JP2009283829A - 反射型発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents

反射型発光ダイオード及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009283829A
JP2009283829A JP2008136581A JP2008136581A JP2009283829A JP 2009283829 A JP2009283829 A JP 2009283829A JP 2008136581 A JP2008136581 A JP 2008136581A JP 2008136581 A JP2008136581 A JP 2008136581A JP 2009283829 A JP2009283829 A JP 2009283829A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
lead
emitting element
tip
reflecting surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008136581A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiro Shirai
保弘 白井
Yoshio Inokoshi
良夫 猪越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pearl Lighting Co Ltd
Original Assignee
Pearl Lighting Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pearl Lighting Co Ltd filed Critical Pearl Lighting Co Ltd
Priority to JP2008136581A priority Critical patent/JP2009283829A/ja
Publication of JP2009283829A publication Critical patent/JP2009283829A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】発光素子をマウントする側の第1のリードの素子マウント部の肉厚をそこにマウントする発光素子の種類に応じて容易に調整することができ、いずれの種類の発光素子に対してもその発光面と反射面の中心との距離を最適に調整することで、輝度の高い発光が得られる反射型発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明は、内部に凹面形状の反射面2を有し、この反射面の開口部側中央部にて先端部が相対する第1及び第2の1対のリード7,8を設置し、第1のリードの先端部の反射面に対向する下面側を薄肉にして所定厚みの素子マウント部71を設け、薄肉にされた先端部の下面側に発光素子9をマウントし、発光素子と第2のリードの先端部との間にワイヤ10をボンディングした反射型発光ダイオード1を特徴とする。
【選択図】 図1

Description

本発明は、反射型発光ダイオード及びその製造方法に関する。
従来、高輝度反射型発光ダイオードとして、特開平9−36433号公報(特許文献1)に記載されたような反射型発光ダイオードが知られている。この従来の反射型発光ダイオードは、内部に凹面形状の反射面を有する凹状ケースの反射面の開口部側中央部にて先端部が相対するように第1と第2の1対のリードを設置し、第1のリードの先端部の反射面に対向する下面側に発光素子をマウントし、発光素子と第2のリードの先端部との間にワイヤをボンディングした構造である。
このような反射型発光ダイオードは、反射面の焦点位置に発光素子が配置されていて、発光素子で発光する光が反射面で反射されて平行光となり、凹状ケースの上開口面から出力される。このように発光素子から出力される光のほとんどを、一旦反射面で受けて出力しているため、通常の砲弾型発光ダイオードに比べて光の取り出し効率を格段に向上でき、また半値角を狭くして遠方まで明るく照らせる特長がある。
