JP2009238327A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009238327A JP2009238327A JP2008084353A JP2008084353A JP2009238327A JP 2009238327 A JP2009238327 A JP 2009238327A JP 2008084353 A JP2008084353 A JP 2008084353A JP 2008084353 A JP2008084353 A JP 2008084353A JP 2009238327 A JP2009238327 A JP 2009238327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- constant voltage
- transistor
- input terminal
- differential amplifier
- voltage transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体装置101は、第1の差動アンプAMP0の第1入力端子と第1の定電圧トランジスタTRC0との間に直列接続された第1の選択トランジスタTRW0Aと、第1の差動アンプAMP0の第1入力端子と第2の定電圧トランジスタTRC1との間に直列接続された第2の選択トランジスタTRW0Bとを備え、第1の定電圧トランジスタTRC0は、第1の可変抵抗素子S0と第1の選択トランジスタTRW0Aとの間に接続され、第2の定電圧トランジスタTRC1は、第2の可変抵抗素子S2と第2の選択トランジスタTRW0Bとの間に接続されている。
【選択図】図2
Description
Takaharu Tsuji et al. " A 1.2V 1Mbit Embedded MRAM Core with Folded Bit-Line Array Architecture ", 2004 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers pp.450-453 CMOSアナログ回路入門(CQ出版社)pp.60-62
VSEL≧VMTJ+VTHSEL+ΔOVSEL+ΔOVCT
VSEL≧VSA
ここで、ビット線BLを通して流れる電流をidだけ微少変化させたときのビット線BLにおける微小電圧変化をvinとし、抵抗変化Rin=vin/idとする。
Claims (3)
- 基準電圧源に結合された第1端と、第2端とを有する第1の負荷と、
前記第1の負荷の第2端に結合された第1入力端子と、第2入力端子とを有し、前記第1入力端子における電圧と前記第2入力端子における電圧との差を増幅する第1の差動アンプと、
各々が、抵抗値により情報を不揮発的に記憶する第1の可変抵抗素子および第2の可変抵抗素子と、
前記第1の可変抵抗素子に定電圧を供給する第1の定電圧トランジスタと、
前記第2の可変抵抗素子に定電圧を供給する第2の定電圧トランジスタと、
前記第1の差動アンプの第1入力端子と前記第1の定電圧トランジスタとの間に直列接続され、前記第1の差動アンプの第1入力端子と前記第1の定電圧トランジスタとを接続するか否かを切り替える第1の選択トランジスタと、
前記第1の差動アンプの第1入力端子と前記第2の定電圧トランジスタとの間に直列接続され、前記第1の差動アンプの第1入力端子と前記第2の定電圧トランジスタとを接続するか否かを切り替える第2の選択トランジスタとを備え、
前記第1の定電圧トランジスタは、前記第1の可変抵抗素子と前記第1の選択トランジスタとの間に接続され、
前記第2の定電圧トランジスタは、前記第2の可変抵抗素子と前記第2の選択トランジスタとの間に接続されている半導体装置。 - 前記半導体装置は、さらに、
前記第1の選択トランジスタおよび前記第2の選択トランジスタのオン・オフ制御、ならびに前記第1の差動アンプによる増幅信号の処理の少なくともいずれか一方を行なう制御回路を備え、
前記第1の選択トランジスタの制御電極および前記第2の選択トランジスタの制御電極に供給される制御電圧の最大振幅は、前記制御回路の電源電圧レベルに設定されている請求項1記載の半導体装置。 - 前記半導体装置は、さらに、
基準電圧源に結合された第1端と、前記第1の差動アンプの第2入力端子に結合された第2端とを有する第2の負荷と、
各々が、基準電圧源に結合された第1端と、第2端とを有する第3の負荷および第4の負荷と、
前記第3の負荷の第2端に結合された第1入力端子と、前記第4の負荷の第2端に結合された第2入力端子とを有し、前記第1入力端子における電圧と前記第2入力端子における電圧との差を増幅する第2の差動アンプと、
各々が、抵抗値により情報を不揮発的に記憶する第3の可変抵抗素子ないし第4の可変抵抗素子と、
前記第1の差動アンプの第2入力端子と前記第1の定電圧トランジスタとの間に直列接続され、前記第1の差動アンプの第2入力端子と前記第1の定電圧トランジスタとを接続するか否かを切り替える第3の選択トランジスタと、
前記第1の差動アンプの第2入力端子と前記第2の定電圧トランジスタとの間に直列接続され、前記第1の差動アンプの第2入力端子と前記第2の定電圧トランジスタとを接続するか否かを切り替える第4の選択トランジスタと、
前記第3の可変抵抗素子に定電圧を供給する第3の定電圧トランジスタと、
前記第4の可変抵抗素子に定電圧を供給する第4の定電圧トランジスタと、
前記第2の差動アンプの第1入力端子と前記第3の定電圧トランジスタとの間に直列接続され、前記第2の差動アンプの第1入力端子と前記第3の定電圧トランジスタとを接続するか否かを切り替える第5の選択トランジスタと、
前記第2の差動アンプの第1入力端子と前記第4の定電圧トランジスタとの間に直列接続され、前記第2の差動アンプの第1入力端子と前記第4の定電圧トランジスタとを接続するか否かを切り替える第6の選択トランジスタと、
前記第2の差動アンプの第2入力端子と前記第3の定電圧トランジスタとの間に直列接続され、前記第2の差動アンプの第2入力端子と前記第3の定電圧トランジスタとを接続するか否かを切り替える第7の選択トランジスタと、
前記第2の差動アンプの第2入力端子と前記第4の定電圧トランジスタとの間に直列接続され、前記第2の差動アンプの第2入力端子と前記第4の定電圧トランジスタとを接続するか否かを切り替える第8の選択トランジスタとを備え、
前記第3の定電圧トランジスタは、前記第3の可変抵抗素子と前記第5の選択トランジスタおよび前記第7の選択トランジスタとの間に接続され、
前記第4の定電圧トランジスタは、前記第4の可変抵抗素子と前記第6の選択トランジスタおよび前記第8の選択トランジスタとの間に接続され、
前記第1の差動アンプの第2入力端子と前記第2の差動アンプの第2入力端子とが結合されている請求項1記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008084353A JP5135609B2 (ja) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008084353A JP5135609B2 (ja) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009238327A true JP2009238327A (ja) | 2009-10-15 |
JP5135609B2 JP5135609B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=41252060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008084353A Expired - Fee Related JP5135609B2 (ja) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5135609B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011097021A2 (en) | 2010-02-04 | 2011-08-11 | Magic Technologies, Inc. | A read disturb free smt mram reference cell circuit |
WO2016186086A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 国立大学法人東北大学 | 抵抗変化型素子を備えた記憶回路 |
KR20190123735A (ko) | 2017-03-03 | 2019-11-01 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 반도체 기억 장치 및 정보 처리 장치 |
KR20190125309A (ko) | 2017-03-03 | 2019-11-06 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 반도체 기억 장치, 정보 처리 장치 및 레퍼런스 전위 설정 방법 |
KR20190125307A (ko) | 2017-03-03 | 2019-11-06 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 센스 앰프, 반도체 기억 장치, 정보 처리 장치 및 판독 방법 |
US11514964B2 (en) | 2017-12-08 | 2022-11-29 | Tohoku University | Storage circuit provided with variable resistance elements, reference voltage circuit and sense amplifier |
US11705176B2 (en) | 2020-08-07 | 2023-07-18 | Tohoku University | Storage circuit provided with variable resistance type elements, and its test device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004071067A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Sharp Corp | メモリセル情報の読み出し回路および半導体記憶装置 |
JP2007012140A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Renesas Technology Corp | 不揮発性記憶装置 |
JP2007128597A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Nec Corp | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の動作方法 |
JP2007164837A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Renesas Technology Corp | 不揮発性記憶装置 |
-
2008
- 2008-03-27 JP JP2008084353A patent/JP5135609B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004071067A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Sharp Corp | メモリセル情報の読み出し回路および半導体記憶装置 |
JP2007012140A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Renesas Technology Corp | 不揮発性記憶装置 |
JP2007128597A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Nec Corp | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の動作方法 |
JP2007164837A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Renesas Technology Corp | 不揮発性記憶装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011097021A2 (en) | 2010-02-04 | 2011-08-11 | Magic Technologies, Inc. | A read disturb free smt mram reference cell circuit |
JP2013532344A (ja) * | 2010-02-04 | 2013-08-15 | マグアイシー テクノロジーズ インコーポレイテッド | リードディスターブフリーのsmt−mramリファレンスセル回路 |
EP2532004A4 (en) * | 2010-02-04 | 2017-05-31 | Headway Technologies, Inc. | A read disturb free smt mram reference cell circuit |
WO2016186086A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 国立大学法人東北大学 | 抵抗変化型素子を備えた記憶回路 |
JPWO2016186086A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2018-04-05 | 国立大学法人東北大学 | 抵抗変化型素子を備えた記憶回路 |
US10665282B2 (en) | 2015-05-15 | 2020-05-26 | Tohoku University | Memory circuit provided with variable-resistance element |
DE112018001145T5 (de) | 2017-03-03 | 2019-12-05 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Halbleiterspeichervorrichtung, informationsverarbeitungsvorrichtung und verfahren zum einstellen eines referenzpotentials |
KR20190125307A (ko) | 2017-03-03 | 2019-11-06 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 센스 앰프, 반도체 기억 장치, 정보 처리 장치 및 판독 방법 |
KR20190125309A (ko) | 2017-03-03 | 2019-11-06 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 반도체 기억 장치, 정보 처리 장치 및 레퍼런스 전위 설정 방법 |
DE112018001143T5 (de) | 2017-03-03 | 2019-12-05 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Erfassungsverstärker, halbleiterspeichervorrichtung, informationsverarbeitungsvorrichtung und leseverfahren |
KR20190123735A (ko) | 2017-03-03 | 2019-11-01 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 반도체 기억 장치 및 정보 처리 장치 |
US10790019B2 (en) | 2017-03-03 | 2020-09-29 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor storage device and information processing apparatus |
US10902888B2 (en) | 2017-03-03 | 2021-01-26 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Sense amplifier, semiconductor storage device, information processing apparatus, and reading method |
US10916285B2 (en) | 2017-03-03 | 2021-02-09 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor storage device, information processing apparatus, and reference potential setting method |
US11514964B2 (en) | 2017-12-08 | 2022-11-29 | Tohoku University | Storage circuit provided with variable resistance elements, reference voltage circuit and sense amplifier |
US11705176B2 (en) | 2020-08-07 | 2023-07-18 | Tohoku University | Storage circuit provided with variable resistance type elements, and its test device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5135609B2 (ja) | 2013-02-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7233537B2 (en) | Thin film magnetic memory device provided with a dummy cell for data read reference | |
US6512690B1 (en) | High sensitivity common source amplifier MRAM cell, memory array and read/write scheme | |
US7272034B1 (en) | Current driven switching of magnetic storage cells utilizing spin transfer and magnetic memories using such cells | |
US8320166B2 (en) | Magnetic random access memory and method of reading data from the same | |
US7272035B1 (en) | Current driven switching of magnetic storage cells utilizing spin transfer and magnetic memories using such cells | |
US7839676B2 (en) | Magnetic memory device | |
JP2004103104A (ja) | 薄膜磁性体記憶装置 | |
US9245609B2 (en) | Semiconductor storage device | |
JP5135609B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7369429B2 (en) | Non-volatile memory device having toggle cell | |
JP4046513B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
US8228714B2 (en) | Memory device for resistance-based memory applications | |
US9754664B2 (en) | Semiconductor memory | |
JP4361067B2 (ja) | Mramメモリセル | |
JP2008310868A (ja) | 半導体メモリデバイス、および、そのデータ読み出し方法 | |
US6822897B2 (en) | Thin film magnetic memory device selecting access to a memory cell by a transistor of a small gate capacitance | |
JP2009087494A (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ | |
US20100034015A1 (en) | Semiconductor device | |
US20040012995A1 (en) | Thim film magnetic memory device permitting high precision data read | |
JP2011204287A (ja) | 記憶装置 | |
JP4219141B2 (ja) | 薄膜磁性体記憶装置 | |
JP4219134B2 (ja) | 薄膜磁性体記憶装置 | |
JP2003204046A (ja) | 磁気抵抗ラム | |
JP2004103202A (ja) | 薄膜磁性体記憶装置 | |
JP3427974B2 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100602 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120920 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121016 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121023 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |