JP2009239254A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009239254A5 JP2009239254A5 JP2008330621A JP2008330621A JP2009239254A5 JP 2009239254 A5 JP2009239254 A5 JP 2009239254A5 JP 2008330621 A JP2008330621 A JP 2008330621A JP 2008330621 A JP2008330621 A JP 2008330621A JP 2009239254 A5 JP2009239254 A5 JP 2009239254A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- illumination
- light emitting
- emitting region
- interval
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 claims 1
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008330621A JP4635085B2 (ja) | 2008-03-03 | 2008-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
| US12/390,157 US8293456B2 (en) | 2008-03-03 | 2009-02-20 | Semiconductor device manufacturing method |
| US13/606,834 US8679731B2 (en) | 2008-03-03 | 2012-09-07 | Semiconductor device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008052450 | 2008-03-03 | ||
| JP2008330621A JP4635085B2 (ja) | 2008-03-03 | 2008-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010225050A Division JP4834784B2 (ja) | 2008-03-03 | 2010-10-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009239254A JP2009239254A (ja) | 2009-10-15 |
| JP2009239254A5 true JP2009239254A5 (enExample) | 2010-03-25 |
| JP4635085B2 JP4635085B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=41013446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008330621A Active JP4635085B2 (ja) | 2008-03-03 | 2008-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8293456B2 (enExample) |
| JP (1) | JP4635085B2 (enExample) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4635085B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2011-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP5617256B2 (ja) * | 2010-01-27 | 2014-11-05 | 株式会社ニコン | 液晶表示素子の製造方法及び露光装置 |
| JP2012064898A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | 露光方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP5901643B2 (ja) | 2010-11-16 | 2016-04-13 | ユーリタ アクチエンゲゼルシャフトEulitha Ag | 高解像度の二次元の周期的なパターンを印刷する方法および装置 |
| JP2013201356A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 露光方法及びパターン形成方法 |
| KR102062676B1 (ko) | 2012-12-06 | 2020-01-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
| US10128251B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-11-13 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor integrated circuit structure and method for forming the same |
| CN110707044B (zh) * | 2018-09-27 | 2022-03-29 | 联华电子股份有限公司 | 形成半导体装置布局的方法 |
| CN113066715B (zh) * | 2021-03-19 | 2022-07-05 | 长鑫存储技术有限公司 | 光罩组件、图形化掩膜及其形成方法、有源区的形成方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536586A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-12 | Canon Inc | 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法 |
| JPH05243115A (ja) | 1992-01-22 | 1993-09-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3441140B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2003-08-25 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
| JP2938859B2 (ja) | 1997-07-01 | 1999-08-25 | 松下電子工業株式会社 | 位相シフトマスクおよびこのマスクを用いた電子装置の製造方法 |
| JP3275863B2 (ja) | 1999-01-08 | 2002-04-22 | 日本電気株式会社 | フォトマスク |
| US6197456B1 (en) * | 1999-01-19 | 2001-03-06 | Lsi Logic Corporation | Mask having an arbitrary complex transmission function |
| JP3983960B2 (ja) * | 2000-07-14 | 2007-09-26 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置 |
| US20050136340A1 (en) | 2000-07-21 | 2005-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and methods, patterning structure and method for making a patterning structure, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| JP3996360B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2007-10-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影に使うための補助形態 |
| EP1450206B1 (en) | 2003-02-21 | 2016-04-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask and its manufacturing method, exposure, and semiconductor device fabrication method |
| JP4886169B2 (ja) * | 2003-02-21 | 2012-02-29 | キヤノン株式会社 | マスク及びその設計方法、露光方法、並びに、デバイス製造方法 |
| JP4684584B2 (ja) * | 2003-07-23 | 2011-05-18 | キヤノン株式会社 | マスク及びその製造方法、並びに、露光方法 |
| JP4750525B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2011-08-17 | キヤノン株式会社 | 露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2007123333A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Canon Inc | 露光方法 |
| JP2007201298A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Nikon Corp | フォーカス計測方法、露光装置、及びフォーカス計測用マスク |
| JP4352068B2 (ja) | 2006-09-08 | 2009-10-28 | 株式会社東芝 | 露光方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP4484909B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2010-06-16 | キヤノン株式会社 | 原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法および原版データ作成プログラム |
| JP4635085B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2011-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-12-25 JP JP2008330621A patent/JP4635085B2/ja active Active
-
2009
- 2009-02-20 US US12/390,157 patent/US8293456B2/en active Active
-
2012
- 2012-09-07 US US13/606,834 patent/US8679731B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2009239254A5 (enExample) | ||
| JP4635085B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7517621B2 (en) | Exposure method and method for manufacturing semiconductor device | |
| TW200741326A (en) | Exposure device, device production method and exposure method | |
| JP2015132848A5 (ja) | 照明光学系、露光装置、照明方法、露光方法、およびデバイス製造方法 | |
| KR100613461B1 (ko) | 이중노광기술을 이용한 이중노광방법과 이를 위한포토마스크 | |
| JP2007235117A5 (enExample) | ||
| JP2007109969A5 (enExample) | ||
| TW200423837A (en) | Lithographic method for wiring a side surface of a substrate | |
| CN106406033B (zh) | 用于曝光的光源模块单元及包括该光源模块单元的曝光装置 | |
| JP2004012932A5 (enExample) | ||
| TWI598678B (zh) | 遮罩對準標記、光罩、曝光設備、曝光方法、及裝置之製造方法 | |
| JP2018163335A5 (enExample) | ||
| JPWO2023157888A5 (enExample) | ||
| KR100510455B1 (ko) | 고립패턴형성용마스크패턴과그제조방법및그를이용한고립패턴형성방법 | |
| KR20150117349A (ko) | 위상 변환 마스크 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
| JP6370755B2 (ja) | マスク及びパターン形成方法 | |
| CN114253065B (zh) | 掩膜版及其制备方法、显示面板、显示装置和光刻设备 | |
| JP2016004921A5 (enExample) | ||
| KR20150089395A (ko) | 오버레이 패턴을 갖는 포토마스크 및 이를 이용한 반도체소자 제조방법 | |
| CN101685261B (zh) | 偏轴光源、遮光板及以单次曝光定义不同形态图案的方法 | |
| JP2019537214A5 (enExample) | ||
| CN111324016B (zh) | 曝光装置、曝光方法以及物品的制造方法 | |
| JP2011044721A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20050065159A (ko) | 광 마스크 |