JP2009253246A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】シリコン基板1上に第1アモルファスカーボン膜24を形成する工程と、第1アモルファスカーボン膜24上にBPSG膜13を形成する工程と、BPSG膜13上に第2アモルファスカーボン膜16を形成する工程と、第2アモルファスカーボン膜16をパターニングし、第2アモルファスカーボン膜16をハードマスクとしてBPSG膜13を第1アモルファスカーボン膜24が露出するまでエッチングする工程と、露出した第1アモルファスカーボン膜24および第2アモルファスカーボン膜16をアッシングする工程とを備える。第1アモルファスカーボン膜24がエッチングストッパ層として作用する。よってシリコン基板1がオーバーエッチングによりダメージを受けることが防止される。
【選択図】図5
Description
10 ビット線
13 BPSG膜
16、16a 第2アモルファスカーボン膜
18 複合アモルファスカーボン層
22 タングステン層
24、24a 第1アモルファスカーボン膜
26 ONO膜
32 コンタクトホール
33 コンタクトプラグ
35 スクラッチ
Claims (16)
- 下地層上に第1アモルファスカーボン層を形成する工程と、
前記第1アモルファスカーボン層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に第2アモルファスカーボン層を形成する工程と、
前記第2アモルファスカーボン層をパターニングし、前記第2アモルファスカーボン層をハードマスクとして前記絶縁膜を前記第1アモルファスカーボン層が露出するまでエッチングする工程と、
露出した前記第1アモルファスカーボン層および前記第2アモルファスカーボン層をアッシングする工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2アモルファスカーボン層の膜厚は前記第1アモルファスカーボン層の膜厚よりも厚くされ、
前記アッシングする工程では、前記第1アモルファスカーボン層が除去されると共に前記第2アモルファスカーボン層が薄膜化される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 薄膜化された前記第2アモルファスカーボン層上に第1導電層を形成する工程と、
前記第1導電層を前記第2アモルファスカーボン層が露出するまでCMPにより研磨する工程と、
露出した前記第2アモルファスカーボン層を除去する工程と
を備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜をエッチングする工程では複数のコンタクトホールが形成され、
前記第1アモルファスカーボン層は前記複数のコンタクトホールが形成される領域に選択的に形成されることを特徴とする請求項1ないし請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記下地層はシリコン基板であり、
前記シリコン基板には複数の導電領域が形成され、
前記第1アモルファスカーボン層は前記複数の導電領域上に選択的に形成されることを特徴とする請求項1ないし請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2アモルファスカーボン層は、
前記絶縁膜上に形成される下層アモルファスカーボン膜と、
前記下層アモルファスカーボン膜上に形成される層間膜と、
前記層間膜上に形成される上層アモルファスカーボン膜とを備え、
前記第2アモルファスカーボン層を薄膜化する工程は、前記上層アモルファスカーボン膜を除去することで行われることを特徴とする請求項1ないし請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記上層アモルファスカーボン膜は前記第1アモルファスカーボン層を除去する工程により除去され、
前記下層アモルファスカーボン膜は前記第2アモルファスカーボン層を除去する工程により除去されることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記下層アモルファスカーボン膜は前記上層アモルファスカーボン膜よりも薄く形成されることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記下層アモルファスカーボン膜は500オングストローム以下で形成されることを特徴とする請求項6ないし請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 薄膜化された前記第2アモルファスカーボン層の膜厚値は、500オングストローム以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜をエッチングする工程では複数のコンタクトホールが形成され、
前記導電層はタングステンを含むことを特徴とする請求項1ないし請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜をエッチングする工程では複数のダマシン配線が形成され、
前記導電層は銅を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項11に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記アモルファスカーボン層の研磨レートは、前記導電層の研磨レートに比して低くされることを特徴とする請求項1ないし請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- シリコン基板に形成される複数の拡散領域と、
前記複数の拡散領域にボトム部が接続して形成される複数のコンタクトプラグと、
前記ボトム部を含んで前記シリコン基板上に形成されるアモルファスカーボン膜とを備え、
前記ボトム部は前記アモルファスカーボン膜を貫通して前記拡散領域に接合されることを特徴とする半導体装置。 - 前記コンタクトプラグが形成される領域以外の領域の前記シリコン基板上には絶縁層が形成され、
前記アモルファスカーボン層の断面形状は、前記拡散領域の表面および前記絶縁層の側壁に堆積してなる凹形状であることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。 - 前記複数の拡散領域は互いに平行に伸張する複数のビット線であり、
前記複数のビット線と直交するように複数のワード線が備えられ、
前記アモルファスカーボン層は前記複数のワード線と平行して伸張するように形成されることを特徴とする請求項14または請求項15に記載の半導体装置。
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