JP2009218161A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 導電性多孔質体と疎水性材料とからなるガス拡散層において、
   前記ガス拡散層の表面に存在する疎水性材料の量が、前記ガス拡散層の内部に存在する疎水性材料の量よりも多く、
   前記ガス拡散層の表面の少なくとも一部の領域である領域（ａ）の疎水性が、前記ガス拡散層の内部の少なくとも一部の領域であって前記領域（ａ）に隣接して存在する領域である領域（ｂ）の疎水性よりも高く、
   前記疎水性材料が、少なくとも一つの官能基を有するフッ素化合物であることを特徴とするガス拡散層。
2. 前記フッ素化合物の分子量が、１００００以下であることを特徴とする請求項１に記載のガス拡散層。
3. 請求項１または２に記載のガス拡散層と、アノードと、カソードと、を有することを特徴とする膜電極接合体。
4. 請求項１または２に記載のガス拡散層と、アノードと、カソードと、燃料供給層と、を有することを特徴とする固体高分子型燃料電池。
5. 前記固体高分子型燃料電池が、前記ガス拡散層に接触して存在する酸素供給層もしくは燃料供給層を有し、前記ガス拡散層の表面の少なくとも一部の領域が、前記ガス拡散層の前記酸素供給層と接触する部分を含むことを特徴とする請求項４に記載の固体高分子型燃料電池。
6. 導電性多孔質体の表面に少なくとも一つの官能基を有する疎水性化合物を付与する工程と、
   前記疎水性化合物が付与された前記導電性多孔質体にＵＶ光を照射して前記疎水性化合物を前記導電性多孔質体に固定する工程と、
   を有することを特徴とするガス拡散層の製造方法。
7. 前記疎水性化合物の分子量が１００００以下であることを特徴とする請求項６に記載のガス拡散層の製造方法。
8. 前記導電性多孔質体の表面に少なくとも一つの官能基を有する疎水性化合物を付与する工程が、前記疎水性化合物を溶媒に溶解させた溶液を前記導電性多孔質体の表面に付与する工程であることを特徴とする請求項６または７に記載のガス拡散層の製造方法。
9. 前記疎水性化合物が付与された前記導電性多孔質体にＵＶ光を照射して前記疎水性化合物を前記導電性多孔質体に固定する工程が、前記疎水性化合物が付与された前記導電性多孔質体に２００℃以下の温度を付与し、かつＵＶを照射して前記疎水性化合物を前記導電性多孔質体に固定する工程であることを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載のガス拡散層の製造方法。
10. 前記疎水性化合物がフッ素化合物であることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載のガス拡散層の製造方法。
11. 前記導電性多孔質体が支持層とマイクロポーラス層とを有することを特徴とする請求項６乃至１０のいずれかに記載のガス拡散層の製造方法。
12. 請求項６乃至１１のいずれかに記載のガス拡散層を製造する工程を有することを特徴とする膜電極接合体の製造方法。
13. 請求項６乃至１１のいずれかに記載のガス拡散層を製造する工程を有することを特徴とする燃料電池の製造方法。