JP2009258057A - 放射線像変換パネル - Google Patents

Abstract

【課題】耐湿保護膜形成後におけるパネル全面の輝度分布を任意に制御するための構造を備えた放射線像変換パネルを提供する。
【解決手段】放射線像変換パネル１は、支持体１００と、放射線変換膜２００と、耐湿保護膜３００を備える。放射線変換膜２００は、耐湿保護膜３００の形成後の輝度分布変化を考慮し、予め中央エリア又は周辺エリアのいずれか一方のＥｕ濃度を最適範囲に設定するとともに、他方のＥｕ濃度を該最適範囲よりも低くするよう、又は高くするようＥｕ濃度分布の勾配が与えられる。
【選択図】図１

Description

この発明は、入射された放射線を可視光に変換する、柱状結晶構造を有する放射線変換膜を備えた放射線像変換パネルに関するものである。

Ｘ線画像に代表される放射線画像は、従来から病気診断用などに広く用いられている。このような放射線画像を得る技術として、例えば、照射された放射線エネルギーを蓄積、記録する一方、励起光を照射することにより蓄積、記録された放射線エネルギーに応じて可視光を発する放射線変換膜を用いた放射線像の記録再生技術が広く実用化されている。

このような放射線像の記録再生技術に適用される放射線像変換パネルは、支持体と、該支持体の上に設けられた放射線変換膜を備える。放射線変換膜には、気相成長（堆積）により形成された柱状結晶構造を有する輝尽性蛍光体膜が知られている。輝尽性蛍光体層が柱状結晶構造を有する場合、輝尽励起光又は輝尽発光の横方向への拡散が効果的に抑制されるため（クラック（柱状結晶）界面において反射を繰り返しながら支持体面まで到達する）、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させることができる。

例えば、特許文献１には、蛍光体層の膜厚方向に沿った、賦活剤の濃度分布を均一にすることにより、輝度ムラを低減しようとする技術が開示されている。一方、特許文献２には、蛍光体層における賦活剤の濃度分布を均一にすることにより、輝度ムラを低減しようとする技術が開示されている。
特開２００３−０２８９９４号公報 特開２００５−０９１１４６号公報

発明者らは、従来の放射線像変換パネルについて詳細に検討した結果、以下のような課題を発見した。

すなわち、従来の放射線像変換パネルは、支持体上に形成された蛍光体層の表面を耐湿保護膜で覆うことにより製造される。蛍光体層の成膜時には、発光に最適な濃度の賦活剤も添加されるが、耐湿保護膜形成後に輝度分布変化が生じてしまう。具体的には、蛍光体層周辺の輝度が中央付近の輝度に対して相対的に上昇してしまい、パネル全面に輝度ムラが生じてしまう。

上述の特許文献１及び特許文献２のいずれも、柱状結晶分布が均一ではないため、耐湿保護膜の形成後に輝度分布が変化してしまうという課題があった。また、耐湿保護膜形成後の放射線変換パネル全面における輝度分布を任意に制御する技術は未だ確立されていなかった。

この発明は上述のような課題を解決するためになされたものであり、耐湿保護膜の形成により生じる輝度分布変化を利用し、該耐湿保護膜形成後におけるパネル全面の輝度分布を任意に制御するための構造を備えた放射線像変換パネルを提供することを目的としている。

この発明に係る放射線像変換パネルは、発明者らが、耐湿保護膜の形成後にパネル全面の輝度分布が変化してしまうという当該放射線変換パネルの特性に着目したことにより完成されたものである。具体的に、この発明に係る放射線像変換パネルは、支持体と、該支持体上に形成された放射線変換膜と、該放射線変換膜を覆う耐湿保護膜を備える。支持体は、放射線変換膜が形成される第１主面と、該第１主面に対向する第２主面を有する平行平板を含む。放射線変換膜は、支持体の第１主面のうち少なくとも該第１主面の重心位置を含む膜形成領域上に形成される。この放射線変換膜は、賦活剤としてＥｕが添加された輝尽性蛍光体層であり、第１主面の法線方向に一致するか、あるいは所定角度の傾きを持った柱状結晶により構成されている。耐湿保護膜は、支持体の第１主面に覆われた面を除く、放射線変換膜の露出面を覆う（透明有機膜）であるのが好ましい。

特に、この発明に係る放射線像変換パネルにおいて、放射線変換膜全域に亘って、Ｅｕ濃度は０．０１ｗｔ％以上かつ０．５ｗｔ％以下の範囲、好ましくは０．０１ｗｔ％以上かつ０．３ｗｔ％以下の範囲に設定されている。また、放射線変換膜におけるＥｕ濃度分布は、重心位置上の放射線変換膜（中央エリア）から周辺エリアに向かって濃度勾配を持っている。

