JP2009289155A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】書き込み前に消去が必要な複数の不揮発性メモリを有した半導体記憶装置において、チップサイズの増大を抑えつつ、小規模なデータの書き換えの高速化を図る。
【解決手段】書き込み前に消去が必要な複数の不揮発性メモリ素子からなるフラッシュメモリアレイ118と、上書き可能な複数の不揮発性メモリ素子からなる強誘電体メモリアレイ113とを設ける。そして、制御回路104によって、データの書き換えの要求を受け付けるとともに、該制御回路104により、書き換えデータの容量が強誘電体メモリアレイ113の容量以下の場合には強誘電体メモリアレイ113に対して該書き換えデータを書き込む。
【選択図】図1
【解決手段】書き込み前に消去が必要な複数の不揮発性メモリ素子からなるフラッシュメモリアレイ118と、上書き可能な複数の不揮発性メモリ素子からなる強誘電体メモリアレイ113とを設ける。そして、制御回路104によって、データの書き換えの要求を受け付けるとともに、該制御回路104により、書き換えデータの容量が強誘電体メモリアレイ113の容量以下の場合には強誘電体メモリアレイ113に対して該書き換えデータを書き込む。
【選択図】図1
Description
本発明は、不揮発性メモリを備えた半導体記憶装置に関するものである。
最近、携帯端末機器やICカード等の記憶機能を備えた小型かつ高性能の電子機器類の普及に伴い、これに適した低電圧、低消費電力及び高速動作の半導体記憶装置の要望が高まっている。特に不揮発性メモリの要望が高く、代表的な不揮発性メモリとしては、フラッシュメモリや強誘電体メモリがあげられる。フラッシュメモリは、メモリセル面積を小さくでき、小チップ化が可能という長所があるが、書き換え可能回数が磁気ディスクなどと比べて小さいという欠点がある。一方、強誘電体メモリは、低消費電力性、高速動作性という長所がある。このように、フラッシュメモリ、強誘電体メモリは、それぞれの長所を有しており、それぞれの長所をいかして、半導体記憶装置をフラッシュメモリと強誘電体メモリで構成する技術が今後、更に注目される。
例えば、フラッシュメモリの長所を生かしつつその欠点を補うために、フラッシュメモリに対する書き換えの頻度に応じて、強誘電体メモリをフラッシュメモリの代替記憶手段として使用するようにしたものがある(例えば特許文献1を参照)。これにより、フラッシュメモリの書き換え可能回数の制限の問題を解消することが可能になる。
特開平7-281842号公報
ところで、フラッシュメモリには、書き換え可能回数の制限の他にも、消去時間が長く書き換え時間が長くなるという短所もある。例えば、小規模なデータを書き換える場合であっても、フラッシュメモリでは所定のブロック単位(アレイ単位ともいう)でデータの消去を行ってから、新たなデータを書き込む必要がある。そのため、フラッシュメモリは、小規模なデータを書き換えるEEPROMの代替として使用するには不利であるとも考えられる。
この問題に対しては、例えば複数のフラッシュメモリアレイを設けておき、未書き込みアレイ(領域)を検索し、未書き込み領域に対して順次書き込みを実施するようにすることが考えられる。このようにすれば、未書き込み領域があるうちは、データの消去の必要がなく高速に書き換えができる。
しかしながら、このように複数のフラッシュメモリアレイを設けるとチップサイズが増加するという問題を生じることになる。
本発明は上記の問題に着目してなされたものであり、チップサイズの増大を抑えつつ、小規模なデータの書き換えの高速化を図ることを目的としている。
上記の課題を解決するため、本発明の一態様は、
不揮発性メモリを備えた半導体記憶装置であって、
書き込み前に消去が必要な複数の不揮発性メモリ素子からなる第1の不揮発性メモリアレイと、
上書き可能な複数の不揮発性メモリ素子からなる第2の不揮発性メモリアレイと、
データの書き換えの要求を受け付けるとともに、書き換えデータの容量が前記第2の不揮発性メモリアレイの容量以下の場合には、前記第2の不揮発性メモリアレイに対して該書き換えデータを書き込む制御回路と、
を備えたことを特徴とする。
不揮発性メモリを備えた半導体記憶装置であって、
書き込み前に消去が必要な複数の不揮発性メモリ素子からなる第1の不揮発性メモリアレイと、
