JP2009248503A - 微細構造転写装置 - Google Patents

微細構造転写装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2009248503A
JP2009248503A JP2008101341A JP2008101341A JP2009248503A JP 2009248503 A JP2009248503 A JP 2009248503A JP 2008101341 A JP2008101341 A JP 2008101341A JP 2008101341 A JP2008101341 A JP 2008101341A JP 2009248503 A JP2009248503 A JP 2009248503A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer
stamper
elastic body
elastic
transferred
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008101341A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5193662B2 (ja
Inventor
Eisaku Ninomiya
栄作 二ノ宮
Kyoichi Mori
恭一 森
Noritake Shizawa
礼健 志澤
Takeshi Tsushima
豪志 都島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2008101341A priority Critical patent/JP5193662B2/ja
Publication of JP2009248503A publication Critical patent/JP2009248503A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5193662B2 publication Critical patent/JP5193662B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、パターン形成において、高精度なパターニングを行う微細構造転写装置を提供することである。
【解決手段】本発明は、微細パターンが形成されたスタンパを被転写体に接触させ、被転写体にスタンパの微細パターンを転写する微細構造転写装置において、被転写体における微細パターンの転写領域で、前記の気泡を外部に導くような弾性力分布を持たせる機構とする。
【選択図】図2

Description

本発明は、微細構造転写装置に関し、特に、UVナノインプリント、熱ナノインプリント、大容量メディアディスク(磁気及び光の両方)、半導体、超高密度プリント配線基板、LED基板等の製作に使用し、スタンパの微細な凹凸形状を転写する微細構造転写装置および微細構造転写方法に関する。
従来のパターンの形成技術として、所定のスタンパを型押ししてその表面形状を転写するインプリント技術が知られている。このインプリント技術は、形成しようとするパターンの凹凸に対応する凹凸(表面形状)が形成されたスタンパを、例えば所定の基板上に樹脂層を形成して得られる被転写体に型押しするものであり、凹凸幅が25nm以下の微細構造を被転写体の樹脂層に形成することができる。ちなみに、このようなパターンが形成された樹脂層(以下、「パターン形成層」ということがある)は、基板上に形成される薄膜層と、この薄膜層上に形成される凸部からなるパターン層とで構成されている。そして、このインプリント技術は、大容量記録媒体における記録ビットのパターンの形成、半導体集積回路のパターンの形成やLED基板等のパターン形成への応用が検討されている。例えば、大容量記録媒体用基板、半導体集積回路用基板やLED基板等は、インプリント技術で形成したパターン形成層の凸部をマスクとして、パターン形成層の凹部で露出する薄膜層を製造することができる。薄膜層を所定の精度に維持しようとすれば、基板上に形成する薄膜層の厚さが均一である必要がある。つまり、このような均一な薄膜層を形成しようとすれば、基板上に形成される樹脂層は面方向にその厚さが薄く均一である必要がある。
しかし、この転写装置では、パターン転写領域が大きくなると一回の加圧で、均一な厚さのパターン形成層(薄膜層)を形成することが困難となる。また、この薄膜層に残留している気泡が存在すると、この気泡が要因となり、均一な薄膜層を形成することが困難である。さらに、スタンパと被転写基板との間に気泡が入り込み、高精度なパターン形成も困難になってしまう問題がある。
従来では、被転写基板は、曲面を持ったプレート上に設けられた緩衝層上にある。スタンパによる転写の際、プレートの曲面に基づき緩衝層が中心から順次周囲に向かってひずみ量が変化し、それに伴い被転写体に転写領域に生じる圧力の変化により上記問題を解決するものである。前記方法では曲面を持ったプレート上に被転写体があるため、前記曲面上にある被転写体の安定性は平面に比べ悪く、パターニングの際のズレが考えられる。
特開2008−12844号
従って本発明の目的は、パターン形成において、高精度なパターニングを行う微細構造転写装置を提供することである。
本発明の他の目的は、薄膜層中に発生した気泡叉はスタンパと被転写基板との間に気泡が入り込んでいる気泡を効率的に除去できる微細構造転写装置を提供することである。
前記課題を解決する本発明は、スタンパに形成されたパターンを被転写体に押付けて、前記被転写体に接触するパターン形成材料を介して前記被転写体の表面に前記パターンを転写する微細構造転写装置において、前記スタンパを保持するスタンパ保持部と、前記被転写体を保持する保持ステージと、前記スタンパ保持部と前記ステージの間に設けられ、転写時に前記被転写体表面に圧力分布を発生する弾性体を有する。
本発明の微細構造転写装置によれば、スタンパで被転写体に転写する力でスタンパと被転写体との間にパターン層形成材料を充分に押し広げることができるとともに、被転写体に均一な厚さのパターン形成層を形成することができる。また、パターン形成層内の気泡を除去できる微細構造転写装置を実現することができる。
又、本発明の微細構造転写装置によれば、平坦な面の上に被転写体があるため、スタンパと被転写体との間でパターンズレが無く高精度なパターン形成をすることができる。
以下、図面を参照しながら本発明の微細構造転写装置の実施形態ついて詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施例を示す微細構造転写装置の概要構成図である。図1に示す微細構造転写装置において、スタンパ1はスタンパ保持治具2により着脱可能に保持されている。前記スタンパ保持具2は昇降機構3に結合されている。そして、ステージ4側のプレート5上には平板上の弾性体6があり、その上に被転写体7が配置されている。被転写体7のスタンパ1側の面には、パターン形成層9(図2)を形成するパターン形成材料9が塗布されるとともに、スタンパ1の被転写体7側の面には、凹凸形状からなる微細パターンが形成されている。ちなみに、昇降機構3がスタンパ保持具2を下降させることによって、被転写体7に向かってスタンパ1が押し当てられるようになっている。
ステージ4は金属(例えば、ステンレス、アルミニウム等)セラミック又はプラスチック(例えば、シリコーンゴム)などから形成されている。ステージ4はXY移動機構8により、2次元方向への移動ができる。また、プレート5は、光学ガラス、金属、樹脂等が使用可能であり、強度がある材料であればよい。
本発明では、この弾性体6によって被転写体7の転写領域(スタンパ1と被転写体との間)に圧力分布を持たせるようになっている。まず、全体的な動作を説明し、その後、本実施例における弾性体6による圧力形成の原理を図3を用いて説明する。
まず動作を説明する。本実施例による微細構造転写装置において、ステージ4は、XY移動機構8によって位置決めされる。その後、スタンパ1は、昇降機構3によって被転写体7に押し付けられる。この時、に、被転写体7上には、パターン形成材料内9が塗布されているので、スタンパ1と被転写体7の間で押し広げられると共に、スタンパ1に形成された転写パターンが転写され、パターン形成層10が形成される。パターン形成層9、被転写体7の面上に形成される薄膜層91と薄膜層上に凸状に刑されるパターン層92からなる。
被転写体7にパターンを最終的に形成するには、例えば、パターン形成層の凸部をマスクとして、パターン形成層9の凹部で露出する薄膜層91、およびこの薄膜層部分に接する被転写体7をエッチングすることで製造することができる。
この場合、被転写体7へのエッチング加工の精度は、薄膜層の面方向における厚さの分布の影響を受ける。従って、パターン形成層9が所望の均等厚になるようにすることが重要である。
また、パターン形成時に薄膜層中叉スタンパと被転写基板との間に気泡ができる場場合がある。その場合は、その気泡を効率的に除去する必要がある。
そのために、本実施例では、弾性体6によって、パターン形成時に、スタンパ1と被転写体との間で、弾性体の中心から周囲に向かって、中心の圧力が最も高く外側にいくに従って圧力が低くなるようにする。図3において、弾性体6は、平板構造で中心に周囲に向かって幾つかの領域に分けディスクリート状に、中心の領域に最も硬い(弾性係数の高い)素材で構成し、徐々に周囲の領域に向かって軟らかい(弾性係数の低い)素材で構成する。この結果、被転写体7が弾性係数の一定の材料で構成されているスタンパ1からの押圧を受けると、弾性係数に比例した反発力が発生し、被転写体7の表面の圧力分布は図3の下図のようなり、それに伴いパターン形成層内の圧力分布も図3の下図の形状となる。即ち、中心から外側にいく程圧力の低い圧力分布が形成される。
言い換えれば、被転写体7の中央部で圧力が最大となり、周囲に向かうほど圧力が徐々に小さくなって、被転写体7の外周端部で圧力が最小となる。つまり、被転写体7には、圧力等高線が形成されることとなる。この場合の圧力等高線は、弾性係数層が上から見て円形に形成すれば円状になるし、丸みの持った四角形に形成すれば丸の持った四角形状になる。
この圧力等高線は、スタンパ1の押付け圧が徐々に高まるにつれ、圧力勾配が大きくなる。即ち、スタンパ1の押付け圧1の時間的に変化に伴って、圧力分布も変化する。
その結果、パターン形成材料9は、前記圧力勾配によって、外側に押し広げられ、所望の均一膜の薄膜層91を得ることができる。更に、パターン層も同一の原理で余分なパテーン形成材料9が外側においやられるので、パターン層92も均一化も図ることができる。この効果は、圧力勾配が大きいほど顕著である。
また、パターン形成時に薄膜層中叉スタンパと被転写基板との間に気泡が発生しても、その気泡は前記圧力勾配によって、圧力の低い方に、即ち外側に追いやれるので効率的に除去することができる。
更に、弾力体6は平板構造になっており、被転写体7は、弾力体6のとの間に隙間を形成することなく、プレート5に安定して接触しているので、パターンずれを起すことなく、構成度のパターン転写を実施することができる。
次に、第2の実施例を図4を用いて説明する。図4に示す弾性体6は、二つの異なった弾性係数の持つ材料で連続的に構成されている。即ち、中心に弾性係数の高い材料Aを厚く配分し、外側に行くほど弾性係数の低い材料Gで形成する。図4では、二つの弾性係数の材料の厚さを直線的に変化させているが、曲線的に変化させてもよい。
また、図5に示すように弾性係数の高い材料Aの部分を弾性体6よりも弾性係数の高いプレート5で兼用させてもよい。
これによって、実施例2においても、実施例1と同様に圧力勾配分布を得ることができるので、実施例1と同様な効果を奏することができる。本実施例では、2つの異なるもので構成したが3つ以上の異なる材料で構成してもよい。
