JP2009273148A - 撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 画素起因ノイズ除去率を向上し、信号処理速度を向上することができるようにする。
【解決手段】 被写体像を撮像する複数の画素と、前記複数の画素から信号を読み出す複数の垂直出力線と、前記複数の垂直出力線に読み出された信号を増幅する増幅回路と、前記複数の画素から読み出された信号に含まれるノイズ成分を補正する補正回路と、前記増幅回路から出力された信号を水平出力線に転送する転送手段とを有し、前記補正回路と前記増幅回路は、少なくとも一部分を共有していることを特徴とする撮像装置を提供する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、スキャナ、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等に用いられる撮像装置に関するものである。
近年CMOSプロセスを利用したCMOSセンサと呼ばれる撮像装置が注目されている。CMOSセンサは、周辺回路混載の容易性、低電圧駆動等の理由から、とくに携帯情報機器分野の利用が期待されている。
CMOSセンサの高SN化を目的として、画素と蓄積容量との間に増幅段を設けた光電変換装置が、文献1に開示されている。図1は文献1の代表図である。文献1では、MOSトランジスタM1、M2によって構成されるソース接地型アンプによって、M1のゲートに入力される画素信号を増幅し、蓄積容量CT1、CT2に出力信号を書き込む。蓄積容量に書き込む以前に信号を増幅することにより、出力線S1、S2以降で発生する回路ノイズの影響を受けにくくすることができ、センサのSNが向上できる。
例えば、出力線S1、S2の後段に出力アンプを設けて、外部負荷をドライブできるようにした撮像装置は一般的である。この際出力アンプは高い読み出し周波数に追従する必要があるため、広帯域であることが求められるが、それ故大きなノイズ発生源となる。しかし、このような回路形式をとることで、出力アンプで発生するノイズの影響は、格段に小さくすることができる。
なお、文献1において、蓄積容量がCT1、CT2と2つ設けてあり、同公報には明確には言及されていないが、例えば文献2に開示されているように、画素のリセット状態に対応する出力を一方の蓄積容量に保持し、光信号読み出し後に対応する出力をもう一方の蓄積容量に保持し、後段で差分することで、画素の暗時出力誤差に起因するノイズをある程度除去することが可能である。
特開平2−296470号公報 特公平8−4127号公報
前述した文献1の光電変換装置は、水平出力線の後段で、画素のリセット状態に対応する出力と、画像信号に対応する出力との差分を行っている。つまり、最終段の1つの回路で、全画素からの信号に対する差分処理を行っている。このため、処理速度が遅くなることがあった。また、処理に時間を要するような差分回路を採用することができないという問題が発生していた。
上記課題を解決するために、一手段として、被写体像を撮像する複数の画素と、前記複数の画素から信号を読み出す複数の垂直出力線と、前記複数の垂直出力線に読み出された信号を増幅する増幅回路と、前記複数の画素から読み出された信号に含まれるノイズ成分を補正する補正回路と、前記増幅回路から出力された信号を水平出力線に転送する転送手段とを有し、前記補正回路と前記増幅回路は、少なくとも一部分を共有していることを特徴とする撮像装置を提供する。
また、一手段として、被写体像を撮像する複数の画素と、前記複数の画素からの信号を読み出す複数の垂直出力線と、前記垂直出力線に第1の電極が接続された第1の容量素子と、前記第1の容量素子の第2の電極に反転入力端子が接続された差動増幅器と、前記差動増幅器の反転入力端子と出力端子間に接続された第2の容量素子と、前記差動増幅器の反転入力端子と出力端子間の導通を制御する第1のスイッチとを備えたことを特徴とする撮像装置を提供する。
本発明によれば、信号処理速度の速い撮像装置を提供することができる。また、画素に起因するノイズの除去率が向上し、高感度設定時の高SN比が実現される。