上書き可能な複数の不揮発性メモリ素子からなる第2の不揮発性メモリアレイと、
データの書き換えの要求を受け付けるとともに、書き換えデータの容量が前記第2の不揮発性メモリアレイの容量以下の場合には、前記第2の不揮発性メモリアレイに対して該書き換えデータを書き込む制御回路と、
を備えたことを特徴とする。
これにより、第2の不揮発性メモリアレイの容量以下のデータを書き換える際に、上書き可能な第2の不揮発性メモリアレイに対してアクセスが行われる。すなわち、事前に消去動作を行うことなくデータの書き換えができる。
本発明によれば、小規模なデータを書き換える場合に事前に消去動作を行うことなくデータの書き換えができるので、書き込み前に消去が必要な不揮発性メモリアレイのみで半導体記憶装置を構成する場合に比べチップサイズを縮小することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。また、以下の各実施形態や各変形例の説明において、一度説明した構成要素と同様の機能を有する構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
《発明の実施形態1》
図1は、本発明の実施形態1に係る半導体記憶装置100の構成を示すブロック図である。この半導体記憶装置100では、マイコン周辺回路101、CPU102により、不揮発性メモリに対して小規模なデータの書き換えが行われる。
図1は、本発明の実施形態1に係る半導体記憶装置100の構成を示すブロック図である。この半導体記憶装置100では、マイコン周辺回路101、CPU102により、不揮発性メモリに対して小規模なデータの書き換えが行われる。
ここで、CPU102は、不揮発性メモリ(後述するフラッシュメモリアレイや強誘電体メモリアレイ)に記憶されているデータを利用して種々の処理を行う。この例ではCPU102は、比較的小規模なデータの書き換えを不揮発性メモリに対して要求する。また、マイコン周辺回路101は、CPU102に接続され、CPU102の制御に応じてデータ(不揮発性メモリから読み出されたデータなど)の処理、外部への入出力などを行う。
-半導体記憶装置100の構成-
半導体記憶装置100は、図1に示すように、インターフェース回路103、制御回路104、アドレスデコーダ105、チャージポンプ107、レギュレータ106、フラッシュメモリアレイ118,119、第1のレジスタ・デコーダ部108、ロウデコーダ109,110、第1のセンスアンプ117、第1のデコード・入出力部116、強誘電体メモリアレイ113、第2のレジスタ・デコーダ部111、及び第2のデコード・入出力部115を備え、これらは同一のチップ上に形成されている。なお、マイコン周辺回路101やCPU102は、半導体記憶装置100と同一チップ上に形成してもよいし、別のチップ上に形成してもよい。
半導体記憶装置100は、図1に示すように、インターフェース回路103、制御回路104、アドレスデコーダ105、チャージポンプ107、レギュレータ106、フラッシュメモリアレイ118,119、第1のレジスタ・デコーダ部108、ロウデコーダ109,110、第1のセンスアンプ117、第1のデコード・入出力部116、強誘電体メモリアレイ113、第2のレジスタ・デコーダ部111、及び第2のデコード・入出力部115を備え、これらは同一のチップ上に形成されている。なお、マイコン周辺回路101やCPU102は、半導体記憶装置100と同一チップ上に形成してもよいし、別のチップ上に形成してもよい。
インターフェース回路103は、CPU102と制御回路104との間のデータのやり取りを仲介する。ここで、データには制御回路104等への命令も含むものとする。
制御回路104は、CPU102の要求に応じ、フラッシュメモリアレイ118,119及び強誘電体メモリアレイ113に対するデータの書き込みや読出しの制御を行う。より具体的には、制御回路104は、それぞれフラッシュメモリアレイ118,119及び強誘電体メモリアレイ113に対する、ロウアドレス信号、カラムアドレス信号の出力、読出しや書き込みコマンドの送信、ワード線に印加する電圧の制御などを行う。
アドレスデコーダ105は、制御回路104が出力したロウアドレス信号をデコードして、ロウデコーダ109,110、及びロウデコーダ112に出力するようになっている。