ところが、このような反射型発光ダイオードでは、第1のリードの先端の素子マウント部に発光素子をマウントするのに、その素子の発光面と反射面の中心との距離がずれると輝度が低下するので、発光素子の発光面と反射面の中心との距離を厳密に管理する必要がある。ところが、従来は、第1のリードの厚みはその全体で均一であるため、発光面の高さが異なる種々の発光素子をその素子マウント部にマウントすると、発光素子の発光面と反射面の中心との距離が種々の発光素子によりまちまちになり、各種の発光素子それぞれにとって最適な距離をとってマウントできるものとはならず、いずれの発光素子をも高輝度にて発光させることができるものとはならない問題点があった。
そこで、上の特許文献1の反射型発光ダイオードでは、発光素子を第1のリードの先端の素子マウント部に固定するのにダミーブロックを介在させることで発光素子の発光面と反射面の中心との距離を調整する方法を採用している。
ところが、この従来の反射型発光ダイオードの製造方法によれば、第1のリードの素子マウント部と発光素子との間にダミーブロックが介在するため、得られた反射型発光ダイオードではこのダミーブロックが熱及び電気抵抗となって損失を発生させ、所期の輝度を得にくい問題点があり、エネルギ効率の点でさらなる改良が必要であった。
特開平9−36433号公報
本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、発光素子をマウントする側の第1のリードの素子マウント部の肉厚をそこにマウントする発光素子の種類に応じて容易に調整することができ、いずれの種類の発光素子に対してもその発光面と反射面の中心との距離を最適に調整することで、エネルギ効率を低下させることがなく、高輝度発光が得られる反射型発光ダイオード及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、内部に凹面形状の反射面を有し、この反射面の開口部側中央部にて先端部が相対する第1及び第2の1対のリードを設置し、前記第1のリードの前記先端部の前記反射面に対向する下面側を薄肉にして所定厚みの素子マウント部を設け、前記薄肉にされた素子マウント部の下面側に発光素子をマウントし、前記発光素子と前記第2のリードの先端部との間にワイヤをボンディングした反射型発光ダイオードを特徴とする。
また、本発明は、内部に凹面形状の反射面を有し、この反射面の開口部側中央部にて先端部が相対する第1及び第2の1対のリードを設置し、前記第1のリードの先端部の前記反射面に対向する下面側に発光素子をマウントし、前記発光素子と前記第2のリードの先端部との間にワイヤをボンディングした反射型発光ダイオードを製造する反射型発光ダイオードの製造方法であって、前記第1のリードの先端部の下面側を厚みが所定値となるように薄肉にし、前記薄肉にされた先端部の下面側に前記発光素子をマウントする反射型発光ダイオードの製造方法を特徴とする。
また、本発明は、リード素材の金属板を所定のパターンに加工して第1、第2のリードをそれらの先端部分同士が近接対向するように形成し、前記リード素材に対して、前記第1のリードの素子マウント部となる先端部分のみを所定の厚みになるように研磨し、前記第1のリードの素子マウント部に発光素子をマウントし、前記発光素子と前記第2のリードの先端部分との間にワイヤをボンディングし、内部に凹面形状の反射面を有し、この反射面の開口部側に前記第1、第2のリードそれぞれを前記発光素子が当該反射面の中央上方にて当該反射面に向く姿勢で固定し、前記第1、第2のリードの前記凹状ケースの外側に出ている部分に曲げ加工を施して当該凹状ケースの側面に沿うように下側に折り曲げ、さらに、前記第1、第2のリードそれぞれの後端部分を凹状ケースの底面に接するように内側に折り曲げる反射型発光ダイオードの製造方法を特徴とする。
本発明によれば、発光素子をマウントする側の第1のリードの素子マウント部の肉厚をそこにマウントする発光素子の種類に応じて容易に調整することができ、いずれの種類の発光素子に対してもその発光面と反射面の中心との距離を最適に調整することができ、ひいては、エネルギ効率を低下させることがなく、高輝度発光が得られる反射型発光ダイオードが提供でき、またそのような特性を持つ反射型発光ダイオードを製造することができる。
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて詳説する。図1、図2は、本発明の1つの実施の形態の反射型発光ダイオード1を示している。この反射型発光ダイオード1は、上面部に放物曲面形状の反射面2を有し、周囲の壁部3の一辺の上部に溝4が形成され、対向辺の上部に溝5が形成された直方体の凹状ケース6と、この凹状ケース6の反射面2の開口部側、すなわち上方を横切り、当該凹状ケース6の壁側面及び底面に沿うように狭幅の上片7a、広幅の垂直片7b、広幅の下片7cがコの字状に折り曲げられて形成されている第1のリードとしての素子マウント側リード7と、この素子マウント側リード7と対置され、同様に狭幅の上片8a、広幅の垂直片8b、広幅の下片8cがコの字状に折り曲げられて形成されている第2のリードとしてのワイヤ接続側リード8と、素子マウント側リード7の上片7aのケース中心側先端部に搭載された発光素子9とから構成されている。発光素子9にはワイヤ10の一端が接続され、ワイヤ10の他端はワイヤ接続側リード8の上片8aの先端部に接続されている。
