JP2009263522A - ポリオルガノシロキサン化合物、これを含む樹脂組成物及びこれらのパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】耐熱性、透明性、低誘電率特性、耐溶剤性に優れ、ＴＦＴ基板用層間絶縁膜として好適である新規なポリオルガノシロキサン化合物、これを含む感光性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】式（１）のポリオルガノシロキサンに含まれるケイ素原子結合水酸基の一部の水素原子が式（２）の酸不安定基で置換及び／又は式（３）の架橋基で架橋され、Ｍｗが３００〜２００，０００のポリオルガノシロキサン化合物。式（１）Ｒ^１ _ａＳｉ（ＯＲ^２）_ｂ（ＯＨ）_ｃＯ_{（４−ａ−ｂ−ｃ）／２}。

【選択図】なし

Description

本発明は、新規なポリオルガノシロキサン化合物、これを含む感光性樹脂組成物及び熱硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法に関する。この組成物を用いた基板や回路、配線等の保護用皮膜は、特にその耐熱性や耐薬品性、絶縁性及び可とう性から、半導体素子用保護絶縁膜、半導体素子再配線絶縁膜、多層プリント基板用絶縁膜、半田保護膜、カバーレイフィルム、基盤張り合わせ膜等に有用である。

従来、シロキサン系ポリマーはドライエッチング耐性及びプラズマ耐性に優れていることが知られており、シロキサン系ポリマーをレジスト材料として用いる技術も幾つか報告されている。

一例としては、シラノール基を豊富に含むオルガノシロキサンと、光にて酸を発生する化合物からなる組成物では、シラノール基をアルカリ可溶性基として使用することができ、光照射にて発生する酸がシラノール縮合触媒として作用することで、光照射部が縮合硬化してネガ型パターンを形成することができるものである（非特許文献１：Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ １６７２，５６（１９９２））。

一方で、ポジ型レジスト材料として主鎖がシロキサン結合よりなるオルガノポリシロキサンであって、ケイ素に結合した有機基の中に水酸基を有し、その水素原子の一部を酸不安定基にて置換したものも知られている。一例としては、酸解離性エステル基を側鎖に有するポリオルガノシルセスキオキサンを用いたレジスト樹脂組成物（特許文献１：特開平１１−６０７３３号公報）及びポリ（２−ヒドロキシカルボニルエチル）シロキサンのヒドロキシ基を部分的に酸解離性基で保護したポリマーを含むレジスト材料（特許文献２：特許第３１７５５１４号公報）が提案されている。しかし、これら従来のシロキサン系ポリマーを用いたレジスト材料では、解像度、感度及び現像性等のレジスト材料に要求される特性が十分満足できるものではない。

また、現在ＬＣＤ用のＴＦＴに用いられている層間絶縁膜やパターンを形成するための材料として、その高耐熱性、高透明性、低誘電率特性や耐溶剤性等の特性が求められている。従来それらの特性を実現するために、フェノール系アルカリ可溶性樹脂、キノンジアジド化合物、熱硬化剤及び沸点が１５０℃以下の酢酸エステル系溶媒を組み合わせたポジ型熱硬化感光材料（特許文献３：特開平７−９８５０２号公報）、或いはフェノール系アルカリ可溶性樹脂、キノンジアジド系化合物、架橋剤及び熱感光性酸発生剤を含むポジ型感光性樹脂組成物（特許文献４：特開２００４−２４０１４４号公報）等が提案されている。しかし、これらの材料は耐熱性や透明性が十分でなかったり、耐薬品性に劣る可能性があった。

一方、一般的にシロキサンポリマーの有している耐熱性や低誘電率特性に着目した材料として、環化付加反応生成物から由来されるシロキサン単位を含有するポリシロキサン化合物及びキノンジアジド化合物を含む感光性組成物（特許文献５：特許第２６４８９６９号公報）、フェノール系水酸基を有するアルカリ可溶性シロキサン重合体及びキノンジアジド化合物を含むポジ型レジスト組成物（特許文献６：特開２００３−２５５５４６号公報）、シロキサンポリマー、キノンジアジド化合物、シリカ微粒子及び溶剤を含有する感光性樹脂組成物（特許文献７：特開２００７−４１３６１号公報）等が提案されている。
しかし、これらの材料は熱硬化時に、含有されているキノンジアジド化合物の分解により着色し、硬化膜の透明性が低下する可能性があった。

Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ １６７２，５６（１９９２） 特開平１１−６０７３３号公報 特許第３１７５５１４号公報 特開平７−９８５０２号公報 特開２００４−２４０１４４号公報 特許第２６４８９６９号公報 特開２００３−２５５５４６号公報 特開２００７−４１３６１号公報

本発明は、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー或いはＡｒＦエキシマレーザーに代表される紫外線に対する感光性樹脂組成物のベース樹脂として好適なポリオルガノシロキサン化合物、高感度でプロセス適応性に優れた感光性樹脂組成物と熱硬化性樹脂組成物及びパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明の熱硬化性樹脂組成物によれば、微細なパターン形成を行うことが可能であり、且つ、このパターン形成後に、可視光領域での透明性に優れた皮膜を２００℃前後の比較的低温の熱処理で得ることが可能になると共に、この皮膜は、各種フィルム特性や保護膜としての信頼性に優れており、各種基板回路保護用として幅広く適用できる。

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、下記平均組成式（１）で示されるポリオルガノシロキサンに含まれる、ケイ素原子と直接結合している水酸基の一部の水素原子が下記一般式（２）で示される酸不安定基で置換及び／又は下記一般式（３）で示されるＣ−Ｏ−Ｃ基を有する架橋基により分子内又は分子間で架橋されていることを特徴とし、ＧＰＣによる測定においてポリスチレン標準で換算した重量平均分子量が３００〜２００，０００であるポリオルガノシロキサン化合物が有用であることを見出し、本発明をなすに至った。

従って、本発明は、下記ポリオルガノシロキサン化合物、感光性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物、パターン形成方法を提供する。
請求項１：
下記平均組成式（１）で示されるポリオルガノシロキサンに含まれる、ケイ素原子と直接結合している水酸基の一部の水素原子が下記一般式（２）で示される酸不安定基で置換及び／又は下記一般式（３）で示されるＣ−Ｏ−Ｃ基を有する架橋基により分子内又は分子間で架橋されており、且つゲルパーミッションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定したポリスチレン標準で換算した重量平均分子量が３００〜２００，０００であることを特徴とするポリオルガノシロキサン化合物。
Ｒ¹ _aＳｉ（ＯＲ²）_b（ＯＨ）_cＯ_(4-a-b-c)/2 （１）
（式中、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１８の有機基から選択される１種又は２種以上の基、Ｒ²は炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基から選択される１種又は２種以上の基であり、０．３≦ａ≦１．６、０≦ｂ≦０．３、０．００１≦ｃ≦２の範囲である。）

