまにして狭幅の上片７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａに相当する部分それぞれを凹状ケース６の溝４，５１，５２，５３に嵌合させる。これにより、凹状ケース６の内部においては狭幅の上片７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａに相当する部分が反射面２の上方に位置し、凹状ケース６の外部に広幅の垂直片７ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ｂ、下片７ｃ，８１ｃ，８２ｃ，８３ｃそれぞれに相当する部分が位置することになる。そして、凹状ケース６の溝４，５１，５２，５３それぞれには、対を成す素子マウント側リード７と３本のワイヤ接続側リード８１，８２，８３それぞれの折り曲げ基部７ａ’，８１ａ’８２ａ’，８３ａ’が嵌合する。
次に、図６（ｂ）に示すように、凹状ケース６の溝４，５１，５２，５３それぞれにおいて、対を成す素子マウント側リード７と３本のワイヤ接続側リード８１，８２，８３それぞれの折り曲げ基部７ａ’，８１ａ’８２ａ’，８３ａ’の嵌合部分の上面側から凹状ケース６の上面までの段差を塞ぐようにその段差部分に小さなＵＶ硬化性樹脂を詰めて硬化させて堰止め１１，１２１，１２２，１２３を形成する。
続いて、図６（ｃ）に示すように、硬化触媒を含む高粘度の透明エポキシ樹脂や透明シリコン樹脂のような透明樹脂１３を凹状ケース６の凹部にその上縁面まで充填し、８０〜１３０℃での雰囲気炉で硬化させて狭幅の上片７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａに相当する部分と発光素子９１，９２，９３、ワイヤ１０１，１０２，１０３を凹状ケース６と一体化する。
このようにして凹状ケース６と対を成す素子マウント側リード７と３本のワイヤ接続側リード８１，８２，８３の上片７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａに相当する部分を透明樹脂１３にて固定した後、図６（ｄ）に示すように、対を成す素子マウント側リード７と３本のワイヤ接続側リード８１，８２，８３の凹状ケース６より外側に出ている部分に曲げ加工を施す。この曲げ加工では、広幅の垂直片７ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ｂに相当する部分を、それに繋がる折り曲げ基部７ａ’，８１ａ’，８２ａ’，８３ａ’を凹状ケース６の側面に沿うように図において下側に折り曲げることで垂直にし、さらに、凹状ケース６の底面に下片７ｃ，８１ｃ，８２ｃ，８３ｃに相当する部分が接するように内側に折り曲げる。こうして、対を成す素子マウント側リード７と３本のワイヤ接続側リード８１，８２，８３それぞれが狭幅の上片７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａと広幅の垂直片７ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ｂと広幅の下片７ｃ，８１ｃ，８２ｃ，８３ｃとでコの字状をなすように折り曲げられて曲げ加工が完了する。この曲げ加工が完了すると、図１、図２に示した反射型発光ダイオード１が完成する。尚、この後、必要に応じて、対を成す素子マウント側リード７、ワイヤ接続側リード８１，８２，８３それぞれの下片７ｃ，８１ｃ，８２ｃ，８３ｃは凹状ケース６の底面に対して半田にて固定することがある。
このように本実施の形態の反射型発光ダイオード１では、素子マウント側リード７の先端の素子マウント部７ｆに３個の発光素子９１，９２，９３をマウントし、３本のワイヤ接続側リード８１，８２，８３の先端のワイヤ接続部８１ｆ，８２ｆ，８３ｆと各発光素子９１，９２，９３とにワイヤ１０１，１０２，１０３をボンディングした構造であるので、１個の凹状ケース６内の３個の発光素子９１，９２，９３を同時に発光させることができ、高輝度の発光が可能である。
しかも、本実施の形態の反射型発光ダイオード１では、対を成す素子マウント側リード７と３本１組のワイヤ接続側リード８１，８２，８３それぞれの狭幅の上片７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａに繋がるケース外部の垂直片７ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ｂ、下片７ｃ，８１ｃ，８２ｃ，８３ｃを広幅にしているので放熱性が高く、それだけ熱抵抗を小さくできて大きな電流を通電することができ、発光素子９１，９２，９３に対して大きな電流を給電できて高輝度で発光させることができる。
尚、本実施の形態の反射型発光ダイオード１では、対を成す素子マウント側リード７と３本１組のワイヤ接続側リード８１，８２，８３それぞれの狭幅の上片７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａに繋がる折り曲げ基部７ａ’，８１ａ’，８２ａ’，８３ａ’に側方に延出する翼片７ｄ，８２ｄやアングル部８１ｄ，８３ｄを設けたことによりこの狭幅の上片７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａの表面積が拡大し、従来よりも上片７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａの部分での放熱性能も高まり、それだけ熱抵抗を小さくでき、従来同様の温度状態で使用する場合にはより大電流を発光素子９１，９２，９３に通電することができて高出力化が図れる。
同時に、折り曲げ基部７ａ’，８１ａ’，８２ａ’，８３ａ’に側方に延出する翼片７ｄ，８２ｄやアングル部８１ｄ，８３ｄを設けたことにより、本実施の形態の反射型発光ダイオード１の製造において透明樹脂１３を硬化させて対を成す素子マウント側リード７とワイヤ接続側リード８１，８２，８３それぞれの狭幅の上片７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａを凹状ケース６の凹部内に固定した後に、凹状ケース６の外側にて折り曲げ基部７ａ’，８１ａ’，８２ａ’，８３ａ’それぞれを折り曲げ、さらに垂直片７ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ｂから下片７ｃ，８１ｃ，８２ｃ，８３ｃに相当する部分を折り曲げる加工をする際に発生する応力に対してこれらの翼片７ｄ，８２ｄやアングル部８１ｄ，８３ｄが大きな抵抗として働き、硬化している透明樹脂１３の中で上片７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａがずれ動くのを抑止することができ、この結果として、リード７，８１，８２，８３をコの字状に曲げ加工する時に発生しがちな透明樹脂１３のひび割れやワイヤ１０１，１０２，１０３の断線を効果的に防止でき、製品の製造歩留まりが向上する。
