JP2009277756A - ツェナーダイオードおよびその製造方法 - Google Patents
ツェナーダイオードおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009277756A JP2009277756A JP2008125682A JP2008125682A JP2009277756A JP 2009277756 A JP2009277756 A JP 2009277756A JP 2008125682 A JP2008125682 A JP 2008125682A JP 2008125682 A JP2008125682 A JP 2008125682A JP 2009277756 A JP2009277756 A JP 2009277756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type impurity
- impurity layer
- conductivity type
- trench
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】n-型基板1の表層部において、n-型基板1の表面から所定深さの位置までp+型不純物層2を形成すると共に、p+型不純物層2の両側もしくはこれを囲むように、n-型基板1の表面からp+型不純物層2と同等もしくはそれよりも深いトレンチ3を形成する。そして、トレンチ3の内部に内壁絶縁膜4とn+型ドープトPoly−Si5を配置し、トレンチ3の下方において、トレンチ3の底面からn-型基板1に向かって伸びるようにn+型不純物層6を形成する。また、n-型基板1の表面に、層間絶縁膜7を形成し、コンタクトホール7a、7bを通じて、n+型ドープトPoly−Si5と電気的に接続されるようにカソード電極8を備えると共に、p+型不純物層2と電気的に接続されるようにアノード電極9を備える。
【選択図】図1
Description
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態にかかるツェナーダイオードの断面図である。以下、この図を参照して、本実施形態にかかるツェナーダイオードの構造について説明する。
まず、n-型基板1の表層部において、n-型基板1の表面から所定深さの位置までp+型不純物層2を形成する。例えば、図示しないレジスト等のマスクを配置したのち、ボロンなどのp型不純物のイオン注入および熱拡散により、p+型不純物層2を形成する。そして、酸化膜などのエッチングマスクを配置したのち、異方性エッチングを行うことにより、n-型基板1の表面からp+型不純物層2の両側それぞれに1つずつ、もしくは、p+型不純物層2を囲むようにトレンチ3を形成する。
熱酸化処理を行うことにより、トレンチ3の内壁面を熱酸化することで内壁絶縁膜4を形成する。そして、トレンチ3の底面のみが開口するマスクを配置したのち、異方性エッチングを行うことによってトレンチ3の底面において内壁絶縁膜4を除去する。
n+型ドープトPoly−Si5をトレンチ3の内部に埋め込まれるように形成したのち、エッチバックなどによりn+型ドープトPoly−Si5の不要部分、つまりトレンチ3の内部に埋め込まれた部分以外を除去する。そして、アニール処理を行うことにより、n型ドープトPoly−Si3内のn型不純物を固相拡散させ、トレンチ3の下方にn+型不純物層6を形成する。
酸化膜や窒化膜などを成膜することによって層間絶縁膜7を形成したのち、エッチングマスクを配置してから層間絶縁膜7を異方性エッチングすることでコンタクトホール7a、7bを形成する。そして、層間絶縁膜7上に電極材料となるAlなどの金属を配置したのち、それをパターニングすることでカソード電極8およびアノード電極9を形成する。これにより、図1に示したツェナーダイオードが完成する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してツェナーダイオードの製造方法を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態のツェナーダイオードは、第1実施形態に対してトレンチ3、内壁絶縁膜4、n+型ドープトPoly−Si5およびn+型不純物層6の形成位置および形成個数を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第3実施形態に対してツェナーダイオードの製造方法を変更したものであり、その他に関しては第3実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態のツェナーダイオードは、第1実施形態に対してトレンチ3やn+型不純物層6の形成深さとp+型不純物層2の形成深さの関係を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態のツェナーダイオードは、第5実施形態に対してp+型不純物層2のコンタクト領域の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記実施形態では、n-型基板1に直接ツェナーダイオードを形成するような形態について説明したが、半導体基板にn-型半導体領域(ウェル領域)を配置し、その中にツェナーダイオードを形成するような形態であっても本発明を適用することができる。
2 p+型不純物層
3 トレンチ
4 内壁絶縁膜
5 n+型ドープトPoly−Si
6 型不純物層
7 層間絶縁膜
8 カソード電極
9 アノード電極
Claims (5)
- 半導体基板の少なくとも表層部に備えられた第1導電型の半導体領域(1)と、
前記半導体領域(1)の表層部において、該半導体領域(1)の表面から所定深さとなるように形成された第2導電型不純物層(2)と、
前記第2導電型不純物層(2)と同じもしくはそれよりも深く、該第2導電型不純物層(2)と接するように形成されたトレンチ(3)と、
前記トレンチ(3)の内壁面に形成された内壁絶縁膜(4)と、
前記内壁絶縁膜(4)を介して前記トレンチ(3)内に埋め込まれた導体層(5)と、
前記導体層(5)と接するように、前記トレンチ(3)の底面から下方に形成され、前記半導体領域(1)よりも高濃度とされた第1導電型不純物層(6)と、
前記半導体領域(1)の表面に形成され、コンタクトホール(7a、7b)が形成された層間絶縁膜(7)と、
前記層間絶縁膜(7)に形成されたコンタクトホール(7a)を通じて前記導体層(5)と電気的に接続された第1電極(8)と、
前記前記層間絶縁膜(7)に形成されたコンタクトホール(7b)を通じて前記第2導電型不純物層(2)と電気的に接続された第2電極(9)と、を備えていることを特徴とするツェナーダイオード。 - 前記トレンチ(3)は、前記第2導電型不純物層(2)の両側に1つずつ、もしくは該第2導電型不純物層(2)を囲むように形成されており、各トレンチ(3)内に前記内壁絶縁膜(4)を介して前記導体層(5)が配置されていると共に、前記導体層(5)と電気的に接続される前記第1電極(8)が備えられていることを特徴とする請求項1に記載のツェナーダイオード。
- 前記トレンチ(3)は、前記第2導電型不純物層(2)を貫通するように1つ形成されていることを特徴とする請求項1に記載のツェナーダイオード。
- 少なくとも表層部に第1導電型の半導体領域(1)が形成された半導体基板を用意する工程と、
前記半導体領域(1)の表面から所定深さとなるように第2導電型不純物層(2)を形成する工程と、
前記第2導電型不純物層(2)よりも深くなるようにトレンチ(3)を形成する工程と、
前記トレンチ(3)内に内壁絶縁膜(4)を形成すると共に、該内壁絶縁膜(4)を介して第1導電型不純物がドープされたドープトPoly−Si(5)を配置することで、前記トレンチ(3)を埋め込む工程と、
前記トレンチ(3)の底面から下方に向けて前記ドープトPoly−Si(5)内の前記第1導電型不純物を拡散させることにより、前記半導体領域(1)よりも高濃度となる第2導電型不純物層(6)を形成する工程と、
前記半導体領域(1)の表面に層間絶縁膜(7)を形成する工程と、
前記層間絶縁膜(7)に対して、前記ドープトPoly−Si(5)に繋がるコンタクトホール(7a)を形成すると共に、前記第1導電型不純物層(2)に繋がるコンタクトホール(7b)を形成する工程と、
前記層間絶縁膜(7)に形成した前記ドープトPoly−Si(5)に繋がるコンタクトホール(7a)を通じて前記ドープトPoly−Si(5)に電気的に接続される第1電極(8)を形成すると共に、前記第1導電型不純物層(2)に繋がるコンタクトホール(7b)を通じて前記第1導電型不純物層(2)と電気的に接続される第2電極(9)を形成する工程と、を含んでいることを特徴とするツェナーダイオードの製造方法。 - 少なくとも表層部に第1導電型の半導体領域(1)が形成された半導体基板を用意する工程と、
前記半導体領域(1)の表面から所定深さとなるように第2導電型不純物層(2)を形成する工程と、
前記第2導電型不純物層(2)よりも深くなるようにトレンチ(3)を形成する工程と、
前記トレンチ(3)内に内壁絶縁膜(4)を形成する工程と、
前記トレンチ(3)の底面に第1導電型不純物のイオン注入を行うと共に、それを熱拡散させることにより、前記半導体領域(1)よりも高濃度となる第2導電型不純物層(6)を形成する工程と、
前記トレンチ(3)内に、前記内壁絶縁膜(4)を介して導体層(5)を埋め込む工程と、
前記半導体領域(1)の表面に層間絶縁膜(7)を形成する工程と、
前記層間絶縁膜(7)に対して、前記導体層(5)に繋がるコンタクトホール(7a)を形成すると共に、前記第1導電型不純物層(2)に繋がるコンタクトホール(7b)を形成する工程と、
前記層間絶縁膜(7)に形成した前記導体層(5)に繋がるコンタクトホール(7a)を通じて前記導体層(5)に電気的に接続される第1電極(8)を形成すると共に、前記第1導電型不純物層(2)に繋がるコンタクトホール(7b)を通じて前記第1導電型不純物層(2)と電気的に接続される第2電極(9)を形成する工程と、を含んでいることを特徴とするツェナーダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008125682A JP5206104B2 (ja) | 2008-05-13 | 2008-05-13 | ツェナーダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008125682A JP5206104B2 (ja) | 2008-05-13 | 2008-05-13 | ツェナーダイオードの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009277756A true JP2009277756A (ja) | 2009-11-26 |
JP5206104B2 JP5206104B2 (ja) | 2013-06-12 |
Family
ID=41442939
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008125682A Expired - Fee Related JP5206104B2 (ja) | 2008-05-13 | 2008-05-13 | ツェナーダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5206104B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021002548A (ja) * | 2019-06-20 | 2021-01-07 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN117542899A (zh) * | 2023-11-27 | 2024-02-09 | 遵义筑芯威半导体技术有限公司 | 一种稳压管芯片的结构和制作方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH034539A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH03217052A (ja) * | 1990-01-23 | 1991-09-24 | Takehide Shirato | 半導体保護回路装置 |
JPH03220779A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-09-27 | Nec Corp | 半導体保護素子 |
JPH03280582A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2006108249A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007281259A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Mitsumi Electric Co Ltd | 静電保護素子及び静電保護回路 |