（式中、Ｒ³、Ｒ⁴は互いに独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁵は炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数７〜２０のアラルキル基を示す。Ｒ³とＲ⁴、Ｒ³とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁵は互いに結合してこれらが結合する炭素原子又は炭素原子及び酸素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合、環の形成に関与するＲ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵は炭素数１〜１８の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。）

（式中、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰は互いに独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁶とＲ⁷、Ｒ⁹とＲ¹⁰は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合、環の形成に関与するＲ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰は炭素数１〜１７の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ⁸は酸素原子を含んでもよい炭素数１〜６の２価の炭化水素基を示す。）
請求項２：
（Ａ）請求項１に記載のポリオルガノシロキサン化合物、
（Ｂ）１５０〜４５０ｎｍの波長範囲の光照射によって酸を発生する光酸発生剤
を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
請求項３：
（Ａ）請求項１に記載のポリオルガノシロキサン化合物、
（Ｂ）１５０〜４５０ｎｍの波長範囲の光照射によって酸を発生する光酸発生剤、
（Ｃ）熱硬化剤
を含有することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
請求項４：
（ｉ）請求項２に記載の感光性樹脂組成物のレジスト膜を基板上に形成する工程、
（ｉｉ）該レジスト膜をフォトマスクを介して波長１５０〜４５０ｎｍの波長の光源を含む光で露光する工程、
（ｉｉｉ）露光後のレジスト膜をアルカリ水溶液現像液にて現像する工程
を含むパターン形成方法。
請求項５：
（ｉ）請求項３に記載の熱硬化性樹脂組成物のレジスト膜を基板上に形成する工程、
（ｉｉ）該レジスト膜をフォトマスクを介して波長１５０〜４５０ｎｍの波長の光源を含む光で露光する工程、
（ｉｉｉ）露光後のレジスト膜をアルカリ水溶液現像液にて現像する工程、
（ｉｖ）現像によりパターン化されたレジストパターン膜を１００〜２５０℃の範囲の温度で硬化する工程
を含むパターン形成方法。

本発明の感放射線性樹脂組成物（感光性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物）を用いることにより、高解像のパターンを形成でき、またそれを熱硬化して得られる硬化膜は耐熱性、透明性、低誘電率特性及び耐溶剤性に優れており、ＴＦＴ基板用の層間絶縁膜として好適に用いられる。

本発明のポリオルガノシロキサン化合物は、下記平均組成式（１）
Ｒ¹ _aＳｉ（ＯＲ²）_b（ＯＨ）_cＯ_(4-a-b-c)/2 （１）
（式中、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１８の有機基から選択される１種又は２種以上の基、Ｒ²は炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基から選択される１種又は２種以上の基であり、０．３≦ａ≦１．６、０≦ｂ≦０．３、０．００１≦ｃ≦２、特に０．０１≦ｃ≦２の範囲である。）
で表される化合物を前駆体とし、その後、ポリオルガノシロキサンに含有されるシラノール基の一部を酸不安定基に置換することにより合成されるものである。以下、酸不安定基で置換する前のポリオルガノシロキサンを前駆体ポリシロキサンと呼ぶこととする。

まず、前駆体ポリシロキサンについて説明する。上記前駆体ポリシロキサンの平均組成式におけるＲ¹としては、水素原子又は置換もしくは非置換の炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の一価炭化水素基であり、例えば、水素原子；メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基等のシクロアルキル基；ビニル基、アリル基等のアルケニル基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；クロロメチル基、γ−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換炭化水素基；γ−（メタ）アクリロキシプロピル基、γ−グリシドキシプロピル基、３，４−エポキシシクロヘキシルエチル基、γ−メルカプトプロピル基、γ−アミノプロピル基等の（メタ）アクリロキシ、エポキシ、メルカプト、アミノ基置換炭化水素基等を例示することができる。これらの中でも、メチル基、プロピル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、フェニル基、３，４−エポキシシクロヘキシルエチル基が好ましく、特にフェニル基は硬化物の柔軟性を高めるため必須とすることが好ましい。

Ｒ¹の含有量ａが０．３より小さい場合、４官能のシロキサン単位の含有量が多くなり、膜のクラックが発生し易くなるため適さない。一方、ａが１．６より大きい場合には、２官能のシロキサン単位の含有量が多くなり、膜に柔軟性が付与される反面、基材への密着性、アルカリ可溶性を発現させるために必須なシラノール基含有量が少なくなるため不適である。

Ｒ²は炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基であって、ＯＲ²基は、シロキサン末端基のうちシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）以外のものであり、前駆体ポリシロキサンの原料であるアルコキシシラン由来のアルコキシ残基或いは前駆体ポリシロキサン合成時の反応溶媒として用いたアルコールがシロキサンに導入されて生成するものである。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。ポリオルガノシロキサンの原料としては、安価なメトキシシラン、エトキシシランの使用が適するため、ＯＲ²基としてはメトキシ基、エトキシ基の場合が多いが、これらに限定されるものではない。

前駆体ポリシロキサンへの酸不安定基の導入は、シラノール基と酸不安定基原料との反応によってなされる。アルコキシ残基の関与はないため、含有量ｂは０を含んでよい。ｂが０．３より大きいと、末端基中のアルコキシ残基の割合が増え、相対的にシラノール基の総量が減少するので、酸不安定基の導入量が少なくなり、十分な解像度が得られないため好ましくない。

これらのアルコキシ残基量は、赤外吸収スペクトル又はアルカリクラッキングによるアルコール定量法等で定量可能である。実際、測定限界以下の量のものでも適用可能である。

シラノール基含有量ｃは、前駆体ポリシロキサンの²⁹Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、シロキサンの平均化学構造を算出することによって求めることができる。即ち、例えば、３官能加水分解性シランから合成されるＴ単位（Ｒ¹Ｓｉ−Ｏ_3/2）のうち、下記に示した４種類の構造単位（Ｔ０〜Ｔ３）は、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲスペクトルにおいて異なる化学シフトでシグナルが観測される。このシグナルの面積は、この構造の存在比を示すため、Ｔ０、Ｔ１、Ｔ２の存在比より、末端基（ＯＸ）のモル量％を算出することができる。この量から、ＩＲスペクトル等で別途求めたアルコキシ基残量を差し引くことで、ポリオルガノシロキサン中に含まれるシラノール基モル量を算出することができる。