チャージポンプ107は、制御回路104の制御に応じ、電源電圧を昇圧してレギュレータ106に出力する。
レギュレータ106は、チャージポンプ107の出力を一定電圧に制御してロウデコーダ109,110及びロウデコーダ112に出力する。つまり、本実施形態では、レギュレータ106は、フラッシュメモリアレイ118,119と強誘電体メモリアレイ113の両方に共用される。
フラッシュメモリアレイ118,119は何れも、書き込み前に消去が必要な複数の不揮発性メモリ素子を備えている。本実施形態では、フラッシュメモリアレイ118,119は何れも、不揮発性メモリ素子としてフラッシュメモリ素子を採用している。
第1のレジスタ・デコーダ部108は、フラッシュメモリアレイ118,119から読み出されたデータを格納するためのものである。また、この第1のレジスタ・デコーダ部108は、フラッシュメモリアレイ118,119に対する、書き込み、読出し、消去などの各種のコマンドをデコードする。
ロウデコーダ109は、アドレスデコーダ105の出力に応じ、フラッシュメモリアレイ119のワード線の何れかを選択して、レギュレータ106の出力した電圧を印加する。同様に、ロウデコーダ110は、フラッシュメモリアレイ118のワード線の何れかを選択して、レギュレータ106の出力した電圧を印加する。
第1のセンスアンプ117は、フラッシュメモリアレイ118,119の出力を増幅してデータバス120に出力する。
第1のデコード・入出力部116は、制御回路104が出力したカラムアドレスをデコードするカラムデコーダ(図示せず)と、第1のセンスアンプ117の出力のデータバス120に対する出力及びデータバス120からの入力を行う入出力部(図示せず)とを備えている。
強誘電体メモリアレイ113は、上書き可能な複数の不揮発性メモリ素子を備えている。具体的に本実施形態の強誘電体メモリアレイ113は、不揮発性メモリ素子として、強誘電体が有する分極反転特性を利用する強誘電体メモリ素子を採用している。
第2のレジスタ・デコーダ部111は、強誘電体メモリアレイ113から読み出したデータを格納するためのものである。また、この第2のレジスタ・デコーダ部111は、強誘電体メモリアレイ113に対する、書き込み、読出し、消去などの各種のコマンドをデコードする。
また、ロウデコーダ112は、アドレスデコーダ105の出力に応じ、強誘電体メモリアレイ113のワード線の何れかを選択して、レギュレータ106の出力した電圧を印加する。
第2のセンスアンプ114は、強誘電体メモリアレイ113の出力を増幅してデータバス120に出力する。
第2のデコード・入出力部115は、制御回路104が出力したカラムアドレスをデコードするカラムデコーダ(図示せず)と、第2のセンスアンプ114の出力のデータバス120に対する出力及びデータバス120からの入力を行う入出力部(図示せず)とを備えている。
-半導体記憶装置100の動作-
例えばCPU102が半導体記憶装置100に対してデータの書き換えを要求すると、書き換えるデータの容量が強誘電体メモリアレイ113の容量よりも小さい場合には、制御回路104は強誘電体メモリアレイ113の所定のアドレスを選択するためのロウアドレス信号、カラムアドレス信号、新たに書き込むデータ、及び書き込みのためのコマンドを出力する。これにより、CPU102が要求した書き換えデータは強誘電体メモリアレイ113に対して書き込まれる。
例えばCPU102が半導体記憶装置100に対してデータの書き換えを要求すると、書き換えるデータの容量が強誘電体メモリアレイ113の容量よりも小さい場合には、制御回路104は強誘電体メモリアレイ113の所定のアドレスを選択するためのロウアドレス信号、カラムアドレス信号、新たに書き込むデータ、及び書き込みのためのコマンドを出力する。これにより、CPU102が要求した書き換えデータは強誘電体メモリアレイ113に対して書き込まれる。
なお、大規模なデータ(各強誘電体メモリアレイ113の容量よりも大きな規模のデータ)の書き換え要求がCPU102からあった場合には、制御回路104は、まず、フラッシュメモリアレイ118,119の中から消去済みのアレイを探し、消去済みのアレイが見つかればそのアレイに対して書き込みを行い、消去済みのアレイが見つからなかった場合には、フラッシュメモリアレイ118,119の何れかのアレイを消去してから書き込みを行う。
