JP2009280843A - 成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空チャンバー1と、真空チャンバー1に設置されたガン2と、真空チャンバー1とガン2との間に設置された第1のコイル4と、から構成されており、真空チャンバー1内に成膜を行う基板Kを保持する基板保持手段7と、犠牲陽極(ダミーアノード)6と、蒸着材料Jを溶解(蒸発)させるハース3とを具備する成膜装置において、ハース3の内部にリング型永久磁石を配置して、かつ真空チャンバー1外の底部には第2のコイル5を配置する。
【選択図】図1
Description
2 HCD(ホロカソード)ガン
3 ハース
4 コイル(第1のコイル)
5 空芯コイル(第2のコイル)
6 犠牲陽極(ダミーアノード)
7 基板保持台(基板保持手段)
101 リング型永久磁石(マグネット)
J 蒸着材料
Claims (1)
- 真空チャンバーと、前記真空チャンバーに設置されたガンと、前記真空チャンバーと前記ガンとの間に設置された第1のコイルと、から構成されて、前記真空チャンバー内には成膜を行う基板を保持する基板保持手段と、犠牲陽極(ダミーアノード)と、蒸着材料を溶解(蒸発)させるハースとを具備する成膜装置において、前記ハースの内部にはリング型永久磁石が配置されており、かつ前記真空チャンバー外の底部には第2のコイルが配置されていることを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP5177648B2 JP5177648B2 (ja) | 2013-04-03 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013227596A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Nachi Fujikoshi Corp | 成膜装置および成膜方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02101160A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Asahi Glass Co Ltd | イオンプレーティング方法 |
JPH0428861A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-01-31 | Hitachi Koki Co Ltd | ホロカソード電子銃を用いた成膜装置 |
JPH06264225A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-20 | Ulvac Japan Ltd | イオンプレーティング装置 |
JPH06340967A (ja) * | 1993-06-02 | 1994-12-13 | Asahi Glass Co Ltd | 蒸着装置 |
JPH07138743A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-05-30 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | イオンプレーティング装置 |
JPH07188910A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-07-25 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2002280710A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 導体の形成方法及び装置 |
JP2004115835A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Jfe Steel Kk | Hcdイオンプレーティング用蒸発装置 |
-
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02101160A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Asahi Glass Co Ltd | イオンプレーティング方法 |
JPH0428861A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-01-31 | Hitachi Koki Co Ltd | ホロカソード電子銃を用いた成膜装置 |
JPH06264225A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-20 | Ulvac Japan Ltd | イオンプレーティング装置 |
JPH06340967A (ja) * | 1993-06-02 | 1994-12-13 | Asahi Glass Co Ltd | 蒸着装置 |
JPH07138743A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-05-30 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | イオンプレーティング装置 |
JPH07188910A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-07-25 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2002280710A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 導体の形成方法及び装置 |
JP2004115835A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Jfe Steel Kk | Hcdイオンプレーティング用蒸発装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6012048132; 社団法人 日本化学会編: 第2版 標準化学用語辞典 , 20050331, p.152, 丸善 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013227596A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Nachi Fujikoshi Corp | 成膜装置および成膜方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A521 | Written amendment |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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