JP2009211060A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】広視野角、高コントラストの液晶表示装置を低コストで提供する。
【解決手段】黒表示時に基板に対して垂直配向する液晶層を有する液晶セル（ＬＣ）と、液晶セルを挟んで、吸収軸を互いに直交配置した第１及び第２の偏光子（Ｐ１、Ｐ２）と、第１の偏光子と液晶セル（ＬＣ）との間に配置される式（Ｉ）及び（II）を満たす位相差膜Ａ（１０ａ）と、第２の偏光子と液晶セルとの間に配置される式（Ｉ）及び（II）を満たす位相差膜Ｂ（１０ｂ）とを有し、位相差膜Ａ及びＢの波長５４８ｎｍにおける面内レターデーション及び波長５４８ｎｍにおける厚み方向レターデーションが同等であって、位相差膜Ａ及びＢの可視光域における面内レターデーション及び／又は厚み方向レターデーションの波長分散が互いに異なることを特徴とする液晶表示装置である。式（Ｉ）３０ｎｍ≦Ｒｅ（５４８）≦８０ｎｍ、式（II）７０ｎｍ≦Ｒｔｈ（５４８）≦１４０ｎｍ
【選択図】図１

Description

本発明は、偏光板及び位相差膜を含む液晶表示装置、特にＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示装置に関する。

ＶＡモードの液晶表示装置では、液晶セルの上下に偏光板をその吸収軸を互いに直交させて配置し、さらに、偏光板のそれぞれと液晶セルとの間に、光学的に２軸性の位相差膜を配置することにより、広い視野角が実現できること、すなわち表示特性を向上できることが知られている（例えば、特許文献１）。

図６に、上記の、光学的に２軸性で、光学異方性が等しい位相差膜を上下に用いる液晶表示装置の断面（図６（ｂ））と、断面内の各層を透過してゆく光の偏光状態をポアンカレ球上に矢印で記述した（図６（ａ））。この方式では一品種のフィルムを上下に配置することで光学補償が可能であり、大量生産した場合コスト上のメリットがある。しかし、この方式では、液晶セルのΔｎｄが変化すると、そのたびごとに２軸性の位相差膜の最適な面内レターデーションＲｅ及び厚み方向レターデーションＲｔｈを設計し直す必要がある（図７）。液晶セルのΔｎｄは省電力化・高速応答化を目的に、大小さまざまなものが検討されており、そのたびに等しい光学異方性をもつ２枚の位相差膜でチューニングする場合、液晶セルごとに位相差膜の光学特性を最適設計し、製造ラインを変更する必要が生じてしまう。

上記の方法に対し、さらに光の各波長での光漏れ、すなわち液晶表示装置が黒表示時に斜めから観察すると青色や赤色に着色するいわゆるカラーシフトを低減する方法として、特定の波長分散性を示す２枚の位相差フィルム、具体的には光学的に正の一軸性フィルム（一般にＡプレート）及び負の一軸性フィルム（一般にＣプレート）を用いる方法が提案されている（例えば、特許文献２）。図８に、この、一般に言うＡプレートとＣプレートを組み合わせる方式の液晶表示装置の断面（図８（ｂ））と、断面内の各層を透過してゆく光の偏光状態をポアンカレ球上に矢印で記述した（図８（ａ））。この方式ではどのようなΔｎｄの液晶セルであっても、その光学補償のために、Ａプレートの光学特性を変更することは不要で、Ｃプレートの光学特性を変更することで液晶セルのΔｎｄの大小に対応することができる（図９）。しかし、この方式では、消光点Ｐの上を通過する垂線上までＡプレートによって偏光変換する必要があり、この偏光変換を達成するためにはＡプレートのＲｅ及びＲｔｈを大きくする必要がある。即ち、大きいＲｅ及びＲｔｈを示すＡプレートが必要であり、このような光学特性を示す位相差膜を作製するのは、容易ではない。また厳密な意味で、Ｃプレート（面内レターデーションＲｅがゼロで、且つＲｔｈが大きい）の光学特性を満足するフィルムを工業的に作製するのは容易ではない。これは工業的に連続的にフィルムを作製する場合、一般には縦（又は横）方向に若干のＲｅが発生し易いためである。若干のＲｅが発現したフィルムは厳密には光学的に２軸性である。

特許第３３３０５７４号 特許第３６４８２４０号

本発明は近年の液晶表示装置の進化に伴う高い表示品位への要求に対し、さらなる性能向上、具体的には広範囲の視野角における高いコントラスト表示を実現することを課題とする。また、近年の液晶表示装置においては、製造上のコスト抑制の要求が強く、これを満たすべく、前記した光学補償方式に対し、あらたな光学補償方式を提案するとともに、部材である位相差膜の製造コストを抑え、平易に製造することを課題とする。

上記課題の解決のため、前記した二つの方式に対し、本発明の発明者は鋭意検討した結果、ＶＡモード液晶表示装置に対し、光学的に２軸性のフィルムを用いつつも、液晶セルの上下に光学的異方性の波長分散が異なる位相差膜Ａ及びＢを用いることによって、上記図６の方式と図８の方式の中間に位置づけられる、２軸性フィルムの「ヘテロ」方式（２軸性で光学異方性が異なる。光学異方性が等しい＝「ホモ」方式＝図６の方式、に対して以下このように言う）を見出し、高い視野角コントラストを持つＶＡモード液晶表示装置を構築した。図５に本発明の液晶表示装置の補償機構の一例を示すが、これについては後に詳細に説明する。この「ヘテロ」方式では、液晶セルのΔｎｄが変化しても、一方の位相差膜Ａだけを変更することで対応可能であり、他方の位相差膜Ｂは変更不要であるので、位相差膜、ひいては液晶表示装置の生産性上のぞましい。

具体的には、前記課題を解決するための手段は以下の通りである。
［１］ 黒表示時に基板に対して垂直配向する液晶層を有する液晶セルと、
前記液晶セルを挟んで、それぞれの吸収軸を互いに直交にして配置される第１及び第２の偏光子と、
前記第１の偏光子と前記液晶セルとの間に配置される下記式（Ｉ）及び（II）を満たす位相差膜Ａと、
前記第２の偏光子と前記液晶セルとの間に配置される下記式（Ｉ）及び（II）を満たす位相差膜Ｂとを有し、
前記位相差膜Ａ及びＢの波長５４８ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（５４８）及び波長５４８ｎｍにおける厚み方向レターデーションＲｔｈ（５４８）が同等であって、及び前記位相差膜Ａ及びＢの可視光域における面内レターデーションＲｅ及び／又は厚み方向レターデーションＲｔｈの波長分散が互いに異なることを特徴とする液晶表示装置：
式（Ｉ） ３０ｎｍ ≦Ｒｅ（５４８） ≦８０ｎｍ
式（II） ７０ｎｍ ≦Ｒｔｈ（５４８） ≦１４０ｎｍ
（Ｒｅ（λ）は波長λ［ｎｍ］で測定した位相差膜の面内レターデーション［ｎｍ］、及びＲｔｈ（λ）は波長λ［ｎｍ］で測定した位相差膜の膜厚方向のレターデーション［ｎｍ］を表す）。
［２］ 前記位相差膜Ａの面内レターデーションＲｅが、下記式（III）〜（Ｖ）のいずれかを満足し、且つ前記位相差膜Ｂの面内レターデーションＲｅが、前記位相差膜ＡのＲｅが満足する式とは異なる下記式（III）〜（Ｖ）のいずれかを満足することを特徴とする［１］の液晶表示装置：
式(III) Re(446)/Re(548) < 1 且つ Re(628)/Re(548) > 1
式(IV) Re(446)/Re(548) > 1 且つ Re(628)/Re(548) < 1
式(Ｖ) |Re(446)-Re(628)|/Re(548) < 0.03 。
［３］ 前記位相差膜Ａの厚み方向レターデーションＲｔｈが、下記式（VI）〜（VIII）のいずれかを満足し、且つ前記位相差膜Ｂの厚み方向レターデーションＲｔｈが、前記位相差膜Ａが満足する式とは異なる下記式（VI）〜（VIII）のいずれかを満足することを特徴とする［１］又は［２］の液晶表示装置：
式(VI) Rth(446)/Rth (548) < 1 且つ Rth (628)/Rth (548) > 1
式(VII) Rth(446)/Rth (548) > 1 且つ Rth (628)/Rth (548) < 1
式(VIII) |Rth(446)-Rth(628)|/Rth(548) < 0.0125 。
［４］ 前記位相差膜Ａ及びＢのうち、少なくとも一方がノルボルネン系高分子フィルムであることを特徴とする［１］〜［３］のいずれかの液晶表示装置。
［５］ 前記位相差膜Ａ及びＢのうち、少なくとも一方がセルロースアシレートフィルムであることを特徴とする［１］〜［４］のいずれかの液晶表示装置。
［６］ 前記セルロースアシレートフィルムが、アシル基として、アセチル、プロピオニル及びブチリル基から選ばれる少なくとも一種を有するセルロースアシレートを含有することを特徴とする［５］の液晶表示装置。
［７］ 前記セルロースアシレートフィルムが、アシル基として、アセチル、プロピオニル及びブチリル基から選ばれる少なくとも二種を有するセルロースアシレートを含有することを特徴とする［５］の液晶表示装置。
［８］ 前記セルロースアシレートフィルムが、波長２５０ｎｍ〜３８０ｎｍに吸収極大がある円盤状化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする［５］〜［７］のいずれかの液晶表示装置。
［９］ 前記セルロースアシレートフィルムが、少なくとも一種の液晶性化合物を含有することを特徴とする［５］〜［８］のいずれかの液晶表示装置。

