JP2009235181A - 蛍光材料の製造方法 - Google Patents

蛍光材料の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009235181A
JP2009235181A JP2008080910A JP2008080910A JP2009235181A JP 2009235181 A JP2009235181 A JP 2009235181A JP 2008080910 A JP2008080910 A JP 2008080910A JP 2008080910 A JP2008080910 A JP 2008080910A JP 2009235181 A JP2009235181 A JP 2009235181A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
afterglow
scintillator
treated
alumina
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008080910A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5218891B2 (ja
Inventor
Ryohei Nakamura
良平 中村
Shunsuke Ueda
俊介 上田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Metals Ltd filed Critical Hitachi Metals Ltd
Priority to JP2008080910A priority Critical patent/JP5218891B2/ja
Publication of JP2009235181A publication Critical patent/JP2009235181A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5218891B2 publication Critical patent/JP5218891B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Nuclear Medicine (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

【課題】 残光を低減したシンチレータを得るための蛍光材料の製造方法を提供することである。
【解決手段】 Ceを発光元素とし、Gd、Ga、Al、Oを含有するガーネット構造のシンチレータ用の蛍光材料の製造方法であって、Al素原料に真空中で熱処理したアルミナ粉末を用いることを特徴とする。前記熱処理したアルミナ粉末をアルミナボールでボールミル粉砕した粉を用いることができる。さらに、前記ボールミル粉砕に使用するアルミナボールを予め真空中で熱処理してもよい。
【選択図】図1