-
2008
- 2008-05-13 JP JP2008125682A patent/JP5206104B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH034539A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH03217052A (ja) * | 1990-01-23 | 1991-09-24 | Takehide Shirato | 半導体保護回路装置 |
JPH03220779A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-09-27 | Nec Corp | 半導体保護素子 |
JPH03280582A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2006108249A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007281259A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Mitsumi Electric Co Ltd | 静電保護素子及び静電保護回路 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021002548A (ja) * | 2019-06-20 | 2021-01-07 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP7368121B2 (ja) | 2019-06-20 | 2023-10-24 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN117542899A (zh) * | 2023-11-27 | 2024-02-09 | 遵义筑芯威半导体技术有限公司 | 一种稳压管芯片的结构和制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5206104B2 (ja) | 2013-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6048317B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
JP6354525B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP5630114B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
US10032878B2 (en) | Semiconductor device with a semiconductor via and laterally connected electrode | |
JP5434961B2 (ja) | 横型ダイオードを有する半導体装置 | |
JP4683075B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP2005191227A (ja) | 半導体装置 | |
JP5298565B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2010147222A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009158681A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009117715A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2008182106A (ja) | 半導体装置 | |
JP2011101036A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP2018006630A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP2019175930A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2019021871A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009246225A (ja) | 半導体装置 | |
JP2007027327A (ja) | トレンチゲート型半導体装置、トレンチゲート型半導体装置の製造方法 | |
TWI430449B (zh) | 橫向堆疊式超級接面功率半導體元件 | |
JP5206104B2 (ja) | ツェナーダイオードの製造方法 | |
JP2018046256A (ja) | 半導体装置 | |
JP5055722B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2007059800A (ja) | 縦型ツェナーダイオードの製造方法および縦型ツェナーダイオード | |
KR101348457B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP5347302B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100817 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130122 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130204 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160301 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5206104 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160301 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |