CN109851623A - 一种有机电致发光材料及其应用 - Google Patents

Abstract

本发明涉及有机电致发光器件技术领域，公开了一种有机电致发光材料及其应用。本发明所提供的有机电致发光材料，具有合适的空穴传输速率和电子传输速率，以该种有机电致发光材料制备OLED器件，有利于OLED器件中载流子的平衡性。此外，本发明所提供的有机电致发光材料还具有较高的S1至S0电子跃迁阵子强度，可达到大于或等于0.1、甚至可高于2.0，使得该种有机电致发光材料具有较高的光辐射跃迁速率，有利于提高器件的发光效率。

Description

一种有机电致发光材料及其应用

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件技术领域，特别涉及一种有机电致发光材料及其应用。

背景技术

有机电致发光材料分为荧光电致发光材料和磷光电致发光材料。其中，磷光电致发光材料可以通过重金属效应利用到全部激子的能量，因而具有更大的优越性。

2009年，热激活延迟荧光材料，即TADF(Thermally activated delayedfluorescence)材料，被提出并应用于有机电致发光器件技术领域。该类荧光材料在热激发下能利用三线态激子的反向间隙窜越，获得100％单线态激子，既避免了使用昂贵的重金属配合物，且器件效率可与磷光器件相媲美。自此，荧光材料又重新引起研究者的关注。

但是，现有的热激活延迟荧光材料及以其制备的器件还存在很多不足，如材料的种类比较有限、器件的稳定性有待于提高。

相关现有技术中，为了设计热激活延迟荧光化合物、并实现较低的ΔE_ST，就需要通过将分子中的HOMO和LUMO轨道进行严格的完全分离，实现这种分离的技术就是在分子中的推电子单元和吸电子单元中间采用阻隔单元设计。这样的传统分子设计虽然获得了理想的ΔE_ST值，但完全的HOMO与LUMO轨道分离和阻隔单元的嵌入，造成了分子中的HOMO与LUMO中电子交换积分趋近于0，即分子中的辐射跃迁速率常数Kr@S1->S变小，不利于分子的发光效率提升。此外中间阻隔单元造成分子结构比较柔性，从而降低了分子的光辐射跃迁常数和跃迁时的阵子强度(Kr正比于阵子强度f)。

因此，提供一种不但具有较低的ΔEST，并且保持较佳的发光效率、以及较高的分子光辐射跃迁阵子强度的有机电致发光材料十分必要。

发明内容

本发明的目的在于提供一种有机电致发光材料及其应用，该种有机电致发光材料的具有较高的S1至S0电子跃迁阵子强度以及较高的光辐射跃迁速率，有利于发光效率的提高。

为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种有机电致发光材料，其具有式(Ⅰ)或式(II)所示的结构：

其中，

X₁、X₂同为O或X₁、X₂同为S；

R₁、R₂各自独立地为氢原子、氘原子、卤素、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基；

D具有式(III-1)或式(III-2)所示的结构：

式(III-1)或式(III-2)中，

R₃、R₄、R₅各自独立地选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的稠环芳基。

可选地，R₁-R₅中，所述烷基为C1-C8烷基、所述芳基为C6-C30芳基、所述杂芳基为C5-C30杂芳基、所述稠环芳基为C6-C30稠环芳基。

可选地，R₁、R₂中，所述取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的稠环芳基中的取代基各自独立地选自如下：

其中，R₁’和R₂’各自独立地为取代或未取代的C1-C8烷基、取代或为取代的C6-C30芳基。

可选地，R₃、R₄、R₅各自独立地选自：苯基、萘基、蒽基、联苯基、甲苯基、三甲苯基或甲基取代的联苯基。

可选地，本发明的实施方式所提供的有机电致发光材料，具有选自如下之一的结构：

本发明的实施方式还提供上述有机电致发光材料在OLED、OFT、OPV、 QLED器件中的应用。

可选地，所述有机电致发光材料为OLED器件中的发光层材料。其中，所述的有机电致发光材料为发光层的主体材料或客体材料。

本发明的有机电致发光材料采用了呋喃基苯并呋喃官能团(或噻吩基苯并噻吩)与苯胺类衍生官能团的垂直分子设计，获得以下构效关系：1)HOMO垂直于LUMO。本发明的实施方式所提供的有机电致发光材料的结构中，作为推电子单元的苯胺类衍生官能团形成分子的HOMO，作为吸电子单元的呋喃基苯并呋喃官能团(或噻吩基苯并噻吩官能团)形成分子的LUMO，二者是空间位置上垂直的分子构型，使得分子中HOMO垂直于LUMO，造成HOMO与LUMO分离，获得非常低的ΔE_ST值，即获得热激活延迟荧光效果；2)HOMO与LUMO 空间位置上部分重叠。本发明的实施方式所提供的有机电致发光材料的分子设计的第二独特特征在于，HOMO垂直于LUMO(即二者轨道分离)的同时，又实现HOMO与LUMO轨道部分重叠，使得分子在S1->S0的跃迁过程中，具有较大的辐射速率常数；3)刚性的分子设计。传统的TADF材料中，需要使用中间阻隔单元，造成分子结构比较柔性，从而降低了分子的光辐射跃迁常数和跃迁时的阵子强度(Kr正比于阵子强度f)。本发明的实施方式所提供的有机电致发光材料中D与式(Ⅰ)或式(II)单元都是刚性的结构，不采用任何中间阻隔单元，分子结构具有非常高的刚性，因此，具有非常高的S1->S0电子跃迁阵子强度，f@S1->S0≥0.1，甚至大于2.0。

综上所述，相对于现有技术而言，本发明所提供的有机电致发光材料，具有合适的空穴传输速率和电子传输速率，以本发明所提供的有机电致发光材料制备OLED器件，有利于OLED器件中载流子的平衡性。此外，本发明的实施方式所提供的有机电致发光材料还具有较高的S1->S0电子跃迁阵子强度 f@S1->S0大于或等于0.1(甚至有可能高于2.0)，使得该种有机电致发光材料具有较高的光辐射跃迁速率，有利于提高器件的发光效率。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本发明而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本发明各权利要求所要求保护的技术方案。

化合物

本发明的具体实施方式提供了一种有机电致发光材料，其具有式(Ⅰ)或式(II)所示的结构：

其中，

X₁、X₂同为O或X₁、X₂同为S；

R₁、R₂各自独立地为氢原子、氘原子、卤素、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基；

D具有式(III-1)或式(III-2)所示的结构：

式(III-1)或式(III-2)中，

R₃、R₄、R₅各自独立地选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的稠环芳基。

在本发明的一些具体实施方式中，R₁、R₂中，所述烷基为C1-C8烷基、所述芳基为C6-C30芳基、所述杂芳基为C5-C30杂芳基、所述稠环芳基为C6-C30 稠环芳基。

在本发明的一些具体实施方式中，R₁-R₅中，所述取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的稠环芳基中的取代基各自独立地选自如下：

其中，R₁’和R₂’各自独立地为取代或未取代的C1-C8烷基、取代或为取代的C6-C30芳基。

在本发明的一些具体实施方式中，R₃、R₄、R₅各自独立地选自：苯基、萘基、蒽基、联苯基、甲苯基、三甲苯基或甲基取代的联苯基。

在本发明的一些具体实施方式中所提供的有机电致发光材料，具有选自如下之一的结构：

通用合成路线

以下部分公开了本发明所提供化合物的制备方法。但是本公开内容不意图限于本文中所叙述的方法的任一种。所属领域的技术人员可容易地修改所叙述的方法或者利用不同的方法来制备所提供的化合物的一种或多种。下列方面仅是示例性的，且不意图限制本公开内容的范围。温度、催化剂、浓度、反应物组成、以及其它工艺条件可改变，并且对于期望的配合物，本公开内容所属领域的技术人员可以容易地选择合适的反应物和条件。

在Varian Liquid State NMR仪器上于CDCl₃或DMS0-d₆溶液中以400MHz 记录¹H图谱，以100MHz记录¹³C NMR图谱，化学位移参照残留的氘代 (protiated)溶剂。如果CDCl₃用作溶剂，则采用四甲基硅烷(δ＝0.00ppm)作为内标记录¹H NMR图谱；采用DMSO-d₆(δ＝77.00ppm)作为内标记录¹³C NMR 图谱。如果H₂O(δ＝3.33ppm)用作溶剂，则采用残留的H₂O(δ＝3.33ppm)作为内标记录¹H NMR图谱；采用DMSO-d₆(δ＝39.52ppm)作为内标记录¹³C NMR图谱。使用下列缩写(或其组合)来解释¹H NMR的多重性：s＝单重，d＝双重， t＝三重，q＝四重，P＝五重，m＝多重，br＝宽。

本发明化合物的通用合成路线如下：

其中，

X₁、X₂同为O或X₁、X₂同为S；

R₁、R₂各自独立地为氢原子、氘原子、卤素、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的稠环芳基；

R₃、R₄、R₅各自独立地选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的稠环芳基；

Pd₂(dba)₃为三(二亚苄基丙酮)二钯；

HP^tBu₃BF₄为一种磷。

合成示例：

(1)化合物L1

在氩气惰性气体的保护下，在烧瓶中加入A-1和B-1，然后通过干燥的甲苯溶液充分回流反应30～60分钟，然后慢慢加入Pd₂(dba)₃/HP^tBu₃BF₄作为催化剂，再充分反应30～60分钟，最后，在Ar气的保护下缓缓加入NaO^tBu溶液，加热至100～120℃并搅拌反应24小时。反应后抽滤，甲苯洗，乙醇洗，然后使用过柱子提纯，有机溶剂为CH₂Cl₂/正己烷，提纯后得到纯度99％以上的粉末L1产品，产率32％。

为进一步提高L1的纯度，采用真空升华仪进行一次或多次升华，可以得到纯度大于99.5％的L1产品。

采用CDCl₃用作溶剂，四甲基硅烷(δ＝0.00ppm)作为内标纪录¹H NMR图谱。

¹H NMR(400MHZ,DMSO-d6)： 6.46-6.52ppm(12H,q),6.62ppm(4H,t),7.01ppm(8H,t),7.23ppm(4H,d),7.55ppm(2H,d), 7.84ppm(2H,d),8.08ppm(2H,s)。

(2)化合物L7

在氩气惰性气体的保护下，在烧瓶中加入A-7和B-7，然后通过干燥的甲苯溶液充分回流反应30～60分钟，然后慢慢加入Pd₂(dba)₃/HP^tBu₃BF₄作为催化剂，充分反应30～60分钟，最后，在Ar气的保护下缓缓加入NaO^tBu溶液后加热至 100～120℃并搅拌反应24小时。反应后抽滤，甲苯洗，乙醇洗，然后使用过柱子提纯，有机溶剂为CH₂Cl₂/正己烷，提纯后得到纯度99％以上的粉末。为进一步提高L7的纯度，采用真空升华仪进行一次或多次升华，可以得到纯度大于 99.5％的L7产品，产率22％。

采用CDCl₃用作溶剂，四甲基硅烷(δ＝0.00ppm)作为内标纪录¹H NMR图谱。

¹H NMR(400MHZ,DMSO-d6)：2.35ppm(12H,s),6.34ppm(8H,d),6.53ppm(2H,d),6.81ppm(8H,d),7.06ppm(2H,s),7.53 ppm(2H,d)。

(3)化合物L9

在氩气惰性气体的保护下，在烧瓶中加入A-9和B-9，然后通过干燥的甲苯溶液充分回流反应30～60分钟，然后慢慢加入Pd₂(dba)₃/HP^tBu₃BF₄作为催化剂，充分反应30～60分钟，最后，在Ar气的保护下缓缓加入NaO^tBu溶液后，加热至100～120℃并搅拌反应24小时。反应后抽滤，甲苯洗，乙醇洗，然后使用过柱子提纯，有机溶剂为CH₂Cl₂/正己烷，提纯后得到纯度99％以上的粉末。为进一步提高L9的纯度，采用真空升华仪进行一次或多次升华，可以得到纯度大于 99.5％的L3产品，产率24％。

为进一步提高L3的纯度，采用真空升华仪进行一次或多次升华，可以得到纯度大于99.5％的L3产品。

采用CDCl₃用作溶剂，四甲基硅烷(δ＝0.00ppm)作为内标纪录¹H NMR图谱。

¹H NMR(400MHZ,DMSO-d6)： 2.35ppm(12H,s),6.53-6.56ppm(6H,t),6.72ppm(4H,d),6.87ppm(4H,d),7.06ppm(2H,s), 7.22ppm(4H,t),7.32ppm(8H,t),7.48-7.53ppm(10H,q)。

(4)化合物L2

在氩气惰性气体的保护下，在烧瓶中加入A-2和B-2，然后通过干燥的甲苯溶液充分回流反应30～60分钟，慢慢加入Pd₂(dba)₃/HP^tBu₃BF₄作为催化剂，充分反应30～60分钟，最后，在Ar气的保护下缓缓加入NaO^tBu溶液，加热至 100～120℃并搅拌反应24小时。反应后抽滤，甲苯洗，乙醇洗，然后使用过柱子提纯，有机溶剂为CH₂Cl₂/正己烷，提纯后得到纯度99％以上的粉末。

为进一步提高L2的纯度，采用真空升华仪进行一次或多次升华，可以得到纯度大于99.5％的L2产品，产率25％。

采用CDCl₃用作溶剂，四甲基硅烷(δ＝0.00ppm)作为内标纪录¹H NMR图谱。

¹H NMR(400MHZ,DMSO-d6)： 6.46-6.52ppm(12H,q),6.62ppm(4H,t),7.01ppm(8H,t),7.23ppm(4H,d),7.35ppm(2H,d), 7.55ppm(2H,d),7.64ppm(2H,s)。

(5)L11化合物

在氩气惰性气体的保护下，在烧瓶中加入A-11和B-11，然后通过干燥的甲苯溶液充分回流反应30～60分钟，慢慢加入Pd₂(dba)₃/HP^tBu₃BF₄作为催化剂再充分反应30～60分钟，最后，在Ar气的保护下缓缓加入NaO^tBu溶液后加热至 100～120℃并搅拌反应24小时。反应后抽滤，甲苯洗，乙醇洗，然后使用过柱子提纯，有机溶剂为CH₂Cl₂/正己烷，提纯后得到纯度99％以上的粉末。

为进一步提高L11的纯度，采用真空升华仪进行一次或多次升华，可以得到纯度大于99.5％的L11产品，产率23％。

采用CDCL3用作溶剂，四甲基硅烷(δ＝0.00ppm)作为内标纪录¹H NMR 图谱。

¹H NMR(400MHZ,DMSO-d6)：

2.25ppm(6H,s),6.53-6.56ppm(3H,t),6.72ppm(2H,d),6.87ppm(2H,d),7.06ppm(1 H,s),7.22ppm(3H,t),7.32ppm(6H,t),7.48-7.55ppm(8H,p),7.84ppm(1H,d),8.08ppm(1H ,s)。

需要说明的是，本发明的L1-L11的合成路线，除上述L1、L2、L7、L9和L10 化合物外，其他化合物的合成路线与上述L1、L2、L7、L9化合物的合成示例遵循同样的设计思路。此外，本领域技术人员可以合理预期，本申请请求保护范围内的其他取代情况的化合物也可按照类似的方法合成、并且具有相似的光物理性质和发光性能。

光物理信息：

在研究荧光小分子化合物的电子结构时，电子间的相互影响非常重要，密度泛函理论(DFT)已被广泛用于研究π共轭体系，且采用DFT方法研究本发明所提供化合物的光电性能的结果要比其他的方法更为准确。对化合物分子的基态、阳离子态和阴粒子态下的几何结构的优化，采用DFT//B3LYP/6-31G(d) 的方法，对化合物的激发态的几何结构采用DFT//B3LYP/6-31G(d)的方法获得。在基态和激发态几何结构的基础上，采用含时密度泛函理论(TDDFT)方法计算了这些化合物的吸收和发射光谱。通过上述的计算方法，可以获得所研究化合物的各种性质，包括电离能IP、电子亲和势EA、重组能λ、最高占据轨道HOMO、最低占据轨道LUMO和能隙Eg。

对有机发光器件来说，空穴和电子能有效平衡地注入和传输是非常重要的。分子的电离能和电子亲和势分别是用来评估空穴和电子的注入能力的。下表2列出了计算得到的部分化合物的垂直电离能IP(v)和绝热电离能IP(A)、垂直电子亲和势EA(v)和绝热电子亲和势EA(A)、空穴抽取能HEP及电子抽取能 EEP。垂直电离能IP(v)是指在中性分子几何构型下阳离子和分子的能量差；绝热电离能IP(A)是指在中性和阳离子几何构型下的能量差；垂直电子亲和势EA(v) 是指在中性和阴离子几何构型下的能量差；绝热电子亲和势EA(A)是指在中性和阴离子几何构型下的能量差；空穴抽取能HEP是指阳离子几何构型下分子和阳离子的能量差；电子抽取能EEP是指在阴离子几何构型下分子和阴离子的能量差。一般来说，对于小分子有机材料，电离能越小，空穴的注入就越容易；而电子亲和势越大，电子的注入就越容易。

从微观角度看，有机薄膜中电荷的传输机理可以描述为自传输的过程。其中，一个电子或空穴从一个带电子分子转移到相邻的中性分子上。根据Marcus 理论，电荷的迁移率可以表示为：

其中，T代表温度；V代表指前因子，是两种粒子之间的耦合矩阵元；λ是重组能；Kb是波尔兹曼常数。显然，λ和V是决定K_et值的重要因素。一般地，在非晶态下电荷的转移范围是有限的，V值的变化很小。所以，迁移率的大小主要由指数上的λ来决定。λ越小，传输速率越快。为了研究方便，忽略外部环境的影响，主要讨论的是内重组能。

根据计算推导，内重组能最终可以表示为：

λ_hole＝IP(V)-HEP

λ_electron＝EEP-EA(v)

一般有机材料中，由于自旋度不同而造成S₁激发态和T₁激发态能量不同，且E_S1能量要比E_T1能量大0.5～1.0ev，造成纯有机荧光材料发光效率低下。热延迟荧光TADF材料，由于独特分子设计，将HOMO-LUMO轨道进行分离，降低二者电子交换能，理论上可以实现ΔE_ST∽0。为了有效评估本发明中材料的热延迟荧光效果，进行ΔE_ST评估，利用TDDFT方法，得到了本发明所提供化合物的最低单重态激发能Es和最低三重态激发能ET的差值ΔE_ST，见表1。

f@S1-S0，定义为激子在S1->S0的跃迁阵子强度，其意义为：f@S1-S0越大，意味着激子在S1->S0的跃迁辐射速率Kr越大；反之，f@S1-S0越小，意味着激子在S1->S0的跃迁辐射速率Kr越小。如果激子在S1->S0的跃迁辐射速率Kr越大，则降低了激子在S1->S0的跃迁非辐射速率Knr，有利提高材料的发光效率，激子要么用于光辐射，要么被非辐射湮灭(例如，热失活)。见表1，本实施方式也评估f@S1-S0常数。

以如上方法计算本发明所提供的化合物L1-L10HOMO能级、LUMO能级，HOMO和LUMO的电子云分布、f@S1-S0常数、ΔE_ST和T1能级、以及Kr，，下表1以化合物L1-L3为例给出了具体的光物理信息数据：

表1光物理信息数据

根据上述计算结果，本发明所提供的有机电致发光材料中，由于咔唑基衍生官能团具有极高的T1能级，且噻吩(呋喃)基苯并噻吩(呋喃)官能团和咔唑基衍生官能团之间的C-N键形成一定的空间角度，从而使得本发明所提供的有机电致发光材料具有合适的T1能级。

本发明的实施方式所提供的有机电致发光材料，其第二方面的优点在于，所有化合物具有非常高的f@S1-S0常数，例如，L1中f@S1-S0＝2.3501，L2分子中f@S1-S0＝2.6198，L3中f@S1-S0＝2.4811。根据本领域技术常识可以合理预期，本发明所提供的有机电致发光材料具有非常好的发光效率。

本发明的实施方式所提供的有机电致发光材料，再一方面的优点在于，以非常简单的分子设计使所提供的化合物达到较高的空穴传输性能或电子传输性能的特性。下表2以化合物L1-L3为例给出了详细的IPV,IPA,EAV,EAA,HEP, EEP,λh,λe计算表。

表2.IPV,IPA,EAV,EAA,HEP,EEP,λh,λe计算表

从计算的空穴重组能和电子重组能来判断，对于L1分子：[电子重组能λe- 空穴重组能λh]＝0.28eV，因此，L1分子是一个非常理想的偏空穴传输性能的有机材料。

对于L2分子：[电子重组能λe-空穴重组能λh]＝0.26eV，因此，L2分子是一个非常理想的偏空穴传输性能的有机材料。

对于L3分子：[电子重组能λe-空穴重组能λh]＝0.07eV，因此，L3分子是一个空穴传输能力稍微强于电子传输能力的有机材料。这样的有机电致发光材料的好处在于：重组能部分，空穴与电子重组能差值越小，即代表该材料对于电子和空穴传输率越接近。如果一个器件中，载流子传输率接近，即载流子都用于发光而没有过剩，则明显降低了由于载流子过剩引起的TPA(三线态-极化子湮灭)，EPA(激子-极化子湮灭)等激子猝灭而导致的器件寿命降低的现象。因此，L3的材料结构有利于平衡OLED器件的空穴/电子载流子的传输平衡，从而提高OLED发光效率和寿命。

器件

本发明的具体实施方式还提供上述实施例中的有机电致发光材料在器件中的应用。

在本发明的一些具体实施方式中，所述器件可以为OLED、OFT、OPV、QLED器件。

本发明的具体实施方式还提供一种有机发光二极管器件，该有机发光二极管器件包含上述实施例中的有机电致发光材料。

在本发明所提供的一些具体实施例中，本发明的实施方式所提供的有机电致发光材料为所述有机发光二极管器件中的发光层材料。其中，所述的有机电致发光材料为发光层中的主体材料或客体材料。

在本发明的一些具体实施例中，所提供的有机发光二极管器件包含：第一电极、在第一电极上形成的空穴传输层、在空穴传输层上形成的发光层、在发光层上形成的电子传输层，以及覆盖在电子传输层上的第二电极，且发光层中的主体材料或客体材料为本发明中的有机电致发光材料。

作为客体材料的器件示例：

以下提供ITO/HIL/HTL/EML/ETL/EIL/阴极的多层有机发光二极管器件示例。该示例不应看作是对本发明的限定，为了方便技术人员理解本发明的技术优势和器件原理，以最简单的器件结构来说明。

器件结构：

ITO/HIL(10nm)/HTL(30nm)/DPEPO:L3,6wt％,20nm/ETL(30nm)/EIL(1nm)/Al ETL材料采用TmPyPb,HTL采用TAPC，HIL采用HATCN，由于HTL/ETL 的三线态能级均高于EML层材料的三线态能级，因此，空穴传输层和电子传输层可以将发光层的激子限制在发光层内。下表3以主体材料分别为本发明所提供的L1化合物的器件性能数据。

表3.器件性能

由表3可知，以本申请所提供的有机电致发光材料为主体发光层主体材料制备的OLED器件，其电流效率可以达到8.76cd/A，高于目前基于DPEPO作为主体的深蓝光荧光OLED器件的性能，主要原因要归结为：1)L1是偏空穴传输客体材料、主体材料DPEPO是电子传输型主体，以本发明的材料所制备的器件发光层内载流子传输平衡；2)客体材料具有非常高的光辐射跃迁速率常数(Kr 估算大致处于9.1*108/S)，提高器件的发光性能。当空穴与电子在客体材料上复合形成激子时，由于L1材料的光辐射跃迁速率常数要远远大于其Knr速率常数，因而，具有更为理想的OLED器件性能。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。

Claims (8)

1.一种有机电致发光材料，其特征在于，具有式(Ⅰ)或式(II)所示的结构：

其中，

X₁、X₂同为O或X₁、X₂同为S；

R₁、R₂各自独立地选自氢原子、氘原子、卤素、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基；

D具有式(III-1)或式(III-2)所示的结构：

式(III-1)或式(III-2)中，

R₃、R₄、R₅各自独立地选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的稠环芳基。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光材料，其特征在于，R₁-R₅中，所述烷基为C1-C8烷基、所述芳基为C6-C30芳基、所述杂芳基为C5-C30杂芳基、所述稠环芳基为C6-C30稠环芳基。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光材料，其特征在于，R₁、R₂中，所述取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的稠环芳基中的取代基各自独立地选自如下：

其中，R₁’和R₂’各自独立地为取代或未取代的C1-C8烷基、取代或未取代的C6-C30芳基。

4.根据权利要求3所述的有机电致发光材料，其特征在于，R₃、R₄、R₅各自独立地选自：苯基、萘基、蒽基、联苯基、甲苯基、三甲苯基或甲基取代的联苯基。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光材料，其特征在于，具有选自如下之一的结构：

6.权利要求1至5中任一项所述的有机电致发光材料在OLED、OFT、OPV、QLED器件中的应用。

7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于，所述有机电致发光材料为所述OLED器件中的发光层材料。

8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述有机电致发光材料为所述OLED器件中发光层的主体材料或客体材料。