JP2009260359A - 放熱部材を具備したｃｏｆ型半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】放熱効果が向上し、放熱部材が電子装置に長期間安定的に固定維持されうる放熱部材を具備したＣＯＦ型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明のＣＯＦ型半導体パッケージは、柔軟性を有する絶縁基板と、絶縁基板の上面に配された半導体素子と、絶縁基板の下面に配された放熱部材と、絶縁基板の下面と放熱部材との間を接着させる接着部材と、を備え、絶縁基板の下面と放熱部材との間には、外部圧力を吸収できる圧力吸収領域が形成されている。
【選択図】図４
【解決手段】本発明のＣＯＦ型半導体パッケージは、柔軟性を有する絶縁基板と、絶縁基板の上面に配された半導体素子と、絶縁基板の下面に配された放熱部材と、絶縁基板の下面と放熱部材との間を接着させる接着部材と、を備え、絶縁基板の下面と放熱部材との間には、外部圧力を吸収できる圧力吸収領域が形成されている。
【選択図】図４
Description
本発明は、半導体パッケージに係り、より詳細には、半導体素子が柔軟性を有するフィルム上に付着されたＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）型半導体パッケージに関する。
液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）の更なる市場領域の拡大に対して、低価格化、大型化及び高性能化が要求され、小さな領域中により多くの画素が入り込まねばならない状況が生じ、ＬＣＤ内で個々の画素を制御する駆動チップのリードピッチが更に微細化し、これに伴いパッケージング方法も多様に開発されてきている。
ＬＣＤ分野で主に使われるパッケージング方法は、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ＣＯＦなどがある。ＴＣＰ技術は、１９８０年代末に、高解像度モニタの大量生産のために導入されて以来、ＬＣＤ市場で最も好まれるパッケージング方法であったが、微細ピッチ化による工程価引き下げ及び収率向上を図るために、１９９０年代末から、ＣＯＦ技術がパッケージ市場で占める比率が順次増大することになった。
ＣＯＦ技術は、通信機器の軽薄短小化の趨勢と共に、ＬＣＤドライバＩＣ（Ｄｒｉｖｅｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）でこれに対応するために開発された新形態のパッケージである。ＣＯＦ技術では、高解像度を有するディスプレイ装置を実現するために、テレビ受像機及びモニタの駆動周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに増大してドライバＩＣの駆動負荷が上昇し、これによってＩＣの発熱問題が深刻に持ち上がっている。
このような発熱問題を解決するため、絶縁基板の上部面上に形成される半導体素子から発生する熱を外部に放熱するために、絶縁基板の下部面上に放熱板を形成する技術が特許文献１に開示されている。
ＣＯＦ型半導体パッケージの適用例として、このようなＣＯＦ型半導体パッケージは、ＬＣＤパネルのような電子装置の基板のエッジ表面に接着剤によって付着された後、基板の側面に曲がるように配され、電子装置のシャーシ（ｃｈａｓｓｉｓ）によって加圧固定される。
しかし、ＣＯＦ型半導体パッケージがシャーシによって加圧固定された従来技術では、電子装置を長時間使用するによって、シャーシが基板に対して上下方向及び左右方向など、さまざまな方向に外力を受け、シャーシと放熱板とが接触する付近で、放熱板が絶縁基板から分離することがしばしば発生する。このような分離は、半導体素子で発生した熱が絶縁基板、放熱板及びシャーシを経て放熱される放熱経路を妨害し、放熱効果を遮断する作用を行い、はなはだしい場合には、ＣＯＦ型半導体パッケージが電子装置から離脱することもある。
そこで、本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、放熱効果を向上させたＣＯＦ型半導体パッケージを提供することにある。
また、本発明の目的は、放熱効果が向上すると共に、ＣＯＦ型半導体パッケージを電子装置に付着し、長時間使用しても安定的に固定維持できるＣＯＦ型半導体パッケージを提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明の一特徴によるＣＯＦ型半導体パッケージは、柔軟性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に配された半導体素子と、前記絶縁基板の下面に配された放熱部材と、を備え、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間に形成された空間を有する。
本発明の他の特徴によるＣＯＦ型半導体パッケージは、柔軟性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に配された半導体素子と、前記絶縁基板の下面に配された放熱部材と、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間を接着させる接着部材と、を備え、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間には、外部圧力を吸収できる圧力吸収領域が形成される。
望ましくは、前記圧力吸収領域は、空き空間からなり、代替として、外部圧力を吸収できる圧力吸収材を含むこともできる。前記圧力吸収材は、外部から加えられる圧力に対して、前記接着部材より圧力吸収の効果の大きい物質からなりうる。
