JP2009259897A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メインセル部MCでは、IGBTがp+型ボディ層5がn+型エミッタ領域4内で終端する構造とされ、センスセル部SCでは、IGBTがp+型ボディ層5がチャネル領域内で終端する構造とされるようにする。これにより、製造バラツキによる破壊耐量のバラツキによって過電流検出値を設定できるようにできる。つまり、製造バラツキにより破壊耐量が低いものに対しては過電流検出値を低く設定することで過電流保護機能が優先されるようにでき、逆に、製造バラツキにより破壊耐量が高いものに対しては過電流検出値を高く設定することで過電流保護機能よりも誤作動防止が優先されるようにできる。
【選択図】図1
Description
本発明の第1実施形態について説明する。本実施形態では、半導体素子としてIGBTが備えられた半導体装置に本発明の一実施形態を適用した場合について説明する。図1は、本実施形態にかかるIGBTを有する半導体装置の断面図である。図2は、図1の領域R1の拡大断面図、図3は、図1の領域R2の拡大断面図である。
上記第1実施形態では、チャネル領域が基板平面と水平方向に設定されるプレーナ型のIGBTを有する半導体装置を例に挙げて説明したが、トレンチゲート型のIGBTを有する半導体装置に関しても、上記と同様の構造を採用することができる。
2 n-型ドリフト層
3 p型ベース領域
4 n+型エミッタ領域
5 p+型ボディ層
6 ゲート絶縁膜
7 ゲート電極
8 層間絶縁膜
8a コンタクトホール
9 エミッタ電極
9a メインエミッタ電極
9b センスエミッタ電極
10 コレクタ電極
MC メインセル部
SC センスセル部
Claims (3)
- メイン電流を流すメインセル部(MC)と前記メイン電流よりも小さく該メイン電流に比例するセンス電流を流すセンスセル部(SC)とを有してなる半導体装置であって、
前記メインセル部(MC)と前記センスセル部(SC)には共に、
第1もしくは第2導電型の半導体基板(1)と、
前記半導体基板(1)上に形成された第1導電型のドリフト層(2)と、
前記ドリフト層(2)の表層部に形成された第2導電型のベース領域(3)と、
前記ベース領域(3)内に形成され、前記ドリフト層(2)よりも高不純物濃度とされた第1導電型のエミッタ領域(4)と、
前記ベース領域(3)のうち前記エミッタ領域(4)と前記ドリフト層(2)の間に挟まれた部分の表面をチャネル領域として、前記ベース領域(3)のうち少なくとも前記エミッタ領域(4)よりも前記チャネル領域から離れる側に配置された第2導電型のボディ層(5)と、
前記ベース領域(3)のうち前記チャネル領域が設定される表面上に形成されたゲート絶縁膜(6)と、
前記ゲート絶縁膜(6)の表面に形成されたゲート電極(7)と、
前記エミッタ領域(4)および前記ボディ層(5)に電気的に接続されるエミッタ電極(8)と、
前記半導体基板(1)の裏面に形成されたコレクタ電極(10)とを備えた半導体素子を有し、
前記メインセル部(MC)における前記ボディ層(5)は、前記エミッタ領域(4)内で終端するように形成されており、
前記センスセル部(SC)における前記ボディ層(5)は、前記チャネル領域側内で終端するように形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体素子は、プレーナ型のトランジスタであり、前記ベース領域(3)は、前記ドリフト層(2)の表面で終端するように形成されていると共に、前記チャネル領域が基板平面と水平方向に設定されるようになっており、
前記センスセル部(SC)における前記ボディ層(5)は、前記基板平面と水平方向において、前記チャネル領域内で終端するように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子は、トレンチゲート型のトランジスタであり、前記ベース領域(3)を貫通して前記ドリフト層(2)まで達するトレンチ(30)を有し、該トレンチ(30)内に前記ゲート絶縁膜(6)および前記ゲート電極(7)が形成されることで、前記トレンチ(30)の側面における前記ベース領域(3)の表面に前記チャネル領域が設定されるようになっており、
前記センスセル部(SC)における前記ボディ層(5)は、前記エミッタ領域(4)よりも前記半導体基板(1)側において前記トレンチ(30)の側面と接するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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Cited By (1)
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KR101737601B1 (ko) | 2015-06-08 | 2017-05-22 | 메이플세미컨덕터(주) | 센스 레이트 제어 가능한 센스mosfet 제조방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH01108761A (ja) * | 1987-10-21 | 1989-04-26 | Sharp Corp | 高耐圧半導体装置 |
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- 2008-04-14 JP JP2008104614A patent/JP5223431B2/ja not_active Expired - Fee Related
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