Description

本発明は、X線等の放射線を吸収し発光するシンチレータ用の蛍光材料の製造方法に関するものである。
X線診断装置の一つにX線CT(Computed Tomography)がある。このCTは扇状のファンビームX線を照射するX線管と、多数のX線検出素子を併設したX線検出器とで構成される。該装置は、人体にX線を照射し、透過したX線を検出器であるシンチレータの発光によって検知し、光電子増倍管の出力を画像処理する装置である。
従来からこのX線検出器としてはキセノン(Xe)ガス検出器が用いられてきている。このキセノンガス検出器はガスチャンバにキセノンガスを封入し、多数配列した電極間に電圧を印加すると共にX線を照射すると、X線がキセノンガスを電離し、X線の強度に応じた電流信号を取り出すことができ、それにより画像が構成される。しかし、このキセノンガス検出器では高圧のキセノンガスをガスチャンバに封入するため厚い窓が必要であり、そのためX線の利用効率が悪く感度が低いという問題があった。また、高解像度のCTを得るためには電極板の厚みを極力薄くする必要があり、そのように電極板を薄くすると外部からの振動によって電極板が振動しノイズが発生するという問題があった。
一方、シンチレータとしてはCdWO単結晶、GdS:Pr,Ce,F、(Y,Gd):Eu,Pr、GdGa12:Cr,Ce等の多結晶蛍光体が用いられている。この様な蛍光体に要求される点としては、材料の均一性が高く、X線特性のバラツキが小さいこと、放射線劣化が小さいこと、環境変化に対して特性の変化が少ないこと、吸湿性・潮解性がなく、化学的に安定であることが求められている。
こうしたX線検出器においては、X線の吸収に応じてシンチレータが発する光の強度(発光強度)が高いほど高感度となる。発光強度を大きくするためにはX線を充分に吸収する必要がある。また、この吸収が小さいと、シンチレータを透過するX線量が増加し、シリコンフォトダイオードのノイズ源となり、感度の低下の一因となる。シンチレータを透過するX線量を減らすためにはシンチレータを厚くする必要があるが、そうすると、検出素子の小型化ができないとともにコストが増加する。従って、薄い蛍光材料で充分なX線吸収をするためには、X線吸収係数が大きいことが必要である。また、蛍光材料中におけるこの光の透過率が低いと、発生した光のうちフォトダイオードまで届かなくなるものが増えるため、実質的に発光強度は低下する。従って、発光強度を高くするためには、シンチレータ材料となる蛍光材料には、(a)X線の吸収係数が大きいこと、(b)発光する光の透過率が高いことが要求される。
また、X線CTには、解像度の向上、すなわち検出素子の小型化と、体動の影響を少なくするため走査時間の短縮が必要とされている。この場合、一つの検出素子における積分時間は短くなり、積分時間中に吸収するX線総量は低下することになるため、特に発光効率が高い(発光強度が大きい)ことが必要である。さらに、検出素子の時間分解能を上げるためには、X線照射停止後の発光(残光)が瞬時に小さくなることが必要となる。このためには、発光の減衰時定数及び残光強度が小さいことが必要である。ここで、発光の減衰時定数とは、X線照射を停止し、発光強度がX線照射中の発光強度の1/eになるまでの時間であり、残光強度とは、X線照射を停止し一定時間経過後の発光強度の、X線照射中の発光強度に対する比率を表す。減衰が完全に指数関数的であれば、減衰時定数が小さければ必然的に残光強度も低くなるが、実際には残光の減衰は指数関数的ではない。そのため、残光を小さくして高性能のX線CT装置を得るためには、減衰時定数および残光強度が共に小さい蛍光材料を用いることが必要となる。従来使用されている各種蛍光材料における、発光強度と減衰時定数及び30ms後の残光強度について表1に示す。
Figure 2009235181
また、多結晶シンチレータのプロセスとしては、各素原料を秤量した後、セラミックスボール等のメディアを充填した容器内に投入する。そして所定時間回転混合し、スラリーを乾燥した後、乾燥粉を任意形状に加圧成形し焼結する。焼結体を機械加工することでシンチレータ素子となる(例えば特許文献1、2及び3)。
特開2002−189080号公報 特開2001−4753号公報 特開2008−24739号公報
高性能X線CTにおいては、鮮明な画像を得るため体動の影響を少なくすることと、人体への被曝線量を極力抑えるため、走査時間はさらに短縮されつつある。この2点を実現するためには短い積分時間中にできるだけ発光効率を上げる(発光効率が大きい)ことと、それに伴い時間分解能の向上が必要であり、時間分解能を上げるためにはX線照射停止後の発光が小さい(残光が小さい)ことが求められる。
現在、残光についてはX線照射停止後30〜300msの比較的長時間経過後の残光(長残光)と、X線照射停止後1〜10msの短時間経過後の残光(短残光)の2つが残光評価のパラメータとなっているが、走査時間短縮に伴い短残光に対する要求が厳しくなってきている。特許文献1、2及3には、更に残光を低減する方法は示唆されていない。そこで本発明の目的は、残光を低減したシンチレータを得るための蛍光材料の製造方法を提供することである。