一方、前記圧力吸収領域は、１つの前記放熱部材に対応して一つだけ形成されるか、又は複数個の位置に複数個で形成されもする。
また、前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板、前記放熱部材、及び前記接着部材によって外部と遮断されるように密閉されるか、又は外部と連通するように開放されもする。
一方、前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間の前記接着部材の一部が除去されて貫通された空間からなり、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間の前記接着部材の一部が部分的に除去されて形成された空間からなりうる。この場合、前記絶縁基板の下面と接する接着部材の上面の一部が部分的に除去されるか、又は前記放熱部材と接する接着部材の下面の一部が部分的に除去されるか、又は接着部材の中間が除去されうる。
一方、前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間で、前記接着部材が除去されずに形成された空間からなりもする。このとき、前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板の下面から前記接着部材が物理的に引き離されることによって形成された空間からなるか、又は前記接着部材と前記放熱部材との間で形成された空間からなりうる。
代替として、前記圧力吸収領域は、前記接着部材の表面の一部が除去されずに、前記接着部材と接する前記放熱部材の表面の一部が部分的に除去されて形成された空間からなり、互いに接する前記接着部材の表面の一部と前記放熱部材の表面の一部とがいずれも部分的に除去されて形成されもする。
一方、前記接着部材と前記放熱部材との平面的形状は同一に形成され、前記接着部材と前記放熱部材は、コーナー部分が面取り（ｃｈａｍｆｅｒｉｎｇ）されるか、又はラウンディングされた四角形状でありうる。それ以外にも、円形、多角形など多様な形状が可能である。また、前記接着部材と前記放熱部材との平面的形状は、必ずしも同一である必要はない。
また、前記圧力吸収領域は、高さが５０〜３００ｎｍに形成されることが望ましい。
本発明の他の特徴によるＣＯＦ型半導体パッケージは、柔軟性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に配された半導体素子と、前記絶縁基板の下面に配された放熱部材と、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間を接着させる接着部材と、を備え、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間には、外部圧力を吸収できる圧力吸収領域が形成される。
望ましくは、前記圧力吸収領域は、空き空間からなり、代替として、外部圧力を吸収できる圧力吸収材を含むこともできる。前記圧力吸収材は、外部から加えられる圧力に対して、前記接着部材より圧力吸収の効果の大きい物質からなりうる。
一方、前記圧力吸収領域は、１つの前記放熱部材に対応して一つだけ形成されるか、又は複数個の位置に複数個で形成されもする。
また、前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板、前記放熱部材、及び前記接着部材によって外部と遮断されるように密閉されるか、又は外部と連通するように開放されもする。
一方、前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間の前記接着部材の一部が除去されて貫通された空間からなり、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間の前記接着部材の一部が部分的に除去されて形成された空間からなりうる。この場合、前記絶縁基板の下面と接する接着部材の上面の一部が部分的に除去されるか、又は前記放熱部材と接する接着部材の下面の一部が部分的に除去されるか、又は接着部材の中間が除去されうる。
一方、前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間で、前記接着部材が除去されずに形成された空間からなりもする。このとき、前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板の下面から前記接着部材が物理的に引き離されることによって形成された空間からなるか、又は前記接着部材と前記放熱部材との間で形成された空間からなりうる。
代替として、前記圧力吸収領域は、前記接着部材の表面の一部が除去されずに、前記接着部材と接する前記放熱部材の表面の一部が部分的に除去されて形成された空間からなり、互いに接する前記接着部材の表面の一部と前記放熱部材の表面の一部とがいずれも部分的に除去されて形成されもする。
一方、前記接着部材と前記放熱部材との平面的形状は同一に形成され、前記接着部材と前記放熱部材は、コーナー部分が面取り（ｃｈａｍｆｅｒｉｎｇ）されるか、又はラウンディングされた四角形状でありうる。それ以外にも、円形、多角形など多様な形状が可能である。また、前記接着部材と前記放熱部材との平面的形状は、必ずしも同一である必要はない。
また、前記圧力吸収領域は、高さが５０〜３００ｎｍに形成されることが望ましい。
一方、本発明による放熱部材テープは、キャリアテープと、前記キャリアテープ上に付着された放熱部材と、前記キャリアテープと前記放熱部材とを接着させる接着部材と、を有し、前記キャリアテープの上面と前記放熱部材との間には、外部圧力を吸収できる圧力吸収領域が形成されることを特徴とする。
