JP2009252983A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 光電変換部と、
   光を前記光電変換部へ導く光導波路と、
   を備え、
   前記光導波路は、
   前記光が前記光電変換部へ向かうように、第１の絶縁部より屈折率の高い物質がその側面を前記第１の絶縁部で囲まれて構成された上部導波構造と、
   前記光電変換部と前記上部導波構造との間に部材が配され、前記部材と第２の絶縁部との間に隙間が設けられたエアギャップ構造と、
   を含む
   ことを特徴とする撮像センサー。
2. 前記部材は、前記第２の絶縁部と同じ物質で形成されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の撮像センサー。
3. 前記光電変換部の上方に配されたマイクロレンズと、
   前記光電変換部と前記マイクロレンズとの間に配された複数の配線層と、
   をさらに備え、
   前記エアギャップ構造は、前記光電変換部の受光面を含む第１の平面と前記複数の配線層における最下の配線層の下面を含む第２の平面との間に配されている
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像センサー。
4. 前記光導波路は、前記上部導波構造と前記エアギャップ構造との間に配された反射防止膜をさらに含む
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の撮像センサー。
5. 前記上部導波構造は、上部の幅が下部の幅より広い
   ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の撮像センサー。
6. 前記上部導波構造は、上面縁部から下面縁部へ前記光電変換部の受光面の中心を通る法線に近づくように傾斜しながら延びた前記側面を有する
   ことを特徴とする請求項５に記載の撮像センサー。
7. 光電変換部と、
   光を前記光電変換部へ導く光導波路と、
   を備え、
   前記光導波路は、
   前記光が前記光電変換部へ向かうように、第１の絶縁部より屈折率の高い物質がその側面を前記第１の絶縁部で囲まれて構成された上部導波構造と、
   前記光電変換部と前記上部導波構造との間における絶縁層が前記光電変換部の受光面における内側領域を露出せずに外側領域を露出するようにエッチングされることにより、前記絶縁層のうち前記内側領域の上の部分である部材と、前記絶縁層のうち前記外側領域の周辺の部分である第２の絶縁部との隙間が設けられたエアギャップ構造と、
   を含む
   ことを特徴とする撮像センサー。
8. 光電変換部を有する撮像センサーの製造方法であって、
   前記光電変換部を覆うように第１の絶縁層を形成する第１の工程と、
   前記光電変換部の受光面における内側領域を露出せずに外側領域を露出するように前記第１の絶縁層をエッチングすることにより、前記第１の絶縁層のうち前記内側領域の上の部分である部材と、前記第１の絶縁層のうち前記外側領域の周辺の部分である第１の絶縁膜との隙間が設けられたエアギャップ構造を形成する第２の工程と、
   前記エアギャップ構造の上に反射防止膜を形成する第３の工程と、
   前記反射防止膜の上に第２の絶縁層を形成する第４の工程と、
   前記第２の絶縁層における前記エアギャップ構造の上方に位置する部分に開口を形成することにより、第２の絶縁膜を形成する第５の工程と、
   前記第２の絶縁膜よりも屈折率の高い物質を前記開口に埋め込むことにより、上部導波構造を形成する第６の工程と、
   前記上部導波構造の上方にマイクロレンズを形成する第７の工程と、
   を備え、
   前記上部導波構造、前記反射防止膜、及び前記エアギャップ構造は、前記マイクロレンズを通過した光を前記光電変換部へ導く光導波路として形成される
   ことを特徴とする撮像センサーの製造方法。
9. 前記第５の工程では、前記反射防止膜が、前記開口を形成するように前記第２の絶縁層をエッチングする際におけるエッチングストッパーとして機能する
   ことを特徴とする請求項８に記載の撮像センサーの製造方法。