JP2009256796A - 単分子膜形成装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】低コスト且つ容易に汚染の少ないSAM膜を形成することができ、当該SAM膜をセンサ等に用いた場合にその感度を向上させることができる。
【解決手段】成膜室2内に収容された基板Wの成膜面W1上に自己組織化単分子膜を形成する単分子膜形成方法であって、前記成膜室2内に自己組織化単分子を含有する成膜原料を気化させて供給し、前記基板W上に自己組織化単分子を吸着させる吸着ステップと、前記基板W上に吸着された自己組織化単分子を基板ヒータ6により脱水縮合させる脱水縮合ステップとを同一成膜室2内で行う。
【選択図】図1
【解決手段】成膜室2内に収容された基板Wの成膜面W1上に自己組織化単分子膜を形成する単分子膜形成方法であって、前記成膜室2内に自己組織化単分子を含有する成膜原料を気化させて供給し、前記基板W上に自己組織化単分子を吸着させる吸着ステップと、前記基板W上に吸着された自己組織化単分子を基板ヒータ6により脱水縮合させる脱水縮合ステップとを同一成膜室2内で行う。
【選択図】図1
Description
この発明は、基板上に自己組織化単分子膜を形成する装置及び方法に関するものである。
原子、分子、微粒子等の微小要素は、自発的に集合し規則的な配列を形作ることがあるが、このような自己組織化現象は、微小要素を集積化して材料・デバイスを構築するボトムアップ・ナノテクノロジーにおいて重要な役割を果たすと考えられる。自己組織化を利用した材料プロセスのひとつに、有機分子の単層膜/多層膜形成がある。ある種の有機分子が固体表面への特異な吸着現象を示すことは古くから知られていたが、近年の研究によって、吸着の過程で吸着分子同士の相互作用によって、自発的に集合体を形成し、吸着分子が緻密に集合しかつ配向が揃った分子膜が形成される場合があることが明らかになってきた。
特定の物質に対して親和性を有する有機分子の溶液に、その物質からなる基板を浸漬すると、有機分子が材料表面に化学吸着し有機薄膜が形成されるが、この吸着分子層が一層の場合、すなわち単分子膜が形成される場合には、当該有機薄膜は自己組織化単分子膜(Self-Assembled Monolayer、SAM膜)と呼ばれる。近時SAM膜に関する研究が大きく進展し、基礎・応用の両面から注目されるようになっている。
例えば、表面に酸化膜が形成されたシリコン基板に、気相法により有機シラン分子のSAMを形成するには、従来、図7に示すように、密閉系システムによる方法が用いられている。この方法においては、オーブンZ3中に、有機シランを入れた容器Z1とシリコン基板Wを入れた密閉容器Z2を置き、オーブンZ3を有機シランの沸点まで加熱する。すると、有機シランは気化し、シリコン基板W表面のOH基と有機シランが反応し、SAM膜が形成される。
しかしながら、このような方法では、密閉容器Z2内の有機シラン濃度が必要以上に高くなり、過剰な有機シランがシリコン基板W上に付着して、有機シランが次々に重合を起こすことがあり、シリコン基板Wに結合した有機シラン分子の長さが不均一となり、歩留まりが悪かった。また、このような方法では大面積の基板にSAM膜を形成することは難しい。
そして、近年、特許文献2に示すように、基板を内部に収容する成膜室と、当該成膜室内に自己組織化単分子を含有する試料を気化させて供給する原料供給機構と、前記成膜室内に設けられ、前記基板が載置される基板ヒータとを備え、自己組織化単分子を含有する試料を成膜室内に供給して、基板の成膜面上に自己組織化単分子を吸着させてSAM膜を形成する装置が考えられている。
しかしながら、単純に成膜室内に気化した成膜原料を供給して、基板の成膜面に自己組織化単分子膜を吸着させるだけであるので、成膜面に吸着した自己組織化単分子同士の立体障害により、充分に自己組織化単分子を吸着させることができず、緻密なSAM膜を形成することができないという問題がある。なお、前記した密閉系システムによる方法も同様の問題がある。
そこで本発明は、上記問題点を一挙に解決するためになされたものであり、たとえ大面積の基板であっても歩留まり良くSAM膜を形成することができるだけでなく、立体障害を可及的に抑制して成膜面に充分に自己組織化単分子を吸着させ、緻密なSAM膜を形成することをその主たる所期課題とするものである。
すなわち本発明に係る単分子膜形成方法は、成膜室内に収容された基板の成膜面上に自己組織化単分子膜を形成する単分子膜形成方法であって、前記成膜室内に自己組織化単分子を含有する成膜原料を気化させて供給し、前記成膜面上に自己組織化単分子を吸着させる第1吸着ステップと、前記成膜室内に水蒸気を供給して、前記成膜面上に吸着した自己組織化単分子を加水分解させて、気相中の残存自己組織化単分子をさらに前記成膜面上に吸着させる第2吸着ステップと、前記成膜面上に吸着された自己組織化単分子を前記基板を加熱する加熱手段により脱水縮合させる脱水縮合ステップと、を具備することを特徴とする。
このようなものであれば、たとえ大面積の基板であっても歩留まり良くSAM膜を形成することができる。また、第1吸着ステップの後、水蒸気を成膜室内に供給することによって、第1吸着ステップによって成膜面上に吸着した自己組織化単分子の立体障害を除去することができ、第2吸着ステップにより成膜面に充分に自己組織化単分子を吸着させることができる。さらに、脱水縮合させることにより、緻密なSAM膜を形成することができる。
緻密なSAM膜を形成しつつ、その疎水性等の性能を調節するためには、前記第2吸着ステップにおいて、前記成膜室内に供給する水蒸気量を制御することにより、前記第1吸着ステップによって前記成膜面上に吸着した自己組織化単分子の加水分解量を調節して、前記成膜面上に吸着する残存自己組織化単分子の吸着量を調節することが望ましい。
従来、成膜室内で基板上に自己組織化単分子を吸着させて形成したSAM膜を緻密化するためには、別の緻密化用の装置に移動する必要がある。そうすると、当然吸着用の装置(上記装置)及び緻密化用の装置を用意する必要があり、コストがかかってしまうという問題がある。また、吸着用の装置から緻密化用の装置に移動させる際に、基板が大気に晒されてしまうため、大気中の分子が基板に付着してしまい、緻密なSAM膜の形成の妨げとなってしまうという問題がある。さらに、各装置の間の移動作業が煩雑であるという問題もある。このような問題を解決するためには、前記第1吸着ステップ、前記第2吸着ステップ及び前記脱水縮合ステップを同一成膜室内で行うことが望ましい。このようなものであれば、SAM膜を吸着させる吸着用装置及び当該SAM膜を緻密化させる緻密化用装置の2台を不要とすることができるので、SAM膜の形成及びその緻密化を低コストで行うことができる。また、吸着用装置から緻密化用装置に移動させるステップが不要となり、SAM膜の形成途中に大気と触れることがないため、大気中の成分が吸着することが無く、汚染の少ないSAM膜を形成することができる。その結果、バイオセンサ等のセンサに用いた場合、その感度を向上させることができる。
また従来、基板に形成したSAM膜の一部を、他の構成元素からなる分子(修飾基)に置き換えた置換型SAM膜を形成する方法としては、基板上にSAM膜を形成後、レーザなどを用い、パターン処理を施して、SAM膜を形成している自己組織化単分子の最終端部を修飾基に置換することにより形成する方法が考えられている。しかしながら、レーザの照射径を絞ることには限界があり、分子レベルの置換を起こすことができず、置換型SAM膜の感度を向上させるには限界がある。このような問題を好適に解決するものとして、前記第2吸着ステップ後、前記成膜面上に吸着した自己組織化単分子を加水分解して、前記成膜原料とは異なる第2の自己組織化単分子を含有する第2成膜原料を前記成膜面上に吸着させる第3吸着ステップをさらに備えることが望ましい。これならば、置換型SAM膜を簡単に形成することができるだけでなく、バイオセンサ等のセンサに好適に用いられる置換型SAM膜の感度を向上させることができる。
また、本発明に係る単分子形成装置は、自己組織化単分子を含有する成膜原料を気化して、基板の成膜面上に自己組織化単分子膜を形成する単分子膜形成装置であって、前記基板を内部に保持する成膜室と、前記成膜室に自己組織化単分子を含有する成膜原料を供給する原料供給機構と、前記成膜室内に設けられ、前記基板を加熱する加熱手段と、前記原料供給機構及び前記加熱手段を制御する制御部と、を備え、前記制御部が、前記成膜面上に自己組織化単分子を吸着させた後、前記成膜面上に吸着した自己組織化単分子が脱水縮合するように、前記加熱手段の温度を調節するものであることを特徴とする。
SAM膜の疎水性等の性能を調節可能にするためには、前記成膜室内に水蒸気を供給する水蒸気供給機構をさらに備え、前記制御部が、前記成膜面上に自己組織化単分子を吸着させた後、前記水蒸気供給機構を制御することにより、前記成膜室内に水蒸気を供給して前記成膜面上に吸着した自己組織化単分子の加水分解量を調節するものであることが望ましい。
また、置換型SAM膜を形成するために好適に用いられるものとしては、前記自己組織化単分子とは異なる第2の自己組織化単分子を含有する第2成膜原料を供給する第2原料供給機構をさらに備え、前記制御部が、前記水蒸気供給機構を制御することにより、前記成膜面上に吸着した自己組織化単分子を加水分解させた後、前記第2原料供給機構を制御することにより、前記成膜室内に前記第2成膜原料を気化させて供給し、前記第2の自己組織化単分子を前記成膜面上に吸着させるものであることが望ましい。
このように構成した本発明によれば、たとえ大面積の基板であっても歩留まり良くSAM膜を形成することができるだけでなく、立体障害を可及的に抑制して成膜面に充分に自己組織化単分子を吸着させ、緻密なSAM膜を形成することができる。
<装置構成>
以下に本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。なお、図1は本実施形態に係る単分子膜形成装置1の概略構成図である。
以下に本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。なお、図1は本実施形態に係る単分子膜形成装置1の概略構成図である。
本実施形態に係る単分子膜形成装置1は、加工対象である基板Wの上面である成膜面W1にSAM膜を形成する装置であり、自己組織化単分子を含有する成膜原料を気化し、基板Wの成膜面W1上に自己組織化単分子を吸着させSAM膜を形成するものである。本実施形態の基板Wは、例えばシリコン基板である。
具体的にこのものは、図1に示すように、成膜室2と、第1原料供給機構3と、水蒸気供給機構4と、第2原料供給機構5と、を具備する。
成膜室2は、基板Wを内部に収容して、保持機構により保持するものである。本実施形態の成膜室2には、基板Wを加熱する加熱手段としての基板ヒータ6が設けられており、保持機構の機能を兼ねている。そして、成膜室2は、真空用弁Vを介して真空ポンプ7によって減圧可能に構成されている。また、成膜室2内に充填した気化した成膜原料を成膜室2から除去するためのパージ用N2ガスを供給するパージ用ガス供給管(図示しない)も配設されている。このパージ用ガス供給管は、マスフローコントローラ(MFC)によりパージ用N2ガスの供給流量を制御されている。なお、保持機構は、ごく一般的なものであるため、詳細な説明及び図示は省略する。また、成膜室2内の圧力を測定するための圧力計Gが成膜室2に設置されている。