また、本発明による電子装置は、電子装置用基板と、前記電子装置用基板の一面上に付着されたＣＯＦ型半導体パッケージと、前記電子装置用基板に付着された前記ＣＯＦ型半導体パッケージを加圧して固定するシャーシとを備える。前記ＣＯＦ型半導体パッケージは、柔軟性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に配された半導体素子と、前記絶縁基板の下面に配された放熱部材と、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間を接着させる接着部材、とを有し、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間には、外部圧力を吸収できる圧力吸収領域が形成されることを特徴とする。
望ましくは、前記シャーシは前記放熱部材と接触し、前記圧力吸収領域は、前記シャーシと前記放熱部材とが接触する位置に形成される。
望ましくは、前記シャーシは前記放熱部材と接触し、前記圧力吸収領域は、前記シャーシと前記放熱部材とが接触する位置に形成される。
また、本発明によるテープパッケージは、ベースフィルムと、前記ベースフィルムの一面上に配列される配線と、前記配線の一部分が露出するように、前記配線及び前記ベースフィルムの一面上に形成される保護膜と、を具備する。半導体チップは、前記ベースフィルムの一面上に装着され、前記配線の露出した部分と接触する。接着層が前記一面と対向する前記ベースフィルムの他面上に、前記半導体チップに対応して配列される。
前記接着層は、熱硬化、常温硬化、又は紫外線（ＵＶ）硬化性物質を含み、二次硬化が進められうる。一次硬化時に、２０〜４０％の範囲内で硬化が進み、二次硬化時に、９０〜１００％の範囲内で硬化が進みうる。前記接着層は、硬化前に、体積対比で０．１％以下の範囲内で体積が変化し、０．５Ｗ／ｍＫ−１０Ｗ／ｍＫの熱伝導度を有することができる。前記接着層は、０°Ｃ〜２００°Ｃのガラス転移温度（Ｔｇ）と５ｐｐｍ／°Ｃ〜３０ｐｐｍ／°Ｃの熱膨張係数（ＣＴＥ）とを有することができる。
前記接着層上に、フィルム部材が更に配列されうる。前記フィルム部材は、前記ベースフィルムから分離が容易なように、前記ベースフィルムに対して離型性を有する物質を含むことができる。前記ベースフィルムと前記半導体チップとの間に、アンダーフィル物質が充填され、前記配線の露出した部分と前記バンプとを覆い包むことが可能である。
前記ベースフィルムの一面と対向する前記半導体チップの一面上に、前記配線の露出した一部分に対応して、バンプが配列されうる。前記半導体チップの前記バンプは、前記配線の露出した一部分とタブ（ＴＡＢ：Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）でボンディングされうる。
前記接着層は、熱硬化、常温硬化、又は紫外線（ＵＶ）硬化性物質を含み、二次硬化が進められうる。一次硬化時に、２０〜４０％の範囲内で硬化が進み、二次硬化時に、９０〜１００％の範囲内で硬化が進みうる。前記接着層は、硬化前に、体積対比で０．１％以下の範囲内で体積が変化し、０．５Ｗ／ｍＫ−１０Ｗ／ｍＫの熱伝導度を有することができる。前記接着層は、０°Ｃ〜２００°Ｃのガラス転移温度（Ｔｇ）と５ｐｐｍ／°Ｃ〜３０ｐｐｍ／°Ｃの熱膨張係数（ＣＴＥ）とを有することができる。
前記接着層上に、フィルム部材が更に配列されうる。前記フィルム部材は、前記ベースフィルムから分離が容易なように、前記ベースフィルムに対して離型性を有する物質を含むことができる。前記ベースフィルムと前記半導体チップとの間に、アンダーフィル物質が充填され、前記配線の露出した部分と前記バンプとを覆い包むことが可能である。
前記ベースフィルムの一面と対向する前記半導体チップの一面上に、前記配線の露出した一部分に対応して、バンプが配列されうる。前記半導体チップの前記バンプは、前記配線の露出した一部分とタブ（ＴＡＢ：Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）でボンディングされうる。
また本発明は、ディスプレイ装置を提供できる。前記ディスプレイ装置は、表示素子が配列されるディスプレイパネルと、テープパッケージと、シャーシとを備える。前記テープパッケージは、前記ディスプレイパネルに、前記表示素子を駆動するための電気的信号を提供する。前記テープパッケージは、ベースフィルムを具備する。前記ベースフィルムの一面上には、配線が配列される。前記配線及び前記ベースフィルムの一面上に、保護膜が形成され、前記配線の一部分を露出させる。半導体チップは、前記ベースフィルムの一面上に装着され、前記配線の露出した部分と接触する。接着層は、前記一面と対向する前記ベースフィルムの他面上に、前記半導体チップに対応して配列される。前記接着層は、前記シャーシの側壁に接着され、前記テープパッケージを前記シャーシに固定させる。
前記接着層は、前記ベースフィルムの他面上に塗布された後、２０〜４０％の範囲内で一次硬化され、前記シャーシの側壁への付着時に、９０〜１００％の範囲内で二次硬化されうる。
前記接着層は、前記ベースフィルムの他面上に塗布された後、２０〜４０％の範囲内で一次硬化され、前記シャーシの側壁への付着時に、９０〜１００％の範囲内で二次硬化されうる。
本発明の放熱部材を具備したＣＯＦ型半導体パッケージによれば、伝導性を有する放熱部材によって放熱が効果的に行われ、更に外部の圧力を十分に吸収できるために、放熱部材と接触部材とが互いに分離されずに長時間安定的に固定され、十分な放熱経路を確保することができる。