本発明の第1実施例の撮像装置を示す等価回路図である。 本発明の第1実施例の撮像装置における駆動パルスタイミング図である。 本発明の第1実施例の撮像装置に使用されている演算増幅器の内部等価回路図である。 本発明の第2実施例の撮像装置を示す等価回路図である。 本発明の第2実施例の撮像装置に使用されている演算増幅器の内部等価回路図である。 本発明の第3実施例の撮像システムを示す概念図である。 従来技術による撮像装置を示す等価回路図である。 本発明の第1実施例の撮像装置に使用されている演算増幅器にバイアスを供給するバイアス発生回路を示す等価回路図である。
本発明の実施形態について以下に詳細に説明する。
本発明の第1実施例の撮像装置について説明する。図1は、第1実施例の撮像装置の等価回路図であり、2次元的に複数の画素を配列したうちのある2×2画素にかかわる部分を示している。図1において、単位画素内は、光電変換素子であるフォトダイオード101と、フォトダイオード101で発生した信号を増幅する増幅MOSFET104と、増幅MOSFET104の入力を所定電圧にリセットするリセットスイッチ103、および増幅MOSFET104のソース電極と垂直出力線106との導通を制御する行選択スイッチ105から成っている。さらに、フォトダイオード101と増幅MOSFET104のゲート電極との導通を制御する画素転送スイッチ102が設けられている。また、108はクランプ容量、120は演算増幅器、121は帰還容量、109はクランプスイッチ、110は転送ゲートであり、これらは列ごとに設けられている。本実施例では、請求項1〜4に記載の補正回路は、クランプ容量108、演算増幅器120、クランプスイッチ109により構成されている。また、請求項1〜4に記載の増幅回路は、クランプ容量108、演算増幅器120、帰還容量121により構成されている。補正回路と増幅回路の一部であるクランプ容量は、両者で共有されている。図2の駆動パルスタイミング図を用いて、この撮像装置の動作を詳細に説明する。読み出し動作にさきだって、所定の露光時間が経過し、フォトダイオード101には光電荷が蓄積されているものとする。垂直走査回路123によって選択された行について(ここでは添え字1で示す行が選択されたものとする)、まず画素リセットパルスPRESがハイレベルからローレベルとなり、増幅MOSFET104のゲート電極のリセットが解除される。このとき、ゲート電極を含む画素の寄生容量(以後CFDとする)に暗時に対応する電圧が保持される。つづいて行選択パルスPSELがハイレベルとなると、暗時出力が垂直出力線106上に現れる。このとき増幅手段である演算増幅器120は電圧フォロワ状態にあり、演算増幅器120の出力はほぼ基準電圧VREFに等しい。所定の時間経過後、クランプパルスPC0Rがハイレベルからローレベルとなり、垂直出力線上の暗時出力が基準としてクランプされる。つづいて、画素において、画素転送スイッチ102が一定期間ハイレベルとなり、フォトダイオード101に蓄積された光電荷が増幅MOSFET104のゲート電極に転送される。ここで転送電荷は電子であり、転送された電荷量の絶対値をQとすると、ゲート電位はQ/CFDだけ低下する。これに対応して、垂直出力線106上には明時出力が現れるが、ソースフォロワゲインをGsfとすると、垂直出力線電位Vvlの、暗時出力からの変化分ΔVvlは次式で表される。
Figure 2009273148
この電位変化は演算増幅器120、容量素子であるクランプ容量108および帰還容量121によって構成される反転増幅回路によって増幅され、出力Vctは式1と合わせて、次式であらわされる。
Figure 2009273148
ここでC0はクランプ容量、Cfは帰還容量を示している。式2において、第2項が光信号成分をあらわしており、画素ごとの暗時出力誤差は、クランプ動作によってVctには反映されない。従来技術の特開平2−296470に開示されている撮像装置では、2つの蓄積容量の相対精度によって暗時出力誤差に起因するノイズの除去率は制限されていたが、本発明の撮像装置では上述のクランプ動作によって非常に高い除去率が得られる。式2で表される電圧が、各列の蓄積容量112に書き込まれる。しかるのち、水平シフトレジスタ119によって発生される走査パルスH1、H2、・・・によって水平転送スイッチ114が順番に選択され、蓄積容量112に保持されていた信号が、水平出力線116に読み出され、出力アンプ118で出力される。本実施例では、請求項1〜4に記載の転送手段は、上述の水平転送スイッチに相当する。ここで出力アンプ118は電圧フォロワとなっているが、適当な電圧増幅率を設定することで出力信号振幅を調整してもよい。
図3は、演算増幅器120の内部回路を示したものである。この演算増幅器は、1段の差動増幅回路構成となっており、端子in+は非反転入力端子、端子in−は反転入力端子、端子OUTは出力端子、端子VB_tailは定電流用バイアス端子、端子PSAVEは演算増幅器のオン/オフ切り替え用スイッチである。このスイッチにより、演算増幅器が動作または非動作状態に設定される。この形式の長所としては、蓄積容量112がそのまま演算増幅器120の周波数帯域を決める容量となり、新たに位相補償容量を追加する必要がない点が挙げられる。また、動作点によらず消費電流が一定であることと、演算増幅器の帰還作用で電源電圧除去率が高いことにより、従来技術の撮像装置で問題であった水平方向の信号出力線で発生する信号クロストークは解決される。
また、端子PSAVEを図2のタイミングで駆動することで、必要な水平ブランキング期間だけ演算増幅器をオンさせることができる。これは、消費電力低減の効果だけでなく、演算増幅器の動作による発熱、ホットキャリア発生およびその再結合による発光を低減する効果があることから、特に長時間蓄積を行う撮影における、これらの原因によるノイズ増加を防ぎ、著しく画質を向上させることができる。具体的には、本実施例では、水平出力線よりも前段に演算増幅器を設けているので、後段に演算増幅器を設けるよりも画素に近く、ノイズの影響が発生してしまうが、必要な水平ブランキング期間だけ演算増幅器をオンさせることができるので、ノイズの影響を低減できる。なお、図8に演算増幅器に所望のバイアスを与えるバイアス発生回路の等価回路図を示しているが、バイアス発生回路自体も、前述の発熱、ホットキャリアおよびその再結合による発光の原因となり得る。このため、図8に示しているように、制御信号PSAVEによって、オン・オフすることはさらに効果的である。このとき、バイアスの安定性を保つ必要がある場合は、PSAVEとは別の制御信号を用いてもよい。
従来技術の課題として前述した処理速度の問題に加え、画素と蓄積容量との間に増幅段を設けた文献1の光電変換装置は、低ノイズという優れた特徴を有しているが、次のような問題がある。
第1に画素の暗時出力誤差に起因するノイズの除去性能があまり高くないことが挙げられる。蓄積容量CT1とCT2に保持された信号は、出力線S1、S2にそれぞれ容量分割比CT1/(CT1+CH1)、CT2/(CT2+CH2)をもって読み出される。ここでCH1は出力線S1、CH2は出力線S2の寄生容量である。製造ばらつきやレイアウト上の制約から、CT1とCT2、およびCH1とCH2は完全に等しく作成することは困難であり、容量分割比に誤差が生じてしまい、これがノイズ除去性能を制限している。
第2にM1、M2で構成されているアンプは、動作点によって消費電流が変化するため、電源電圧Vcc配線およびVvs配線で発生する電圧降下が動作点によって異なる。したがって、各列のアンプに供給される電源電圧VccおよびVvsは、他の列に入力される光信号レベルに影響される。これに加えて、この回路形式では電源電圧除去性能が悪いため、容易に水平方向の信号出力線の信号クロストークが発生する。
本実施例の撮像装置によれば、暗時出力誤差に起因するノイズの除去率が向上し、信号クロストークが著しく改善する。従来技術の撮像装置に対して、素子数が増えるためチップ面積が定性的には増加する方向ではあるが、クランプ容量108がゲインを規定するための容量を兼ねていること、および蓄積容量112が位相補償容量を兼ねていることを考えると、チップ面積の利用効率は高く、コスト対効果が優れた撮像装置を実現している。