（Ｘ＝Ｈ又はＲ²であり、Ｒ¹は上記の通りである。）

シラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）の含有量ｃが２を超える場合、４官能シロキサン単位（Ｑ）を多く含むか或いは３官能シロキサン単位（Ｔ）単独なら２量体構造で、全末端がシラノール基の場合に相当する。このようなポリオルガノシロキサンは、低分子であり皮膜形成能に乏しいだけでなく、硬化皮膜の耐クラック性が乏しいので適さない。ｃが０．００１より小さい場合、本発明の置換にて導入する酸不安定基の含有量が極端に少なくなり、期待される感放射性が得られないため不適である。

この前駆体ポリシロキサンの分子量は、ゲルパーミッションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定することができる。標準ポリスチレンを基に作成した検量線から得られる重量平均分子量で３００〜２００，０００の範囲にあるものが好ましい。３００より小さいと皮膜形成性、耐クラック性に乏しくなる場合があり、２００，０００より大きいと、現像時の現像液溶解性が著しく低下する場合がある。

前駆体ポリシロキサンは、従来公知の方法で合成することができる。原料の加水分解性ケイ素化合物としては、以下に列挙するものが使用可能である。ビニルトリクロルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジクロルシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、５−ヘキセニルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル−ジメトキシメチルシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル−ジエトキシメチルシラン、３−（４−ビニルフェニル）プロピルトリメトキシシラン、４−ビニルフェニルメチルトリメトキシシラン、４−ビニルフェニルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシエラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン等のいわゆるシランカップリング剤以外に、テトラクロルシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、メチルトリクロルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、メチルトリイソプロペノキシシラン、エチルトリクロルシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリクロルシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ブチルトリクロルシラン、ブチルトリメトキシシラン、ヘキシルトリクロルシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、デシルトリクロルシラン、デシルトリメトキシシラン、フェニルトリクロルシラン、フェニルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリクロルシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、プロピルメチルジクロルシラン、プロピルメチルジメトキシシラン、ヘキシルメチルジクロルシラン、ヘキシルメチルジメトキシシラン、シクロヘキシルメチルジクロルシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジクロルシラン、フェニルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。またこれ以外にも、トリクロルハイドロジェンシラン、トリメトキシハイドロジェンシラン、トリエトキシハイドロジェンシラン等のハイドロジェンシラン類と、不飽和結合を有する有機基とをヒドロシリル化反応にて結合させることによって、所望のケイ素化合物を合成し、使用することも可能である。
加水分解性ケイ素化合物は１種単独で又は２種以上を使用してもよい。

このケイ素化合物が含有する加水分解性基は、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。これは反応制御が容易であること及びハロゲンイオンの残存は本発明の用途には不適であることからクロルシランの使用は好ましくないことによる。

有機基については、前述したようにメチル基、プロピル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、フェニル基、３，４−エポキシシクロヘキシルエチル基が好ましく、特にフェニル基、３，４−エポキシシクロヘキシルエチル基が最も適する。これら加水分解性基、有機基を有するケイ素化合物を原料に用いるのが好ましい。

上記加水分解性シラン化合物を加水分解及び縮合して、本発明に使用可能な加水分解縮合物を得る方法としては、水、或いは水と有機溶剤中で加水分解性シラン化合物を加水分解する方法が挙げられる。

加水分解に使用する水量は、加水分解性基Ｙ１モルに対し１モル以上、好ましくは１．２モル以上である。水量が１モル未満だと、加水分解性基の加水分解が部分的にしか進行せず、加水分解性基が未反応のまま、比較的多量に残存することになる。未反応の加水分解性基が多く残存すると、その分シラノール基量が低下するため、本発明の目的には適さない。

有機溶剤としては、水溶性、非水溶性を問わず、広く使用可能であるが、特にシラノール基含有シロキサンの溶解性が高い点から極性溶剤が好ましい。具体的にはメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、ｔ−ブタノール、ジアセトンアルコール等のアルコール類、エチレングリコール、モノエチレングリコールモノエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノエーテル等が例示される。特に本発明に適するポリシロキサンとしては、留去し易いメタノール、エタノール等の低沸点アルコールが好ましい。

加水分解及びそれに続く縮合反応時には、従来公知の加水分解触媒、縮合触媒の使用が可能である。特に酸性のハロゲン化水素、カルボン酸、スルホン酸、酸性或いは弱酸性の無機塩、イオン交換樹脂等の固体酸等が好ましい。これらの例としては塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、酢酸、マレイン酸、シュウ酸、メタンスルホン酸等の有機酸、表面にスルホン酸基、又はカルボン酸基を有するカチオン交換樹脂等が挙げられる。加水分解触媒の量は、加水分解性基Ｙ１モルに対して０．００１〜１０モル％が好ましい。本発明用途においては、加熱によって分解し得る酢酸、シュウ酸等の有機酸が好ましい。

加水分解反応と縮合反応は、厳密には分離できず、加水分解反応中も一部縮合が進んでいる。従って、上記酸性触媒は両反応において触媒として機能するが、より縮合度を上げる場合は、別途縮合触媒を添加してもよい。これら縮合触媒の例としては、先に列挙した酸性化合物以外に、アンモニア、アミン類等の塩基性化合物及びアンモニウム塩類、チタン、亜鉛、ジルコニウム、スズ等の金属化合物等が挙げられる。

次に、この前駆体ポリシロキサンのシラノール基を酸不安定基に置換する方法について説明する。本発明に係るポリオルガノシロキサン化合物は、上記平均組成式（１）で示されるポリオルガノシロキサン（前駆体ポリシロキサン）に含まれる、ケイ素原子と直接結合している水酸基の一部の水素原子を下記一般式（２）で示される酸不安定基で置換及び／又は下記一般式（３）で示されるＣ−Ｏ−Ｃ基を有する架橋基により分子内又は分子間で架橋したものである。

（式中、Ｒ³、Ｒ⁴は互いに独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁵は炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数７〜２０のアラルキル基を示す。Ｒ³とＲ⁴、Ｒ³とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁵は互いに結合してこれらが結合する炭素原子又は炭素原子及び酸素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合、環の形成に関与するＲ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵は炭素数１〜１８の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。）

（式中、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰は互いに独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁶とＲ⁷、Ｒ⁹とＲ¹⁰は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合、環の形成に関与するＲ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰は炭素数１〜１７の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ⁸は酸素原子を含んでもよい炭素数１〜６の２価の炭化水素基を示す。）

上記式（２）の酸不安定基として、Ｒ³及びＲ⁴の炭素数１〜６のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

Ｒ⁵の炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ヘキシル基、パルミチル基、ｎ−ステアリル基、シクロプロピル基、コレステリル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。炭素数６〜２０のアリール基としては、フェニル基、トリル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ジメチルフェニル基、メチルエチルフェニル基、ナフチル基、フリル基、ビフェニル基等が挙げられる。炭素数７〜２０のアラルキル基としては、ベンジル基、メチルベンジル基、プロピルベンジル基、ジメチルベンジル基等が挙げられる。

また、式（３）中、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰の炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基等が挙げられる。更にＲ⁸において炭素数１〜６の酸素原子を含んでもよい２価の炭化水素基の例としては、アルキレン基のほか、下記のものが挙げられる。

なお、上記式（２）、（３）において、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵又はＲ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰が環を形成する場合の環の例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基が挙げられる。

本発明の新規なポリオルガノシロキサンは、上記前駆体ポリシロキサンを、酸触媒下、例えばメチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、ｓｅｃ−ブチルビニルエーテル、エチルー１−プロペニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、メチル−１−プロペニルエーテル、イソプロペニルメチルエーテル、イソプロペニルエチルエーテル、ジヒドロフラン、ジヒドロピラン等のアルケニルエーテル化合物やエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、１，３−プロパンジオールジビニルエーテル、１，３−ブタンジオールジビニルエーテル、１，４−ブタンジオールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、１，４−シクロヘキサンジオールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニルエーテル、エチレングリコールジエチレンビニルエーテル等のジアルケニルエーテル化合物の付加反応で得ることができる。

更に、酸不安定基を導入する際の反応条件としては、溶媒としてジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、酢酸エチル等の非プロトン性極性溶媒を単独或いは２種以上混合して用いることができる。触媒の酸としては、塩酸、硫酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩等を用いることができる。

本発明のポリオルガノシロキサン化合物は、下記感光性樹脂組成物及び熱硬化性樹脂組成物（以下、これらを感放射線性樹脂組成物と総称する）のベース樹脂として有効であり、このポリオルガノシロキサン化合物と光酸発生剤を溶剤に溶かした感放射線性樹脂組成物を提供する。
感光性樹脂組成物の必須成分
（Ａ）上記ポリオルガノシロキサン化合物
（Ｂ）１５０〜４５０ｎｍの波長範囲の光照射によって酸を発生する光酸発生剤
（Ｄ）溶剤
熱硬化性樹脂組成物の必須成分
（Ａ）上記ポリオルガノシロキサン化合物
（Ｂ）１５０〜４５０ｎｍの波長範囲の光照射によって酸を発生する光酸発生剤
（Ｃ）熱硬化剤
（Ｄ）溶剤

次に（Ｂ）の光酸発生剤について説明する。光酸発生剤として具体的には、例えば、トリフルオ口メタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル（４−チオフェノキシフェニル）スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のオニウム塩；
ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（キシレンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロへキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソアミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、１−シクロへキシルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、１−ｔｅｒｔ−アミルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体；
ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジシクロへキシルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジシクロへキシルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（メタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（トリフルオロメタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（１，１，１−トリフルオロエタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｔｅｒｔ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（パーフルオロオクタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（シクロヘキサンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−フルオロベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（キシレンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（カンファースルホニル）−α−ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体；
α−（ベンゼンスルホニウムオキシイミノ）−４−メチルフェニルアセトニトリル等のオキシムスルホネート誘導体；
２−シクロヘキシルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、２−イソプロピルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン等のβ−ケトスルホン誘導体；
ジフェニルジスルホン、ジシクロへキシルジスルホン等のジスルホン誘導体；
ｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，４−ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホネート誘導体；
１，２，３−トリス（メタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ベンゼン等のスルホン酸エステル誘導体；
フタルイミド−イル−トリフレート、フタルイミド−イル−トシレート、５−ノルボルネン２，３−ジカルボキシイミド−イル−トリフレート、５−ノルボルネン２，３−ジカルボキシイミド−イル−トシレート、５−ノルボルネン２，３−ジカルボキシイミド−イル−ｎ−ブチルスルホネート、ｎ−トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルイミド等のイミド−イル−スルホネート誘導体等が挙げられる。
更には、（５−（４−メチルフェニル）スルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、（５−（４−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フェニルスルホニルオキシイミノ）−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）−アセトニトリル等のイミノスルホネートや、２−メチル−２［（４−メチルフェニル）スルホニル］−１−［（４−メチルチオ）フェニル］−１−プロパン等が挙げられる。
これらの中でも、イミド−イル−スルホネート類やイミノスルホネート類、オキシムスルホネート類等が好適に用いられる。

上記光酸発生剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して使用することができる。光酸発生剤の配合量は、本発明のポリオルガノシロキサン化合物１００質量部に対して０．０５〜２０質量部、特に０．２〜５質量部が好ましい。配合量が０．０５質量部に満たないと十分なコントラスト（露光部と未露光部の現像液に対する溶解速度差）が得られない場合があり、２０質量部を超えると酸発生剤自身の光吸収により解像性が悪化する場合がある。

次に、（Ｃ）の熱硬化剤について説明する。熱硬化剤としては、本発明のポリオルガノシロキサン中のシラノール基又は熱硬化剤同士で縮合又は付加反応による架橋によって硬化するものであれば特に限定するものではなく、例えばメラミン系化合物、グリコールウリル系化合物、尿素系化合物又は１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ系化合物から選ばれる化合物等が挙げられる。

メラミン系化合物の例としては、例えばヘキサメチロールメラミンヘキサメチルエーテル、ヘキサメチロールメラミンヘキサブチルエーテル、テトラメトキシメチルベンゾグアナミン、テトラブトキシメチルベンゾグアナミン等が挙げられる。
グリコールウリル系化合物としては、例えばテトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラブトキシメチルグリコールウリル等が挙げられる。
尿素系化合物としては、テトラメトキシメチル尿素、ジメトキシメチルエチレン尿素、ジメトキシメチルプロピレン尿素等が挙げられる。

１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ系化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジグリシジルビスフェノールＡ等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ジグリシジルビスフェノールＦ等のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、トリフェニロールプロパントリグリシジルエーテル等のトリフェニルメタン型エポキシ樹脂、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート等の環状脂肪族エポキシ樹脂、ジグリシジルフタレート、ジグリシジルヘキサヒドロフタレート、ジメチルグリシジルフタレート等のグリシジルエステル系樹脂、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイジン、テトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサン等のグリシジルアミン系樹脂等が挙げられる。

上記熱硬化剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して使用することができる。熱硬化剤の配合量は、本発明のポリオルガノシロキサン化合物１００質量部に対して０．１〜２０質量部、特に２〜１０質量部が好ましい。配合量が０．１質量部に満たないと十分な架橋密度が得られない場合があり、２０質量部を超えると熱硬化剤自身の光吸収により透明性が悪化したり貯蔵安定性が低下する場合がある。

（Ｄ）の溶剤としては、本発明の（Ａ）ポリオルガノシロキサン、（Ｂ）光酸発生剤、及び（Ｃ）熱硬化剤に対して、十分な溶解度を持ち、良好な塗膜性を与える溶剤であれば特に制限無く使用することができる。例えば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル−２−ｎ−アミルケトン等のケトン類；３−メトキシブタノール、３−メチル−３−メトキシブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等のアルコール類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピレングリコール−モノ−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル類等が挙げられ、これらの１種を単独で又は２種以上を併用して使用することができる。これらの中でも特に、（Ａ）ポリオルガノシロキサン、（Ｂ）光酸発生剤及び（Ｃ）熱硬化剤に対して、溶解性が最も優れている乳酸エチル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン及びその混合溶剤が好ましい。上記有機溶剤の使用量は、成分（Ａ）〜（Ｃ）の全固形分１００質量部に対して５０〜２，０００質量部、特に１００〜ｌ，０００質量部が好ましい。５０質量部未満であると上記各成分（Ａ）〜（Ｃ）の相溶性が不十分となる場合があり、逆に２，０００質量部を超えても相溶性にはあまり変化がなく、また粘度が低くなりすぎて樹脂の塗布に適さなくなるおそれがある。

その他、本発明のポリオルガノシロキサンには上記各成分以外に、更に添加成分を配合してもよい。
添加成分の一つとしては、例えば塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤を（Ａ）成分１００質量部に対して０．０１〜１質量部の割合で添加することができる。界面活性剤としては、非イオン性のものが好ましく、例えばフッ素系界面活性剤、具体的にはパーフルオロアルキルポリオキシエチレンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフルオロアルキルアミンオキサイド、含フッ素オルガノシロキサン系化合物等が挙げられる。

これらは、市販されているものを用いることができ、例えば、フロラード「ＦＣ−４４３０」（住友スリーエム（株）製）、サーフロン「Ｓ−１４１」及び「Ｓ−１４５」（いずれも旭硝子（株）製）、ユニダイン「ＤＳ−４０１」、「ＤＳ−４０３１」及び「ＤＳ−４５１」（いずれもダイキン工業（株）製）、メガファック「Ｆ−８１５１」（大日本インキ工業（株）製）、「Ｘ−７０−０９３」（信越化学工業（株）製）等が挙げられる。これらの中でも好ましくは、フロラード「ＦＣ−４４３０」（住友スリーエム（株）製）及び「Ｘ−７０−０９３」（信越化学工業（株）製）である。

また他の添加成分として、環境安定性、パターン形状又は引き置き経時安定性を向上させるために含窒素化合物を添加することができる。含窒素化合物としてはアミン、特に第２級又は第３級の脂肪族アミンが挙げられる。この第２級又は第３級アミンの例としては、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジエタノールアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリエタノールアミン、トリプロパノールアミン等が挙げられる。

次に、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法について説明する。本発明の感放射線性樹脂組成物をディップ法、スピンコート法、ロールコート法等の公知の手法により基板に塗布し、ホットプレート、オーブン等の加熱装置で、通常８０〜１２０℃、５０〜３００分間プリベーク処理し、０．５〜２０μｍのレジスト膜を形成する。次いで、ステッパー、マスクアライナー等の放射線発生装置を用い、１５０〜４５０ｎｍの範囲の種々の波長の光、例えば、ｇ線、ｉ線等の紫外線光、遠紫外線光（２４８ｎｍ、１９３ｎｍ）等の光で露光する。露光量後は必要に応じて更に現像感度を高めるために、通常９０〜１３０℃、５０〜３００分間の露光後、加熱処理してもよい。

上記露光後或いは露光して加熱後、現像液にて現像する。現像液としては、水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液等に代表される公知のアルカリ現像液溶剤を使用する。現像は、通常の方法、例えばパターン形成物を浸漬すること等により行うことができる。その後、必要に応じ洗浄、リンス、乾燥等を行い、所望のパターンが得られる。

その後、熱硬化性樹脂組成物の場合は、得られたパターンを更にオーブンやホットプレートを用いて１００〜２５０℃において１０分〜１０時間程度加熱することにより、架橋密度を上げ、残存する揮発成分を除去することにより、耐熱性、透明性、低誘電率特性及び耐溶剤性に優れた硬化膜を形成することができる。

このようにして上記樹脂組成物から得られる皮膜は、基材との密着性、耐熱性、電気絶縁性、機械的特性に優れ、電気、電子部品、半導体素子等の保護膜として好適に用いられる上、微細なパターン形成が可能である上、形成された皮膜は、基材に対する接着性、電気特性、機械特性等に優れ、半導体素子の保護膜、配線保護膜、カバーレイフィルム、ソルダーレジスト等に好適に用いられる。