これらの素子マウント側リード7、ワイヤ接続側リード8の肉厚は、図8に示すように素子マウント側リード7の先端部の素子マウント部71を除き、ほぼリード素材の金属板の厚みT1である。そして素子マウント部71の肉厚T2は研磨加工により薄肉になり、他の部分の肉厚T1よりも薄い。この素子マウント部71の肉厚T2は、この素子マウント部71にマウントする発光素子9の発光面の位置により調整されるものであり、素子の種類により異なる。
1対のリード7,8それぞれの狭幅の上片7a,8aの折り曲げ基部が凹状ケース6の溝4,5それぞれに嵌合され、凹状ケース6の溝4,5の外部で1対のリード7,8それぞれの広幅の垂直片7b,8bが凹状ケース6の側面に沿い、かつ1対のリードそれぞれの広幅の下片7c,8cが凹状ケース6の底面に接している。
凹状ケース6の溝4,5それぞれにおいて、1対のリード7,8それぞれの上片7a,8aの嵌合部分の上面側から凹状ケース6の上縁面までの段差を塞ぐようにその段差部分に小さなUV硬化性樹脂を詰めて硬化させて堰止め11,12とし、同時にリード7,8それぞれの上片7a,8aの折り曲げ基部を固定している。そして、凹状ケース6の凹部内に、例えば、カチオン重合型透明エポキシ樹脂のような透明エポキシ樹脂もしくは透明シリコン樹脂のような透明樹脂13を凹状ケース6の上縁面に達する深さに充填して硬化させることで、1対のリード7,8の上片7a,8aの部分や発光素子9、ワイヤ10を透明樹脂13の中に埋没させた状態で固定している。
図2に示すように、上記構成の反射型発光ダイオード1は、図示していない基板上にこの反射型ダイオード1を載置し、底部両側のリード7,8の下片7c,8cそれぞれを半田にてプラス端子、マイナス端子に接続して固定する。このマウント状態で、それらのプラス端子、マイナス端子に通電することで発光素子9に両側のリード7,8を通じて通電して発光させる。発光素子9からの光は、図2において矢印線で示すように大部分が下方に出て放物曲面の反射面2にて反射され、ほぼ平行光線となって凹状ケース6の上面からそれに垂直な方向に放射される。このため、この反射型発光ダイオード1では、半値角が狭くて光の向きが揃い指向性が強い光、したがって光が当たるところでは輝度の高い光を得ることができる。
次に、上記の構造を有する反射型発光ダイオード1の製造方法について、図3〜図7を用いて説明する。大量生産においては、図3に示すような良導電性の材料、例えば、銅(Cu)を主成分として98%〜99%含み、若干の鉄(Fe)、硫黄(S)を含み、さらに2〜6μm厚に銀メッキが施された薄板を材料とし、これにエッチングあるいは打ち抜き加工にて図3に示すように1対の素子マウント側リード7とワイヤ接続側リード8が両側に対向して多数横並びになるように形成されたリードフレーム20を使用する。このリードフレーム20の肉厚は上述したリード7,8の厚みT1である。
素子マウント側リード7の形状は、狭幅の上片7a、広幅の垂直片7b、広幅の下片7cそれぞれになる部分が形成されている。同様に、ワイヤ接続側リード8の形状は、狭幅の上片8a、広幅の垂直片8b、広幅の下片8cそれぞれになる部分が形成されている。
リードフレーム20において、素子マウント側リード7とワイヤ接続側リード8それぞれの垂直片7b,8bとなる部分と下片7c,8cとなる部分との境目に相当する部分には曲げ応力を緩和するための応力逃がし穴7e,8eが形成してある。尚、図3において、素子マウント側リード7とワイヤ接続側リード8それぞれの下片7c,8cとなる部分の端部に相当する位置に形成されている扁平楕円形の穴21,22は、破断線23,24にて切断加工する時の切断抵抗を小さくするためのものである。
このようなリードフレーム20に対して、図4に示すように素子マウント側リード7の先端部分である素子マウント部71に相当する部分を除いて保護膜72を形成する。この保護膜72はレジストのハードキュアにより形成する。
次に、放電加工、電解研磨、エッチング等の適切な研磨法により保護膜72の形成されていない素子マウント部71を所定の肉厚T2になるまでt2の寸法だけ研磨する。そして研磨の後、保護膜72は溶解液にて除去する。