具体的には、第１主面における膜形成領域において、中央エリア上に位置する放射線変換膜のＥｕ濃度が十分な発光が得られる最適範囲に設定されるか、周辺エリア上に位置する放射線変換膜のＥｕ濃度が最適範囲に設定される。このとき、最適範囲は、０．０１ｗｔ％以上かつ０．０７ｗｔ％以下である。また、中央エリア上に位置する放射線変換膜のＥｕ濃度が最適範囲に設定された場合、周辺エリア上に位置する放射線変換膜のＥｕ濃度は、最適Ｅｕ濃度よりも高いＥｕ濃度に設定されるか（第１濃度分布パターン）、逆に、最適Ｅｕ濃度よりも低いＥｕ濃度に設定される（第２濃度分布パターン）ことで、放射線変換膜におけるＥｕ濃度分布に濃度勾配を持たせる。一方、周辺エリア上に位置する放射線変換膜のＥｕ濃度が最適範囲に設定された場合、中央エリア上に位置する放射線変換膜のＥｕ濃度は、最適Ｅｕ濃度よりも高いＥｕ濃度に設定されるか（第３濃度分布パターン）、逆に、最適Ｅｕ濃度よりも低いＥｕ濃度に設定される（第４濃度分布パターン）ことで、放射線変換膜におけるＥｕ濃度分布に濃度勾配を持たせてもよい。

なお、中央エリア上に位置する放射線変換膜のＥｕ濃度よりも周辺エリア上に位置する放射線変換膜のＥｕ濃度の方が相対的に低い場合、第１主面における膜形成領域において、中央エリアと周辺へリアに挟まれた中間エリア上に位置する放射線変換膜の重心から膜形成領域のエッジに向かう方向に沿ったＥｕ濃度分布は単調減少しているのが好ましい。逆に、中央エリア上に位置する放射線変換膜のＥｕ濃度よりも周辺エリア上に位置する放射線変換膜のＥｕ濃度の方が相対的に高い場合、第１主面における膜形成領域において、中央エリアと周辺へリアに挟まれた中間エリア上に位置する放射線変換膜の重心から膜形成領域のエッジに向かう方向に沿ったＥｕ濃度分布は単調増加しているのが好ましい。

上述の第１〜第４濃度分布パターンのうち、第１及び第２濃度分布パターンは、中央エリア上に位置する放射線変換膜の輝度を強調させる場合に効果的な濃度分布パターンである。一方、第３及び第４濃度分布パターンは、周辺エリア上に入りする放射線変換膜の輝度を強調する場合に効果的な濃度分布パターンである。

また、第１及び第３濃度分布パターンにおいて、周辺エリア上に位置する放射線変換膜のＥｕ濃度は、中央エリア上に位置する放射線変換膜のＥｕ濃度の０．３倍以上かつ０．８倍以下に設定されてもよい。この場合、放射線変換膜（支持体における第１表面の膜形成領域上に形成）を覆うように、耐湿保護膜が形成されることにより、製造された放射線変換パネル全面（耐湿保護膜形成後のパネル全面）の輝度分布を、パネル重心からパネルエッジに向かって平坦にすることが可能になる。

ここで、中央エリアとは、第１主面における膜形成領域において、半径が重心位置から該膜形成領域のエッジまでの最短距離の５％以下である該重心位置を中心とした領域で規定され、周辺エリアとは、半径が重心位置から膜形成領域のエッジまでの最短距離の４０％以上８０％以下である該重心位置を中心とした基準円の円周と膜形成領域のエッジで挟まれた領域で規定される。

なお、この発明に係る各実施例は、以下の詳細な説明及び添付図面によりさらに十分に理解可能となる。これら実施例は単に例示のために示されるものであって、この発明を限定するものと考えるべきではない。

また、この発明のさらなる応用範囲は、以下の詳細な説明から明らかになる。しかしながら、詳細な説明及び特定の事例はこの発明の好適な実施例を示すものではあるが、例示のためにのみ示されているものであって、この発明の思想及び範囲における様々な変形および改良はこの詳細な説明から当業者には自明であることは明らかである。

上述のようにこの発明によれば、放射線変換膜に添加されるＥｕ濃度分布は、該放射線変換膜の中央付近から周辺に向かって濃度勾配を持たせた種々の濃度分布パターンに設定される。このような種々のＥｕ濃度分布パターンを用途に応じて選択することにより、放射線変換膜を覆う耐湿保護膜形成後の当該放射線変換パネル全面の輝度分布を任意に制御することが可能になる。

以下、この発明に係る放射線像変換パネルの各実施形態を、図１〜図１１を参照しながら詳細に説明する。なお、図の説明において同一部位、同一要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。

図１は、この発明に係る放射線像変換パネルの一実施形態の構造を示す図である。特に、図１（ａ）は、当該放射線像変換パネル１の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿った当該放射線像変換パネル１の断面図、また、図１（ｃ）は、図１（ａ）中のＩＩ−ＩＩ線に沿った当該放射線像変換パネル１の断面図である。

図１において、放射線像変換パネル１は、支持体１００と、該支持体１００上に形成された放射線変換膜２００と、支持体１００及び放射線変換膜２００を全体的に覆う保護膜（透明有機膜）を備える。支持体１００は、放射線変換膜２００が形成される第１主面１００ａと、該第１主面１００ａに対向する第２主面１００ｂを有する平行平板である。放射線変換膜２００は、支持体１００の第１主面１００ａのうち少なくとも該第１主面１００ａの重心位置Ｇを含む膜形成領域Ｒ上に形成される。この放射線変換膜２００は、第１主面１００ａの法線方向に一致するか、あるいは所定角度の傾きを持った柱状結晶により構成されている。

図２は、この発明に係る放射線変換膜における各部の断面構造を示す図である。具体的に、図２（ａ）は、図１（ｃ）における領域Ａ１の断面図、図２（ｂ）は、図１（ｃ）における領域Ｂ１の断面図、図２（ｃ）は、図１（ｃ）における領域Ｃ１の断面図である。

これら図２（ａ）〜２（ｃ）から分かるように、放射線変換膜２００を構成する柱状結晶の結晶径Ｄ１〜Ｄ３は、いずれも略７μｍであり、該放射線変換膜２００全面に亘って略均一になっている。ただし、放射線変換膜２００には活剤であるＥｕが添加されており、該放射線変換膜２００の中央付近から周辺に向かって徐々にＥｕ濃度が増加するよう該Ｅｕが添加されている。Ｅｕ濃度は、当該パネルの輝度落ち込みの抑制に寄与することが発明者らによって発見されたが、中央付近と比較して輝度落ち込みの激しい周辺においてＥｕ濃度を高く設定しておくことにより、パネル全体として十分な蛍光寿命を維持することができる。

次に、図３を用いて、支持体１００の第１主面１００ａにおける膜形成領域Ｒにおいて、該膜形成領域Ｒ上に形成される放射線変換膜２００のＥｕ濃度分布を規定するため、該膜形成領域Ｒの中央エリアＡＲ１と周辺エリアＡＲ２について説明する。図３は、支持体１００の第１主面１００ａ（膜形成領域Ｒ）における中央エリアＡＲ１と周辺エリアＡＲ２の特定方法を具体的に説明するための図である。

膜形成領域Ｒにおける中央エリアＡＲ１は、重心位置Ｇを含む局所領域である。具体的には、重心位置Ｇからの離間距離が該重心位置Ｇから該膜形成領域Ｒのエッジまでの最短距離の５％となる重心位置Ｇを含む局所領域（半径が最短距離の５％となる重心位置Ｇを中心とした円の内側）である。一方、膜形成領域における周辺エリアＡＲ２は、半径が重心位置Ｇから該膜形成領域Ｒのエッジまでの最短距離の４０〜８０％となる該重心位置Ｇを中心とした円の円周と、膜形成領域Ｒのエッジとで挟まれた局所領域である。なお、最短距離の５％となる半径はＷ_０．０５で表され、最短距離の４０％となる半径はＷ_０．４、最短距離の８０％となる半径はＷ_０．８で表される。

放射線変換膜２００は、このように中央エリアＡＲ１及び周辺エリアＡＲ２が定義される第１主面１００ａの膜形成領域Ｒ上に形成されており、放射線変換膜２００の中央付近と周辺は、図３で定義された中央エリアＡＲ１及び周辺エリアＡＲ２とそれぞれ実質的に一致した領域と考えてよい。

次に、図４は、この発明に係る放射線像変換パネルにおける放射線変換膜２００を支持体１００上に形成するための製造装置の構成を示すである。

この図４に示された製造装置１０は、支持体１００の第１主面１００ａ上に放射線変換膜２００を気相堆積法により形成する装置である。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法等が適用可能であるが、一例として、蒸着法によりＥｕドープＣｓＢｒの放射線変換膜２００を支持体１００上に形成する場合について説明する。この製造装置１０は、少なくとも、真空容器１１と、支持体ホルダ１４と、回転軸１３ａと、駆動装置１３と、蛍光体蒸発源１５ａ、１５ｂと、真空ポンプ１２を備える。支持体ホルダ１４、蒸発源１５、及び回転軸１３ａの一部は真空容器１１内に配置される。支持体ホルダ１４は、支持体１００を加熱するためのヒータ１４ａを含む。駆動装置１３から伸びた回転軸１３ａの一端は支持体ホルダ１４に取り付けられており、駆動装置１３が回転軸１３ａを介して支持体ホルダ１４を回転させる。蛍光体蒸発源１５ａ、１５ｂは、いずれも真空容器１１の中心軸ＡＸからずれた位置に配置されており、支持体ホルダ１４に設置される支持体１００に蒸着される金属蒸気として供給される金属材料を保持する。真空ポンプ１２は、真空容器１１内を所定の真空度まで減圧する。

蛍光体蒸発源１５ａ、１５ｂには、いずれもＣｓＢｒとＥｕＢｒの混合材料がセットされているが、賦活剤としてのＥｕ濃度は、蛍光体蒸発源１５ａよりも蛍光体蒸発源１５ｂの方が高く設定されている。また、図４に示された製造装置１０では、支持体１００の中央エリアＡＲ１から周辺エリアＡＲ２に向かってＥｕ濃度分布が負の濃度勾配を有するよう、蛍光体蒸発源１５ａ、１５ｂが配置されている（第１及び第３濃度分布パターン）。すなわち、蛍光体蒸発源１５ａは、軸ＡＸから外れた位置から支持体１００の周辺エリアＡＲ２に金属蒸気流入方向が向くようセットされる一方、蛍光体蒸発源１５ｂは、支持体１００の中央エリアＡＲ１に金属蒸気流入方向が向くようセットされている。支持体１００が支持体ホルダ１４にセットされる。支持体１００の、蛍光体蒸発源１５ａ、１５ｂに対面した面上に形成される柱状結晶の結晶径は、ヒータ１４ａで支持体１００自体の温度を調整することにより、また、真空容器１１内の真空度や材料減１５から支持体１００への金属蒸気流入角度等を制御することにより、調整される。

まず、支持体１００の第１主面１００ａ（蛍光体蒸発源１５ａ、１５ｂに対面した面）にＥｕドープＣｓＢｒの柱状結晶を蒸着法によって成長させる。このとき、駆動装置１３は、回転軸１３ａを介して支持体ホルダ１４を回転させており、これにより支持体１００も軸ＡＸを中心に回転している。

このような蒸着法により、支持体１００上に膜厚５００μｍ±５０μｍの放射線変換膜２００が形成される。このとき、放射線変換膜２００における柱状結晶の結晶径は、３〜１０μｍ程度である。また、中央エリアＡＲ１上に位置する放射線変換膜２００のＥｕ濃度は周辺エリアＡＲ２上に位置する放射線変換膜２００のＥｕ濃度よりも高くなるよう濃度勾配（負の呼応度勾配）が与えられる。このとき、放射線変換膜２００全体としては、Ｅｕ濃度は０．０１ｗｔ％〜０．５ｗｔ％に設定されているが、中央エリアＡＲ１上に位置する放射線変換膜２００及び周辺エリアＡＲ２上に位置する放射線変換膜２００のいずれかのＥｕ濃度は、最適濃度範囲０．０１ｗｔ％以上かつ０．０７ｗｔ％以下に設定されている。また、周辺エリアＡＲ２上に位置する放射線変換膜２００のＥｕ濃度は、中央エリアＡＲ１上に位置する放射線変換膜２００のＥｕ濃度の０．３〜０．８倍になるよう設定されている。

上述のように支持体１００上に形成された放射線像変換膜２００をなすＣｓＢｒは、吸湿性が高い。この放射線変換膜２００を露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまう。そこで、放射線変換膜２００の蒸着法による形成工程に続いて、放射線変換膜２００の露出面全体を覆うように、ＣＶＤ法により耐湿保護膜３００が形成される。すなわち、放射線像変換膜２００が形成された支持体１００をＣＶＤ装置に入れ、膜厚１０μｍ程度の耐湿保護膜３００が放射線変換膜２００の露出面上に成膜される。これにより、放射線像変換膜２００及び支持体１００に耐湿保護膜３００が形成された放射線像変換パネル１が得られる。

支持体１００上に形成される放射線変換膜２００におけるＥｕ濃度制御は、図４に示されたような蛍光体蒸発源１５ａ、１５ｂの配置により実現される他、図５に示された配置によっても実現可能である。すなわち、図５に示された蛍光体蒸発源１６ａ、１６ｂによっても、上述のように中央エリアＡＲ１から周辺エリアＡＲ２に向かって放射線変換膜２００に添加されるＥｕ濃度分布に負の濃度勾配が与えられる。

真空容器１１内には、図５に示されたように、軸ＡＸから外れた位置に母材蒸発源１６ａと、賦活剤蒸発源１６ｂが配置されてもよい。母材蒸発源１６ａにはＣｓＢｒがセットされ、賦活剤蒸発源１６ｂにはＥｕＢｒがセットされる。また、母材蒸発源１６ａは、金属蒸気流入方向が中央エリアＡＲ１と周辺エリアＡＲ２に挟まれた中間エリアに向くようセットされる。賦活剤蒸発源１６ｂは、金属蒸気流入方向が中心軸ＡＸに一致するよう（支持体１００に対して垂直になるよう）、セットされる。このように母材蒸発源１６ａ及び賦活剤蒸発源１６ｂが配置された場合でも、図４に示された製造装置１０と同様に、Ｅｕ濃度制御が可能である（放射線変換膜２００の中央から周辺に向かって負の濃度勾配が与えられる）。

一方、放射線変換膜２００に対し、該放射線変換膜２００の中央から周辺に向けて正の濃度勾配を与えることも可能である。この場合、図６及び図７に示されたような製造装置１０により実現可能である。なお、図６に示された製造装置１０は、実質的に図４に示された製造装置１０と同じ構造を有するが、蛍光体蒸発源１５ａ、１５ｂの配置が異なる。

すなわち、蛍光体蒸発源１５ａ、１５ｂには、いずれもＣｓＢｒとＥｕＢｒの混合材料がセットされているが、賦活剤としてのＥｕ濃度は、蛍光体蒸発源１５ａよりも蛍光体蒸発源１５ｂの方が高く設定されている。また、図５に示された製造装置１０では、支持体１００の中央エリアＡＲ１から周辺エリアＡＲ２に向かってＥｕ濃度分布が正の濃度勾配を有するよう、蛍光体蒸発源１５ａ、１５ｂが配置されている（第２及び第４濃度分布パターン）。すなわち、蛍光体蒸発源１５ａは、軸ＡＸから外れた位置から支持体１００の中央エリアＡＲ１に金属蒸気流入方向が向くようセットされる一方、蛍光体蒸発源１５ｂは、支持体１００の周辺エリアＡＲ２に金属蒸気流入方向が向くようセットされている。支持体１００は支持体ホルダ１４にセットされる。支持体１００の、蛍光体蒸発源１５ａ、１５ｂに対面した面上に形成される柱状結晶の結晶径は、ヒータ１４ａで支持体１００自体の温度を調整することにより、また、真空容器１１内の真空度や材料減１５から支持体１００への金属蒸気流入角度等を制御することにより、調整される。

まず、支持体１００の第１主面１００ａ（蛍光体蒸発源１５ａ、１５ｂに対面した面）にＥｕドープＣｓＢｒの柱状結晶を蒸着法によって成長させる。このとき、駆動装置１３は、回転軸１３ａを介して支持体ホルダ１４を回転させており、これにより支持体１００も軸ＡＸを中心に回転している。

このような蒸着法により、支持体１００上に膜厚５００μｍ±５０μｍの放射線変換膜２００が形成される。このとき、放射線変換膜２００における柱状結晶の結晶径は、３〜１０μｍ程度である。また、中央エリアＡＲ１上に位置する放射線変換膜２００のＥｕ濃度は周辺エリアＡＲ２上に位置する放射線変換膜２００のＥｕ濃度よりも低くなるよう濃度勾配（正の濃度勾配）が与えられる。このとき、放射線変換膜２００全体としては、Ｅｕ濃度は０．０１ｗｔ％〜０．５ｗｔ％に設定されているが、中央エリアＡＲ１上に位置する放射線変換膜２００及び周辺エリアＡＲ２上に位置する放射線変換膜２００のいずれかのＥｕ濃度は、最適濃度範囲０．０１ｗｔ％以上かつ０．０７ｗｔ％以下に設定されている。