更に、第3の実施例を図6を用いて説明する。図6における弾性体6は、実施例1では中心から周囲に向かって弾性係数を変化させたのに対し、弾性体6の端部から反対側の端部に向かって弾性係数を連続的に変化させて構成したものである。この結果、本実施例では、弾性体6の端部から反対側の端部にかけて圧力勾配が発生し、スタンパ1の押付け圧の変化に伴って、時間に依存して変化する。即ち、被転写体7の端部で圧力が最大となり、反対側の端部に向かうほど圧力が徐々に小さくなって、圧力が最小となる。つまり、被転写体7には、圧力等高線が形成されることとなる。また、上記同様スタンパ1が被転写体7に接触することによってパターン形成材料はスタンパ1と被転写体7との間に押し広げられる。
図6は、弾性体6の弾性係数を実施例1と同様にディスクリート状に変化させたが、図7に示すように実施例2と同様に連続的に変化させてもよい。
これによって、実施例3においても、実施例1と同様に圧力勾配を得ることができるので、実施例1と同様な効果を奏することができる。
第4の実施例は、微細構造転写装置における転写対象である被転写体7の中心に空洞がある場合の弾性体6の実施例を示す。
図8は、図3と同様に弾性体6のその中心を通る断面図を示している。本実施例では、弾性体6は図8に示すように、被転写体7に合せてその中心に空洞を設ける。また、弾性体6は、中心空洞(内周側)と被転写体7の外周側との間の位置aに最も弾性係数の高い材料Aで形成し、外周側及び空洞側にいくほど弾性係数の低い材料で形成し、外周側及び空洞側では最も弾性係数の低い材料Zで形成する。
本実施例では、スタンパ1による転写時に、弾性係数が高いほど被転写体7は弾性体6から反力を受けるので、外周側及び空洞側に向かって徐々に圧力が低くなる勾配を持つ圧力分布が形成される。その圧力分布の形状は、スタンパ1の押付け圧の時間変化のと共に、圧力勾配が大きくなり、外周側と内周側にかけて圧力分布が時間に依存して変化する。その結果、被転写体7には、圧力等高線が形成されることとなる。
その結果、スタンパ1が被転写体7に接触することによってパターン形成材料はスタンパ1と被転写体7との間に押し広げられ、高精度なパターン形成を行うことができる。また、パターン形成時に薄膜層中叉スタンパと被転写基板との間に気泡が発生しても、その気泡は前記圧力勾配によって、圧力の低い方に、即ち外周側叉は内周側に追いやれるので効率的に除去することができる。
本実施例では、外周側及び内周側に対するパターン形成材料の押し広げ効果が叉は気泡に除去が効果が粗同じであるとして、点aの位置を粗中心に配置し左右対称的に弾性材料を配置したが、空洞部における構造などのより内側の方がこれらの効果が小さい場合には、弾性係数が最も高い位置、夫々の弾性材料の幅の変化叉は左右対称でない弾性材料の配置等の調整することもよい。
図9に、図8に関連した第5の実施例であるに示す。図9では、実施例2に示すように弾性材料をディスクリート状に変化させるのではなく、複数の異なった材料により連続的に点aの位置が最も弾性係数が高く、外周側及び内周側に向かって低くなるように形成し、前記実施例と同様な効果をもたらす実施例である。
図10は、今までに実施例とは異なり、弾性体6をスタンパ保持治具2とスタンパ1の間に配置した第6の実施例を示す。図10における弾性体6の構造は実施例1と同様に、平板構造で中心に周囲に向かって幾つかの領域に分けディスクリート状に、中心の領域に最も硬い素材(弾性係数の高い)で構成し、徐々に周囲の領域に向かって軟らかいもの(弾性係数の低い)へ素材で構成する。
その状態で、昇降機構3によりスタンパ保持治具2を押し下げると、弾性体6には中心の弾性係数の高いところには大きな反力が発生し、周囲の弾性係数の低いところは小さな反力が発生し、その結果、弾性体6には、その中心から周囲に向かって圧力勾配を持つ圧力分布が生じる。弾性体6の圧力分布がスタンパ1に伝えられ、最終的には、パターン形成材料9によるパターン形成時には、パターン材料及び被転写体7に同様な圧力分布が形成される。弾性体6はスタンパ1よりも軟質の材料が望ましい。
その結果、実施例6においても、実施例1と同様な効果を得ることができる。実施例6においても、微細構造転写装置の構造等によって、弾性体6の構成を実施例2から実施例5に用いたものを採用することができる。
また、以上の実施例では、スタンパ1をステージ4に向かって下降させ被転写体7にパターニングを実施したが、ステージ4をスタンパ1に向かって上昇させた微細構造転写装置においても同様である。
以上説明したように、本発明によれば、パターン形成において、高精度なパターニングを行う微細構造転写装置を提供することができる。或いは、本発明によれば、薄膜層中に発生した気泡叉はスタンパと被転写基板との間に入り込んでいる気泡を効率的に除去できる微細構造転写装置を提供することができる。
本発明による微細構造転写装置の一例の概要構成図。 弾性体6中の気泡が除去される原理を説明するための概要説明図。 硬い素材のものから軟らかいものへ素材を代えて並べ、圧力分布を持たせた弾性体6の概要断面図。 二つの異なる弾性係数の材料により圧力分布を連続的に持たせた弾性体6の概要図。 一つの弾性係数を持つ材料で図2のような圧力分布を持たせた弾性体6の概要図。 硬い素材のものから軟らかいものへ素材を端部から連続的に並べ、圧力分布を持たせた弾性体6の概要断面図。 一つの弾性係数を持つ材料で図6のような圧力分布を持たせた弾性体6の概要図。 硬い素材のものから軟らかいものへ素材を円周上いずれかの位置から外周側と内周側に連続的に並べ、圧力分布を持たせた弾性体6の概要断面図。 一つの弾性係数を持つ材料で図8のような圧力分布を持たせた弾性体6の概要図。 本発明による微細構造転写装置の他の例の概要構成図。
符号の説明
1 スタンパ
2 スタンパ保持具
3 昇降機構
4 ステージ
5 プレート
6 弾性体
7 被転写体
8 XY移動機構
9 パターン形成層
91 パターン薄膜層
92 パターン層
10 パターン形成材料
A〜Z 弾性係数の異なる材料。

Claims (9)

  1. スタンパに形成されたパターンを被転写体に押付けて、前記被転写体の表面に前記パターンを転写する微細構造転写装置において、
    前記スタンパを保持するスタンパ保持部と、前記被転写体を保持する保持ステージと、前記スタンパ保持部と前記ステージの間に設けられ、転写時に前記被転写体表面に圧力分布を発生する弾性体を有すること特徴と微細構造転写装置。
  2. 前記弾性体は、複数の異なった弾性係数を持つ材料により構成されることを特徴とする請求項1に記載の微細構造転写装置
  3. 前記弾性体は、前記被転写体と前記保持ステージの間に設けられたことを特徴とする請求項1に記載の微細構造転写装置。
  4. 前記弾性体は、前記スタンパと前記スタンパ保持部ステージの間に設けられたことを特徴とする請求項1に記載の微細構造転写装置。
  5. 前記弾性体は、前記被転写体の端面に向けて圧力が低下するように前記複数の異なった弾性係数を持つ材料で構成されることを特徴とする請求項2に記載の微細構造転写装置。
  6. 前記弾性体は、平板であることを特徴とする請求項2に記載の微細構造転写装置。
  7. 前記弾性体は、前記複数の異なった弾性係数を持つ材料により前記被転写体の端面に向けて圧力が低下するように厚さ分布を持つことを特徴とする請求項1に記載の微細構造転写装置。
  8. 前記弾性体は、前記複数の異なった弾性係数を持つ材料を前記被転写体の端面に向けて圧力が低下するように連続的に変化させた構成を特徴とする請求項2に記載の微細構造転写装置。
  9. 前記弾性体は、前記複数の異なった弾性係数を持つ材料を前記被転写体の端面に向けて圧力が低下するようにディスクリート状に変化させた構成を特徴とする請求項2に記載の微細構造転写装置。
JP2008101341A 2008-04-09 2008-04-09 微細構造転写装置 Expired - Fee Related JP5193662B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008101341A JP5193662B2 (ja) 2008-04-09 2008-04-09 微細構造転写装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008101341A JP5193662B2 (ja) 2008-04-09 2008-04-09 微細構造転写装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009248503A true JP2009248503A (ja) 2009-10-29
JP5193662B2 JP5193662B2 (ja) 2013-05-08