このようなリードフレーム20において、各1対のリード7,8に対して発光素子9をマウントし、ワイヤボンディングを行う。すなわち、図5に示したように素子マウント側リード7の上片7aの先端部分に発光素子9を銀ペーストにて固着し、続いてこの固着された発光素子9とワイヤ接続側リード8の上片8aの先端部とにワイヤボンディングを行って例えば金線のようなワイヤ10を接続する。
他方、図6に示すように、凹状ケース6は、その上面側に放物凹曲面状の凹部が形成されていて、この凹部底面にアルミニウム若しくは銀蒸着することで反射面2が形成されている。また凹状ケース6の周囲の壁部3の一辺の上縁部に溝4が形成され、対向辺の上縁部に溝5が形成されている。
リードフレーム20の各1対のリード7,8を凹状ケース6それぞれに取り付ける手順は、図7に示してある。すなわち、図7(a)に示すように、発光素子9を搭載し、ワイヤボンディングにてワイヤ10が接続された1対のリード7,8は、上下を逆さまにして狭幅の上片7a,8aに相当する部分それぞれを凹状ケース6の溝4,5に嵌合させる。この嵌合の際に、UV樹脂(図示せず)を溝4,5の底面にt1の厚みだけ敷き、硬化させることでリード7,8を仮固定する。これにより、凹状ケース6の内部においては狭幅の上片7a,8bに相当する部分が反射面2の上方に位置し、凹状ケース6の外部に広幅の垂直片7b,8b、下片7c,8cそれぞれに相当する部分が位置することになる。
次に、図7(b)に示すように、凹状ケース6の溝4,5それぞれにおいて、1対のリード7,8それぞれの上片7a,8aの嵌合部分の上面側から凹状ケース6の上面までの段差を塞ぐようにその段差部分に小さなUV硬化性樹脂を詰めて硬化させて堰止め11,12を形成する。
続いて、図7(c)に示すように、硬化触媒を含む高粘度の透明エポキシ樹脂や透明シリコン樹脂のような透明樹脂13を凹状ケース6の凹部にその上縁面まで充填し、80〜105℃での雰囲気炉で硬化させて狭幅の上片7a,8aに相当する部分と発光素子9、ワイヤ10を凹状ケース6と一体化する。
このようにして凹状ケース6と1対のリード7,8の上片7a,8aに相当する部分を透明樹脂13にて固定した後、図7(d)に示すように、1対のリード7,8の凹状ケース6より外側に出ている部分に曲げ加工を施す。この曲げ加工では、広幅の垂直片7b,8bに相当する部分を、それに繋がる上片7a,8bの基部を凹状ケース6の側面に沿うように図において下側に折り曲げることで垂直にし、さらに、応力逃がし穴7e,8eの部分で凹状ケース6の底面に下片7c,8cに相当する部分が接するように内側に折り曲げる。こうして、1対のリード7,8それぞれが狭幅の上片7a,8aと広幅の垂直片7b,8bと広幅の下片7c,8cとでコの字状をなすように折り曲げて曲げ加工が完了する。この曲げ加工が完了すると、図1、図2に示した反射型発光ダイオード1が完成する。尚、この後、必要に応じて、1対のリード7,8それぞれの下片7c,8cは凹状ケース6の底面に対して半田にて固定することがある。
本実施の形態の反射型発光ダイオード1において、素子マウント部71の研磨寸法t2は、素子マウント部71にマウントする発光素子9の種類により異なる。図8に示すように、完成した反射型発光ダイオード1における凹状ケース6の反射面2の中心線C上の反射面2から焦点距離Fだけ離れた位置に発光素子9の発光面91が位置するように研磨寸法t2を調整する。凹状ケース6の反射面2の中心点から素子マウント側リード7の溝4の底面までの高さh、この溝4に嵌合させる素子マウント側リード7の下面側を溝4に仮固定するためのUV樹脂41の厚みt1(通常、0.01μm〜0.02μm)とし、かつ、素子マウント側リード7の下面と発光素子9の発光面91が一致する設定にする場合、発光素子9のマウント側底面から発光面91までの寸法t2とすると、素子マウント部71の研磨寸法はこのt2と等しい寸法に設定することで、F=h+t1とすることができる。
本実施の形態の反射型発光ダイオード1及びその製造方法によれば、第1のリードである素子マウント側リード7の素子マウント部71の肉厚T2をそこにマウントする発光素子9の種類に応じて調整することにより、いずれの種類の発光素子に対してもその発光面91と反射面2の中心点からの距離Fを反射面2の焦点距離に一致するように調整することができ、ひいては、エネルギ効率を低下させることなく、高輝度発光が得られる反射型発光ダイオードが提供できる。