続いて、上述のように支持体１００上に形成された放射線像変換膜２００の露出面全体を覆うように、ＣＶＤ法により耐湿保護膜３００が形成される。すなわち、放射線像変換膜２００が形成された支持体１００をＣＶＤ装置に入れ、膜厚１０μｍ程度の耐湿保護膜３００が放射線変換膜２００の露出面上に成膜される。これにより、放射線像変換膜２００及び支持体１００に耐湿保護膜３００が形成された放射線像変換パネル１が得られる。

支持体１００上に形成される放射線変換膜２００におけるＥｕ濃度制御は、図６に示されたような蛍光体蒸発源１５ａ、１５ｂの配置により実現される他、図７に示された配置によっても実現可能である。すなわち、図７に示された蛍光体蒸発源１６ａ、１６ｂによっても、上述のように中央エリアＡＲ１から周辺エリアＡＲ２に向かって放射線変換膜２００に添加されるＥｕ濃度分布に正の濃度勾配が与えられる。

真空容器１１内には、図７に示されたように、軸ＡＸから外れた位置に母材蒸発源１６ａと、賦活剤蒸発源１６ｂが配置されてもよい。母材蒸発源１６ａにはＣｓＢｒがセットされ、賦活剤蒸発源１６ｂにはＥｕＢｒがセットされる。また、母材蒸発源１６ａは、金属蒸気流入方向が中央エリアＡＲ１と周辺エリアＡＲ２に挟まれた中間エリアに向くようセットされる。賦活剤蒸発源１６ｂは、金属蒸気流入方向が中心軸ＡＸに平行にかつ支持体１００から外れるよう、セットされる。このように母材蒸発源１６ａ及び賦活剤蒸発源１６ｂが配置された場合でも、図６に示された製造装置１０と同様に、Ｅｕ濃度制御が可能である（放射線変換膜２００の中央から周辺に向かって正の濃度勾配が与えられる）。

次に、発明者らは、放射線変換膜２００の複数サンプルについて、中央からの距離に対するＥｕ濃度（相対値）及び輝度（相対値）それぞれの関係について検討した。図８は、用意された第１サンプルの放射線像変換パネル（放射線変換膜）について、測定位置（重心位置からの離間距離）に対するＥｕ濃度（相対値）及び輝度（相対値）それぞれの関係を示すグラフである。図９は、用意された第２サンプルの放射線像変換パネル（放射線変換膜）について、測定位置（重心位置からの離間距離）に対するＥｕ濃度（相対値）及び輝度（相対値）それぞれの関係を示すグラフである。また、図１０は、用意された第３サンプルの放射線像変換パネル（放射線変換膜）について、測定位置（重心位置からの離間距離）に対するＥｕ濃度（相対値）及び輝度（相対値）それぞれの関係を示すグラフである。

図８（ａ）に示されたように、第１サンプルの放射線変換膜は、支持体の中央エリア上に位置する膜領域のＥｕ濃度が最適範囲に設定されるとともに、該中央からから周辺に向かって負のＥｕ濃度勾配が与えられている（第１濃度分布パターン）。このような第１サンプルの放射線変換膜は、図８（ｂ）に示されたように、中央から周辺に向かって徐々に減少していくような輝度分布となる。このような第１濃度分布パターンを有する第１サンプルは、中央付近を強調したい場合に好適である。また、当該第１サンプルの表面に透明な耐湿保護膜が成膜された場合、パネル中央から周辺にかけてフラットな輝度分布が実現される。

第２サンプルの放射線変換膜は、図９（ａ）に示されたように、支持体の中央エリア上に位置する膜領域のＥｕ濃度が最適範囲に設定されるとともに、該中央からから周辺に向かって正のＥｕ濃度勾配が与えられている（第２濃度分布パターン）。このような第２サンプルの放射線変換膜も、図９（ｂ）に示されたように、中央から周辺に向かって徐々に減少していくような輝度分布となる。このような第２濃度分布パターンを有する第２サンプルは、中央付近を強調したい場合に好適である。

さらに、第３サンプルの放射線変換膜は、図１０（ａ）に示されたように、支持体の周辺エリア上に位置する膜領域のＥｕ濃度が最適範囲に設定されるとともに、該中央からから周辺に向かって負のＥｕ濃度勾配が与えられている（第３濃度分布パターン）。このような第３サンプルの放射線変換膜は、図１０（ｂ）に示されたように、中央から周辺に向かって徐々に減少していくような輝度分布となる。このような第３濃度分布パターンを有する第３サンプルは、パネル周辺を強調したい場合に好適である。また、当該第３サンプルの表面に透明な耐湿保護膜が成膜された場合、パネル中央から周辺にかけてフラットな輝度分布が実現される。