［１０］ 前記液晶性化合物が、下記一般式（Ａ）で表される化合物であることを特徴とする［９］の液晶表示装置：

式中、Ｌ¹及びＬ²は各々独立に単結合又は二価の連結基を表し；Ａ¹及びＡ²は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基を表す）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表し；Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は各々独立に置換基を表し；Ｘは第１４〜１６族の非金属原子を表し（ただし、Ｘには水素原子又は置換基が結合してもよい）；ｎは０〜２までのいずれかの整数を表す。

［１１］
前記液晶性化合物が、下記一般式（ａ）で表される化合物であることを特徴とする［９］の液晶表示装置：
一般式（ａ） Ａｒ¹−Ｌ²−Ｘ−Ｌ³−Ａｒ²
上記一般式（ａ）において、Ａｒ¹及びＡｒ²は、それぞれ独立に、芳香族基であり、Ｌ²及びＬ³は、それぞれ独立に、−Ｏ−ＣＯ−又はＣＯ−Ｏ−基より選ばれる二価の連結基であり、Ｘは、１，４−シクロへキシレン基、ビニレン基又はエチニレン基である。

［１２］ 前記液晶性化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする［９］の液晶表示装置：

式中、Ｘ¹は、単結合、−ＮＲ⁴−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｘ²は、単結合、−ＮＲ⁵−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｘ³は、単結合、−ＮＲ⁶−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、芳香族環基又は複素環基であり；Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基である。

［１３］ 前記位相差膜Ａ及びＢの膜厚が、いずれも３０〜１００μｍであることを特徴とする［１］〜［１２］のいずれかの液晶表示装置。
［１４］ 前記位相差膜Ａ及びＢの少なくとも一方が、延伸フィルムであることを特徴とする［１］〜［１３］のいずれかの液晶表示装置。

本発明によれば、広範囲の視野角において高いコントラストの画像を表示可能な液晶表示装置、特にＶＡモードの液晶表示装置、を製造コスト上平易に提供することができる。

本発明の液晶表示装置の一例の概略模式図である。 本発明の液晶表示装置の光学補償を説明するために用いた図面である。 本発明の液晶表示装置の光学補償を説明するために用いた図面である。 従来の液晶表示装置の光学補償を説明するために用いた図面である。 本発明の液晶表示装置の光学補償を説明するために用いた図面である。 従来のＶＡモード液晶表示装置の断面模式図（ｂ）、及びその光学補償方式（ホモ方式）の一例の模式図（ａ）である。 従来のＶＡモード液晶表示装置の断面模式図（ｂ）、及びその光学補償方式（ホモ方式）の一例の模式図（ａ）である。 従来のＶＡモード液晶表示装置の断面模式図（ｂ）、及びその光学補償方式の一例の模式図（ａ）である。 従来のＶＡモード液晶表示装置の断面模式図（ｂ）、及びその光学補償方式の一例の模式図（ａ）である。

以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
まず、本明細書で用いられる用語について、説明する。
（レターデーション、Ｒｅ、Ｒｔｈ）
本明細書において、Ｒｅ（λ）及びＲｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレターデーション（ｎｍ）及び厚さ方向のレターデーション（ｎｍ）を表す。Ｒｅ（λ）はＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。
測定されるフィルムが１軸又は２軸の屈折率楕円体で表されるものである場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）のフィルム法線方向に対して法線方向から片側５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて全部で６点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
上記において、法線方向から面内の遅相軸を回転軸として、ある傾斜角度にレターデーションの値がゼロとなる方向をもつフィルムの場合には、その傾斜角度より大きい傾斜角度でのレターデーション値はその符号を負に変更した後、ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
尚、遅相軸を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）、任意の傾斜した２方向からレターデーション値を測定し、その値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基に、以下の式（Ｘ）及び式（ＸＩ）よりＲｔｈを算出することもできる。

注記：
上記のＲｅ（θ）は法線方向から角度θ傾斜した方向におけるレターデーション値をあらわす。また、式中、ｎｘは面内における遅相軸方向の屈折率を表し、ｎｙは面内においてｎｘに直交する方向の屈折率を表し、ｎｚはｎｘ及びｎｙに直交する方向の屈折率を表す。ｄは膜厚を表す。

測定されるフィルムが１軸や２軸の屈折率楕円体で表現できないもの、いわゆる光学軸（ｏｐｔｉｃ ａｘｉｓ）がないフィルムの場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−５０度から＋５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて１１点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
上記の測定において、平均屈折率の仮定値は ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：
セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。
これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。この算出されたｎｘ，ｎｙ，ｎｚよりＮｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）が更に算出される。

本発明において、位相差膜等の「遅相軸」は、屈折率が最大となる方向を意味する。また、「可視光領域」とは、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍのことをいう。さらに屈折率の測定波長は特別な記述がない限り、可視光域のλ＝５４８ｎｍでの値である。
また、本明細書において、位相差膜及び液晶層等の各部材の光学特性を示す数値、数値範囲、及び定性的な表現（例えば、「同等」、「等しい」等の表現）については、液晶表示装置やそれに用いられる部材について一般的に許容される誤差を含む数値、数値範囲及び性質を示していると解釈されるものとする。

また、本明細書中、２つの位相差膜について、Ｒｅ（５４８）及びＲｔｈ（５４８）が同等とは、Ｒｅ（５４８）の絶対値の差が１．５ｎｍ以下であり、及びＲｔｈ（５４８）の絶対値の差が１．５ｎｍ以下であることを意味するものとする。また、本明細書中、２つの位相差膜について「光学異方性が同等」とは、「Ｒｅ（５４８）及びＲｔｈ（５４８）が同等」と同義である。
また、本明細書中、２つの位相差膜について、可視光域において面内レターデーションＲｅ及び厚み方向レターデーションＲｔｈのそれぞれの波長分散が互いに異なるとは、位相差膜の種々の波長（可視光域）の光に対して上記方法で測定されたＲｅ及びＲｔｈのそれぞれを縦軸に、及び入射光の波長（可視光域）を横軸にしてプロットした曲線について、その漸近線（直線）の傾きが異なることを意味する。本明細書において、前記傾きを数値化する場合には、波長６２８ｎｍと４４６ｎｍのレターデーション値の差を５４８ｎｍのレターデーション値で除した値、即ち、面内レターデーションＲｅの傾きは｛Ｒｅ(６２８)-Ｒｅ(４４６)｝/Ｒｅ(５４８)、厚み方向レターデーションＲｔｈの傾きは｛Ｒｔｈ(６２８)-Ｒｔｈ(４４６)｝/Ｒｔｈ(５４８)から求めるものとする。その傾きの正負が同一であっても、その傾きの絶対値が異なる場合は、波長分散が異なるものとする。ここで、前記その傾きの絶対値が異なる場合とは、面内レターデーションＲｅではその傾きに０．０３以上の差がある場合を、厚み方向のレターデーションＲｔｈではその傾きに０．０１２５以上の差がある場合を言うものとする。また、その傾きが正負の位相差膜と、その傾きがゼロの位相差膜とは区別され、それらは互いに波長分散が異なるものとする。本明細書では、その傾きがゼロとは、各種の誤差をも考慮し、ゼロに近い微小の傾きを有する場合をも含む。即ち、Ｒｅの傾きの絶対値が０．０３未満である場合、Ｒｔｈの傾きの絶対値が０．０１２５未満である場合も傾きがゼロと見なす。なお、以下でＲｅ又はＲｔｈについて、波長分散性が「順分散性」及び「逆分散性」とは、前者についてはＲｅ又はＲｔｈが入射光の波長が短波長なほど増加する、即ち前記傾きが負であることを意味し、後者についてはＲｅ又はＲｔｈが入射光の波長が長波長なほど増加する、即ち前記傾きが正であることを意味する。

本発明の液晶表示装置の一例の概略模式図を図１に示す。なお、図１中、上を観察者(表示面)側、下をバックライト側とする。
図１のＶＡモード液晶表示装置は、液晶セルＬＣ（上側基板１、下側基板３、及び液晶層５、からなる）と、液晶セルＬＣを挟持して配置される一対の上側偏光板Ｐ１及び下側偏光板Ｐ２とを有する。なお、偏光膜は、双方の表面に保護フィルムを有する偏光板として液晶表示装置に組み込まれるのが一般的であるが、図１では、偏光膜の外側保護フィルムは省略した。偏光板Ｐ１及びＰ２は、それぞれ偏光膜８ａ及び８ｂを有し、その吸収軸９ａ及び９ｂを互いに直交方向にして配置されている。液晶セルＬＣはＶＡモードの液晶セルであり、黒表示時には、図２に示す通り、液晶層５はホメオトロピック配向になる。上側基板１と下側基板３は、それぞれ内面に、配向膜（図示せず）と電極層（図示せず）を有し、さらに観察者側の基板１の内面には、カラーフィルタ層（図示せず）を有する。

上側基板１と上側偏光膜８ａとの間、及び下側基板３と下側偏光膜８ｂとの間には、位相差膜１０ａ及び１０ｂがそれぞれ配置されている。位相差膜１０ａ及び１０ｂは、光学的に２軸性であり、具体的には、下記式（Ｉ）及び（II）を満足するとともに、波長５４８ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（５４８）及び波長５４８ｎｍにおける厚み方向レターデーションＲｔｈ（５４８）が同等である。
式（Ｉ） ３０ｎｍ ≦Ｒｅ（５４８） ≦８０ｎｍ
式（II） ７０ｎｍ ≦Ｒｔｈ（５４８） ≦１４０ｎｍ

位相差膜１０ａ及び１０ｂは、下記式（Ｉ）’及び（II）’
式（Ｉ）’ ４０ｎｍ ≦Ｒｅ（５４８） ≦７０ｎｍ
式（II）’ ９０ｎｍ ≦Ｒｔｈ（５４８） ≦１３０ｎｍ
を満足するのが好ましく、下記式（Ｉ）”及び（II）”
式（Ｉ）” ４５ｎｍ ≦Ｒｅ（５４８） ≦７０ｎｍ
式（II）” １００ｎｍ ≦Ｒｔｈ（５４８） ≦１２５ｎｍ
を満足するのがさらに好ましい。

位相差膜１０ａ及び１０ｂは、その面内遅相軸１１ａ及び１１ｂを、上側偏光膜８ａ及び下側偏光膜８ｂの吸収軸９ａ及び９ｂと直交にして配置される。即ち、位相差膜１０ａ及び１０ｂは、それぞれの遅相軸を直交にして配置されている。
位相差膜１０ａ及び１０ｂは、それぞれ偏光膜８ａ及び８ｂの保護フィルムを兼ねていてもよい。

本発明の液晶表示装置は、薄型化の要求に対応可能であり、従来、液晶層のΔｎｄ（Δｎ：液晶の複屈折性、ｄ：層厚み）が３５０ｎｍ程度であったのに対して、図１の液晶表示装置では、液晶層５のΔｎｄは２５０〜３４５ｎｍ程度とすることができる。
図１に示すＶＡモード液晶表示装置と同様の光学補償原理を利用した態様、即ち、液晶セル（図１中では、ＬＣ）を中心として対称的な位置に配置された光学異方性が同等の２つの位相差膜（図１中では、１０ａ及び１０ｂ）のＲｅ及びＲｔｈによって、液晶セルＬＣの黒表示時の斜め方向に生じる複屈折性を補償する態様、では、その偏光状態の動きを、ポアンカレ球上の動きとして示すと、例えば、図２のようになる。なお、ポアンカレ球は偏光状態を記述する三次元マップで、球の赤道上は楕円率が０の直線偏光の偏光状態を表している。図２は、ポアンカレ球を、Ｓ２軸の正の方向から見た図である。図２中の点（ｉ）は、黒表示時に斜め方向から入射した光がバックライト側偏光膜を通過して直線偏光となった、その偏光状態を示していて、偏光状態点（ｉ）が、Ｓ１軸上の消光点である偏光状態点（ｉｉ）に変換されれば、液晶表示装置に斜め入射した際のコントラストの低下はなくなる。ＲＬは液晶セルの上下に対照的に配置された位相差膜を通過する際の光の偏光状態の軌跡を示し、及びＬＣは液晶セルを通過する際の光の偏光状態の軌跡を示している。従来、図１に示すような同等な光学異方性の位相差膜を上下対照的に配置したＶＡモード液晶表示装置では、図２に示すように、点対照の軌跡によって、入射光の偏光状態を変換して、黒表示時の斜め方向の光漏れを軽減していた。本発明のように薄型化が可能なように液晶層の厚みを薄くすると、液晶層のΔｎｄが小さくなり、液晶層を通過する光の偏光状態の変換の軌跡を示すＬＣの矢印の長さが短くなる。例えば、図３に示す通り、薄型化された液晶層（ＬＣ’）を、従来の位相差膜をそのまま用いて同一の構成で光学補償を試みても、矢印ＬＣ’が矢印ＬＣより短いため、点（ｉ）から点（ｉｉ）へ、図２に示すような対照的な軌跡で変換するのは困難である。そこで、本発明では、上記式（Ｉ）及び（ＩＩ）を満足する位相差膜（図１では１０ａ及び１０ｂ）を用いることで、従来の位相差膜を光が通過する際とは、異なる回転軸及び回転角度で偏光状態を変換することによって、全体的には、従来と同様の点対照的の軌跡による偏光状態の変換を可能とし、黒表示時の斜め方向の光漏れを軽減している。同観点から、本発明では、前記位相差膜のＲｅ（５５０）は、３０〜８０ｎｍであるのが好ましく、４０〜７０ｎｍであるのがさらに好ましく；及び位相差膜のＲｔｈ（５５０）は、７０〜１４０ｎｍであるのが好ましく、８０〜１３０ｎｍであるのがさらに好ましい。

さらに、本発明では、光学異方性が同等の２つの位相差膜の、Ｒｅ及び／又はＲｔｈの波長分散が互いに異なっている。それにより、黒表示時の斜め方向に生じるカラーシフトが軽減されている。位相差領域を通過することによる偏光状態の変化は、ポアンカレ球上では、該位相差領域の光学特性、Ｎｚ値（具体的にはＲｔｈ／Ｒｅに０．５を加えた値）に応じて決定される特定の軸の回りに、特定の角度回転させることで表される。該回転角度の大きさ（回転量）は、通過した位相差領域の位相差に比例し、且つ入射光の波長の逆数に比例する。例えば、Ｒｅが波長に依存せず一定である位相差膜を、図１中の位相差膜１０ａ及び１０ｂとしてそれぞれ用いると、図４に示す通り、短波長の光（例えば、青色光、図中「Ｂ」で示した）ほど大きく回転し、長波長（例えば、赤色光、図中「Ｒ」で示した）の光ほど小さく回転する。その結果、可視光域の中間波長である緑色光（５５０ｎｍ程度、図中「Ｇ」で示した）で消光点となるように光学特性を最適化したとしても、それよりも長波長なＲ光（６５０ｎｍ程度）や短波長なＢ光（４５０ｎｍ程度）では、偏光状態を消光点へ変換することができず、斜め方向においてカラーシフトが生じる。この傾向は、位相差膜のＲｅ及びＲｔｈの波長分散がどのような性質であっても（順分散性、逆分散性及び一定のいずれであっても）、Ｒｅ及びＲｔｈについて同等の波長分散を示す位相差膜を、図１の位相差膜１０ａ及び１０ｂとして配置すると生じる。

一方、本発明では、図１中、バックライト側の位相差膜１０ｂと、観察者側の位相差膜１０ａとでは、Ｇ光におけるＲｅ及びＲｔｈが同等でＧ光について図２に示すと同様な光学補償が可能であるとともに、さらに、Ｒｅ及び／又はＲｔｈの波長分散が互いに異なっている。その結果、Ｂ光及びＲ光の消光点からのズレが軽減され、斜め方向におけるカラーシフトの問題を解決することができる。一例として、図１中、バックライト側の位相差膜１０ｂとして、Ｒｅ及びＲｔｈが順分散性の位相差膜を用い、及び観察者側の位相差膜１０ａとして、Ｒｅ及びＲｔｈについて逆分散性の位相差膜を用いた例について説明する。この例では、図５に示す通り、バックライト側では、短波長の光ほど小さく回転し、長波長の光ほど大きく回転するため、中間波長であるＧ光（５５０ｎｍ程度）とほぼ同程度の位置に、短波長なＢ光（４５０ｎｍ程度）及び長波長なＲ光（６５０ｎｍ程度）が到達する。次に、液晶セルの光学特性により、ポアンカレ球の下側に向って回転し、図５に示すように、Ｒ光、Ｇ光及びＢ光は分かれた点に到達する。この時、消光点に対して、Ｂ光、Ｇ光、及びＲ光の順で、より遠い位置に到達する（消光点からの距離：長 Ｂ光＞ Ｇ光＞ Ｒ光 短）。図５に示す通り、視認側では短波長の光ほど大きく回転し、長波長の光ほど小さく回転するため、短波長なＢ光（４５０ｎｍ程度）、中間波長であるＧ光（５５０ｎｍ程度）と長波長なＲ光（６５０ｎｍ程度）は消光点にほぼ到達することが可能となる。