本発明の第2実施例の撮像装置およびその駆動方法について説明する。図4は、第2実施例の撮像装置の等価回路図であり、2次元的に画素を配列したうちのある2×2画素にかかわる部分を図示している。画素部については、第1実施例の撮像装置と同様である。本実施例の撮像装置は、被写体の明るさに応じて撮像装置の感度を切り替えることにより、広ダイナミックレンジを実現したものである。具体的には感度切り替えスイッチ122a、122bによって、列ごとに設けられた増幅段の帰還容量値を変える事により、異なる増幅率を設定する。本実施例の撮像装置では、帰還容量121a(Cfa)、121b(Cfb)、121c(Cfc)の容量値を、Cfa=C0/2、Cfb=Cfc=C0/4に設定している。また、感度切り替えスイッチ122a、122bはそれぞれ感度制御パルスPGC1、PGC2によって制御されている。これらによって、電圧増幅率を1倍、2倍、4倍に精度よく変更して設定できる。電圧増幅率が上がるにつれて、後段の広帯域な出力アンプ118で発生するノイズの影響を相対的に軽減することができ、被写体が暗い時のSN悪化を抑制することが可能である。その一方で増幅段の電圧増幅率が上がるにつれて、演算増幅器120に対して高い開ループゲインが要求される。
このため本実施例の演算増幅器は図5に示すようなカスコード型の高利得増幅回路となっている。端子in+は非反転入力端子、端子in−は反転入力端子、端子OUTは出力端子、端子VB_tailは定電流用バイアス端子、端子PSAVEはオン/オフ切り替え用のスイッチ、VB_Hはゲート接地PMOSへのバイアス電圧、VB_Lはゲート接地NMOSへのバイアス電圧である。本実施例ではテレスコピック・カスコード型となっているが、電源電圧が低い場合はフォールデッド・カスコード型にする選択肢もありえる。第1実施例に対してNMOSが2個、PMOSが2個増加しているが、広い面積を占有する容量素子に関しては、第1実施例と同様に位相補償容量として蓄積容量112を利用できるため、チップ面積の利用効率は高い。この撮像装置を、例えばデジタルカメラの撮像系に適用した場合、デジタルカメラのISO感度設定と連動して、感度制御パルスPGC1、PGC2を供給することにより、感度調整手段として利用することが好適である。この際ゲイン設定ステップを、本実施例のようにフィルム式カメラで一般的な2の累乗を少なくとも含むように設定すると、操作性が近くなる効果がある。なお、本実施例では帰還容量値を切り替えているが、クランプ容量値を切り替えてもよく、また両者を併用してもよい。
図6は、本発明の撮像装置として、前述した各実施形態の撮像装置を用いた撮像装置のシステムの構成図である。撮像装置は、レンズのプロテクトとメインスイッチを兼ねるバリア1、被写体の光学像を固体撮像素子4に結像させるレンズ2、レンズ2を通った光量を可変するための絞り3、レンズ2で結像された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像素子4(上記の各実施形態で説明した撮像装置に相当する)、固体撮像素子4から出力される画像信号に各種の補正、クランプ等の処理を行う撮像信号処理回路5、固体撮像素子4より出力される画像信号のアナログ−ディジタル変換を行うA/D変換器6、A/D変換器6より出力された画像データに各種の補正を行ったりデータを圧縮する信号処理部7、固体撮像素子4及び撮像信号処理回路5及びA/D変換器6及び信号処理部7に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部8で構成される。なお、5〜8の各回路は固体撮像素子4と同一チップ上に形成しても良い。また、各種演算とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御・演算部9、画像データを一時的に記憶するためのメモリ部10、記録媒体に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部11、画像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体12、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース(I/F)部13で固体撮像システムは構成される。
次に、図6の動作について説明する。バリア1がオープンされるとメイン電源がオンされ、次にコントロール系の電源がオンし、さらに、A/D変換器6などの撮像系回路の電源がオンされる。それから、露光量を制御するために、全体制御・演算部9は絞り3を開放にし、固体撮像素子4から出力された信号は、撮像信号処理回路5をスルーしてA/D変換器6へ出力される。A/D変換器6は、その信号をA/D変換して、信号処理部7に出力する。信号処理部7は、そのデータを基に露出の演算を全体制御・演算部9で行う。