続いて、発明者らは賦活剤であるＥｕの最適範囲について検討した。図１１は、図１１は、Ｅｕ濃度（ｗｔ％）と輝度（相対値）との関係を示すグラフである。

この図１１から分かるように、０．０１ｗｔ％〜０．０７ｗｔ％の範囲において、十分な輝度が得られる。このような最適範囲に設定された膜領域を基準に、正又は負の濃度勾配を放射線変換膜に与えることにより、耐湿保護膜形成後のパネル全面の輝度分布が任意に制御され得る。

以上の説明から、この発明を様々に変形しうることは明らかである。そのような変形は、この発明の思想および範囲から逸脱するものとは認めることはできず、すべての当業者にとって自明である改良は、以下の請求の範囲に含まれるものである。

この発明に係る放射線像変換パネルの一実施形態の構造を示す図である。 この発明に係る放射線像変換パネルの放射線変換膜における各部の断面構造を示す図である。 支持体の第１主面上における中央エリアと周辺エリアの特定方法を具体的に説明するための図である。 この発明に係る放射線像変換パネルの製造工程の一部として、支持体上に放射線変換膜を形成するための製造装置の構成を示すである（第１及び第３濃度分布パターン）。 この発明に係る放射線像変換パネルの製造工程の一部として、支持体上に放射線変換膜を形成するための製造装置の他の構成を示すである（第１及び第３濃度分布パターン）。 この発明に係る放射線像変換パネルの製造工程の一部として、支持体上に放射線変換膜を形成するための製造装置の構成を示すである（第２及び第４濃度分布パターン）。 この発明に係る放射線像変換パネルの製造工程の一部として、支持体上に放射線変換膜を形成するための製造装置の他の構成を示すである（第２及び第４濃度分布パターン）。 用意された第１サンプルの放射線像変換パネル（放射線変換膜）について、測定位置（重心位置からの離間距離）に対するＥｕ濃度（相対値）及び輝度（相対値）それぞれの関係を示すグラフである。 用意された第２サンプルの放射線像変換パネル（放射線変換膜）について、測定位置（重心位置からの離間距離）に対するＥｕ濃度（相対値）及び輝度（相対値）それぞれの関係を示すグラフである。 用意された第３サンプルの放射線像変換パネル（放射線変換膜）について、測定位置（重心位置からの離間距離）に対するＥｕ濃度（相対値）及び輝度（相対値）それぞれの関係を示すグラフである。 Ｅｕ濃度（ｗｔ％）と輝度（相対値）との関係を示すグラフである。

符号の説明

１００…支持体、１００ａ…第１主面、１００ｂ…第２主面、２００…放射線変換膜、３００…耐湿保護膜、Ｒ…膜形成領域、ＡＲ１…中央エリア、ＡＲ２…周辺エリア。

Claims (8)

1. 第１主面と、該第１主面に対向する第２主面を有する支持体と、
   前記支持体の前記第１主面のうち少なくとも該第１主面の重心位置を含む膜形成領域上に設けられたＥｕが添加された放射線変換膜であって、該第１主面の法線方向に一致するか、あるいは所定角度の傾きを持った柱状結晶により構成された放射線変換膜と、
   前記支持体の前記第１主面に覆われた面を除く、前記放射線変換膜の露出面を覆う耐湿保護膜とを備えた放射線像変換パネルであって、
   前記放射線変換膜全域に亘って、Ｅｕ濃度は０．０１ｗｔ％以上かつ０．５ｗｔ％以下の範囲内に設定されるとともに、
   前記第１主面における前記膜形成領域において、半径が前記重心位置から該膜形成領域のエッジまでの最短距離の５％以下である該重心位置を中心とした中央エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度が０．０１ｗｔ％以上かつ０．０７ｗｔ％以下の最適範囲内に設定される一方、半径が前記重心位置から前記膜形成領域のエッジまでの最短距離の４０％以上８０％以下である該重心位置を中心とした基準円の円周と前記膜形成領域のエッジで挟まれた周辺エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度が前記中央エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度よりも低く設定された放射線変換パネル。
2. 第１主面と、該第１主面に対向する第２主面を有する支持体と、
   前記支持体の前記第１主面のうち少なくとも該第１主面の重心位置を含む膜形成領域上に設けられたＥｕが添加された放射線変換膜であって、該第１主面の法線方向に一致するか、あるいは所定角度の傾きを持った柱状結晶により構成された放射線変換膜と、
   前記支持体の前記第１主面に覆われた面を除く、前記放射線変換膜の露出面を覆う耐湿保護膜とを備えた放射線像変換パネルであって、
   前記放射線変換膜全域に亘って、Ｅｕ濃度は０．０１ｗｔ％以上かつ０．５ｗｔ％以下の範囲内に設定されるとともに、
   前記第１主面における前記膜形成領域において、半径が前記重心位置から該膜形成領域のエッジまでの最短距離の５％以下である該重心位置を中心とした中央エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度が０．０１ｗｔ％以上かつ０．０７ｗｔ％以下の最適範囲内に設定される一方、半径が前記重心位置から前記膜形成領域のエッジまでの最短距離の４０％以上８０％以下である該重心位置を中心とした基準円の円周と前記膜形成領域のエッジで挟まれた周辺エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度が前記中央エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度よりも高く設定された放射線変換パネル。
3. 第１主面と、該第１主面に対向する第２主面を有する支持体と、
   前記支持体の前記第１主面のうち少なくとも該第１主面の重心位置を含む膜形成領域上に設けられたＥｕが添加された放射線変換膜であって、該第１主面の法線方向に一致するか、あるいは所定角度の傾きを持った柱状結晶により構成された放射線変換膜と、
   前記支持体の前記第１主面に覆われた面を除く、前記放射線変換膜の露出面を覆う耐湿保護膜とを備えた放射線像変換パネルであって、
   前記放射線変換膜全域に亘って、Ｅｕ濃度は０．０１ｗｔ％以上かつ０．５ｗｔ％以下の範囲内に設定されるとともに、
   前記第１主面における前記膜形成領域において、半径が前記重心位置から前記膜形成領域のエッジまでの最短距離の４０％以上８０％以下である該重心位置を中心とした基準円の円周と前記膜形成領域のエッジで挟まれた周辺エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度が０．０１ｗｔ％以上かつ０．０７ｗｔ％以下の最適範囲内に設定される一方、半径が前記重心位置から該膜形成領域のエッジまでの最短距離の５％以下である該重心位置を中心とした中央エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度が前記周辺エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度が前記中央エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度よりも低く設定された放射線変換パネル。
4. 第１主面と、該第１主面に対向する第２主面を有する支持体と、
   前記支持体の前記第１主面のうち少なくとも該第１主面の重心位置を含む膜形成領域上に設けられたＥｕが添加された放射線変換膜であって、該第１主面の法線方向に一致するか、あるいは所定角度の傾きを持った柱状結晶により構成された放射線変換膜と、
   前記支持体の前記第１主面に覆われた面を除く、前記放射線変換膜の露出面を覆う耐湿保護膜とを備えた放射線像変換パネルであって、
   前記放射線変換膜全域に亘って、Ｅｕ濃度は０．０１ｗｔ％以上かつ０．５ｗｔ％以下の範囲内に設定されるとともに、
   前記第１主面における前記膜形成領域において、半径が前記重心位置から前記膜形成領域のエッジまでの最短距離の４０％以上８０％以下である該重心位置を中心とした基準円の円周と前記膜形成領域のエッジで挟まれた周辺エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度が０．０１ｗｔ％以上かつ０．０７ｗｔ％以下の最適範囲内に設定される一方、半径が前記重心位置から該膜形成領域のエッジまでの最短距離の５％以下である該重心位置を中心とした中央エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度が前記周辺エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度が前記中央エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度よりも高く設定された放射線変換パネル。
5. 前記周辺エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度は、前記中央エリア上に位置する前記放射線変換膜のＥｕ濃度の０．３倍以上かつ０．８倍以下であることを特徴とする請求項１又は３記載の放射線変換パネル。
6. 前記第１主面における前記膜形成領域上に設けられた前記放射線変換膜のＥｕ濃度は、０．０１ｗｔ％以上かつ０．３ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の放射線変換パネル。
7. 前記第１主面における前記膜形成領域において、前記中央エリアと前記周辺へリアに挟まれた中間エリア上に位置する前記放射線変換膜の前記重心から前記膜形成領域のエッジに向かう方向に沿った前記Ｅｕ濃度分布は、単調減少していることを特徴とする１又は３記載の放射線変換パネル。
8. 前記第１主面における前記膜形成領域において、前記中央エリアと前記周辺へリアに挟まれた中間エリア上に位置する前記放射線変換膜の前記重心から前記膜形成領域のエッジに向かう方向に沿った前記Ｅｕ濃度分布は、単調増加していることを特徴とする請求項２又は３記載の放射線変換パネル。

Images