以上のように、本実施形態によれば、小規模なデータを書き換える際に、強誘電体メモリに対してアクセスするので、フラッシュメモリに対する事前の消去動作が不要となる。そのため、小規模なデータを書き換えるEEPROM代替機能をフラッシュメモリにより実現する際に、必要なフラッシュメモリアレイの数を少なくでき、その結果チップサイズを縮小することができる。
《実施形態1の変形例》
図2は、実施形態1の変形例の構成を示すブロック図である。同図に示すように、本変形例では、第2のレジスタ・デコーダ部111、ロウデコーダ112、強誘電体メモリアレイ113、第2のセンスアンプ114、及び第2のデコード・入出力部115を別のチップとして構成している。
図2は、実施形態1の変形例の構成を示すブロック図である。同図に示すように、本変形例では、第2のレジスタ・デコーダ部111、ロウデコーダ112、強誘電体メモリアレイ113、第2のセンスアンプ114、及び第2のデコード・入出力部115を別のチップとして構成している。
このようにすることで、強誘電体メモリに関するブロックは強誘電体メモリ専用プロセスで製造でき、フラッシュメモリに関するブロックはフラッシュメモリ専用プロセスで製造することができる。すなわち、フラッシュメモリと強誘電体メモリの混載プロセスは、コストが高くなりがちであるが、本変形例ではこのような混載プロセスを採用することなく、EEPROM代替機能を実現できるというメリットがある。
《発明の実施形態2》
図3は、本発明の実施形態2に係る半導体記憶装置200の構成を示すブロック図である。この半導体記憶装置200は、複数の強誘電体メモリアレイ113を備えている点が実施形態1の半導体記憶装置100と異なっている。図3に示した例では、半導体記憶装置200は2つの強誘電体メモリアレイを備え、これに伴いロウデコーダも2つ設けられており、これらは図3においては、強誘電体メモリアレイ113-1,-2、ロウデコーダ112-1,-2のように、符号の末尾に枝番を付加してある。なお、この半導体記憶装置200においても各構成要素は同一のチップ上に構成されている。
図3は、本発明の実施形態2に係る半導体記憶装置200の構成を示すブロック図である。この半導体記憶装置200は、複数の強誘電体メモリアレイ113を備えている点が実施形態1の半導体記憶装置100と異なっている。図3に示した例では、半導体記憶装置200は2つの強誘電体メモリアレイを備え、これに伴いロウデコーダも2つ設けられており、これらは図3においては、強誘電体メモリアレイ113-1,-2、ロウデコーダ112-1,-2のように、符号の末尾に枝番を付加してある。なお、この半導体記憶装置200においても各構成要素は同一のチップ上に構成されている。
このように構成することで、本実施形態では、複数の強誘電体メモリアレイを有するため、実施形態1の半導体記憶装置100で得られる効果に加え、実施形態1やその変形例に係る半導体記憶装置よりもより大規模なデータを、強誘電体メモリに格納する動作に対応できるという効果を得られる。
《実施形態2の変形例》
図4は、実施形態2の変形例の構成を示すブロック図である。同図に示すように、本変形例では、第2のレジスタ・デコーダ部111、ロウデコーダ112-1,2、強誘電体メモリアレイ113-1,2、第2のセンスアンプ114、及び第2のデコード・入出力部115を別のチップとして構成している。
図4は、実施形態2の変形例の構成を示すブロック図である。同図に示すように、本変形例では、第2のレジスタ・デコーダ部111、ロウデコーダ112-1,2、強誘電体メモリアレイ113-1,2、第2のセンスアンプ114、及び第2のデコード・入出力部115を別のチップとして構成している。
このようにすることで、強誘電体メモリに関するブロックは強誘電体メモリ専用プロセスで製造でき、フラッシュメモリに関するブロックはフラッシュメモリ専用プロセスで製造することができる。すなわち、フラッシュメモリと強誘電体メモリの混載プロセスは、コストが高くなりがちであるが、本変形例ではこのような混載プロセスを採用することなく、EEPROM代替機能を実現できるというメリットがある。
《発明の実施形態3》