Family

ID=41309627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008101341A Expired - Fee Related JP5193662B2 (ja) 2008-04-09 2008-04-09 微細構造転写装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5193662B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014204068A (ja) * 2013-04-09 2014-10-27 パナソニック株式会社 微細構造体、その製造方法、及び微細構造金型

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0573968A (ja) * 1991-09-17 1993-03-26 Ricoh Co Ltd 光デイスク基板成形方法及び成形装置
JP2004299153A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Hitachi Ltd スタンパ及び転写装置
JP2006332391A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 裏面加圧によるインプリント方法及び装置
WO2007049530A1 (ja) * 2005-10-24 2007-05-03 Scivax Corporation 型保持具、加工対象物保持具、微細加工装置および型取付方法
JP2008012844A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Hitachi High-Technologies Corp 微細構造転写装置および微細構造転写方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0573968A (ja) * 1991-09-17 1993-03-26 Ricoh Co Ltd 光デイスク基板成形方法及び成形装置
JP2004299153A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Hitachi Ltd スタンパ及び転写装置
JP2006332391A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 裏面加圧によるインプリント方法及び装置
WO2007049530A1 (ja) * 2005-10-24 2007-05-03 Scivax Corporation 型保持具、加工対象物保持具、微細加工装置および型取付方法
JP2008012844A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Hitachi High-Technologies Corp 微細構造転写装置および微細構造転写方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014204068A (ja) * 2013-04-09 2014-10-27 パナソニック株式会社 微細構造体、その製造方法、及び微細構造金型

Also Published As

Publication number Publication date
JP5193662B2 (ja) 2013-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4712370B2 (ja) インプリント・リソグラフィのための複合スタンパ
JP4467611B2 (ja) 光インプリント方法
JP4886400B2 (ja) インプリント装置およびインプリント方法
JP5039145B2 (ja) シートを基板に適用するための方法及び装置
JP2008012859A (ja) インプリント装置およびインプリント方法
JP2007019479A (ja) インプリント装置、インプリント方法及びチップの製造方法
JPWO2008126312A1 (ja) 熱式インプリント装置および熱式インプリント方法
JP5033615B2 (ja) インプリント用基板
CN110361929B (zh) 成型设备和制造物品的方法
JP2009006619A (ja) ナノインプリント用モールドおよび記録媒体
JP2010258182A (ja) 微細構造転写方法及び微細構造転写装置
JP2013211450A (ja) 基板の製造方法、および、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法
JP5383110B2 (ja) インプリント装置
JP2016213215A (ja) テンプレート基板、テンプレート基板作製方法、パターン形成方法
JP2009226762A (ja) インプリントモールド、インプリントモールド製造方法、微細構造体
JP5193662B2 (ja) 微細構造転写装置
KR102059758B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
JP5200726B2 (ja) インプリント方法、プレインプリントモールド、プレインプリントモールド製造方法、インプリント装置
US20190278167A1 (en) Manufacturing method of replica template, manufacturing method of semiconductor device, and master template
KR20200112998A (ko) 양면 처리를 위한 패터닝된 진공 척
JP2010267357A (ja) パターンドメディアの製造方法及び製造装置
JP2016009750A (ja) インプリントモールド用基材及びインプリントモールド
TW201817569A (zh) 壓印裝置、壓印方法及物品製造方法
JP6055732B2 (ja) マスクブランク用基板、マスクブランク、およびそれらの製造方法、並びにインプリントモールドの製造方法
US20160056036A1 (en) Template, template forming method, and semiconductor device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100818

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120713

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120724

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120920

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130108

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130204

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160208

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees