JP2009246140A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
また、正孔注入層、電子注入層、電子ブロック層、正孔ブロック層などが積層された多層構造や三重項発光材料を用いた燐光有機EL素子などが提示されている(非特許文献1及び2参照)。
(1)陽極と陰極の間に1層または複数層で形成される有機薄膜を有する発光素子であって、前記有機薄膜の少なくとも一層が下記式(1)に示す化合物を含有する、発光素子。
(2)上記式(1)においてX1及びX2が硫黄原子である、(1)に記載の発光素子。
(3)陽極と陰極の間にある前記有機薄膜が複数層で形成される、(1)又は(2)に記載の発光素子。
(4)前記有機薄膜を形成する複数層が積層構造を有する、(1)から(3)のいずれか一つに記載の発光素子。
(5)前記有機薄膜を形成する複数層の少なくとも一層が正孔輸送層である、(1)から(4)のいずれか一つに記載の発光素子。
(6)上記式(1)に示す化合物を正孔輸送材料として正孔輸送層に含有する、(1)から(5)のいずれか一つに記載の発光素子。
(7)下記式(2)で示される化合物。
本発明の発光素子は陽極と陰極との電極間に、1層または複数層の有機薄膜が形成された、電気エネルギーにより発光する素子であり、一般に有機ELデバイス等とも呼ばれる。
本発明における有機薄膜を形成する層の構成としては、以下の構成例1)から9)が挙げられ、いずれの構成であってもよい。
1)正孔輸送層/電子輸送性発光層。
2)正孔輸送層/発光層/電子輸送層。
3)正孔輸送性発光層/電子輸送層。
4)正孔輸送層/発光層/正孔阻止層。
5)正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層。
6)正孔輸送性発光層/正孔阻止層/電子輸送層。
7)前記1)から6)の組み合わせのそれぞれにおいて、正孔輸送層もしくは正孔輸送性発光層の前に正孔注入層を更にもう一層付与した構成。
8)前記1)から7)の組み合わせのそれぞれにおいて、電子輸送層もしくは電子輸送性発光層の前に電子注入層を更にもう一層付与した構成。
9)前記1)から8)の組み合わせにおいて使用する材料をそれぞれ混合し、この混合した材料を含有する一層のみを有する構成。
一般的に多層構造とすることで、効率良く電荷、すなわち正孔及び/又は電子を輸送し、これらの電荷を再結合させることができる。また電荷のクエンチングなどが抑えられることにより、素子の安定性の低下を防ぎ、発光の効率を向上させることができる。
本発明における上記式(2)においてA1〜A4は水素原子又は置換基を有してもよい芳香族残基を表す。尚、A1とA2、及び(又は)A3とA4は、互いに結合してそれぞれ独立に窒素原子と共に環を形成してもよい。
上記式(1)及び(2)のA1とA3、及びA2とA4はそれぞれ同一とすることができ、A1、A2、A3及びA4の全てを同一とすることもできる。
アルコキシアルキル基としては、炭素数1から10のアルコキシ基や炭素数1から10のアルキル基が挙げられる。
アルコキシカルボニル基としては、炭素数1から10のアルコキシカルボニル基が挙げられる。
N−(4−ブロモフェニル)カルバゾール(化合物No.100)の合成
窒素雰囲気下100mL三口フラスコにカルバゾール(3.0g、18mmol)、p−ジブロモベンゼン(10g、43mmol)、無水o−キシレン(50mL)を入れ20分間脱気を行った。ジフェニルフォスフィノフェロセン(800mg、8mol%)、ナトリウム−t−ブトキシド(1.9g、20mmol)、Pd2(dba)3・CHCl3(744mg、4mol%)を加え遮光を行い60時間還流した。反応終了後室温まで冷却し反応溶液をハイフロスーパーセルを用いて濾過を行い減圧下で溶媒を留去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル、バッチ、ヘキサン、Rf=0.2)で精製することにより白色固体(化合物No.100)を得た。(3.6g、62%)
N−(4−ジヒドロキシボロ)カルバゾール(化合物No.101)の合成
窒素雰囲気下100mL三口フラスコにマグネシウム(603mg、25mmol)を加え、合成例1で得た化合物No.100(4.0g、12mmol)を含むTHF(25mL)溶液の一部を滴下した。微量のヨウ素を加えヒートガンを用いて溶液を熱した後、残りの化合物No.100のTHF溶液を滴下し2時間還流した。還流終了後−70℃まで冷却しトリメチルホウ酸(2.1mL、18mmol)をゆっくり加え、室温まで昇温し、14時間攪拌した。6N塩酸(30mL)を加えた後、酢酸エチル(30mL×3)で抽出し、水(50mL×3)で洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で溶媒を留去した。粗生成物を熱トルエンで洗浄することにより白色固体(化合物No.101)を得た(2.4g、68%)。
窒素雰囲気下20mL二口フラスコに2,7−ジヨウド[1]ベンゾチエノフェノ[3.2−b]ベンゾチエノフェン(857mg、1.7mmol)、化合物No.101(1.5g、5.2mmol)、DMF(39mL)、リン酸三カリウム・n水和物(5.9g、28mmol)を加え20分間脱気を行った。Pd(PPh3)4(200mg、10mol%)を加え遮光を行い44時間還流した。反応終了後溶液を水(200mL)に注ぎ析出した固体を濾取し水(50mL)、アセトン(100mL)で洗浄し減圧乾燥を行った。粗生成物をクロロホルムでソックスレー抽出を行うことにより黄色固体(化合物No.52)を得た(1.2g、94%)。更に、昇華精製を実施して黄色の結晶を得た。(0.4g、32%)
以下、合成例3と同様に合成した化合物No.5及び40の特性を表2に示す。
ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板(東京三容真空(株)製、14Ω/□以下)を25×25mmに切断、エッチングを行った。得られた基板を中性洗剤で10分間超音波洗浄、イオン交換水で5分×2回超音波洗浄、アセトンで5分×2回超音波洗浄、続いてイソプロピルアルコールで5分間×2回超音波洗浄し、この基板を素子作製の直前に10分間UV−オゾン洗浄し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が3.0×10−3Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱蒸着法によって、まず正孔輸送材料として合成例4のNo.5の化合物を50nmの厚さに蒸着し、正孔輸送層を形成した。次に発光層兼電子輸送層としてトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(ALQ3)を50nmの厚さに蒸着した。さらにフッ化リチウムを0.8nmの厚さに、アルミニウムを100nmの厚さに蒸着して陰極を形成し、2×2mm角の発光素子を作製した。この発光素子の構成は図1に示される。
本発光素子は、最大輝度26631cd/m2(8.5V)、発光輝度が100cd/m以上になる閾値電圧4.0V、最大電流効率1.759cd/A(6.0V)を示した。
実施例1と同様に処理した基板にPEDOT:PSS 20nmをスピンコートし、正孔注入層を設けた基板を真空蒸着装置に設置して同様に発光素子を作製した。この発光素子の構成は図2に示される。本発光素子は、最大輝度14000cd/m2(9.5V)、発光輝度が100cd/m以上になる閾値電圧4.5V、最大電流効率2.814cd/A(5.5V)を示した。
合成例4の化合物No.5の代わりに化合物No.52を用いた以外は実施例1と同様に発光素子を作製した。この発光素子は、最大輝度13036cd/m2(8.0V)、閾値電圧6.0V、最大電流効率0.224cd/A(7.0V)を示した。
合成例4の化合物No.5の代わりに化合物No.52を用いた以外は実施例2と同様に発光素子を作製した。この発光素子は、最大輝度11985cd/m2(8.5V)、閾値電圧4.5V、最大電流効率2.030cd/A(6.5V)を示した。
ガラス基板上にITO透明導電膜を110nm堆積させた基板(20Ω/□以下)を洗浄し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が3.0×10−4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱蒸着法によって、まず正孔輸送材料として合成例4のNo.5の化合物を50nmの厚さに蒸着し、正孔輸送層を形成した。次に発光層兼電子輸送層としてトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(ALQ3)を50nmの厚さに蒸着した。さらにマグネシウム:銀=9:1の合金を100nmの厚さに、そして銀を10nmの厚さに蒸着して陰極を形成して、発光素子を作製した。この発光素子の構成は図1に示された実施例1の発光素子のものと同様である。
本発光素子は100mA/cm2の電流密度のときに駆動電圧が6.3Vであった。
実施例5のNo.5の化合物の代わりに正孔輸送材料として一般的なN,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−4,4’−ジフェニル−1,1’−ジアミン(α−NPD)を用いて発光素子を作製した。この発光素子の構成は図1に示された実施例1の発光素子のものと同様である。
この発光素子は100mA/cm2の電流密度のときに駆動電圧が7.4Vであり、実施例5の方が低電圧駆動であることがわかった。
ガラス基板上にITO透明導電膜を110nm堆積させた基板(20Ω/□以下)を洗浄し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が3.0×10−4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱蒸着法によって、まず正孔輸送材料としてN,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−4,4’−ジフェニル−1,1’−ジアミン(α−NPD)を50nmの厚さに蒸着し、正孔輸送層を形成した。次に、発光層のホスト材料として合成例4の化合物No.5と、ゲスト材料として2%のIr(btp)2acacを30nmになるように共蒸着し、さらに電子輸送層としてBAlq2を30nmの厚さに蒸着した。さらにマグネシウム:銀=9:1の合金を100nmの厚さに、そして銀10nmの厚さに蒸着して陰極を形成して、発光素子を作製した。
この発光素子は100mA/cm2の電流密度のときに駆動電圧が8.4Vであり、外部量子効率は2.72を示し、赤色の燐光素子として有用であることがわかった。
α−NPD、Ir(bpt)2acac及びBAlq2の化学式を以下に示す。
Claims (7)
- 上記式(1)においてX1及びX2が硫黄原子である、請求項1に記載の発光素子。
- 陽極と陰極の間にある前記有機薄膜が複数層で形成される、請求項1又は2に記載の発光素子。
- 前記有機薄膜を形成する複数層が積層構造を有する、請求項1から3のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記有機薄膜を形成する複数層の少なくとも一層が正孔輸送層である、請求項1から4のいずれか一項に記載の発光素子。
- 上記式(1)に示す化合物を正孔輸送材料として正孔輸送層に含有する、請求項1から5のいずれか一項に記載の発光素子。
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