本発明者は、上記した課題を解決するため、原料に用いるAlを真空中で熱処理することで残光増加に起因する微量元素成分を除去できることを見出し、本発明を完成させた。
本発明の要旨は、Ceを発光元素とし、少なくともGd、Al、GaおよびOを含んだガーネット構造のシンチレータであって、Al素原料に真空中で熱処理したアルミナ粉末を用いることを特徴とする蛍光材料の製造方法である。熱処理したアルミナ粉末をアルミナボールでボールミル粉砕した粉を用いることができる。更に、ボールミル粉砕に使用するアルミナボールを予め真空中で熱処理してもよい。
発明者らは、GGAG:Ce中のFeイオンが残光に大きく寄与していることを見出している。各Fe添加量における蛍光スペクトルと3ms残光プロファイルを図7、図8に示す。合成されたGGAG:Ceは必ずFeを含有し、そのFeの含有率は0.05から1massppmを超えると3ms残光は800ppmを超え、許容レベルよりも大きくなるため、Fe含有率の上限は1massppmとなる(好ましくは上限1.0massppm)。ただし、蛍光材料の合成に用いる素原料には既に数massppm〜数10massppmのFeが含まれている。そのため、これらの素原料を用いて合成した蛍光材料中にはFeが数massppm〜数10massppm含まれてしまう。そのため素原料中のFe元素を出来るだけ排除するため、高純度のGd、Al、Gaが必要になる。中でもAlに含まれるFe含有量が比較的多く、材料合成後もそれが影響を及ぼしている。
一方、蛍光体を合成する際、メディアを充填させた容器内に原料粉末を投入し所定時間混合する。また、ある素原料粉末の粒径が他の粉末粒径に比べ比較的大きい場合、混合と同様な方法もしくはジェットミルのようなメディアを使わず目的の粉末同士を接触させるような方法で、その粉末のみ予め粉砕し粒径を調節することもできる。
メディアとしてセラミックスボールを用い混合・粉砕を行う際、ボールと硬い粒子との衝突あるいはボール同士の衝突により、ボール表面が磨耗し、その磨耗粉がスラリー中に混入してしまうことがある。使用しているアルミナボール中にはFe元素が約16massppm含まれており、ボール磨耗率が増加するとFe混入率も増加する。
本発明の蛍光材料の製造方法によって残光の小さなシンチレータを提供することができる。
本発明の1実施形態の製造方法は、下記工程のうち、S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7及びS8を備え、図1に示す矢印の順序で行う。
(S1):素原料(Gd、Ga、Lu、Sc、Ce(NO)・9HO)を秤量する。
(S2):素原料に用いるAlを真空中で熱処理する。
(S3):S2で熱処理したAlをアルミナボールで湿式粉砕する。
(S4):S1で秤量した原料中にS3で粉砕したAlを投入し、アルミナボールで湿式混合する。
(S5):混合が終了したスラリーを乾燥し、造粒する。
(S6):造粒粉を一軸プレスし、CIP成形する。
(S7):成形体を酸素中で焼結する。
(S8):焼結体を機械加工しシンチレータ素子とする。
(S21):S3またはS4で用いるアルミナボールを真空中で熱処理する。
本発明の他の実施形態の製造方法は、上記工程のうち、S1、S2、S21、S3、S4、S5、S6、S7及びS8を備え、図1に示す順序で行う。S3の工程ではS21のアルミナボールを用いる。さらに、S4の工程でS21のアルミナボールを用いることもできる。
以下、実施例を説明する。ただし、これらに実施例に必ずしも本発明を限定するものではない。
(実施例1)
Fe含有量が2.1ppm以下で、比表面積が4.0m/gのAl素原料を真空中(〜10Pa)1300、1400、1500、1600℃で各々3h熱処理した。そして1300℃処理粉は20h、1400℃処理粉は30h、1500℃処理粉は40h、直径5mmのアルミナボールでボールミル粉砕を行った。得られたAl粉砕粉を用い、Gdを117.63g、Luを4.45g、Ce(NO)・9HOを0.777g、Scを0.925g、Alを32.35g、Gaを43.87g計量した。これらの素原料を直径5mmアルミナボールを充填した容器内に投入し、12h混合後乾燥した。乾燥粉に1wt%の純水を添加し500kg/cmで1軸加圧成形した後、3000kg/cmで冷間静水圧加圧(CIP)を行った。その成形体をO中1675℃で12h焼結し、得られた焼結体をAr中1500℃、1000atm(1.01×10Pa)で3h熱間静水圧焼結(HIP)を行った。HIP焼結体を□10mm(10mm×10mm)、厚さt2mmに機械加工後、鏡面研磨を施し、O中1500℃で2h熱処理して多結晶シンチレータを作製した。
得られたシンチレータを図2、3の放射線検出器を用いて評価した。放射線検出器は、1.2mmピッチで24個配列した上記スライスしたシンチレータ2と、配列した上記スライスしたシンチレータ2の上面と側面にTiOとエポキシ樹脂の混合材を塗布し硬化させてなる光反射膜3と、シンチレータ2の配列に対応し大きさが1mm×30mmでピッチが1.2mmで配列されるとともにシンチレータ2と受光面が正確に一致するよう位置決めした受光部を有しシンチレータ2とエポキシ樹脂で固定した24チャンネルシリコンフォトダイオード5と、24チャンネルシリコンフォトダイオード5が電気的に接続される配線基板4で構成される。かかる放射線検出器によれば、X線源1からのX線照射によりシンチレータ2が励起され発光し、その光をフォトダイオード5で検出することにより、シンチレータの特性を確認することができる。
アルミナ粉末の各熱処理条件におけるFe含有率と比表面積を図4に示す。Fe含有率の単位はmassppm(質量百万分率)であり、図では省略してppmと標記する。
なお、主成分の組成分析はICP―AES(高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法、パーキンエルマー製OPTIMA−3300XL)により行い、Feの分析はGDMS法(グロー放電質量分析法、VG Elemental社製:VG9000)により行った。
X線照射による発光強度と3ms経過後の残光を測定した。この測定は、実施例1に示す放射線検出器を作製し、X線源としてタングステンターゲットのX線管を用い、管電圧120kV、管電流5mAの条件でX線を前記放射線検出器のシンチレータに照射して評価した。3ms残光強度は、X線照射停止から3ms経過したときの発光強度を、GdS:Prとの相対発光強度で除したものである。単位はppm(百万分率)である。相対発光強度は、GOS:Prシンチレータの発光強度を100%としたときの発光強度である。
各熱処理条件におけるアルミナ粉末をアルミナボールでボールミル粉砕した粉砕粉の粉砕時間、粉砕後Fe含有率、比表面積および残光強度を図5に示す。真空熱処理することにより、シンチレータ中のFe含有率が1ppm以下まで低減されることが分かる。また、真空熱処理前の粉砕を必要としないアルミナを用いた試料の残光強度は521ppmであるため、熱処理によって残光は低下していることが分かる。
(実施例2)
また、Fe含有率が16ppm以下で直径5mmのアルミナボールを真空中(〜10Pa)1500℃で3h熱処理した。その熱処理したボールを用い、実施例1の1400℃熱処理のAl粉を直径90mm、1l(1リットル)のポットを用い、回転数100rpmで、30h粉砕した。また、熱処理温度を1500℃に変えたAl粉を同ポットを用い、回転数100rpmで40h粉砕した。各々の粉砕粉を用い、実施例1と同様な方法で多結晶シンチレータを作製した。
アルミナ粉末の各熱処理条件において、1500℃で真空熱処理したアルミナボールでボールミル粉砕した粉砕粉の粉砕時間、粉砕後Fe含有率、比表面積および残光強度を図6に示す。アルミナ粉末の熱処理に加え、アルミナボールも熱処理した方が残光が低下していることが分かる。
図8はFe含有率の異なる蛍光材料の波長800nmにおける残光プロファイルを示す図である。Fe含有率1.0massppm以下の試料は本発明の方法で作製したものである。図8には、Fe含有率1.3massppmの試料と0.7massppmの試料について波長800nmの残光プロファイルを測定した結果である。Feの発光成分は20msでほぼ消失するが、3ms後における残光に対しては、非常に大きな影響を及ぼすことがわかる。また、Fe含有率1.3massppmの試料に比べて、1.0massppmの試料は残光の発光強度が約半分に改善されている。さらに、Fe含有率0.85massppmの試料に比べて、0.05massppm〜0.7massppmの試料は、1ms後の発光強度と5ms後の発光強度でその発光強度変化が小さくなっている。発光強度変化率が小さいと、残光が信号に及ぼす影響もより小さくなり、放射線検出器の走査時間を更に短縮し、CTの画像解像度を更に向上することができる。Fe含有率0.05massppm〜0.4(より詳細には0.35)massppmの範囲にすると残光強度も十分に抑えられるので更に好ましい。
ここで、発光強度変化率=(1ms後の発光強度−5ms後の発光強度)/1ms後の発光強度×100(%)の絶対値である。具体的には、次のように大きな違いが生じる。
1.0massppm:発光強度変化率=44.4%
0.7massppm:発光強度変化率=4.6%
0.05massppm:発光強度変化率=7.0%
本発明の製造方法の例を示すフローチャート図である。 本発明に係わる放射線検出器の構造の一例を示す図である。 図2においてA−A断面の断面図である。 本発明における、真空中で熱処理したアルミナ粉末のFe含有率(massppm)と比表面積(m/g)を示した表である。 本発明における、熱処理したアルミナ粉末をアルミナボールでボールミル粉砕した粉砕粉の粉砕時間、粉砕後Fe含有率、比表面積および残光強度を示した表である。 本発明における、ボールミル粉砕に使用するアルミナボールを真空中で熱処理し、そのボールでボールミル粉砕した粉砕粉の粉砕時間、粉砕後Fe含有率、比表面積および残光強度を示した表である。 Fe添加量における発光スペクトルを示すグラフである。 Fe添加量における残光プロファイルを示すグラフである。
符号の説明
1 X線源
2 シンチレータ
3 光反射膜
4 配線基板
5 シリコンフォトダイオード

Claims (3)

  1. Ceを発光元素とし、Gd、Ga、Al、Oを含有するガーネット構造のシンチレータ用の蛍光材料の製造方法であって、Al素原料に真空中で熱処理したアルミナ粉末を用いることを特徴とする蛍光材料の製造方法。
  2. 請求項1で熱処理したアルミナ粉末をアルミナボールでボールミル粉砕した粉を用いることを特徴とする蛍光材料の製造方法。
  3. 請求項2のボールミル粉砕に使用するアルミナボールを予め真空中で熱処理することを特徴とする蛍光材料の製造方法。
JP2008080910A 2008-03-26 2008-03-26 蛍光材料の製造方法 Active JP5218891B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008080910A JP5218891B2 (ja) 2008-03-26 2008-03-26 蛍光材料の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008080910A JP5218891B2 (ja) 2008-03-26 2008-03-26 蛍光材料の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009235181A true JP2009235181A (ja) 2009-10-15
JP5218891B2 JP5218891B2 (ja) 2013-06-26

Family

ID=41249546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008080910A Active JP5218891B2 (ja) 2008-03-26 2008-03-26 蛍光材料の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5218891B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012057133A1 (ja) * 2010-10-29 2012-05-03 日立金属株式会社 軟x線検出用多結晶シンチレータ
JP2012184397A (ja) * 2011-02-16 2012-09-27 Hitachi Metals Ltd 多結晶シンチレータ及びその製造方法並びに放射線検出器
CN115932932A (zh) * 2022-11-03 2023-04-07 宁波虔东科浩光电科技有限公司 一种闪烁体探测阵列的信号处理方法及成像设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01126276A (ja) * 1987-11-11 1989-05-18 Inax Corp セラミック焼結体の製法
JPH01298018A (ja) * 1988-05-25 1989-12-01 Nippon Light Metal Co Ltd 高純度アルミナの製造方法
JPH0442861A (ja) * 1990-06-07 1992-02-13 Showa Denko Kk 高強度な窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP2004059384A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Hitachi Chem Co Ltd 希土類珪酸塩単結晶
JP2008024739A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Hitachi Medical Corp 酸化物蛍光体及び放射線検出器及びx線ct装置
WO2008093869A1 (ja) * 2007-02-02 2008-08-07 Hitachi Metals, Ltd. 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01126276A (ja) * 1987-11-11 1989-05-18 Inax Corp セラミック焼結体の製法
JPH01298018A (ja) * 1988-05-25 1989-12-01 Nippon Light Metal Co Ltd 高純度アルミナの製造方法
JPH0442861A (ja) * 1990-06-07 1992-02-13 Showa Denko Kk 高強度な窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP2004059384A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Hitachi Chem Co Ltd 希土類珪酸塩単結晶
JP2008024739A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Hitachi Medical Corp 酸化物蛍光体及び放射線検出器及びx線ct装置
WO2008093869A1 (ja) * 2007-02-02 2008-08-07 Hitachi Metals, Ltd. 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012057133A1 (ja) * 2010-10-29 2012-05-03 日立金属株式会社 軟x線検出用多結晶シンチレータ
CN102869748A (zh) * 2010-10-29 2013-01-09 日立金属株式会社 软x射线检测用多晶闪烁器
JPWO2012057133A1 (ja) * 2010-10-29 2014-05-12 日立金属株式会社 軟x線検出用多結晶シンチレータ
US8815122B2 (en) 2010-10-29 2014-08-26 Hitachi Metals, Ltd. Polycrystalline scintillator for detecting soft X-rays
JP5633573B2 (ja) * 2010-10-29 2014-12-03 日立金属株式会社 軟x線検出用多結晶シンチレータ
CN102869748B (zh) * 2010-10-29 2015-01-07 日立金属株式会社 软x射线检测用多晶闪烁器及其制造方法
JP2012184397A (ja) * 2011-02-16 2012-09-27 Hitachi Metals Ltd 多結晶シンチレータ及びその製造方法並びに放射線検出器
CN115932932A (zh) * 2022-11-03 2023-04-07 宁波虔东科浩光电科技有限公司 一种闪烁体探测阵列的信号处理方法及成像设备

Also Published As

Publication number Publication date
JP5218891B2 (ja) 2013-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5521412B2 (ja) 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器
JP5212115B2 (ja) 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器
JP5633573B2 (ja) 軟x線検出用多結晶シンチレータ
JP6158167B2 (ja) 固体シンチレータ、放射線検出器、および放射線検査装置
JP5505782B2 (ja) 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器
JP5311241B2 (ja) 多結晶シンチレータ及びその製造方法並びに放射線検出器
JP7204862B2 (ja) シンチレータアレイ、シンチレータアレイを製造する方法、放射線検出器、および放射線検査装置
JP6948829B2 (ja) シンチレータアレイ、並びにそれを用いた放射線検出器、並びに放射線検査装置、およびシンチレータアレイの製造方法
JP5218891B2 (ja) 蛍光材料の製造方法
JP5212841B2 (ja) 蛍光材料の製造方法
JP2001181043A (ja) 透明多結晶ガーネットシンチレータ、シンチレータ用粉末およびその製造方法
JP5572049B2 (ja) 固体シンチレータ用材料、固体シンチレータ、およびそれを用いた放射線検出器並びに放射線検査装置
JP2022103225A (ja) セラミックシンチレータおよび放射線検出器
JP2021102716A (ja) シンチレータおよび放射線検出器
JP5342648B2 (ja) シンチレータ用蛍光体
JP2004238583A (ja) シンチレータおよびそれを用いた放射線検査装置
JP2021102715A (ja) シンチレータおよび放射線検出器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111024

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121115

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130115

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130221

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160315

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5218891

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350