図5は、本発明の実施形態3に係る半導体記憶装置300の構成を示すブロック図である。この半導体記憶装置300は、フラッシュメモリアレイ118,119と、強誘電体メモリアレイ113とで、1つのレジスタ・デコーダ部を共用する点が実施形態1の半導体記憶装置100と異なっている。図5に示した例では、1つの共用レジスタ・デコーダ部508が制御回路104に接続され、この共用レジスタ・デコーダ部508は、データバス120を介して、第1のデコード・入出力部116と第2のデコード・入出力部115とに接続されている。なお、この半導体記憶装置300においても各構成要素は同一のチップ上に構成されている。
図5は、本発明の実施形態3に係る半導体記憶装置300の構成を示すブロック図である。この半導体記憶装置300は、フラッシュメモリアレイ118,119と、強誘電体メモリアレイ113とで、1つのレジスタ・デコーダ部を共用する点が実施形態1の半導体記憶装置100と異なっている。図5に示した例では、1つの共用レジスタ・デコーダ部508が制御回路104に接続され、この共用レジスタ・デコーダ部508は、データバス120を介して、第1のデコード・入出力部116と第2のデコード・入出力部115とに接続されている。なお、この半導体記憶装置300においても各構成要素は同一のチップ上に構成されている。
このように構成してレジスタ・デコーダ部をフラッシュメモリアレイと強誘電体メモリアレイとで共用することで、実施形態1やその変形例と比べ、更にチップサイズを縮小することができる。
《実施形態3の変形例》
図6は、実施形態3の変形例の構成を示すブロック図である。同図に示すように、本変形例では、ロウデコーダ112、強誘電体メモリアレイ113、第2のセンスアンプ114、及び第2のデコード・入出力部115を別のチップとして構成している。
図6は、実施形態3の変形例の構成を示すブロック図である。同図に示すように、本変形例では、ロウデコーダ112、強誘電体メモリアレイ113、第2のセンスアンプ114、及び第2のデコード・入出力部115を別のチップとして構成している。
このようにすることで、強誘電体メモリに関するブロックは強誘電体メモリ専用プロセスで製造でき、フラッシュメモリに関するブロックはフラッシュメモリ専用プロセスで製造することができる。すなわち、フラッシュメモリと強誘電体メモリの混載プロセスは、コストが高くなりがちであるが、本変形例ではこのような混載プロセスを採用することなく、EEPROM代替機能を実現できるというメリットがある。
《発明の実施形態4》
図7は、本発明の実施形態4に係る半導体記憶装置400の構成を示すブロック図である。この半導体記憶装置400は、複数の強誘電体メモリアレイ113を備えている点が実施形態3の半導体記憶装置300と異なっている。図7に示した例では、半導体記憶装置400は2つの強誘電体メモリアレイを備え、これに伴いロウデコーダも2つ設けられている。これらは図7においては、強誘電体メモリアレイ113-1,-2、ロウデコーダ112-1,-2のように、符号の末尾に枝番を付加してある。なお、この半導体記憶装置400においても各構成要素は同一のチップ上に構成されている。
図7は、本発明の実施形態4に係る半導体記憶装置400の構成を示すブロック図である。この半導体記憶装置400は、複数の強誘電体メモリアレイ113を備えている点が実施形態3の半導体記憶装置300と異なっている。図7に示した例では、半導体記憶装置400は2つの強誘電体メモリアレイを備え、これに伴いロウデコーダも2つ設けられている。これらは図7においては、強誘電体メモリアレイ113-1,-2、ロウデコーダ112-1,-2のように、符号の末尾に枝番を付加してある。なお、この半導体記憶装置400においても各構成要素は同一のチップ上に構成されている。
このように構成することで、本実施形態では、複数の強誘電体メモリアレイを有するため、実施形態3の半導体記憶装置300で得られる効果に加え、実施形態3やその変形例に係る半導体記憶装置よりもより大規模なデータを、強誘電体メモリに格納する動作に対応できるという効果を得られる。
《実施形態4の変形例》
図8は、実施形態4の変形例の構成を示すブロック図である。同図に示すように、本変形例では、ロウデコーダ112-1,2、強誘電体メモリアレイ113-1,2、第2のセンスアンプ114、及び第2のデコード・入出力部115を別のチップとして構成している。
図8は、実施形態4の変形例の構成を示すブロック図である。同図に示すように、本変形例では、ロウデコーダ112-1,2、強誘電体メモリアレイ113-1,2、第2のセンスアンプ114、及び第2のデコード・入出力部115を別のチップとして構成している。
このようにすることで、強誘電体メモリに関するブロックは強誘電体メモリ専用プロセスで製造でき、フラッシュメモリに関するブロックはフラッシュメモリ専用プロセスで製造することができる。すなわち、フラッシュメモリと強誘電体メモリの混載プロセスは、コストが高くなりがちであるが、本変形例ではこのような混載プロセスを採用することなく、EEPROM代替機能を実現できるというメリットがある。
《その他の実施形態》
なお、上記の各実施形態や変形例では、書き込み前に消去が必要な複数の不揮発性メモリ素子としてフラッシュメモリ素子を例示したが、これには限定されない。また、上書き可能な複数の不揮発性メモリ素子として強誘電体メモリ素子を例示したが、これには限定されない。
なお、上記の各実施形態や変形例では、書き込み前に消去が必要な複数の不揮発性メモリ素子としてフラッシュメモリ素子を例示したが、これには限定されない。また、上書き可能な複数の不揮発性メモリ素子として強誘電体メモリ素子を例示したが、これには限定されない。
本発明に係る半導体記憶装置は、小規模なデータを書き換える場合に事前に消去動作を行うことなくデータの書き換えができるので、書き込み前に消去が必要な不揮発性メモリアレイのみで半導体記憶装置を構成する場合に比べチップサイズを縮小することができるという効果を有し、不揮発性メモリを備えた半導体記憶装置等として有用である。
100 半導体記憶装置
104 制御回路
113 強誘電体メモリアレイ(第2の不揮発性メモリアレイ)
118,119 フラッシュメモリアレイ(第1の不揮発性メモリアレイ)
508a 共用レジスタ
508b 共用デコーダ
104 制御回路
113 強誘電体メモリアレイ(第2の不揮発性メモリアレイ)
118,119 フラッシュメモリアレイ(第1の不揮発性メモリアレイ)
508a 共用レジスタ
508b 共用デコーダ
Claims (6)
- 不揮発性メモリを備えた半導体記憶装置であって、
書き込み前に消去が必要な複数の不揮発性メモリ素子からなる第1の不揮発性メモリアレイと、
上書き可能な複数の不揮発性メモリ素子からなる第2の不揮発性メモリアレイと、
データの書き換えの要求を受け付けるとともに、書き換えデータの容量が前記第2の不揮発性メモリアレイの容量以下の場合には、前記第2の不揮発性メモリアレイに対して該書き換えデータを書き込む制御回路と、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置において、
前記第2の不揮発性メモリアレイは、前記第1の不揮発性メモリアレイ及び前記制御回路とは別のチップ上に形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置において、
前記第2の不揮発性メモリアレイは、複数設けられていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置において、さらに、
前記第1の不揮発性メモリアレイから出力されたデータ及び前記第2の不揮発性メモリアレイから出力されたデータを保持する共用レジスタと、
前記第1及び第2の不揮発性メモリアレイに対するコマンドをデコードする共用デコーダと、
を備えていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置において、
前記第2の不揮発性メモリアレイは、不揮発性メモリ素子として強誘電体メモリ素子を備えていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置において、
前記第1の不揮発性メモリアレイは、不揮発性メモリ素子としてフラッシュメモリ素子を備えていることを特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008142897A JP2009289155A (ja) | 2008-05-30 | 2008-05-30 | 半導体記憶装置 |
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