以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。

［合成例１］
ポリシロキサンＡの合成
温度計、撹拌機、冷却器を備えた１Ｌ三つ口フラスコに、フェニルトリメトキシシラン８９．２ｇ（０．４５モル）、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン１１０．９ｇ（０．４５モル）、メタノール３６０ｇを仕込み、撹拌しながら１０℃以下に氷冷した。滴下ロートに０．１Ｍの酢酸水溶液９０ｇを仕込み、氷冷しながら滴下したところ、発熱を伴い加水分解縮合反応が進行した。内温を室温まで上昇させ、２時間撹拌熟成した後、エステルアダプターを設置し、加熱常圧にてメタノール留去を行った。内温がメタノールの沸点を超えるまで留去を続けることによって、白濁粘ちょうなポリシロキサン溶液を得た。この時、捕捉したメタノール量は３８２ｇであった。このポリシロキサン溶液に酢酸エチル３００ｇを添加し、溶解した溶液を純水にて２回水洗を行った。このポリシロキサン溶液をロータリーエバポレーターにて濃縮することにより、無色透明のポリシロキサン溶液Ａを２３３ｇ（固形分濃度６２．２質量％）得た。
このポリシロキサンの重量平均分子量（ＧＰＣポリスチレン標準）は４．２×１０³であった。またアルカリクラッキング法では、残存メトキシ基は検出されなかった。²⁹Ｓｉ−ＮＭＲにてＴ０〜Ｔ３の存在比を求め、下記の平均組成式を算出した。
Ｐｈ_0.5（ＥＰ）_0.5Ｓｉ（ＯＨ）_0.72Ｏ_1.14
ＥＰ：２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基
Ｐｈ：フェニル基
［Ｐｈ基、ＥＰ基ともにＲ¹基に相当。平均組成式（１）表記：ａ＝１．０、ｂ＝０、ｃ＝０．７２］

［合成例２］
ポリシロキサンＢの合成
温度計、撹拌機、冷却器を備えた１Ｌ三つ口フラスコに、フェニルトリメトキシシラン９９．１ｇ（０．５モル）、ジメチルジメトキシシラン６０．１ｇ（０．５モル）、メタノール２７７ｇを仕込み、撹拌しながら１０℃以下に氷冷した。滴下ロートに０．１Ｍのメタンスルホン酸水溶液８４ｇを仕込み、氷冷しながら滴下したところ、発熱を伴い加水分解縮合反応が進行した。内温を室温まで上昇させ、２時間撹拌熟成した後、エステルアダプターを設置し、加熱常圧にてメタノール留去を行った。内温がメタノールの沸点を超えるまで留去を続けることによって、白濁粘ちょうなポリシロキサン溶液を得た。この時、捕捉したメタノール量は２８０ｇであった。このポリシロキサン溶液に酢酸エチル２００ｇを添加し、溶解した溶液を純水にて２回水洗を行った。このポリシロキサン溶液をロータリーエバポレーターにて濃縮することにより、無色透明のポリシロキサン溶液Ｂを１８５ｇ（固形分濃度６０．５質量％）得た。
このポリシロキサンの重量平均分子量（ＧＰＣポリスチレン標準）は３．８×１０³であった。またアルカリクラッキング法では、残存メトキシ基は検出されなかった。²⁹Ｓｉ−ＮＭＲにてＴ０〜Ｔ３の存在比を求め、下記の平均組成式を算出した。
Ｐｈ_0.5Ｍｅ_1.0Ｓｉ（ＯＨ）_0.6Ｏ_0.95
［Ｐｈ基（フェニル基）、Ｍｅ基（メチル基）ともにＲ¹基に相当。平均組成式（１）表記：ａ＝１．５、ｂ＝０、ｃ＝０．６］

［合成例３］
ポリシロキサンＣの合成
温度計、撹拌機、冷却器を備えた１Ｌ三つ口フラスコに、テトラメトキシシラン９８．９ｇ（０．６５モル）、フェニルトリメトキシシラン６９．４ｇ（０．３５モル）、メタノール３６０ｇを仕込み、撹拌しながら１０℃以下に氷冷した。滴下ロートに０．１Ｍの塩酸水溶液１２２ｇを仕込み、氷冷しながら滴下したところ、発熱を伴い加水分解反応が進行した。内温を室温ま．で上昇させ、２時間撹拌熟成した後、エステルアダプターを設置し、加熱常圧にてメタノール留去を行った。内温がメタノールの沸点を超えるまで留去を続けることにより、ポリシロキサン溶液を得た。このポリシロキサン溶液に酢酸エチル２００ｇを添加し、得られたポリシロキサン溶液を純水にて２回水洗を行った。このポリシロキサン溶液をロータリーエバポレーターにて濃縮することにより、無色透明のポリシロキサン溶液Ｃを４９１ｇ（固形分濃度２０．２質量％）得た。
このポリシロキサンの重量平均分子量（ＧＰＣポリスチレン標準）５．５×１０³であった。また残存メトキシ基はアルカリクラッキング法にて１．０質量％検出された。²⁹Ｓｉ−ＮＭＲにてＴ０〜Ｔ３の存在比を求めることによって、平均組成式は下記のように算出された。
Ｐｈ_0.35Ｓｉ（ＯＭｅ）_0.03（ＯＨ）_1.03Ｏ_1.21
［平均組成式（１）表記：ａ＝０．３５、ｂ＝０．０３、ｃ＝１．０３］

［合成例４］
アセタール化ポリシロキサンＤの合成
合成例１で得られたポリシロキサンＡ８０．４ｇを酢酸エチル溶液からテトラヒドロフラン溶液（固形分濃度２０質量％）に溶媒置換した後、温度計、撹拌機、冷却器を備えた１Ｌ三つ口フラスコに仕込み、メタンスルホン酸１．０ｇ（０．０１モル）を添加した。
次に、１０℃以下に氷冷し撹拌しながら、エチル−１−プロペニルエーテル１９．４ｇ（０．２３モル）を滴下ロートにて内温を１０℃以下に保ちながら滴下した。滴下後室温にて２時間反応させた後、トリエチルアミン１．０ｇ（０．０１モル）を添加し反応を終了した。反応液を１Ｌナスフラスコに移し、常温減圧下ロータリーエバポレーターにてテトラヒドロフランを留去し、メチルイソブチルケトン３００ｇ及び０．０１Ｎ酢酸水溶液２５０ｍｌを添加し反応液を水洗浄した。この洗浄操作を合計３回繰り返した後、有機層を分離、ロータリーエバポレーターにて濃縮して、無色透明のアセタール化ポリシロキサンＤを４９．０ｇ得た。
このアセタール化ポリシロキサンＤのアセタール置換率は¹³Ｃ−ＮＭＲの結果より３２．５モル％と算出された。