尚、本発明において、素子マウント側リードの素子マウント部を薄肉にする方法は研磨に限定されるものではなく、所定の寸法になるように後加工できる方法であればよい。また、リードをあらかじめその素子マウント部が所定の寸法の薄肉になるように成型されたものを採用することもできる。
また、反射面2は、凹状ケース3の底面に形成した例で説明したが、この例に限定されることはなく、発光素子からの光を直接に受けて反射する構成であれば、加熱硬化させる透明樹脂の裏面に蒸着した反射膜を持つような構成であってもよい。さらに、凹状ケースも四角な箱形に限らず、円筒形であってもよい。
本発明の1つの実施の形態の反射型発光ダイオードの斜視図。 上記実施の形態の反射型発光ダイオードの断面図。 上記実施の形態の反射型発光ダイオードの製造において使用するリードフレームの一部破断した平面図。 上記実施の形態の反射型発光ダイオードの製造において使用するリードフレームの素子マウント部を残して保護膜を形成した状態の一部破断した平面図。 上記実施の形態の反射型発光ダイオードの製造過程において1対のリードに発光素子を取り付け、ワイヤをボンディングした状態の斜視図。 上記実施の形態の反射型発光ダイオードの製造において使用する凹状ケースの斜視図。 上記実施の形態の反射型発光ダイオードの製造において1対のリードの凹状ケースへの組み付け工程から透明樹脂の充填・硬化工程、リードの折り曲げ工程に至るまでの製造工程図。 上記実施の形態の反射型発光ダイオードにおいて、素子マウント側リードの素子マウント部の寸法、発光素子の発光面の位置、反射面の焦点距離の関係を示す一部破断せる断面図。
符号の説明
1 反射型発光ダイオード
2 反射面
3 壁部
4,5 溝
6 凹状ケース
7 素子マウント側リード
71 素子マウント部
8 ワイヤ接続側リード
9 発光素子
91 発光面
10 ワイヤ
t2 研磨深さ
T2 厚み

Claims (3)

  1. 内部に凹面形状の反射面を有し、この反射面の開口部側中央部にて先端部が相対する第1及び第2の1対のリードを設置し、
    前記第1のリードの前記先端部の前記反射面に対向する下面側を薄肉にして所定厚みの素子マウント部を設け、
    前記薄肉にされた素子マウント部の下面側に発光素子をマウントし、
    前記発光素子と前記第2のリードの先端部との間にワイヤをボンディングしたことを特徴とする反射型発光ダイオード。
  2. 内部に凹面形状の反射面を有し、この反射面の開口部側中央部にて先端部が相対する第1及び第2の1対のリードを設置し、前記第1のリードの先端部の前記反射面に対向する下面側に発光素子をマウントし、前記発光素子と前記第2のリードの先端部との間にワイヤをボンディングした反射型発光ダイオードを製造する反射型発光ダイオードの製造方法であって、
    前記第1のリードの先端部の下面側を厚みが所定値となるように薄肉にし、
    前記薄肉にされた先端部の下面側に前記発光素子をマウントすることを特徴とする反射型発光ダイオードの製造方法。
  3. リード素材の金属板を所定のパターンに加工して第1、第2のリードをそれらの先端部分同士が近接対向するように形成し、
    前記リード素材に対して、前記第1のリードの素子マウント部となる先端部分のみを所定の厚みになるように研磨し、
    前記第1のリードの素子マウント部に発光素子をマウントし、
    前記発光素子と前記第2のリードの先端部分との間にワイヤをボンディングし、
    内部に凹面形状の反射面を有し、この反射面の開口部側に前記第1、第2のリードそれぞれを前記発光素子が当該反射面の中央上方にて当該反射面に向く姿勢で固定し、
    前記第1、第2のリードの前記凹状ケースの外側に出ている部分に曲げ加工を施して当該凹状ケースの側面に沿うように下側に折り曲げ、さらに、前記第1、第2のリードそれぞれの後端部分を凹状ケースの底面に接するように内側に折り曲げることを特徴とする反射型発光ダイオードの製造方法。
JP2008136581A 2008-05-26 2008-05-26 反射型発光ダイオード及びその製造方法 Pending JP2009283829A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008136581A JP2009283829A (ja) 2008-05-26 2008-05-26 反射型発光ダイオード及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008136581A JP2009283829A (ja) 2008-05-26 2008-05-26 反射型発光ダイオード及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009283829A true JP2009283829A (ja) 2009-12-03