以下、本発明のＣＯＦ型半導体パッケージを実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。しかし、本発明は、ここで説明する実施形態に限定されず、他の形態で具体化することも可能である。むしろ、ここで紹介する実施形態は、開示する内容を徹底し、かつ完全になり得るように、そして当業者に本発明の思想を十分に伝えるために提供するものである。図面において、層及び領域の厚さは、明確性を期するために誇張している。明細書全体にわたって同じ参照番号は、同じ構成要素を示している。
図１は、本発明の第１実施形態による放熱部材１７を具備したＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）型半導体装置、例えば、ＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図であり、図２は、図１の底面図である。
図１及び図２を参照すると、ＣＯＦ型半導体パッケージは、柔軟性を有する（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）フィルム形態の絶縁基板１３上に、半導体集積回路が具現された半導体素子１１が配されている。絶縁基板１３は、例えば、ポリイミドのような柔軟性を有するフィルム形態で構成される。絶縁基板１３上には、一定のパターンを有する導電性のリード１４が複数個形成され、リード１４は、例えば銅で構成される。リード１４上には、表面絶縁層１５が形成され、表面絶縁層１５は、例えばＳＲ層（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｒｅｓｉｓｔ ｌａｙｅｒ又はＳｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ ｌａｙｅｒ）によって構成される。平面的に見れば、絶縁基板１３上に複数個のリード１４が互いに分離されるように配され、リード１４の内部末端が中央に集中するように配される。表面絶縁層１５は、各リード１４の内部末端の一部を露出させつつ、各リード１４を被覆している。
末端の一部が露出したリード１４の上部面上には、半導体素子１１がバンプ１２を介在させて付着され、半導体素子１１が付着された周辺には、密封部材１６が形成され、半導体素子１１を絶縁基板１３上に安定的に固定する。
半導体素子１１は、接合型トランジスタ及び電界効果型トランジスタのようなトランジスタ、整流ダイオード、発光ダイオード、フォトダイオードのようなダイオード、記憶素子、集積回路などの能動素子でありうる。また半導体素子１１は、コンデンサ、抵抗又はコイルのような受動素子に置き換えることも可能である。
バンプ１２とリード１４は、Ａｕ−Ｓｎ又はＡｕ−Ａｕの合金接合によって接続されうる。密封部材１６は、例えば、モールディング樹脂によって形成できる。
一方、絶縁基板１３の下部面上には、放熱部材１７が接着部材１８によって付着される。放熱部材１７は、半導体素子１１の動作によって発生する熱を、密封部材１６及びリード１４を介して下側に伝えられた後、外側に効果的に放熱するためのものであり、望ましくは、熱伝導性が絶縁基板１３より大きい多様な物質、例えばアルミニウムのような金属類から構成できる。放熱部材１７は、例えばアクリル系の接着部材１８によって絶縁基板１３に付着されうる。
柔軟性を有するフィルム形態の絶縁基板１３の下面と放熱部材１７の上面との間には、外部から印加される圧力を吸収できる圧力吸収領域１９が形成される。圧力吸収領域１９は、接着部材１８の一部が除去されて貫通された空間であり、圧力吸収領域１９は、空気で充填されたり、又は外部の圧力を緩和させたりすることができる圧力吸収材が充填された空間でありうる。本実施形態では、圧力吸収領域１９は、絶縁基板１３、放熱部材１７及び接着部材１８によって密閉された空間をなす。圧力吸収領域１９の高さは、例えば５０〜３００ｎｍの範囲に形成されることが、放熱効果及び圧力吸収効果の側面を考慮すれば望ましいといえる。
図３は、本発明の他の形態の底面図であり、図２と比較して放熱部材１７が絶縁基板１３の下面エッジに延びた突出部１７ａを備えるという点を除いて同一である。突出部１７ａは、外部の放熱部品（図示せず）と接続されて放熱効果を向上させることができるという点で望ましい。
図４は、本発明の第２実施形態による放熱部材１７を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図であり、図５は、図４の底面図である。図１及び図２と同じ構成要素は同じ参照番号を使用し、その具体的な説明は省略する。
図４及び図５を参照すると、絶縁基板１３の下面と接着部材１８の上面との間に空間が存在する形態であり、該空間が外部から印加される圧力を吸収できる圧力吸収領域１９となる。本実施形態では、接着部材１８は一部除去された部分がなく、全体的に同じ厚さを有する。
更に具体的に、本実施形態での圧力吸収領域１９は、接着部材１８が絶縁基板１３の下面から物理的に引き離されることによって形成された空間でありうる。圧力吸収領域１９の高さは、例えば５０〜３００ｎｍの範囲に形成されることが放熱効果及び圧力吸収効果の側面を考慮して望ましい。
図６は、本発明の第３実施形態による放熱部材１７を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。図１及び図２と同じ構成要素は同じ参照番号を使用し、その具体的な説明は省略する。
図６を参照すると、絶縁基板１３の下面と接触する接着部材１８の上面の一部が部分的に除去され、絶縁基板１３の下面と接着部材１８との間に空間が存在する形態であり、該空間が外部から印加される圧力を吸収できる圧力吸収領域１９となる。