第1原料供給機構3は、成膜室2内に第1の自己組織化単分子を含有する第1成膜原料を気化して供給するものである。その構成は、第1成膜原料を収容する例えばステンレス製の第1原料タンク31と、当該第1原料タンク31と成膜室2とを接続する第1原料供給管32と、当該第1原料供給管32上に設けられ、前記第1原料タンク31で蒸発した第1成膜原料を一時貯留する第1原料蒸気タンク33を備えている。また、第1原料供給管32における第1原料タンク31及び第1原料蒸気タンク33間には、第1原料供給管32の開放又は閉塞を行う第1開閉弁34が設けられている。さらに、第1原料供給管32における第1原料蒸気タンク33及び成膜室2間には、第1原料供給管32の開放又は閉塞を行い、第1原料蒸気タンク33に貯留された蒸気の成膜室2への供給、停止を行う第2開閉弁35が設けられている。その上、第1原料供給機構3は、第1原料タンク31、第1原料供給管32及び第1原料蒸気タンク33等を所定温度に加熱するための成膜原料用ヒータ(図示しない)を備えている。なお、第1、第2開閉弁34、35及び成膜原料用ヒータは、図示しない情報処理装置(制御部)により制御される。成膜室2内に供給する第1成膜原料の供給量の調整方法としては、成膜室2内の圧力に基づいて調整する方法、つまり成膜室2内の圧力が所定の圧力になるように調節する方法が考えられる。なお、その他の第1成膜原料の供給量の調整方法としては、第1原料供給管32の第1成膜原料の流量に基づいて調整する方法、つまり第1原料供給管32にマスフローメータを設けることにより調整する方法も考えられる。
水蒸気供給機構4は、基板W上に吸着された自己組織化単分子を加水分解するために、成膜室2内に水蒸気を供給するものである。その構成は、水を収容する例えばステンレス製の貯水タンク41と、当該貯水タンク41と成膜室2とを接続する水蒸気供給管42と、当該水蒸気供給管42上に設けられ、前記貯水タンク41からの水蒸気を一時貯留する水蒸気タンク43とを備えている。また、水蒸気供給管42における貯水タンク41及び水蒸気タンク43間には、水蒸気供給管42の開放又は閉塞を行う第3開閉弁44が設けられている。さらに、水蒸気供給管42における水蒸気タンク43及び成膜室2間には、水蒸気供給管42の開放又は閉塞を行い、水蒸気タンク43に貯留された水蒸気の成膜室2への供給、停止を行う第4開閉弁45が設けられている。その上、原料供給機構3は、貯水タンク41、水蒸気供給管42及び水蒸気タンク43等を所定温度に加熱するための水蒸気用ヒータ(図示しない)を備えている。なお、第3、第4開閉弁44、45及び水蒸気用ヒータは、前記原料供給機構3と同様、図示しない情報処理装置(制御部)により制御される。成膜室2内に供給する水蒸気量の調整方法としては、成膜室2内の圧力に基づいて調整する方法、つまり成膜室2内の圧力が所定の圧力になるように調節する方法が考えられる。なお、その他の水蒸気量の調整方法としては、水蒸気供給管42の水蒸気の流量に基づいて調整する方法、つまり水蒸気供給管42にマスフローメータを設けることにより調整する方法も考えられる。
第2原料供給機構5は、成膜室2内に第2の自己組織化単分子を含有する第2成膜原料を気化して供給するものである。第2の自己組織化単分子は第1の自己組織化単分子とは異なり、第2成膜原料は前記第1成膜原料とは異なる。その構成は、第2成膜原料を収容する例えばステンレス製の第2原料タンク51と、当該第2原料タンク51と成膜室2とを接続する第2原料供給管52と、当該第2原料供給管52上に設けられ、前記第2原料タンク51で蒸発した第2成膜原料を一時貯留する第2原料蒸気タンク53を備えている。また、第2原料供給管52における第2原料タンク51及び第2原料蒸気タンク53間には、第2原料供給管52の開放又は閉塞を行う第5開閉弁54が設けられている。さらに、第2原料供給管52における第2原料蒸気タンク53及び成膜室2間には、第2原料供給管52の開放又は閉塞を行い、第2原料蒸気タンク53に貯留された蒸気の成膜室2への供給、停止を行う第6開閉弁55が設けられている。その上、第2原料供給機構5は、第2原料タンク51、第2原料供給管52及び第2原料蒸気タンク53等を所定温度に加熱するための成膜原料用ヒータ(図示しない)を備えている。なお、第5、第6開閉弁54、55及び成膜原料用ヒータは、図示しない情報処理装置(制御部)により制御される。成膜室2内に供給する第2成膜原料の供給量の調整方法としては、成膜室2内の圧力に基づいて調整する方法、つまり成膜室2内の圧力が所定の圧力になるように調節する方法が考えられる。なお、その他の第2成膜原料の供給量の調整方法としては、第2原料供給管52の第2成膜原料の流量に基づいて調整する方法、つまり第2原料供給管52にマスフローメータを設けることにより調整する方法も考えられる。
なお、情報処理装置(制御部)は、CPU、内部メモリ、入出力インタフェース、AD変換器等からなる汎用又は専用のコンピュータからなるものであり、当該情報処理装置は、前記内部メモリの所定領域に格納してあるプログラムに基づいてCPUやその周辺機器等が作動することにより、開閉弁34、35、44、45、54、55、原料用ヒータ、水蒸気用ヒータ、基板ヒータ6及び真空ポンプ7等を制御する。
<単分子膜形成方法>
次に本実施形態の単分子膜形成装置1を用いた単分子膜形成方法について情報処理装置(制御部)の機能とともに説明する。
次に本実施形態の単分子膜形成装置1を用いた単分子膜形成方法について情報処理装置(制御部)の機能とともに説明する。
本実施形態の単分子膜形成方法は、
(A)通常のSAM膜を形成する方法、
(B)一部を修飾基により置換した一部置換型SAM膜を形成する方法、
(C)最大限修飾基により置換した最大置換型SAM膜を形成する方法、
の3つがある。なお、これらの各方法は、同一成膜室2内で行われる。以下、それぞれについて図2のフローチャート、図3及び図4の模式図を参照して説明する。
(A)通常のSAM膜を形成する方法、
(B)一部を修飾基により置換した一部置換型SAM膜を形成する方法、
(C)最大限修飾基により置換した最大置換型SAM膜を形成する方法、
の3つがある。なお、これらの各方法は、同一成膜室2内で行われる。以下、それぞれについて図2のフローチャート、図3及び図4の模式図を参照して説明する。
(A)通常のSAM膜を形成する方法
<<基板収容ステップ>>
まず、基板Wの成膜面W1をOH基終端処理する(図3(A)参照)。このOH基終端処理としては、例えばSPM洗浄が考えられ、SPM洗浄は、例えば硫酸(H2SO4)と過酸化水素(H2O2)とを3:1の割合で混合した溶液を用いて95℃〜120℃で10分間行う。
まず、基板Wの成膜面W1をOH基終端処理する(図3(A)参照)。このOH基終端処理としては、例えばSPM洗浄が考えられ、SPM洗浄は、例えば硫酸(H2SO4)と過酸化水素(H2O2)とを3:1の割合で混合した溶液を用いて95℃〜120℃で10分間行う。
そして、成膜室2内に基板Wを収容した後(図2のステップS1)、真空用弁Vを開けて真空ポンプ7により成膜室2内の圧力が、例えば0.4Paとなるように真空引きする。その後、真空用弁Vを閉じる。また、基板ヒータ6の温度を例えば100℃に設定する。
<<第1原料供給ステップ>>
次に、第1原料供給機構3により、第1成膜原料であるODS(オクタデシルトリメトキシシラン、CH3(CH2)16CH2Si(OCH3)3)を成膜室2内に供給する(図2のステップS2、図3(B)参照)。なお、図3においてメチル基をMeと表現している。この第1原料供給ステップ前において、原料タンク31等は、当該第1原料タンク31に収容されたODSが蒸発する程度の温度(例えば150℃)に加熱される。このとき、第1開閉弁34は開放され、第2開閉弁35が閉塞されており、ODSの蒸気が第1原料蒸気タンク33に貯留される。そして、第1原料供給ステップにおいて、第1開閉弁34を閉塞し、第2開閉弁35を開放することより、第1原料蒸気タンク33から成膜室2内にODSを供給する。供給量としては、成膜室2内の圧力が例えば3Paになるまでである(供給前0.4Pa)。そして、成膜室2内の圧力が3Paになった後、第2開閉弁35を閉塞する。
次に、第1原料供給機構3により、第1成膜原料であるODS(オクタデシルトリメトキシシラン、CH3(CH2)16CH2Si(OCH3)3)を成膜室2内に供給する(図2のステップS2、図3(B)参照)。なお、図3においてメチル基をMeと表現している。この第1原料供給ステップ前において、原料タンク31等は、当該第1原料タンク31に収容されたODSが蒸発する程度の温度(例えば150℃)に加熱される。このとき、第1開閉弁34は開放され、第2開閉弁35が閉塞されており、ODSの蒸気が第1原料蒸気タンク33に貯留される。そして、第1原料供給ステップにおいて、第1開閉弁34を閉塞し、第2開閉弁35を開放することより、第1原料蒸気タンク33から成膜室2内にODSを供給する。供給量としては、成膜室2内の圧力が例えば3Paになるまでである(供給前0.4Pa)。そして、成膜室2内の圧力が3Paになった後、第2開閉弁35を閉塞する。
<<第1吸着ステップ>>
成膜室2内に供給されたODSは、基板Wの成膜面W1に置換反応により吸着する(図2のステップS3)。この第1吸着ステップは、原料供給ステップ終了後、例えば5秒〜5分間行う。このとき、図3(C)に示すように、ODSは、成膜面W1に吸着した隣り合うODSのメトキシ基により立体障害が生じて、成膜面W1上のOH基全てと結合することができない。
成膜室2内に供給されたODSは、基板Wの成膜面W1に置換反応により吸着する(図2のステップS3)。この第1吸着ステップは、原料供給ステップ終了後、例えば5秒〜5分間行う。このとき、図3(C)に示すように、ODSは、成膜面W1に吸着した隣り合うODSのメトキシ基により立体障害が生じて、成膜面W1上のOH基全てと結合することができない。
<<水蒸気供給ステップ>>
第1吸着ステップの後、水蒸気供給機構4により水蒸気を成膜室2内に供給する(図2のステップS4、図3(D)参照)。具体的には、この水蒸気供給ステップ前において、貯水タンク41は、貯水タンク41に収容されたH2O(水)が蒸発する程度の温度(例えば35℃)に保温されている。このとき、第2開閉弁44は開放され、第4開閉弁45は閉塞されており、H2Oの蒸気が水蒸気タンク43に貯留される。そして、水蒸気供給ステップにおいて、第3開閉弁44を閉塞し、第5開閉弁45を開放することによって、水蒸気タンク43から成膜室2内に水蒸気が供給される。水蒸気の供給量は、成膜室内に供給されたODSのMeO基の全てを加水分解するのに充分な量である。本実施形態では、水蒸気の供給量は、ODSの供給量の例えば3倍以上必要と見積もられる。よって、より充分とするために、成膜室2内の圧力は例えば21Paまで上昇するまで水蒸気を供給する。
第1吸着ステップの後、水蒸気供給機構4により水蒸気を成膜室2内に供給する(図2のステップS4、図3(D)参照)。具体的には、この水蒸気供給ステップ前において、貯水タンク41は、貯水タンク41に収容されたH2O(水)が蒸発する程度の温度(例えば35℃)に保温されている。このとき、第2開閉弁44は開放され、第4開閉弁45は閉塞されており、H2Oの蒸気が水蒸気タンク43に貯留される。そして、水蒸気供給ステップにおいて、第3開閉弁44を閉塞し、第5開閉弁45を開放することによって、水蒸気タンク43から成膜室2内に水蒸気が供給される。水蒸気の供給量は、成膜室内に供給されたODSのMeO基の全てを加水分解するのに充分な量である。本実施形態では、水蒸気の供給量は、ODSの供給量の例えば3倍以上必要と見積もられる。よって、より充分とするために、成膜室2内の圧力は例えば21Paまで上昇するまで水蒸気を供給する。
<<第2吸着ステップ>>
成膜室2内に水蒸気が供給されると、基板Wに吸着したODSのうち、立体障害の原因となっているメトキシ基が加水分解により除去されて、立体障害が解消される。そうすると、成膜面W1に吸着されたODS間に間隙が形成される。このとき、基板Wに吸着することなく成膜室2内の気相中に残留しているODS(残留ODS)も加水分解されており、その間隙内に、残存ODSが吸着する(図2のステップS5、図3(E)参照)。この第2吸着ステップは、例えば30〜75分間行う。
成膜室2内に水蒸気が供給されると、基板Wに吸着したODSのうち、立体障害の原因となっているメトキシ基が加水分解により除去されて、立体障害が解消される。そうすると、成膜面W1に吸着されたODS間に間隙が形成される。このとき、基板Wに吸着することなく成膜室2内の気相中に残留しているODS(残留ODS)も加水分解されており、その間隙内に、残存ODSが吸着する(図2のステップS5、図3(E)参照)。この第2吸着ステップは、例えば30〜75分間行う。
<<脱水縮合ステップ>>
第2吸着ステップ終了後、基板ヒータ6の温度を約200℃まで上昇させ、基板Wを熱処理して、基板Wに吸着したODS間で脱水縮合させる(図2のステップS6、図3(F)参照)。これにより、各ODS間でネットワークができ、緻密なSAM膜が形成される。なお、この脱水縮合ステップは、例えば30〜120分間行う。
第2吸着ステップ終了後、基板ヒータ6の温度を約200℃まで上昇させ、基板Wを熱処理して、基板Wに吸着したODS間で脱水縮合させる(図2のステップS6、図3(F)参照)。これにより、各ODS間でネットワークができ、緻密なSAM膜が形成される。なお、この脱水縮合ステップは、例えば30〜120分間行う。
(B)一部を修飾基により置換した一部置換型SAM膜を形成する方法
次に、一部置換型SAM膜を形成する方法について説明する。この形成方法は、上記(A)通常のSAM膜を形成する方法における第1吸着ステップS3までは同様であるが、前記(A)通常のSAM膜形成方法のステップS4〜ステップS6が異なる。
つまり、一部置換型SAM膜形成方法では、第2吸着ステップにおいて、成膜室2内に供給する水蒸気量を制御することにより、第1吸着ステップによって基板W上に吸着したODSの加水分解量を調節する。この水蒸気量の調整方法としては、成膜室2内の圧力が所定の圧力になるように調節する方法が考えられる。そして、この形成方法は、その加水分解により生じた間隙内に、ODS(第1の自己組織化単分子)とは異なるODAS(第2の自己組織化単分子)の基板上への吸着量を調節するものである。以下、具体的に説明する。
<<水蒸気供給ステップ>>
第1供給ステップの後、水蒸気供給機構4により水蒸気を成膜室2内に供給する(図2のステップS7)。水蒸気の供給量は、基板上に吸着したODSのメトキシ基の一部を加水分解する量である。
第1供給ステップの後、水蒸気供給機構4により水蒸気を成膜室2内に供給する(図2のステップS7)。水蒸気の供給量は、基板上に吸着したODSのメトキシ基の一部を加水分解する量である。
<<第2吸着ステップ(ODS)>>
成膜室2内に水蒸気が供給されると、基板Wに吸着したODSのうち、立体障害の原因となっているメトキシ基の一部が加水分解により除去されて、一部の立体障害が解消される(図4(G)参照)。そうすると、成膜面W1上に吸着されたODS間に間隙が形成される。このとき、残存ODSも加水分解されており、その間隙に残存ODSが吸着する(図2のステップ8、図4(H)参照)。このように、成膜室への水蒸気量を制御することにより、成膜面W1上に吸着するODSの吸着量を調整する。なお、この第2吸着ステップは、例えば30〜75分間行う。
成膜室2内に水蒸気が供給されると、基板Wに吸着したODSのうち、立体障害の原因となっているメトキシ基の一部が加水分解により除去されて、一部の立体障害が解消される(図4(G)参照)。そうすると、成膜面W1上に吸着されたODS間に間隙が形成される。このとき、残存ODSも加水分解されており、その間隙に残存ODSが吸着する(図2のステップ8、図4(H)参照)。このように、成膜室への水蒸気量を制御することにより、成膜面W1上に吸着するODSの吸着量を調整する。なお、この第2吸着ステップは、例えば30〜75分間行う。
第2吸着ステップにおける水蒸気の供給量(水蒸気圧(Pa))と、基板(成膜面)上へのODSの吸着量(吸着率(%))との関係を図5に示す。この図5から分かるように、水蒸気供給ステップにおける水蒸気の供給量が、21Pa以上であれば、基板W(成膜面W1)への吸着量の合計が100%となり、全ての立体障害が除去されて、その間隙内に残存ODSが吸着されることを示している。一方、水蒸気の供給量が、21Pa以下の場合には、水蒸気の供給量に応じて、基板W(成膜面W1)への吸着量の合計が減少していることを示している。つまり、方法(B)における水蒸気の供給量は、21Pa以下で調整される。例えば、水蒸気の供給量が5Paであれば、約65%であることが分かる。また、水蒸気の供給量がゼロの場合には、基板W(成膜面W1)への吸着量の合計は、約45%である。
<<水蒸気供給ステップ>>
第2吸着ステップの後、真空用弁Vを開けて成膜室2を一旦真空引きして、成膜室2の気相中の残存ODSを排気する(図2のステップS9)。例えば0.4Paとなるまで排気した後真空用弁Vを閉じて、再び、成膜室2内に水蒸気を供給して成膜面W1に吸着したODS中の残存メトキシ基の全てを加水分解する(図2のステップS10、図4(I)参照)。なお、この水蒸気量の供給方法は、前述したものと同様であり、成膜室2内の圧力が0.4Paから例えば12Paになるように供給する。
第2吸着ステップの後、真空用弁Vを開けて成膜室2を一旦真空引きして、成膜室2の気相中の残存ODSを排気する(図2のステップS9)。例えば0.4Paとなるまで排気した後真空用弁Vを閉じて、再び、成膜室2内に水蒸気を供給して成膜面W1に吸着したODS中の残存メトキシ基の全てを加水分解する(図2のステップS10、図4(I)参照)。なお、この水蒸気量の供給方法は、前述したものと同様であり、成膜室2内の圧力が0.4Paから例えば12Paになるように供給する。
<<第2原料供給ステップ>>
次に、第2原料供給機構5により、第2成膜原料であるODASを成膜室2内に気化して供給する(図2のステップS11)。この第2原料供給ステップ前において、前記第1原料供給ステップと同様に、第2原料タンク51等は、当該原料タンク51に収容されたODASが蒸発する程度の温度に加熱される。このとき、第5開閉弁54は開放され、第6開閉弁55が閉塞されており、ODASの蒸気が第2原料蒸気タンク53に貯留される。そして、第2原料供給ステップにおいて、第5開閉弁54を閉塞し、第6開閉弁55を開放することより、第2原料蒸気タンク53から成膜室2内にODASを供給する。ODASの供給量は、成膜室2内の圧力が所定圧力になるまでであり、成膜室2内の圧力が12Paから例えば15Paになるまでである。そして、成膜室2内が所定圧力になった後、第6開閉弁55を閉塞する。
次に、第2原料供給機構5により、第2成膜原料であるODASを成膜室2内に気化して供給する(図2のステップS11)。この第2原料供給ステップ前において、前記第1原料供給ステップと同様に、第2原料タンク51等は、当該原料タンク51に収容されたODASが蒸発する程度の温度に加熱される。このとき、第5開閉弁54は開放され、第6開閉弁55が閉塞されており、ODASの蒸気が第2原料蒸気タンク53に貯留される。そして、第2原料供給ステップにおいて、第5開閉弁54を閉塞し、第6開閉弁55を開放することより、第2原料蒸気タンク53から成膜室2内にODASを供給する。ODASの供給量は、成膜室2内の圧力が所定圧力になるまでであり、成膜室2内の圧力が12Paから例えば15Paになるまでである。そして、成膜室2内が所定圧力になった後、第6開閉弁55を閉塞する。
<<第3吸着ステップ(ODAS)>>
成膜室2内に供給されたODASは、基板Wの成膜面W1において、ODS間の間隙中に置換反応により吸着する(図2のステップS12、図4(J)参照)。このとき、ODASが間隙に入って基板W上に吸着する際に、立体障害を起こさないように、ODASのメトキシ基を予め加水分解させておくことが考えられる。なお、この第3吸着ステップは、例えば30〜75分間行う。
成膜室2内に供給されたODASは、基板Wの成膜面W1において、ODS間の間隙中に置換反応により吸着する(図2のステップS12、図4(J)参照)。このとき、ODASが間隙に入って基板W上に吸着する際に、立体障害を起こさないように、ODASのメトキシ基を予め加水分解させておくことが考えられる。なお、この第3吸着ステップは、例えば30〜75分間行う。
<<脱水縮合ステップ>>
第3吸着ステップ終了後、基板ヒータ6の温度を例えば200℃まで上昇させ、基板Wを熱処理して、基板Wに吸着したODS、ODAS間で脱水縮合させる(図2のステップS13、図4(K)参照)。これにより、各ODS、ODAS間でネットワークができ、分子レベルで置換量が制御された緻密な一部置換型SAM膜が形成される。なお、この脱水縮合ステップは、例えば30〜120分間行う。
第3吸着ステップ終了後、基板ヒータ6の温度を例えば200℃まで上昇させ、基板Wを熱処理して、基板Wに吸着したODS、ODAS間で脱水縮合させる(図2のステップS13、図4(K)参照)。これにより、各ODS、ODAS間でネットワークができ、分子レベルで置換量が制御された緻密な一部置換型SAM膜が形成される。なお、この脱水縮合ステップは、例えば30〜120分間行う。
(C)最大限修飾基により置換した最大置換型SAM膜を形成する方法
次に、最大置換型SAM膜を形成する方法について説明する。この形成方法は、上記(A)通常のSAM膜を形成する方法における第1吸着ステップS3までは同様であるが、前記(A)通常のSAM膜形成方法のステップS4〜ステップS6が異なる。
つまり、最大置換型SAM膜形成方法では、第2吸着ステップS5、S8が無いもの、又は第2吸着ステップS8における水蒸気供給量がゼロの形成方法である。以下、具体的に説明する。
<<水蒸気供給ステップ>>
第1吸着ステップの後、真空用弁Vを開けて成膜室2を一旦真空引きして、成膜室2の気相中の残存ODSを排気する(図2のステップS14)。例えば0.4Paとなるまで排気した後真空用弁Vを閉じて、成膜室2内に水蒸気を供給して成膜面W1に吸着したODS中の残存メトキシ基の全てを加水分解する(図2のステップS15)。なお、このときの水蒸気の供給方法は、前述したものと同様であり、成膜室2内の圧力が0.4Paから例えば12Paになるように供給する。
第1吸着ステップの後、真空用弁Vを開けて成膜室2を一旦真空引きして、成膜室2の気相中の残存ODSを排気する(図2のステップS14)。例えば0.4Paとなるまで排気した後真空用弁Vを閉じて、成膜室2内に水蒸気を供給して成膜面W1に吸着したODS中の残存メトキシ基の全てを加水分解する(図2のステップS15)。なお、このときの水蒸気の供給方法は、前述したものと同様であり、成膜室2内の圧力が0.4Paから例えば12Paになるように供給する。
<<第2原料供給ステップ>>
次に、第2原料供給機構5により、第2成膜原料であるODASを成膜室2内に供給する(ステップS16)。このとき、ODASの供給量は、成膜室2内の圧力が所定圧力になるまでであり、成膜室2内の圧力が12Paから例えば15Paになるまでである。
次に、第2原料供給機構5により、第2成膜原料であるODASを成膜室2内に供給する(ステップS16)。このとき、ODASの供給量は、成膜室2内の圧力が所定圧力になるまでであり、成膜室2内の圧力が12Paから例えば15Paになるまでである。
<<第3吸着ステップ(ODAS)>>
成膜室2内に供給されたODASは、基板Wの成膜面W1において、ODA間の間隙中に置換反応により吸着する(ステップS17)。このとき、ODASが間隙に入って基板上に吸着する際に、立体障害を起こさないように、ODASのメトキシ基を予め加水分解させておくことが考えられる。なお、この第3吸着ステップは、例えば30〜75分間行う。
成膜室2内に供給されたODASは、基板Wの成膜面W1において、ODA間の間隙中に置換反応により吸着する(ステップS17)。このとき、ODASが間隙に入って基板上に吸着する際に、立体障害を起こさないように、ODASのメトキシ基を予め加水分解させておくことが考えられる。なお、この第3吸着ステップは、例えば30〜75分間行う。
<<脱水縮合ステップ>>
第3吸着ステップ終了後、基板ヒータ6の温度を例えば200℃まで上昇させ、基板Wを熱処理して、基板Wに吸着したODS、ODAS間で脱水縮合させる(図2のステップS18)。これにより、各ODS、ODAS間でネットワークができ、緻密な最大置換型SAM膜が形成される。なお、最大置換量としては、図5に示すように、水蒸気の供給量がゼロの場合であり、全体の約45%がODS、約55%がODASのSAM膜が形成される。なお、この脱水縮合ステップは、例えば30〜120分間行う。
第3吸着ステップ終了後、基板ヒータ6の温度を例えば200℃まで上昇させ、基板Wを熱処理して、基板Wに吸着したODS、ODAS間で脱水縮合させる(図2のステップS18)。これにより、各ODS、ODAS間でネットワークができ、緻密な最大置換型SAM膜が形成される。なお、最大置換量としては、図5に示すように、水蒸気の供給量がゼロの場合であり、全体の約45%がODS、約55%がODASのSAM膜が形成される。なお、この脱水縮合ステップは、例えば30〜120分間行う。
<本実施形態の効果>
このように構成した本実施形態に係る単分子膜形成装置1によれば、たとえ大面積の基板であっても歩留まり良くSAM膜を形成することができる。また、第1吸着ステップの後、水蒸気を成膜室2内に供給することによって、第1吸着ステップによって成膜面W1上に吸着した自己組織化単分子の立体障害を除去することができ、第2吸着ステップにより成膜面W1に充分に自己組織化単分子を吸着させることができる。さらに、脱水縮合させることにより、より緻密なSAM膜を形成することができる。
このように構成した本実施形態に係る単分子膜形成装置1によれば、たとえ大面積の基板であっても歩留まり良くSAM膜を形成することができる。また、第1吸着ステップの後、水蒸気を成膜室2内に供給することによって、第1吸着ステップによって成膜面W1上に吸着した自己組織化単分子の立体障害を除去することができ、第2吸着ステップにより成膜面W1に充分に自己組織化単分子を吸着させることができる。さらに、脱水縮合させることにより、より緻密なSAM膜を形成することができる。
また、第2吸着ステップにおいて、水蒸気の供給量を制御することにより、ODASの吸着量を調整することができるので、置換型SAM膜の修飾基の割合を容易に調整することができる。これにより、置換型SAM膜をセンサに用いた場合には、測定物質に好適な置換量となるように容易に調整でき、センサの感度を向上させることができる。
さらに、SAM膜を吸着させる吸着用装置及び当該SAM膜を緻密化させる緻密化用装置の2台を不要とすることができるので、SAM膜の形成及びその緻密化を低コストで行うことができる。また、同一成膜室2内でSAM膜の吸着及びSAM膜の緻密化を行っており、吸着用の装置から緻密化用の装置に移動させるステップが不要となり、SAM膜の形成途中に大気と触れることがないため、大気中の成分が吸着することが無く、汚染の少ないSAM膜を形成することができる。その結果、バイオセンサ等のセンサに用いた場合、その感度を向上させることができる。
<その他の変形実施形態>
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。以下の説明において前記実施形態に対応する部材には同一の符号を付すこととする。
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。以下の説明において前記実施形態に対応する部材には同一の符号を付すこととする。
例えば、前記実施形態では、第1成膜原料としてODS、第2成膜原料としてODASを用いたものであったが、その他、シリコン原子に4個の官能基が付いた分子(SiX4、Xは官能基を示す。)又はその4個の官能基のうち少なくとも1つが有機分子基で置換された分子(SiRNX4−N、Xは官能基、Rは有機分子基を示す。)等であっても良い。その他、第1成膜原料又は第2成膜原料として、図6に示す組み合わせの基板及び自己組織化単分子を用いても良い。なお、図6におけるRは、CXNH(3−N)−(CH2)M−、である。ここで、N=0,1,2,3であり、M=1以上の整数である。また、X=H、アルキル基(例えばメチル基など)、ハロゲン(F、Cl)、アミノ基(NH2)、フェニル基、等である。Xとしては、これに限られず、自己組織化単分子膜を形成し得る原料であれば良い。
その他、前述した実施形態や変形実施形態の一部又は全部を適宜組み合わせてよいし、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
1 ・・・単分子膜形成装置
W ・・・基板
W1 ・・・成膜面
2 ・・・成膜室
3 ・・・原料供給機構(第1原料供給機構)
6 ・・・基板ヒータ
W ・・・基板
W1 ・・・成膜面
2 ・・・成膜室
3 ・・・原料供給機構(第1原料供給機構)
6 ・・・基板ヒータ
Claims (7)
- 成膜室内に収容された基板の成膜面上に自己組織化単分子膜を形成する単分子膜形成方法であって、
前記成膜室内に自己組織化単分子を含有する成膜原料を気化させて供給し、前記成膜面上に自己組織化単分子を吸着させる第1吸着ステップと、
前記成膜室内に水蒸気を供給して、前記成膜面上に吸着した自己組織化単分子を加水分解させて、気相中の残存自己組織化単分子をさらに前記成膜面上に吸着させる第2吸着ステップと、
前記成膜面上に吸着された自己組織化単分子を前記基板を加熱する加熱手段により脱水縮合させる脱水縮合ステップと、を具備する単分子膜形成方法。 - 前記第2吸着ステップにおいて、前記成膜室内に供給する水蒸気量を制御することにより、前記第1吸着ステップによって前記成膜面上に吸着した自己組織化単分子の加水分解量を調節して、前記成膜面上に吸着する残存自己組織化単分子の吸着量を調節する請求項1記載の単分子膜形成方法。
- 前記第1吸着ステップ、前記第2吸着ステップ及び前記脱水縮合ステップを同一成膜室内で行う請求項1又は2記載の単分子膜形成方法。
- 前記第2吸着ステップ後、前記成膜面上に吸着した自己組織化単分子を加水分解して、前記自己組織化単分子とは異なる第2の自己組織化単分子を含有する第2成膜原料を前記成膜面上に吸着させる第3吸着ステップをさらに備える請求項1、2又は3記載の単分子形成方法。
- 自己組織化単分子を含有する成膜原料を気化して、基板の成膜面上に自己組織化単分子膜を形成する単分子膜形成装置であって、
前記基板を内部に保持する成膜室と、
前記成膜室に自己組織化単分子を含有する成膜原料を供給する原料供給機構と、
前記成膜室内に設けられ、前記基板を加熱する加熱手段と、
前記原料供給機構及び前記加熱手段を制御する制御部と、を備え、
前記制御部が、前記成膜面上に自己組織化単分子を吸着させた後、前記成膜面上に吸着した自己組織化単分子が脱水縮合するように、前記加熱手段の温度を調節するものである単分子膜形成装置。 - 前記成膜室内に水蒸気を供給する水蒸気供給機構をさらに備え、
前記制御部が、前記成膜面上に自己組織化単分子を吸着させた後、前記水蒸気供給機構を制御することにより、前記成膜室内に水蒸気を供給して前記成膜面上に吸着した自己組織化単分子の加水分解量を調節して、前記成膜面上に吸着する残存自己組織化単分子の吸着量を調節するものである請求項5記載の単分子膜形成装置。 - 前記自己組織化単分子とは異なる第2の自己組織化単分子を含有する第2成膜原料を供給する第2原料供給機構をさらに備え、
前記制御部が、前記水蒸気供給機構を制御することにより、前記成膜面上に吸着した自己組織化単分子を加水分解させた後、前記第2原料供給機構を制御することにより、前記成膜室内に前記第2成膜原料を気化させて供給し、前記第2の自己組織化単分子を前記成膜面上に吸着させるものである請求項6記載の単分子形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009076432A JP2009256796A (ja) | 2008-03-27 | 2009-03-26 | 単分子膜形成装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (2)
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JP2008083282 | 2008-03-27 | ||
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Publications (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012192307A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法、配向膜の形成方法、プライマー処理方法、撥液膜形成方法 |
JP2013520028A (ja) * | 2010-02-17 | 2013-05-30 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 蒸着に対する反応部位の不活性化 |
JP2015211963A (ja) * | 2015-04-22 | 2015-11-26 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理装置、配向膜の形成装置、プライマー処理装置および撥液膜形成装置 |
JP2021068879A (ja) * | 2019-10-28 | 2021-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理システム |
WO2024135080A1 (ja) * | 2022-12-21 | 2024-06-27 | 株式会社Screenホールディングス | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
-
2009
- 2009-03-26 JP JP2009076432A patent/JP2009256796A/ja active Pending
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