尚、上記実施の形態では１対のリード７，８１，８２，８３の広幅の垂直片７ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ｂと広幅の下片７ｃ，８１ｃ，８２ｃ，８３ｃとの境目相当部分に応力逃がし穴を形成することで広幅の垂直片７ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ｂから下片７ｃ，８１ｃ，８２ｃ，８３ｃをさらに直角に曲げ加工する際にいっそう容易に曲げ加工できるようになる。この部分には、切り込みを入れるなどによって薄肉部を形成することでも同様の目的は達成できる。
また、上記実施の形態では素子マウント側リード７の素子マウント部７ｆに３個の発光素子９１，９２，９３を搭載し、それらを同時に発光させるために３本１組のワイヤ接続側リード８１，８２，８３それぞれを設けたが、発光素子の個数は３個に限定されるものではなく、２個あるいは４個以上であってもよい。そしてその場合、発光素子の個数に応じて、その数と同本数のワイヤ接続側リードを設けることになる。
さらに、本発明の実施の形態によれば、反射面２を凹状ケースの凹部の底面に設ける例で説明したが、モールドなどの技術を用いて透明樹脂とリードフレームとを予め一体成形し、凹状ケースの凹部に対する嵌合面となる透明樹脂の底面側に反射面２を形成する構成であってもよい。
１ 反射型発光ダイオード
２ 反射面
３ 壁部
４，５ 溝
６ 凹状ケース
７ 素子マウント側リード
８１，８２，８３ ワイヤ接続側リード
７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａ 上片
７ａ’，８１ａ’，８２ａ’，８３ａ’ 折り曲げ基部
７ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ｂ 垂直片
７ｃ，８１ｃ，８２ｃ，８３ｃ 下片
７ｄ，８２ｄ 翼片
８１ｄ，８３ｄ アングル部
７ｆ 素子マウント部
８１ｆ，８２ｆ，８３ｆ ワイヤ接続部
９１，９２，９３ 発光素子
１０１，１０２，１０３ ワイヤ
２ 反射面
３ 壁部
４，５ 溝
６ 凹状ケース
７ 素子マウント側リード
８１，８２，８３ ワイヤ接続側リード
７ａ，８１ａ，８２ａ，８３ａ 上片
７ａ’，８１ａ’，８２ａ’，８３ａ’ 折り曲げ基部
７ｂ，８１ｂ，８２ｂ，８３ｂ 垂直片
７ｃ，８１ｃ，８２ｃ，８３ｃ 下片
７ｄ，８２ｄ 翼片
８１ｄ，８３ｄ アングル部
７ｆ 素子マウント部
８１ｆ，８２ｆ，８３ｆ ワイヤ接続部
９１，９２，９３ 発光素子
１０１，１０２，１０３ ワイヤ
Claims (4)
- 内部に凹面形状の反射面を有し、この反射面の開口部側中央に素子マウント部が位置するように素子マウント側リードを設置し、
前記素子マウント部に隣接してワイヤ接続部が位置するように複数本のワイヤ接続側リードを設置し、
前記素子マウント側リードの素子マウント部に複数個の発光素子をマウントし、
前記複数個の発光素子それぞれと前記複数本のワイヤ接続側リードのワイヤ接続部それぞれとの間にワイヤをボンディングし、前記複数個の発光素子及びワイヤを透明樹脂にて固定して収容する凹状ケースを具備して成ることを特徴とする反射型発光ダイオード。 - 前記素子マウント側リードは、前記凹状ケースの開口部側を横切り、当該凹状ケースの外側面及び底面に沿うように狭幅の上片、広幅の垂直片、広幅の下片がコの字状をなすように折り曲げられたものであることを特徴とする請求項１に記載の反射型発光ダイオード。
- 前記素子マウント側リードの素子マウント部には３個の発光素子が搭載され、前記ワイヤ接続側リードは３本であることを特徴とする請求項１又は２に記載の反射型発光ダイオード。
- 前記３個の発光素子は、Ｒ、Ｇ、Ｂ３色の発光素子であることを特徴とする請求項３に記載の反射型発光ダイオード。
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| JP2002151746A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | 反射型発光ダイオード |
| JP2002111070A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | 反射型発光ダイオード |
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| CN100394618C (zh) * | 2003-04-16 | 2008-06-11 | 株式会社珍珠电球制作所 | 反射型发光二极管 |
| JP2006005337A (ja) * | 2004-05-17 | 2006-01-05 | Tabuchi Electric Co Ltd | 複合型反射型発光装置 |
| JP2007311640A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Harison Toshiba Lighting Corp | 反射型発光ダイオード |
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2009
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011099204A1 (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | 株式会社 パールライティング | 反射型ｌｅｄ照明装置 |
| JP2011166007A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Pearl Lighting Co Ltd | 反射型ｌｅｄ照明装置 |
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