図７は、本発明の第４実施形態による放熱部材１７を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図であり、図７を参照すると、放熱部材１７の上面と接触する接着部材１８の下面の一部が部分的に除去され、接着部材１８の下面と放熱部材１７との間に空間が存在する形態であり、該空間が外部から印加される圧力を吸収できる圧力吸収領域１９となる。
図８は、本発明の第５実施形態による放熱部材１７を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図であり、接着部材１８の中央に空間が存在する形態であり、該空間が外部から印加される圧力を吸収できる圧力吸収領域１９となる。
図９は、本発明の第６実施形態による放熱部材１７を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図であり、接着部材１８は部分的に除去されず、これと接する放熱部材１７の上面の一部が部分的に除去され、接着部材１８の下面と放熱部材１７との間に空間が存在する形態であり、該空間が外部から印加される圧力を吸収できる圧力吸収領域１９となる。図示していないが、互いに接する接着部材１８と放熱部材１７との表面の一部がいずれも部分的に除去され、圧力吸収領域として作用する空間を形成することも可能である。
図１０〜図２０は、本発明の実施形態に適用できる多様な形態の接着部材１８の形状を示す図面である。
図１０〜図１５は、接着部材１８の一部が除去されて貫通した例を示し、図１に示した第１実施形態に対応する実施形態である。
図１０を参照すると、接着部材１８の中央の一部が除去されて貫通したところを示している。除去された部分が圧力吸収領域１９になる。本実施形態の接着部材１８を適用する場合、絶縁基板１３、放熱部材１７及び接着部材１８によって外部と遮断された密閉された圧力吸収領域１９が形成される。本実施形態で、貫通した部分は四角形をなすが、これに限定されず、円形、楕円形、多角形など多様な形態で形成されうる。
図１１を参照すると、接着部材１８内に複数個の貫通した圧力吸収領域１９が形成される。貫通した圧力吸収領域１９の数は多様となり、位置も規則的に、又は不規則的に配されうるように多様に選択できる。
図１２を参照すると、接着部材１８内に、ストライプ形態の密閉された複数個の貫通した圧力吸収領域１９が形成される。
図１３を参照すると、図１０と比較し、１つの接着部材１８に対応して外部と開放された１つの圧力吸収領域１９が形成された実施形態を示す。
図１４を参照すると、図１２のストライプ形態の圧力吸収領域１９が広がり、接着部材１８を複数個に分離させることによって、複数個の貫通した圧力吸収領域１９が形成される。これを適用する場合、圧力吸収領域１９は、外部と連通するように開放される。
図１５を参照すると、接着部材１８のコーナー部分が四角形である図１０のような場合にはコーナー部分でストレスが多く作用することから、接着部材１８が離脱することを緩和するために、コーナー部分がラウンディング処理される。それ以外にも、コーナー部分でのストレスを緩和させるために、コーナー部分が面取りされる（ｃｈａｍｆｅｒ）こともある。
図１６〜図１８は、接着部材１８の一部が表面から一部だけ除去されて貫通していない例を示し、図６に示した第３実施形態に対応する実施形態である。圧力吸収領域１９の形状は、接着部材１８が貫通していない場合にも、図１０〜図１５に対応したような、多様な形態に適用できる。
図１９及び図２０は、接着部材１８が部分的に除去されることなしに、同じ厚さを維持しつつ、一定の位置で凸型、又は凹型の圧力吸収領域１９を有する例であり、図４に示した第２実施形態に対応する実施形態である。図１９では、１つの接着部材１８に対応して１つの圧力吸収領域１９が形成された例であり、図２０では、１つの接着部材１８に対応して複数個の圧力吸収領域１９が形成された例を示している。
図２１は、図４に示した本発明の第２実施形態によるＣＯＦ型半導体パッケージをＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）パネルの電子装置に適用した例を示す概略図である。
図２１を参照すると、電子装置基板２０の上面エッジに、例えば、図４に対応するＣＯＦ型半導体パッケージの一端を接着剤２２によって接着させ、シャーシ２１に固定させたところを示す。
図２１を参照すると、表面絶縁層１５の一部が電子装置基板２０と接触すれるように付着され、シャーシ２１が放熱部材１７と接触し、加圧されて固定される。このとき、シャーシ２１と接触する放熱部材１７の付近に、圧力吸収領域１９が存在するために、電子装置基板２０に対してシャーシ２１から加わる圧力が増大したり、又はシャーシ２１から電子装置基板２０に対して上下方向、又は左右方向など、さまざまな方向に力や衝撃を加えたりしても、圧力吸収領域１９がこのような力や衝撃を緩衝し、放熱部材１７が絶縁基板１３から分離することを防止できる。
図２２は、本発明で使用する放熱部材１７を運搬するための放熱部材テープを概略的に示した図面であり、図２３は、図２２に示す放熱部材テープを、横方向に切断した断面図である。
図２２及び図２３を参照すると、ポリイミドのようなワインディングの可能なキャリアテープ２５上に、放熱部材１７が接着部材１８を介在させて付着されている。放熱部材１７上には、ポリイミドのような保護用テープ２６が更に形成されうる。接着部材１８は、上述のような本発明の多様な形態によるものを適用できる。
本発明の実施形態によるＣＯＦ型半導体パッケージを製作するにあたって、キャリアテープ２５は最終的に除去される部品であり、保護用テープ２６は、最終的に除去されたり、又はそのまま使われたりすることもある。