Family

ID=41453945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008136581A Pending JP2009283829A (ja) 2008-05-26 2008-05-26 反射型発光ダイオード及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009283829A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013074630A1 (en) * 2011-11-15 2013-05-23 Cree, Inc. Light emitting diode (led) packages and related methods
JP2013225575A (ja) * 2012-04-20 2013-10-31 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、それらの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013074630A1 (en) * 2011-11-15 2013-05-23 Cree, Inc. Light emitting diode (led) packages and related methods
US10043960B2 (en) 2011-11-15 2018-08-07 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages and related methods
JP2013225575A (ja) * 2012-04-20 2013-10-31 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、それらの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101386846B1 (ko) 파워 표면 마운트 발광 다이 패키지
JP5520243B2 (ja) 電力表面取り付けの発光ダイ・パッケージ
CN100452380C (zh) 表面安装型半导体器件及其引线架结构
JP2005294736A (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP2011176347A (ja) 反射レンズを備えたパワー発光ダイパッケージ
US20070164408A1 (en) Light emitting diode packaging structure
CN102683509A (zh) Led模块
JP2008258233A (ja) 発光装置
JP2005175048A (ja) 半導体発光装置
JP5097372B2 (ja) 大電流高効率の表面実装型発光ダイオードランプおよびその製造方法
JP2018518059A (ja) 発光ダイオード装置および該発光ダイオード装置を製造するための方法
KR20100083907A (ko) Led 패키지 및 이의 제조 방법
JP2009283829A (ja) 反射型発光ダイオード及びその製造方法
KR101078028B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지용 리드 프레임
JP3982635B2 (ja) 反射型発光ダイオード
JP2006049624A (ja) 発光素子
JP2009152227A (ja) 反射型発光ダイオード
JP2007116078A (ja) 発光素子の外囲器
JP4638949B2 (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP2007329444A (ja) 発光素子およびその製法
JP2008172140A (ja) ハウジングと上部の硬質保護材の間に緩衝材を持つ発光装置
JP3974154B2 (ja) 光半導体モジュール及び光半導体装置
KR20050090872A (ko) 반도체 발광 소자 패키지
JP5359135B2 (ja) 発光装置
JP2009152228A (ja) 反射型発光ダイオード