この測光を行った結果により明るさを判断し、その結果に応じて全体制御・演算部9は絞りを制御する。次に、固体撮像素子4から出力された信号をもとに、高周波成分を取り出し被写体までの距離の演算を全体制御・演算部9で行う。その後、レンズ2を駆動して合焦か否かを判断し、合焦していないと判断したときは、再びレンズ2を駆動し測距を行う。
そして、合焦が確認された後に本露光が始まる。露光が終了すると、固体撮像素子4から出力された画像信号は、撮像信号処理回路5において補正等がされ、さらにA/D変換器6でA/D変換され、信号処理部7を通り全体制御・演算9によりメモリ部10に蓄積される。その後、メモリ部10に蓄積されたデータは、全体制御・演算部9の制御により記録媒体制御I/F部を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体12に記録される。また外部I/F部13を通り直接コンピュータ等に入力して画像の加工を行ってもよい。
1 バリア
2 レンズ
3 絞り
4 固体撮像素子
5 撮像信号処理回路
6 A/D変換器
7 信号処理部
8 タイミング発生部
9 全体制御・演算部
10 メモリ部
11 記録媒体制御インターフェース(I/F)部
12 記録媒体
13 外部インターフェース(I/F)部
101 フォトダイオード
102 画素転送スイッチ
103 リセットスイッチ
104 ドライバMOS
105 行選択スイッチ
106 垂直出力線
107 負荷MOS
108 クランプ容量
109 クランプスイッチ
110 転送ゲート
112 蓄積容量
114 水平転送スイッチ
116 水平出力線
118 出力アンプ
119 水平走査回路
120 演算増幅器
121 帰還容量
122 感度切り替えスイッチ
123 垂直走査回路

Claims (8)

  1. 被写体像を撮像する複数の画素と、
    前記複数の画素から信号を読み出す複数の垂直出力線と、
    前記複数の垂直出力線に読み出された信号を増幅する増幅回路と、
    前記複数の画素から読み出された信号に含まれるノイズ成分を補正する補正回路と、
    前記増幅回路から出力された信号を水平出力線に転送する転送手段とを有し、
    前記補正回路と前記増幅回路は、少なくとも一部分を共有していることを特徴とする撮像装置。
  2. 前記補正回路は、前記複数の垂直出力線に読み出されたノイズ信号を基準としてクランプすることにより、各画素の信号を補正することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  3. 前記増幅回路は、増幅率を変更する増幅率変更手段を、更に有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の撮像装置。
  4. 制御信号に応じて、前記補正回路または前記増幅回路を動作状態または非動作状態に設定するスイッチ手段を有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の撮像装置。
  5. 被写体像を撮像する複数の画素と、
    前記複数の画素からの信号を読み出す複数の垂直出力線と、
    前記垂直出力線に第1の電極が接続された第1の容量素子と、
    前記第1の容量素子の第2の電極に反転入力端子が接続された差動増幅器と、
    前記差動増幅器の反転入力端子と出力端子間に接続された第2の容量素子と、
    前記差動増幅器の反転入力端子と出力端子間の導通を制御する第1のスイッチとを備えたことを特徴とする撮像装置。
  6. 前記差動増幅器の増幅率を変更する増幅率変更手段を更に有することを特徴とする請求項5に記載の撮像装置。
  7. 前記差動増幅器は、1段の差動増幅回路から成ることを特徴とする請求項5または6に記載の撮像装置。
  8. 前記複数の画素に像を結像するレンズと、
    前記複数の画素から読み出された信号をA/D変換するA/D変換器と、
    前記A/D変換器においてA/D変換された信号を、メモリに記憶するように制御する制御部とを有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の撮像装置。
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