図１に示したＣＯＦ型半導体パッケージを製造する過程について簡単に述べれば、リード１４及び表面絶縁層１５が一定のパターンを有し、予め形成された絶縁基板１３上に、チップ形態の半導体素子１１を、バンプ１２と密封部材１６とを介在させてボンディングする。次に、図２２に示した放熱部材テープからキャリアテープ２５を除去した後、露出した接着部材１８が絶縁基板１３の下部面上に接着するように、放熱部材１７を付着することによって、本発明による半導体パッケージが製作される。
図２４は、本発明の一実施形態によるテープパッケージの断面図を示したものである。図２４を参照すると、テープパッケージ２００は、ＣＯＦ型パッケージでありうる。テープパッケージ２００は、テープ基板２１０と、半導体チップ２５０とを有する。テープ基板２１０は、フレキシブル印刷回路基板（ＦＢＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）を有することができる。
テープ基板２１０は、ベースフィルム２２０、ベースフィルム２２０の一面上に配列される配線２３０、及び配線２３０を保護する保護膜２４０を有する。ベースフィルム２２０は、ポリイミド又はポリエステルのような絶縁フィルムを含むことができる。配線２３０は、銅パターンを含むことができる。また、配線２３０は、表面にスズ、金、又はニッケルなどがメッキされた銅パターンを含むことができる。保護膜２４０は、ソルダレジストを含むことができる。保護膜２４０は、配線２３０の一部分が露出するように、ベースフィルム２２０及び配線２３０上に配列されうる。
半導体チップ２５０は、その一面上にバンプ２６０が配列される。テープ基板２１０上に、半導体チップ２５０が装着される。半導体チップ２５０のバンプ２６０が、テープ基板２１０の配線２３０の露出した部分とコンタクトされる。配線２３０と半導体チップ２５０のバンプ２６０は、タブ（ＴＡＢ：Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を利用して一括的に接合させることができる。アンダーフィル物質２７０が、半導体チップ２５０とベースフィルム２２０との間に充填され、バンプ２６０と配線２３０の露出した部分とを覆い包む。
また、テープパッケージ２００は、半導体チップ２５０が配列される一面に対向するベースフィルム２２０の他面に配列される接着層２８０を更に有する。接着層２８０は、半導体チップ２５０に対応するベースフィルム２２０の他面上に配列され、半導体チップ２５０から放出される熱を放熱させる役割を担う。
接着層２８０は、放熱樹脂を含むことができる。接着層２８０を構成する樹脂は、エポキシ、アクリル又はシリコンなどを含み、２０〜８０％の重量分率を有することができる。優秀な放熱効果を得るために、樹脂には、熱伝導性フィラが含まれていることがある。熱伝導性フィラは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又はダイアモンドを含み、２０〜８０％の重量分率を有することができる。
接着層２８０は、硬化性物質を含むことができる。接着層２８０は、熱硬化、常温硬化又は紫外線（ＵＶ）硬化が可能な樹脂を含むことができる。接着層２８０は、二段階硬化工程を介して形成されうる。一次硬化工程は、パッケージ形成段階で、ベースフィルム２２０の他面に、硬化性物質を塗布した後、２０〜４０％の範囲内で硬化がなされるように行われる。二次硬化工程は、モジュール化段階で、テープパッケージ２００の接着層２８０をディスプレイ装置のシャーシに付着させた後、９０〜１００％の範囲内で硬化がなされるように進めることができる。接着層２８０は、二次熱硬化工程が進められた後、硬化前に比べて０．１％以下の範囲内で体積が変化し、０．５Ｗ／ｍＫ−１０Ｗ／ｍＫの熱伝導度を有することができる。また、接着層２８０は、０°Ｃ〜２００°Ｃのガラス転移温度（Ｔｇ）と、５ｐｐｍ／°Ｃ〜３０ｐｐｍ／°Ｃの熱膨張係数（ＣＴＥ）を有することができる。
テープパッケージ２００は、ベースフィルム２２０の他面に配列されるフィルム部材２９０を更に有することができる。フィルム部材２９０は、接着層２８０の上面に配列されうる。フィルム部材２９０は、リール・ツー・リール（ｒｅｅｌ ｔｏ ｒｅｅｌ）方式で、テープ基板２１０をハンドリングする場合、接着層２８０及びベースフィルム２２０との分離が容易なように、ベースフィルム２２０に対して異型性を有する物質を含むことができる。
図２５は、図２４に示したテープパッケージ２００がディスプレイ装置１００を構成するシャーシ１１０の側壁に接着された状態を部分的に示す断面図である。図２５を参照すると、図２４に示したテープパッケージ２００の接着層２８０が、シャーシ１１０の側壁に接着され、テープパッケージ２００をシャーシ１１０に固定させる。半導体チップ２５０から放出される熱が接着層２８０を介して、半導体チップの上面に垂直方向に放出される。
図２５のディスプレイ装置１００で、図面番号１２１はディスプレイパネルを示し、図面番号１２５は印刷回路基板を示す。ディスプレイパネル１２１は、下部基板１２２と上部基板１２３とを備えている。下部基板１２２及び上部基板１２３の間に、液晶（図示せず）が含まれている。
以上、本発明を様々な実施形態を挙げて説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
本発明の放熱部材テープ、放熱部材を具備したＣＯＦ型半導体パッケージ及びこれを適用した電子装置は、例えば、ＬＣＤ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
１１ 半導体素子
１２、２６０ バンプ
１３ 絶縁基板
１４ リード