［合成例５］
アセタール化ポリシロキサンＥの合成
合成例１で得られたポリシロキサンＡ８０．４ｇを酢酸エチル溶液からテトラヒドロフラン溶液（シロキサン濃度２０質量％）に溶媒置換した後、温度計、撹拌機、冷却器を備えた１Ｌ三つ口フラスコに仕込み、メタンスルホン酸１．０ｇ（０．０１モル）を添加した。
次に、１０℃以下に氷冷し撹拌しながら、エチルビニルエーテル７．３ｇ（０．１０モル）と１，４−ブタンジオールジビニルエーテル１．６ｇ（０．０１モル）を滴下ロートにて内温を１０℃以下に保ちながら滴下した。滴下後室温にて２時間反応させた後、トリエチルアミン１．０ｇ（０．０１モル）を添加し反応を終了した。反応液を１Ｌナスフラスコに移し、常温減圧下ロータリーエバポレーターにてテトラヒドロフランを留去し、メチルイソブチルケトン３００ｇ及び０．０１Ｎ酢酸水溶液２５０ｍｌを添加し反応液を水洗浄した。この洗浄操作を合計３回繰り返した後、有機層を分離、ロータリーエバポレーターにて濃縮して、無色透明のアセタール化ポリシロキサンＥを４９．０ｇ得た。
このアセタール化ポリシロキサンＥのアセタール置換率は¹³Ｃ−ＮＭＲの結果より３４．５モル％と算出された。

［合成例６］
アセタール化ポリシロキサンＦの合成
合成例２で得られたポリシロキサンＢ８２．６ｇを酢酸エチル溶液からテトラヒドロフラン溶液（シロキサン濃度２０質量％）に溶媒置換した後、温度計、撹拌機、冷却器を備えた１Ｌ三つ口フラスコに仕込み、メタンスルホン酸１．０ｇ（０．０１モル）を添加した。
次に、１０℃以下に氷冷し撹拌しながら、３，４−ジヒドロー２Ｈ−ピラン２３．６ｇ（０．２８モル）を滴下ロートにて内温を１０℃以下に保ちながら滴下した。滴下後室温にて２時間反応させた後、トリエチルアミン１．０ｇ（０．０１モル）を添加し反応を終了した。反応液を１Ｌナスフラスコに移し、常温減圧下ロータリーエバポレーターにてテトラヒドロフランを留去し、メチルイソブチルケトン３００ｇ及び０．０１Ｎ酢酸水溶液２５０ｍｌを添加し反応液を水洗浄した。この洗浄操作を合計３回繰り返した後、有機層を分離、ロータリーエバポレーターにて濃縮して、無色透明のアセタール化ポリシロキサンＦを４８．４ｇ得た。
このアセタール化ポリシロキサンＦのアセタール置換率は¹³Ｃ−ＮＭＲの結果より４６．３モル％と算出された。

［合成例７］
アセタール化ポリシロキサンＧの合成
合成例３で得られたポリシロキサンＣ２４７．５ｇを酢酸エチル溶液からテトラヒドロフラン溶液（シロキサン濃度２０質量％）に溶媒置換した後、温度計、撹拌機、冷却器を備えた１Ｌ三つ口フラスコに仕込み、メタンスルホン酸１．０ｇ（０．０１モル）を添加した。
次に、１０℃以下に氷冷し撹拌しながら、イソブチルビニルエーテル２１．７ｇ（０．４０モル）と１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル１０．６ｇ（０．１モル）を滴下ロートにて内温を１０℃以下に保ちながら滴下した。滴下後室温にて２時間反応させた後、トリエチルアミン１．０ｇ（０．０１モル）を添加し反応を終了した。反応液を１Ｌナスフラスコに移し、常温減圧下ロータリーエバポレーターにてテトラヒドロフランを留去し、メチルイソブチルケトン４００ｇ及び０．０１Ｎ酢酸水溶液２５０ｍｌを添加し反応液を水洗浄した。この洗浄操作を合計３回繰り返した後、有機層を分離、ロータリーエバポレーターにて濃縮して、無色透明のアセタール化ポリシロキサンＧを４８．２ｇ得た。
このアセタール化ポリシロキサンＧのアセタール置換率は、¹³Ｃ−ＮＭＲの結果より５８．８モル％と算出された。

［実施例１］
合成例４で得られたアセタール化ポリシロキサンＤ１０ｇをシクロペンタノン１４ｇに溶解させ、酸発生剤として［５−（４−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フェニルスルホニルオキシイミノ）−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン］−（２−メチルフェニル）−アセトニトリルを０．１０ｇ及び界面活性剤Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇ混合し、溶解させた後、０．２μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過してレジスト液を調製した。
次に、６インチシリコンウェハー上に、上記レジスト液をスピンナーによって塗布し、ホットプレート上で１００℃／１２０秒にてプリベークし、厚さ４．０μｍのレジスト膜を形成した。更にｉ線ステッパー（（株）ニコン製ＮＳＲ−１７５５ｉ７Ａ、ＮＡ＝０．５）を用いてパターニング露光し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８質量％の現像液を用いて１２０秒パドル現像し、純水リンスした後、（株）日立製作所製ＳＥＭ：Ｓ−４１００にてパターン評価を行った。なお、パターン評価は０．５〜５．０μｍライン＆スペースパターンを観察し、感度、パターン側壁の垂直性、スペース部分のレジスト残渣（スカム）の有無及び最小解像寸法（ライン＆スペース）で解像性を判断した。

［実施例２〜４］
実施例１と同様にしてレジスト液を調製し、パターニング評価を行った。表１に組成を、表２にパターン評価結果を示す。

［実施例５］
合成例４で得られたアセタール化ポリシロキサンＤ１０ｇをシクロペンタノン１６ｇに溶解させ、酸発生剤として［５−（４−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フェニルスルホニルオキシイミノ）−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン］−（２−メチルフェニル）−アセトニトリルを０．１０ｇ、硬化剤としてテトラメトキシメチルグリコールウリルを０．５ｇ及び界面活性剤Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇ混合し、溶解させた後、０．２μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過してレジスト液を調製した。

次に、実施例１と同様に６インチシリコンウェハー上に、上記レジスト液をスピンナーによって塗布し、ホットプレート上で１００℃／１２０秒にてプリベークし、厚さ４．０μｍのレジスト膜を形成した。更に、ｉ線ステッパー（（株）ニコン製ＮＳＲ−１７５５ｉ７Ａ、ＮＡ＝０．５）を用いてパターニング露光し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８質量％の現像液を用いて１２０秒パドル現像し、純水リンスした後、（株）日立製作所製ＳＥＭ：Ｓ−４１００にてパターン評価を行った。なお、パターン評価は０．５〜５．０μｍライン＆スペースパターンを観察し、感度、パターン側壁の垂直性、スペース部分のレジスト残渣（スカム）の有無及び最小解像寸法（ライン＆スペース）で解像性を判断した。

＜耐溶剤性の評価＞
上記と同様にレジスト液をシリコンウェハー上にスピンナーによって塗布し、ホットプレート上で１００℃／１２０秒にてプリベークし、厚さ４．０μｍのレジスト膜を形成した。更に、上記と同様に露光後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８質量％の現像液中に１２０秒浸漬し、純水リンスを行った。この操作後に残った皮膜を更に２２０℃のオーブンで１時間加熱して、膜厚３．５μｍの硬化皮膜を得た。この硬化皮膜の形成されたウェハーを、６０℃に加熱した２−アミノエタノール７０ｇ−ジメチルスルホキシド３０ｇの混合溶液に１５分間浸漬し、純水リンスを行った後膜厚を測定し、浸漬前の膜厚と比較し残膜率を測定し、耐溶剤性を評価した。

＜硬化後皮膜の透明性の評価＞
石英ウェハーを用いる他は、耐溶剤性の評価と同様にしてレジスト液をスピンナーによって塗布し、ホットプレート上で１００℃／１２０秒にてプリベークし、厚さ４．０μｍのレジスト膜を形成した。更に、上記と同様に露光後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８質量％の現像液中に１２０秒浸漬し、純水リンスを行った。この操作後に残った皮膜を更に２２０℃のオーブンで１時間加熱して、膜厚３．５μｍの硬化皮膜を得た。次に、分光光度計Ｕ−３０００ １３０−００１８（（株）日立製作所製）を用いて２００ｎｍから８００ｎｍの領域での透過率を測定した後、４００ｎｍでの透過率にて透明性を評価した。

＜比誘電率の測定＞
上述したレジスト液を更に樹脂固形分濃度が１０質量％となるようシクロペンタノンで希釈し、６インチＮ型シリコンウェハー上にこの溶液をスピンコートし、溶剤除去のためホットプレート上で１００℃／１２０秒にてプリベークを行った。更に、上記と同様に露光後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８質量％の現像液中に１２０秒浸漬し、純水リンスを行った。この操作後に残った皮膜を更に２２０℃のオーブンで１時間加熱して、膜厚０．８μｍの硬化皮膜を得た。この硬化皮膜を利用して、自動水銀ＣＶ測定装置４９５−ＣＶシステム（日本ＳＳＭ社製）を用い、自動水銀プローブを用いたＣＶ法で比誘電率を測定した。

［実施例６〜８］
実施例５と同様にしてレジスト液を調製し、パターニング及び物性評価を行った。表３に組成、表４にパターン及び物性評価結果を示す。

以上の結果から、実施例１〜８の組成物は、０．５μｍから０．７５μｍライン＆スペースパターンがスカム無く垂直に形成可能で、良好な解像力を示し、感光性材料として十分な特性を示した。また実施例５〜８の組成物から得られた硬化膜は、絶縁耐圧といった電気特性を有し、更には、透明性、耐溶剤性といった特性にも優れ、回路や電子部品の保護膜として有用であるという結果が得られた。

Claims (5)

1. 下記平均組成式（１）で示されるポリオルガノシロキサンに含まれる、ケイ素原子と直接結合している水酸基の一部の水素原子が下記一般式（２）で示される酸不安定基で置換及び／又は下記一般式（３）で示されるＣ−Ｏ−Ｃ基を有する架橋基により分子内又は分子間で架橋されており、且つゲルパーミッションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定したポリスチレン標準で換算した重量平均分子量が３００〜２００，０００であることを特徴とするポリオルガノシロキサン化合物。
   Ｒ¹ _aＳｉ（ＯＲ²）_b（ＯＨ）_cＯ_(4-a-b-c)/2 （１）
   （式中、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１８の有機基から選択される１種又は２種以上の基、Ｒ²は炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基から選択される１種又は２種以上の基であり、０．３≦ａ≦１．６、０≦ｂ≦０．３、０．００１≦ｃ≦２の範囲である。）
   

   

   （式中、Ｒ³、Ｒ⁴は互いに独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁵は炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数７〜２０のアラルキル基を示す。Ｒ³とＲ⁴、Ｒ³とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁵は互いに結合してこれらが結合する炭素原子又は炭素原子及び酸素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合、環の形成に関与するＲ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵は炭素数１〜１８の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。）
   

   

   （式中、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰は互いに独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁶とＲ⁷、Ｒ⁹とＲ¹⁰は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合、環の形成に関与するＲ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰は炭素数１〜１７の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ⁸は酸素原子を含んでもよい炭素数１〜６の２価の炭化水素基を示す。）
2. （Ａ）請求項１に記載のポリオルガノシロキサン化合物、
   （Ｂ）１５０〜４５０ｎｍの波長範囲の光照射によって酸を発生する光酸発生剤
   を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
3. （Ａ）請求項１に記載のポリオルガノシロキサン化合物、
   （Ｂ）１５０〜４５０ｎｍの波長範囲の光照射によって酸を発生する光酸発生剤、
   （Ｃ）熱硬化剤
   を含有することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
4. （ｉ）請求項２に記載の感光性樹脂組成物のレジスト膜を基板上に形成する工程、
   （ｉｉ）該レジスト膜をフォトマスクを介して波長１５０〜４５０ｎｍの波長の光源を含む光で露光する工程、
   （ｉｉｉ）露光後のレジスト膜をアルカリ水溶液現像液にて現像する工程
   を含むパターン形成方法。
5. （ｉ）請求項３に記載の熱硬化性樹脂組成物のレジスト膜を基板上に形成する工程、
   （ｉｉ）該レジスト膜をフォトマスクを介して波長１５０〜４５０ｎｍの波長の光源を含む光で露光する工程、
   （ｉｉｉ）露光後のレジスト膜をアルカリ水溶液現像液にて現像する工程、
   （ｉｖ）現像によりパターン化されたレジストパターン膜を１００〜２５０℃の範囲の温度で硬化する工程
   を含むパターン形成方法。