１５ 表面絶縁層
１６ 密封部材
１７ 放熱部材
１７ａ 突出部
１８ 接着部材
１９ 圧力吸収領域
２０ 電子装置基板
２１、１１０ シャーシ
２２ 接着剤
２５ キャリアテープ
２６ 保護用テープ
１００ ディスプレイ装置
１２１ ディスプレイパネル
１２２ 下部基板
１２３ 上部基板
１２５ 印刷回路基板
２００ テープパッケージ
２１０ テープ基板
２２０ ベースフィルム
２３０ 配線
２４０ 保護膜
２５０ 半導体チップ
２７０ アンダーフィル物質
２８０ 接着層
２９０ フィルム部材
１２、２６０ バンプ
１３ 絶縁基板
１４ リード
１５ 表面絶縁層
１６ 密封部材
１７ 放熱部材
１７ａ 突出部
１８ 接着部材
１９ 圧力吸収領域
２０ 電子装置基板
２１、１１０ シャーシ
２２ 接着剤
２５ キャリアテープ
２６ 保護用テープ
１００ ディスプレイ装置
１２１ ディスプレイパネル
１２２ 下部基板
１２３ 上部基板
１２５ 印刷回路基板
２００ テープパッケージ
２１０ テープ基板
２２０ ベースフィルム
２３０ 配線
２４０ 保護膜
２５０ 半導体チップ
２７０ アンダーフィル物質
２８０ 接着層
２９０ フィルム部材
Claims (10)
- 柔軟性を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の上面に配された半導体素子と、
前記絶縁基板の下面に配された放熱部材と、を備え、
前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間に形成された空間を有することを特徴とするＣＯＦ型半導体パッケージ。 - 前記絶縁基板の下面と前記放熱部材とを接着させる領域を有する接着部材を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
- 前記空間は、外部圧力を吸収できる圧力吸収領域であることを特徴とする請求項２に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
- 前記圧力吸収領域は、１つの前記放熱部材に対応して少なくとも１つの位置に形成されることを特徴とする請求項３に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
- 前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板、前記放熱部材、及び前記接着部材によって外部と遮断されるように密閉されることを特徴とする請求項３に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
- 前記圧力吸収領域は、外部と連通するように開放されることを特徴とする請求項３に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
- 前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間の前記接着部材の一部が除去されて形成された空間からなることを特徴とする請求項３に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
- 前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間で、前記接着部材が除去されずに前記絶縁基板の下面から物理的に引き離されることによって形成された空間からなることを特徴とする請求項３に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
- 前記接着部材と前記放熱部材との平面的形状は同じであることを特徴とする請求項３に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
- 前記圧力吸収領域の高さは、５０〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170140481A (ko) * | 2016-06-10 | 2017-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN108933111A (zh) * | 2018-09-28 | 2018-12-04 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种覆晶薄膜散热结构和一种显示装置 |
| JP2021118348A (ja) * | 2020-01-22 | 2021-08-10 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | ヒートシンクの貼付方法及びその貼付装置 |
| KR20220037259A (ko) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 | 스테코 주식회사 | Ｃｏｆ 패키지 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI424388B (zh) * | 2010-04-30 | 2014-01-21 | Au Optronics Corp | 可撓式顯示器及其製造方法 |
| CN102201390B (zh) * | 2011-05-09 | 2012-11-07 | 厦门英诺尔电子科技股份有限公司 | 一种高像素摄像模组cof封装基板及其制成方法 |
| CN105990276A (zh) * | 2015-03-06 | 2016-10-05 | 奕力科技股份有限公司 | 具有散热结构的软性基板半导体封装装置 |
| TWI596729B (zh) * | 2016-12-15 | 2017-08-21 | 南茂科技股份有限公司 | 晶片封裝結構 |
| CN109300879B (zh) * | 2018-09-18 | 2020-12-29 | 惠科股份有限公司 | 驱动芯片封装结构及其分离方法、分离设备 |
| CN111755434A (zh) * | 2019-03-27 | 2020-10-09 | 力晶积成电子制造股份有限公司 | 半导体封装 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242333A (ja) * | 1997-03-01 | 1998-09-11 | Nitto Denko Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2001118882A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置および半導体装置の実装構造 |
| JP2005049662A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2008028396A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Samsung Electronics Co Ltd | Ｃｏｆ型半導体パッケージ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990044862A (ko) * | 1997-11-14 | 1999-06-25 | 포만 제프리 엘 | 열전달 증강 부착 방법 및 장치 |
| JP4621531B2 (ja) * | 2005-04-06 | 2011-01-26 | 株式会社豊田自動織機 | 放熱装置 |
| KR100785950B1 (ko) * | 2006-11-09 | 2007-12-14 | 스테코 주식회사 | Ｃｏｆ 패키지 및 그의 제조 방법 |
-
2009
- 2009-04-15 TW TW098112534A patent/TWI501360B/zh active
- 2009-04-17 JP JP2009101131A patent/JP5207477B2/ja active Active
- 2009-04-17 CN CN 200910130468 patent/CN101692443B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242333A (ja) * | 1997-03-01 | 1998-09-11 | Nitto Denko Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2001118882A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置および半導体装置の実装構造 |
| JP2005049662A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2008028396A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Samsung Electronics Co Ltd | Ｃｏｆ型半導体パッケージ |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170140481A (ko) * | 2016-06-10 | 2017-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102532627B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2023-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN108933111A (zh) * | 2018-09-28 | 2018-12-04 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种覆晶薄膜散热结构和一种显示装置 |
| JP2021118348A (ja) * | 2020-01-22 | 2021-08-10 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | ヒートシンクの貼付方法及びその貼付装置 |
| JP7068391B2 (ja) | 2020-01-22 | 2022-05-16 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | ヒートシンクの貼付方法及びその貼付装置 |
| US11350518B2 (en) | 2020-01-22 | 2022-05-31 | Chipbond Technology Corporation | Method of attaching heat sinks to a circuit tape |
| KR20220037259A (ko) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 | 스테코 주식회사 | Ｃｏｆ 패키지 |
| KR102514310B1 (ko) * | 2020-09-17 | 2023-03-28 | 스테코 주식회사 | Ｃｏｆ 패키지 |
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