上記した通り、Ｒｅ及びＲｔｈについての波長分散の違いは、いずれも順分散、及びいずれも逆分散であっても、その程度（具体的には上記した傾き）が異なれば、Ｒｅ及びＲｔｈについて全く同一の波長分散の位相差膜を２枚用いた従来例と比較して、斜め方向において生じるカラーシフトの軽減効果がある。その効果をより高めるためには、本発明において、２つの位相差膜、位相差膜Ａ及び前記位相差膜Ｂは、位相差膜ＡのＲｅ又はＲｔｈが、可視光域において、順分散性、逆分散性及び一定のいずれかであり、並びに位相差膜ＢのＲｅ又はＲｔｈは、可視光域において、位相差膜ＡのＲｅ又はＲｔｈとは異なる、順分散性、逆分散性及び一定のいずれかを示すのが好ましい。
２つの位相差膜のうち一方の位相差膜（位相差膜Ａ）のＲｅが、下記式（III）〜（Ｖ）のいずれかを満足し、他方の位相差膜（位相差膜Ｂ）のＲｅが、位相差膜ＡのＲｅが満足する以外の下記式（III）〜（Ｖ）のいずれかを満足するのが好ましく、又は位相差膜ＡのＲｔｈが下記式（VI）〜（VIII）のいずれかを満足し、位相差膜ＢのＲｔｈが位相差膜ＡのＲｔｈが満足する以外の下記式（VI）〜（VIII）のいずれかを満足するのが好ましい。
位相差膜ＡのＲｅが、下記式（III）〜（Ｖ）のいずれかを満足し、他方の位相差膜（位相差膜Ｂ）のＲｅが、位相差膜ＡのＲｅが満足する以外の下記式（III）〜（Ｖ）のいずれかを満足するのが好ましく、且つ位相差膜ＡのＲｔｈが下記式（VI）〜（VIII）のいずれかを満足し、位相差膜ＢのＲｔｈが位相差膜ＡのＲｔｈが満足する以外の下記式（VI）〜（VIII）のいずれかを満足するのがさらに好ましい。
位相差膜ＡのＲｅが下記式(III)を及びＲｔｈが下記式(VI)を満足し、ならびに位相差膜ＢのＲｅが式（IV）を及びＲｔｈが式（VII）を満足するのがよりさらに好ましい。
なお、位相差膜Ａ及びＢは、いずれが表示面側であってもバックライト側であっても、同様の効果が得られる。
式(III) Re(446)/Re(548)<1 且つ Re(628)/Re(548)>1
式(IV) Re(446)/Re(548)>1 且つ Re(628)/Re(548)<1
式(Ｖ) |Re(446)-Re(628)|/Re(548)<0.03
式(VI) Rth(446)/Rth(548)<1 且つ Rth(628)/Rth(548)>1
式(VII) Rth(446)/Rth(548)>1 且つ Rth(628)/Rth(548)<1
式(VIII) |Rth(446)-Rth(628)|/Rth(548)<0.0125

更に、式(III)は、下記式（III）’
式(III)’0.80＜Re(446)/Re(548)<0.98 且つ 1.05＞Re(628)/Re(548)>1.001
であることがより好ましく、下記式（III）”
式（III）” 0.837＜Re(446)/Re(548)<0.965 且つ 1.045＞Re(628)/Re(548)>1.011
であることが更に好ましい。
また、式(IV)は、下記式（IV）’
式（IV） 1.026＞Re(446)/Re(548)>1.016 且つ 0.992＜Re(628)/Re(548)<0.994
であることが更に好ましい。
また、式(VI)は、下記式（VI）’
式（VI）’ 0.85＜Rth(446)/Rth(548)<0.98 且つ 1.05＞Rth(628)/Rth(548)>1.008
であることがより好ましく、下記式（VI）”
式（VI）” 0.891＜Rth(446)/Rth(548)<0.965 且つ 1.05＞Rth(628)/Rth(548)>1.008
であることが更に好ましい。
式(VII)は、1.01＞ Rth(446)/Rth (548) > 1.005 且つ 0.996＜Rth (628)/Rth (548) <0.998であることが更に好ましい。
位相差膜ＡのＲｅが式(III)を満足し且つＲｔｈが式(VI)を満足し、並びに位相差膜ＢのＲｅが式（IV）を満足し且つＲｔｈが式（VII）を満足する場合には、それぞれは、上記式（III）’及び（VI）’を満足するのが好ましく、上記式（III）”及び（VI）”を満足するのが更に好ましい。

本発明は上記の中でも、位相差膜ＡのＲｅ及びＲｔｈの波長分散が順分散性を有し、位相差膜ＢのＲｅ及びＲｔｈの波長分散が逆分散性を有する、あるいは、位相差膜ＡのＲｅ及びＲｔｈの波長分散が逆分散性を有し、位相差膜ＢのＲｅ及びＲｔｈの波長分散が順分散性を有する組み合わせが特に好ましい。理由を以下に記す。
斜め方向の黒輝度や黒色味シフト低減のためには、例えば、リア側偏光板、リア側位相差膜Ｂ、液晶セル、及びフロント側位相差膜Ａを通過した後の各波長の偏光が、斜め方向から見たフロント側偏光板の吸収軸と平行になっていることが求められる。
これらをポアンカレ球で説明すると、斜め方向から見たフロント側偏光板吸収軸の示すＳ１上の点（消光点）に、青色、緑色、赤色の光（Ｂ、Ｇ、Ｒ）が最終的に到達するということで、簡易的に表すことができる。
各層での偏光状態を考えると、リア側偏光板により直線偏光となった光は、リア側位相差膜ＢのＲｅにより、ポアンカレ球面上で回転がおこる。位相差膜Ｂが逆分散であることで、ＢＧＲの距離は近い位置にある（ＢＧＲの偏光状態が似たものとなる）。
次にＶＡ液晶セルが有する順分散複屈折性（負のＲｔｈに相当）により、ＢＧＲの距離は遠くなる（ＢＧＲの偏光状態が異なるものとなる）。
最後にフロント側位相差膜Ａの順分散Ｒｔｈにより、ＶＡ液晶セルで遠くなった距離を補償するため、ＢＧＲは消光点に集結する。これはフロント、リアの位相差膜を入れ替えても同じ議論ができる。

前記ホモ型やＣプレート＋Ａプレート型での作用機構の説明でも、上記と同様な議論に基づいた説明がされている。しかし、ホモ型において消光点にＢＧＲを集めるために理想的な位相差膜の波長分散は、Ｒｅが逆分散で且つＲｔｈが順分散であるとされているが、１枚のフィルムでＲｅが逆分散で且つＲｔｈが順分散の特性を示すフィルムを作製することは、非常に困難であり、製造適正も低く、コストも高くなる。そのため、Ｒｅ及びＲｔｈの波長分散性が同一のものを使用しているのが現状である。また、Ｃプレート＋Ａプレート型では、Ｃプレートの波長分散が順分散である必要があるが、かかる特性のCプレートの作製が非常に困難であり、製造適正も低く、コストも高くなる。そのため、順分散性の弱いものを使用しているのが現状である。簡易的にカラーシフトを小さくするためには、上記へテロ型の組み合わせが特に好ましい。

本発明は、ＶＡモード液晶表示装置の態様が好ましい。ＶＡモードの中でも、一画素を複数の領域に分割するマルチドメインと呼ばれる構造にすると上下左右の視野角特性が平均化され、表示品質が向上するので好ましい。

本発明の液晶表示装置は、駆動方法により、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）のような３端子又は２端子反導体素子を用いたアクティブマトリックス液晶表示装置と、時分割駆動と呼ばれるＳＴＮ型に代表されるパッシブマトリックス液晶表示装置に適用した態様があり、本発明はいずれにおいても有効である。

以下、本発明の液晶表示装置に用いられる種々の部材について詳細に説明する。
［位相差膜Ａ及びＢ］
本発明に用いられる位相差膜Ａ及びＢは、上記条件を満足する限り、材料について特に制限はない。前記位相差膜Ａ及びＢのそれぞれが、ポリマーフィルムであると、偏光子と貼り合わせることができる。また、単独の部材として、例えば、光学補償フィルムとして液晶表示装置に組み込むことができる。前記ポリマーフィルムの材料としては、光学性能、透明性、機械的強度、熱安定性、水分遮蔽性、等方性などに優れるポリマーが好ましいが、上述の条件を満たす範囲であればどのような材料を用いてもよい。例えば、ポリカーボネート系ポリマー、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート等のポリエステル系ポリマー、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系ポリマー、ポリスチレンやアクリロニトリル・スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）等のスチレン系ポリマー等が挙げられる。また、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、エチレン・プロピレン共重合体の如きポリオレフィン系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、ナイロンや芳香族ポリアミド等のアミド系ポリマー、イミド系ポリマー、スルホン系ポリマー、ポリエーテルスルホン系ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン系ポリマー、ポリフェニレンスルフィド系ポリマー、塩化ビニリデン系ポリマー、ビニルアルコール系ポリマー、ビニルブチラール系ポリマー、アリレート系ポリマー、ポリオキシメチレン系ポリマー、エポキシ系ポリマー、または前記ポリマーを混合したポリマーも例として挙げられる。

また、前記ポリマーフィルムを形成する材料としては、熱可塑性ノルボルネン系樹脂を好ましく用いることができる。熱可塑性ノルボルネン系樹脂としては、日本ゼオン（株）製のゼオネックス、ゼオノア、ＪＳＲ（株）製のアートン等が挙げられる。これらを延伸処理等することで、前記位相差膜Ａ及びＢとして利用することができる。

また、前記ポリマーフィルムを形成する材料としては、従来偏光板の透明保護フィルムとして用いられてきたセルロース系ポリマー（以下、セルロースアシレートという）を特に好ましく用いることができる。本発明に用いる位相差膜Ａ及びＢは、上記式（Ｉ）及び（ＩＩ）を満足する。従来、セルロースアシレートを主原料として含むセルロースアシレートフィルムでは、前記式（Ｉ）及び（ＩＩ）の光学特性を達成するのは困難であった。例えば、Ｒｅを前記式（Ｉ）を満足するように増加させると、Ｒｔｈが前記式（ＩＩ）の上限値（１４０ｎｍ）を超えてしまい、前記式（Ｉ）及（ＩＩ）を同時に満足するセルロースアシレートフィルムを作製するのは困難であった。仮に達成できたとしても、膜厚が極端に厚くなってしまうという問題があった。したがって、後述するとおり、液晶化合物等の添加剤を添加して、前記式（Ｉ）及び（ＩＩ）を満足するセルロースアシレートフィルムを作製し、位相差膜Ａ及びＢとして用いるのが好ましい。

・セルロースアシレート：
前記位相差膜の作製に用いるセルロースアシレートの代表例としては、トリアセチルセルロースが挙げられる。セルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えば、丸澤、宇田著、「プラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂」日刊工業新聞社（１９７０年発行）や発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（７頁〜８頁）に記載のセルロースを用いることができ、前記セルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

セルロースアシレートの置換度は、セルロースの構成単位（（β）１，４−グリコシド結合しているグルコース）に存在している、３つの水酸基がアシル化されている割合を意味する。置換度（アシル化度）は、セルロースの構成単位質量当りの結合脂肪酸量を測定して算出することができる。測定方法は、「ＡＳＴＭ Ｄ８１７−９１」に準じて実施する。
前記位相差膜の作製に用いるセルロースアシレートは、アセチル置換度が２．５０〜３．００であるセルロースアセテートが好ましい。前記アセチル置換度は２．７０〜２．９７がさらに好ましい。また、前記セルロースアシレートは、アセチル基に代えて、又はアセチル基とともに、アセチル基以外のアシル基で置換されていてもよい。中でも、アセチル、プロピオニル及びブチリル基から選ばれる少なくとも一種のアシル基を有するセルロースアシレートが好ましく、及びアセチル、プロピオニル及びブチリル基から選ばれる少なくとも二種のアシル基を有するセルロースアシレートがより好ましい。

前記セルロースアシレートは、３５０〜８００の質量平均重合度を有することが好ましく、３７０〜６００の質量平均重合度を有することがさらに好ましい。また本発明で用いられるセルロースアシレートは、７００００〜２３００００の数平均分子量を有することが好ましく、７５０００〜２３００００の数平均分子量を有することがさらに好ましく、７８０００〜１２００００の数平均分子量を有することがよりさらに好ましい。

前記セルロースアシレートは、アシル化剤として酸無水物や酸塩化物を用いて合成できる。工業的に最も一般的な合成方法では、綿花リンタや木材パルプなどから得たセルロースをアセチル基及び他のアシル基に対応する有機酸（酢酸、プロピオン酸、酪酸）又はそれらの酸無水物（無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸）を含む混合有機酸成分でエステル化してセルロースエステルを合成する。

本発明において、位相差膜として用いるセルロースアシレートフィルムは、ソルベントキャスト法により製造されるのが好ましい。ソルベントキャスト法を利用したセルロースアシレートフィルムの製造例については、 米国特許第２，３３６，３１０号、同２，３６７，６０３号、同２，４９２，０７８号、同２，４９２，９７７号、同２，４９２，９７８号、同２，６０７，７０４号、同２，７３９，０６９号及び同２，７３９，０７０号の各明細書、英国特許第６４０７３１号及び同７３６８９２号の各明細書、並びに特公昭４５−４５５４号、同４９−５６１４号、特開昭６０−１７６８３４号、同６０−２０３４３０号及び同６２−１１５０３５号等の記載を参考にすることができる。また、前記セルロースアシレートフィルムは、延伸処理を施されていてもよい。延伸処理の方法及び条件については、例えば、特開昭６２−１１５０３５号、特開平４−１５２１２５号、同４−２８４２１１号、同４−２９８３１０号、同１１−４８２７１号 等に記載の例を参考にすることができる。
なお、前記セルロースアシレートフィルムをソルベントキャスト法で作製する場合は、下記の液晶化合物等の添加剤は、セルロースアシレート組成物の溶液中に添加される。例えば、下記の液晶化合物等を有機溶媒に溶解した溶液を、セルロースアシレート組成物の溶液に添加してもよい。

本発明の位相差膜は、前記セルロースアシレートを主原料として含んでいるのが好ましい。

前記位相差膜Ａ及びＢとして要求される光学特性を満足するセルロースアシレートフィルムを作製するために、下記いずれかの材料を含有するセルロースアシレート組成物により、セルロースアシレートフィルムを作製するのが好ましい。
・円盤状化合物：
また、前記位相差膜として用いるセルロースアシレートフィルム中には、波長２５０ｎｍ〜３８０ｎｍに吸収極大がある円盤状化合物の少なくとも一種を添加するのも好ましい。前記円盤状化合物は液晶性であっても非液晶性であってもよい。前記円盤状化合物とともに前記液晶化合物（好ましくは、一般式（Ａ）で表される液晶化合物及び／又は一般式（ａ）で表される液晶化合物）を用いると、レターデーション（Ｒｅ及びＲｔｈ）の発現性を調整するこができ、また前記の他の液晶化合物をフィルム中へ溶解しやすくなる効果も期待できるため好ましい。
フィルム中の波長２５０ｎｍ〜３８０ｎｍに吸収極大がある円盤状化合物の含有量は、主成分であるセルロースアシレートフィルムに対して、０．１〜３０質量％であるのが好ましく、１〜２５質量％がさらに好ましく、３〜１５質量％がよりさらに好ましい。
この範囲であると、ブリードアウトなどを起こすことなく、添加効果が得られる。

・液晶化合物：
本発明では、前記位相差膜としての条件を満足するセルロースアシレートフィルムを作製するために、セルロースアシレートフィルム中に、Ｒｅ発現剤として、液晶化合物の少なくとも一種を添加するのが好ましい。ここで、「Ｒｅ発現剤」とはフィルム面内の複屈折を発現する性質を有する化合物である。

前期液晶化合物は、好ましくは１００℃〜３００℃の温度範囲で液晶相を発現する。より好ましくは１２０℃〜２５０℃である。液晶相は、カラムナー相、ネマチィク相又はスメクティック相が好ましく、ネマチィク相又はスメクティック相がより好ましい。

本発明においては、複数の液晶化合物を用いてもよい。その場合、複数混合して得られる混合物を調製した場合においても液晶性をしめすことが好ましく、該混合物においても、液晶化合物が単独で示す液晶相と同一の液晶相が形成されることが好ましい。

本明細書において、レターデーション発現剤として用いる液晶化合物の液晶性評価は、エクリプスＥ６００ＰＯＬ偏光顕微鏡（（株）ニコン製）を使用し、これを用いて視認することによって化合物の液晶状態の有無及び相転移温度を測定した。温度コントロールはＦＰ９０（メトラー・トレド（株）製）に接続したホットステージＦＰ８２ＨＴ（メトラー・トレド（株）製）を使用して制御し、偏光顕微鏡にて観察される光学組織の変化から液晶相を測定している。
液晶化合物を秤量した後にサンプル瓶に取り分け、有機溶媒（例えばメチレンクロライドなど）で均一な溶液系としてから溶媒をドライアップすることで行なう。
上記の方法で準備した液晶性評価用の化合物をスライドガラスとカバーガラスに挟み込み、該ホットステージで１０℃／分の速度で加熱しながら該偏光顕微鏡で経時変化を観察する。
その結果、上記液晶化合物が均一な液晶相を形成する場合は液晶性を示すと判断し、均一な液晶相を示さずに等方相である場合や不均一である場合には液晶性がないと判断できる。

フィルム中の前記液晶性化合物の含有量は、主成分であるセルロースアシレートフィルムに対して、０．１〜３０質量％であるのが好ましく、１〜２５質量％がさらに好ましく、３〜１５質量％がよりさらに好ましい。この範囲であると、ブリードアウトなどを起こすことなく、添加効果が得られる。

前記位相差膜として利用するセルロースアシレートフィルムは、下記一般式（Ａ）で表される液晶化合物の少なくとも一種を含有するのが好ましい。下記一般式（Ａ）で表される液晶化合物を用いることにより、レターデーションを上昇させることができるとともに、レターデーションの波長分散性が、逆分散の位相差膜が得られる。

式中、Ｌ¹及びＬ²は各々独立に単結合又は二価の連結基を表し；Ａ¹及びＡ²は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基を表す）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表し；Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は各々独立に置換基を表し；Ｘは第１４〜１６族の非金属原子を表し（ただし、Ｘには水素原子又は置換基が結合してもよい）；ｎは０〜２までのいずれかの整数を表す。

前記一般式（Ａ）で表される化合物の中でも、Ｒｅ発現剤としては、下記一般式（Ｂ）で表される化合物が好ましい。

一般式（Ｂ）中、Ｌ¹及びＬ²は各々独立に単結合又は二価の連結基を表す。Ａ¹及びＡ²は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基を表す。）、−Ｓ−及びＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立に置換基を表す。ｎは０〜２の整数を表す。

一般式（Ａ）又は（Ｂ）において、Ｌ¹及びＬ²が表す二価の連結基としては、好ましくは下記の例が挙げられる。

さらに好ましくは−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−である。

一般式（Ａ）又は（Ｂ）において、Ｒ¹は置換基であり、複数存在する場合は同じでも異なっていてもよく、環を形成してもよい。置換基の例としては下記のものが適用できる。

ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル基）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル基）、ビシクロアルケニル基（置換又は無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル基）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換又は無置換の、芳香族又は非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５又は６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）、アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル基）、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイルベンゾイル基）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）、アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換又は無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基）を表わす。

上記の置換基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。

Ｒ¹は好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環
基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、シアノ基、アミノ基であり、さらに好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基である。

Ｒ²、Ｒ³は各々独立に置換基を表す。例としては上記Ｒ¹の例があげられる。好ましくは置換もしくは無置換のベンゼン環、置換もしくは無置換のシクロヘキサン環である。より好ましくは置換基を有するベンゼン環、置換基を有するシクロヘキサン環であり、さらに好ましくは４位に置換基を有するベンゼン環、４位に置換基を有するシクロヘキサン環である。

Ｒ⁴、Ｒ⁵は各々独立に置換基を表す。例としては上記Ｒ¹の例があげられる。好ましくは、ハメットの置換基定数σ_p値が０より大きい電子吸引性の置換基であることが好ましく、σ_p値が０〜１．５の電子吸引性の置換基を有していることがさらに好ましい。このような置換基としてはトリフルオロメチル基、シアノ基、カルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。また、Ｒ⁴とＲ⁵とが結合して環を形成してもよい。
なお、ハメットの置換基定数のσ_p、σ_mに関しては、例えば、稲本直樹著「ハメット則−構造と反応性−」（丸善）、日本化学会編「新実験化学講座１４ 有機化合物の合成と反応Ｖ」２６０５頁（丸善）、仲谷忠雄著「理論有機化学解説」２１７頁（東京化学同人）、ケミカル レビュー，９１巻，１６５〜１９５頁（１９９１年）等の成書に詳しく解説されている。

Ａ¹及びＡ²は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基）、−Ｓ−及びＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。好ましくは−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは置換基を表し、例としては上記Ｒ¹の例が挙げられる）又は−Ｓ−である。

Ｘは第１４〜１６族の非金属原子を表す。ただし、Ｘには水素原子又は置換基が結合してもよい。Ｘは＝Ｏ、＝Ｓ、＝ＮＲ、＝Ｃ（Ｒ）Ｒが好ましい（ここでＲは置換基を表し、例としては上記Ｒ¹の例が挙げられる）。
ｎは０〜２の整数を表し、好ましくは０、１である。

以下に、一般式（Ａ）又は（Ｂ）で表される化合物の具体例を示すが、前記Ｒｅ発現剤の例は以下の具体例に限定されるものではない。下記化合物に関しては、指定のない限り括弧（ ）内の数字にて例示化合物（Ｘ）と示す。

前記一般式（Ａ）又は（Ｂ）で表される化合物の合成は、既知の方法を参照して行うことができる。例えば、例示化合物（１）は、下記スキームに従って合成することができる。

前記スキーム中、化合物（１−Ａ）から化合物（１−Ｄ）までの合成は、“Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒａｐｈｙ”（１９９７）；２７（９）；ｐ．５１５−５２６．に記載の方法を参照して行うことができる。
さらに、前記スキームに示したように、化合物（１−Ｅ）のテトラヒドロフラン溶液に、メタンスルホン酸クロライドを加え、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミンを滴下し攪拌した後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミンを加え、化合物（１−Ｄ）のテトラヒドロフラン溶液を滴下し、その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）のテトラヒドロフラン溶液を滴下することで、例示化合物（１）を得ることができる。

・棒状化合物：
前記位相差膜とし用いるセルロースアシレートフィルムには、液晶化合物（好ましくは、前記一般式（Ａ）で表される液晶化合物）に代えて、又はそれとともに、下記一般式（ａ）で表される棒状化合物が添加されているのが好ましい。該棒状化合物は液晶性であっても非液晶性であってもよいが、液晶化合物であるのが好ましい。前記棒状化合物を用いると、液晶化合物がセルロースアシレートフィルム内で配向する際、互いに配向してレターデーションの発現に寄与するため、また前記液晶化合物をフィルム中へ溶解しやすくなる効果も期待できるため好ましい。
一般式（ａ）：Ａｒ¹−Ｌ¹²−Ｘ−Ｌ¹³−Ａｒ²
上記一般式（ａ）において、Ａｒ¹及びＡｒ²はそれぞれ独立に、芳香族基であり；Ｌ¹²及びＬ¹³はそれぞれ独立に、−Ｏ−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−基であり；Ｘは、１，４−シクロへキシレン基、ビニレン基又はエチニレン基である。
上記一般式（ａ）において、Ａｒ¹及びＡｒ²は、それぞれ独立に、芳香族基であり、Ｌ２及びＬ３は、それぞれ独立に、−Ｏ−ＣＯ−又はＣＯ−Ｏ−基より選ばれる二価の連結基であり、Ｘは、１，４−シクロへキシレン基、ビニレン基又はエチニレン基である。
本明細書において、芳香族基は、アリール基（芳香族性炭化水素基）、置換アリール基、芳香族性ヘテロ環基及び置換芳香族性ヘテロ環基を含む。
アリール基及び置換アリール基の方が、芳香族性ヘテロ環基及び置換芳香族性ヘテロ環基よりも好ましい。芳香族性へテロ環基のヘテロ環は、一般には不飽和である。芳香族性ヘテロ環は、５員環、６員環又は７員環であることが好ましく、５員環又は６員環であることがさらに好ましい。芳香族性へテロ環は一般に最多の二重結合を有する。ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子が好ましく、窒素原子又は硫黄原子がさらに好ましい。
芳香族基の芳香族環としては、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、ピリミジン環及びピラジン環が好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。

置換アリール基及び置換芳香族性ヘテロ環基の置換基の例には、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミノ基（例、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ブチルアミノ基、ジメチルアミノ基）、ニトロ基、スルホ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基（例、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ−エチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基）、スルファモイル基、アルキルスルファモイル基（例、Ｎ−メチルスルファモイル基、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基）、ウレイド基、アルキルウレイド基（例、Ｎ−メチルウレイド基、Ｎ，Ｎ−ジメチルウレイド基、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルウレイド基）、アルキル基（例、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、イソプロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−アミル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基）、アルケニル基（例、ビニル基、アリル基、ヘキセニル基）、アルキニル基（例、エチニル基、ブチニル基）、アシル基（例、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ヘキサノイル基、ラウリル基）、アシルオキシ基（例、アセトキシ基、ブチリルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ラウリルオキシ基）、アルコキシ基（例、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基）、アリールオキシ基（例、フェノキシ基）、アルコキシカルボニル基（例、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基）、アリールオキシカルボニル基（例、フェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニルアミノ基（例、ブトキシカルボニルアミノ基、ヘキシルオキシカルボニルアミノ基）、アルキルチオ基（例、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基）、アリールチオ基（例、フェニルチオ基）、アルキルスルホニル基（例、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基、ブチルスルホニル基、ペンチルスルホニル基、ヘプチルスルホニル基、オクチルスルホニル基）、アミド基（例、アセトアミド基、ブチルアミド基、ヘキシルアミド基、ラウリルアミド基）及び非芳香族性複素環基（例、モルホリル基、ピラジニル基）が含まれる。

置換アリール基及び置換芳香族性ヘテロ環基の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキル置換アミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基及びアルキル基が好ましい。
アルキルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基及びアルキルチオ基のアルキル部分とアルキル基とは、さらに置換基を有していてもよい。アルキル部分及びアルキル基の置換基の例には、ハロゲン原子、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノ、アミノ、アルキルアミノ基、ニトロ、スルホ、カルバモイル、アルキルカルバモイル基、スルファモイル、アルキルスルファモイル基、ウレイド、アルキルウレイド基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルスルホニル基、アミド基及び非芳香族性複素環基が含まれる。アルキル部分及びアルキル基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル、アミノ、アルキルアミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシ基が好ましい。

一般式（ａ）において、Ｌ¹²及びＬ¹³は、それぞれ独立に、−Ｏ−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−及びそれらの組合せからなる基より選ばれる二価の連結基である。

一般式（ａ）において、Ｘは、１，４−シクロへキシレン基、ビニレン基又はエチニレン基である。
以下に、一般式（ａ）で表される化合物の具体例を示す。

具体例（１）〜（３４）、（４１）、（４２）は、シクロヘキサン環の１位と４位とに二つの不斉炭素原子を有する。ただし、具体例（１）、（４）〜（３４）、（４１）、（４２）は、対称なメソ型の分子構造を有するため光学異性体（光学活性）はなく、幾何異性体（トランス型とシス型）のみ存在する。具体例（１）のトランス型（１−ｔｒａｎｓ）とシス型（１−ｃｉｓ）とを、以下に示す。

前述したように、棒状化合物は直線的な分子構造を有することが好ましい。そのため、トランス型の方がシス型よりも好ましい。
具体例（２）及び（３）は、幾何異性体に加えて光学異性体（合計４種の異性体）を有する。幾何異性体については、同様にトランス型の方がシス型よりも好ましい。光学異性体については、特に優劣はなく、Ｄ、Ｌあるいはラセミ体のいずれでもよい。
具体例（４３）〜（４５）では、中心のビニレン結合にトランス型とシス型とがある。上記と同様の理由で、トランス型の方がシス型よりも好ましい。

本発明において、液晶化合物として、重合性基を持ち紫外光や熱によって重合・硬化するものも好ましく用いることができる。フィルム中で液晶性を示して配向した後、重合性基を反応させることで、フィルム中で安定な状態を形成することができ好ましい。
この場合、上記の重合性の液晶化合物に併用して、光重合開始剤などの低分子化合物を用いることができる。

液晶化合物をＲｅ発現剤として利用することで、該液晶化合物が主成分であるセルロースアシレートを上回る高い配向度で配向し、高Ｒｅを達成することができる。Ｒｅ発現剤として利用する前記液晶化合物は、所望により添加される他の添加剤とともに、セルロースアシレート組成物中に添加することができる。より具体的には、前記液晶化合物は、アルコールやメチレンクロライド、ジオキソランの有機溶媒中に溶解してから、ポリマー溶液（好ましくはセルロースアシレート溶液）中に添加するのが好ましい。全添加剤に対する液晶化合物の質量割合は、５〜１００質量％が好ましく、５０〜１００質量％がさらに好ましい。また、前記液晶化合物の添加量は、セルロースアシレート組成物の全質量に対して、０．１〜３０質量％であるのが好ましく、０．５〜２０質量％がさらに好ましく、１〜１０質量％がよりさらに好ましい。

前記液晶化合物とともに、前記棒状化合物をセルロースアシレート組成物中に添加する態様では、前記棒状化合物の添加量は、セルロースアシレート組成物の全質量に対して、０．１〜３０質量％であるのが好ましく、０．５〜２０質量％がさらに好ましく、１〜１０質量％がよりさらに好ましい。
また、前記液晶化合物とともに、前記円盤状化合物をセルロースアシレート組成物中に添加する態様では、前記円盤状化合物の添加量はセルロースアシレート組成物の全質量に対して、０．１〜３０質量％であるのが好ましく、０．５〜２０質量％がさらに好ましく、１〜１０質量％がよりさらに好ましい。

本発明では、前記位相差膜の厚みについては特に制限されないが、薄膜化の要請に応えるためには、厚みは、１００μｍ以下であるのが好ましく、８０μｍ以下であるのがより好ましく、６０μｍ以下であるのがさらに好ましい。薄膜化の観点では、厚みは薄いほど好ましいが、一般的には、ポリマーフィルムの厚みは３０μｍ以上となる。

本発明に用いる位相差膜の一例は、Ｒｅの波長依存性が逆分散性であり、またＲｔｈについても波長依存性が逆分散性の位相差膜である。Ｒｅ及びＲｔｈが逆分散性の位相差膜は、前記一般式（Ａ）で表される液晶化合物の少なくとも一種を含有するセルロースアシレート組成物から作製することができる。

・Ｒｔｈ発現剤
本発明に用いる位相差膜としての条件を満足するセルロースアシレートフィルムを作製するために、セルロースアシレートフィルム中に、Ｒｔｈ発現剤を添加することができる。ここで、「Ｒｔｈ発現剤」とはフィルムの厚み方向に複屈折を発現する性質を有する化合物である。
前記Ｒｔｈ発現剤としては、２５０ｎｍ〜３８０ｎｍの波長範囲に吸収極大を有する分極率異方性の大きい化合物が好ましい。前記Ｒｔｈ発現剤としては、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を特に好ましく使用できる。

式中、Ｘ¹は、単結合、−ＮＲ⁴−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｘ²は、単結合、−ＮＲ⁵−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｘ³は、単結合、−ＮＲ⁶−、−Ｏ−又は−Ｓ−である。また、Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、芳香族環基又は複素環基であり；Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基である。

以下に前記一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい例（Ｉ−（１）〜ＩＶ−（１０））を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

前記位相差膜として利用するセルロースアシレートフィルムには、機械的物性を改良するため、又は乾燥速度を向上するために、可塑剤を添加することができる。可塑剤としては、リン酸エステル又はカルボン酸エステルが用いられる。リン酸エステルの例には、トリフェニルホスフェート（ＴＰＰ）及びトリクレジルホスフェート（ＴＣＰ）が含まれる。カルボン酸エステルとしては、フタル酸エステル及びクエン酸エステルが代表的である。フタル酸エステルの例には、ジメチルフタレート（ＤＭＰ）、ジエチルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジフェニルフタレート（ＤＰＰ）及びジエチルヘキシルフタレート（ＤＥＨＰ）が含まれる。クエン酸エステルの例には、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴＥ）及びＯ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴＢ）が含まれる。その他のカルボン酸エステルの例には、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが含まれる。フタル酸エステル系可塑剤（ＤＭＰ、ＤＥＰ、ＤＢＰ、ＤＯＰ、ＤＰＰ、ＤＥＨＰ）が好ましく用いられる。ＤＥＰ及びＤＰＰが特に好ましい。
可塑剤の添加量は、セルロースアシレートの量の０．１〜２５質量％であることが好ましく、１〜２０質量％であることがさらに好ましく、３〜１５質量％であることがよりさらに好ましい。

前記セルロースアシレートフィルムには、劣化防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン）を添加してもよい。劣化防止剤については、特開平３−１９９２０１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号の各公報に記載がある。劣化防止剤の添加量は、調製する溶液（ドープ）の０．０１〜１質量％であることが好ましく、０．０１〜０．２質量％であることがさらに好ましい。添加量が０．０１質量％未満であると、劣化防止剤の効果がほとんど認められない。添加量が１質量％を越えると、フィルム表面への劣化防止剤のブリードアウト（滲み出し）が認められる場合がある。特に好ましい劣化防止剤は、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）及びトリベンジルアミン（ＴＢＡ）である。

前記セルロースアシレートフィルムは、延伸処理を施されたフィルムであってもよい。延伸倍率は、３〜１００％程度であることが好ましい。延伸処理は、テンターを用いて実施できる。延伸処理によりフィルムに所望のレターデーションを付与することができる。フィルムの延伸方向は幅方向、長手方向のいずれでもよく、幅方向の延伸には前記のテンターを用い、長手方向の延伸にはロール間延伸を用いることができる。延伸するときの温度や、好ましい残留溶媒量等については、例えば、特開昭６２−１１５０３５号、特開平４−１５２１２５号、同４−２８４２１１号などの各公報、発明協会公開技報２００１−１７４５号の第２９頁に記載の技術を用いることができる。

本発明においては、セルロースドープを金属支持体に流延、部分的に乾燥後、溶媒を含有したウェブを剥離後、テンターで延伸し乾燥後、巻き取ったフィルムを本発明のフィルムとして用いてもよいし、巻き取ったフィルムを再度延伸してもよい。後者の場合は、剥離後連続してテンターで行われる延伸（ライン延伸）と、一旦巻き取ったフィルムを再度延伸（オフライン延伸）するという、少なくとも２段の延伸工程を含む。１０〜４０％のライン延伸と、１５〜３０％のオフライン延伸とを組み合わせるのが好ましく；２０〜３０％のライン延伸と、１５〜２５％のオフライン延伸とを組み合わせるのがより好ましい。オフライン延伸では、延伸する前に延伸温度より高い温度での予熱処理をすることが好ましい。

前記セルロースアシレートフィルムを、位相差膜としての機能に加えて、偏光膜の透明保護膜としても機能させる場合、偏光子との接着性を改善するために、セルロースアシレートフィルムを表面処理することが好ましい。
表面処理としては、コロナ放電処理、グロー放電処理、火炎処理、酸処理、アルカリ処理又は紫外線照射処理を実施する。酸処理又はアルカリ処理を実施することが好ましく、アルカリ処理を実施することがさらに好ましい。

本発明において、位相差膜Ａ及びＢの厚みは、いずれも３０〜１００μｍであるのが好ましくい。各位相差膜の厚みが前記範囲であると、薄膜化の要請と光学特性両立の点で好ましい。

本発明の好ましい一態様は、上記した通り、位相差膜ＡのＲｅが前記式（III）をＲｔｈが前記式（VI）を満足する（即ち、Ｒｅ及びＲｔｈの双方が順分散性）、及び位相差膜ＢのＲｅが前記式（IV）をＲｔｈが前記式（VII）を満足する（即ち、Ｒｅ及びＲｔｈの双方が逆分散性）の態様である。
前記式（Ｉ）及び（ＩＩ）を満足するとともに、Ｒｅ及びＲｔｈの双方が順分散性のセルロースアシレートフィルムは、２５０ｎｍ〜３８０ｎｍに吸収極大がある化合物、中でも前記一般式（Ｉ）で表される化合物、を添加することにより作製することができる。
また、前記式（Ｉ）及び（ＩＩ）を満足するとともに、Ｒｅ及びＲｔｈの双方が逆分散性のセルロースアシレートフィルムは、上記添加剤のうち、前記一般式（Ａ）で表される液晶性化合物とともに、前記一般式（ａ）で表される液晶性化合物をＲｅ発現剤として用いることで作製することができる。これらの化合物の詳細及び好ましい例については、前述の通りである。

［偏光板］
本発明の液晶表示装置には、前記位相差膜として用いられるセルロースアシレートフィルムを、直線偏光膜（偏光膜フィルム）と一体化させた偏光板を用いることができる。前記偏光板は、前記位相差膜と直線偏光膜（以下、単に「偏光膜」、「偏光フィルム」という場合は「直線偏光膜」をいうものとする）とを積層することによって作製することができる。前記位相差膜として用いるセルロースアシレートフィルムは、直線偏光膜の保護膜を兼ねていてもよい。

直線偏光膜は、Ｏｐｔｉｖａ Ｉｎｃ．に代表される塗布型偏光膜、もしくはバインダーと、ヨウ素又は二色性色素からなる偏光膜が好ましい。直線偏光膜におけるヨウ素及び二色性色素は、バインダー中で配向することで偏光性能を発現する。ヨウ素及び二色性色素は、バインダー分子に沿って配向するか、もしくは二色性色素が液晶のような自己組織化により一方向に配向することが好ましい。現在、市販の偏光子は、延伸したポリマーを、浴槽中のヨウ素もしくは二色性色素の溶液に浸漬し、バインダー中にヨウ素、もしくは二色性色素をバインダー中に浸透させることで作製されるのが一般的である。

直線偏光膜の位相差膜を貼り付けた表面と反対側の表面には、ポリマーフィルムを配置する（位相差膜／偏光膜／ポリマーフィルムの配置とする）ことが好ましい。
ポリマーフィルムは、その最表面が防汚性及び耐擦傷性を有する反射防止膜を設けてなることも好ましい。反射防止膜は、従来公知のいずれのものも用いることができる。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の具体例に制限されるものではない。

［セルロースアシレートフィルム１０１の作製］
下記に記載の割合になるように各成分を混合してセルロースアシレート溶液を調製した。セルロースアシレート溶液を、バンド流延機を用いて流延し、得られたウェブをバンドから剥離し、その後１４０℃の条件下、ＴＤ方向に４０％延伸した後、乾燥して、厚さ５５μｍのセルロースアシレートフィルムを作製した。これをフィルム１０１として用いた。
（セルロースアシレート溶液）
アセチル基置換度２．８０のセルロースアシレート １００質量部
下記化合物 Ｆ−１ ２質量部
トリフェニルホスフェート ３質量部
ジフェニルホスフェート ２質量部
メチレンクロライド ４１８質量部
メタノール ６２質量部

［セルロースアシレートフィルム１０２の作製］
下記に記載の割合になるように各成分を混合してセルロースアシレート溶液を調製した。セルロースアシレート溶液を、バンド流延機を用いて流延し、得られたウェブをバンドから剥離し、その後１４０℃の条件下、ＴＤ方向に４０％延伸した後、乾燥して、厚さ５０μｍのセルロースアシレートフィルムを作製した。これをフィルム１０２として用いた。
（セルロースアシレート溶液）
アセチル基置換度２．８０のセルロースアシレート １００質量部
上記化合物 Ｆ−１ ２．５質量部
下記化合物 Ｆ−２ ２質量部
下記化合物 Ｆ−３ ２質量部
トリフェニルホスフェート ３質量部
ジフェニルホスフェート ２質量部
メチレンクロライド ４１８質量部
メタノール ６２質量部

［セルロースアシレートフィルム１０３の作製］
下記に記載の割合になるように各成分を混合してセルロースアシレート溶液を調製した。セルロースアシレート溶液を、バンド流延機を用いて流延し、得られたウェブをバンドから剥離し、その後１４０℃の条件下、ＴＤ方向に４０％延伸した後、乾燥して、厚さ５０μｍのセルロースアシレートフィルムを作製した。これをフィルム１０３として用いた。
（セルロースアシレート溶液）
アセチル基置換度２．８０のセルロースアシレート １００質量部
上記化合物 Ｆ−１ ２質量部
上記化合物 Ｆ−２ ２質量部
上記化合物 Ｆ−３ ２質量部
トリフェニルホスフェート ３質量部
ジフェニルホスフェート ２質量部
メチレンクロライド ４１８質量部
メタノール ６２質量部

［セルロースアシレートフィルム１０４及び１０５の作製］
下記に記載の割合になるように各成分を混合してセルロースアシレート溶液を調製した。セルロースアシレート溶液を、バンド流延機を用いて流延し、得られたウェブをバンドから剥離し、その後１４０℃の条件下、ＴＤ方向に２５％延伸した後、乾燥して、厚さ４０μｍのセルロースアシレートフィルムを作製した。これをフィルム１０４として用いた。（セルロースアシレート溶液）
セルロースアシレート １００質量部
（アセチル置換度１．５４、プロピオニル置換度０．８４）
下記の添加剤 Ｋ−１ ５質量部
下記の添加剤 Ｋ−２ ４質量部
メチレンクロライド ４１６質量部
エタノール ７９質量部

同様の処理により、厚さ５２μｍのセルロースアシレートフィルムを作製した。これをフィルム１０５として用いた。

［ノルボルネン系ポリマーフィルム１０６〜１１０の作製］
市販のノルボルネン系ポリマーフィルム“ＺＥＯＮＯＲ”（日本ゼオン製）を、１４０℃にて縦方向を固定して横方向に３２％延伸して処理して、フィルム１０６を作製した。このフィルムの厚みは、７０μｍであった。
市販のノルボルネン系ポリマーフィルム“ＺＥＯＮＯＲ”（日本ゼオン製）を、１４０℃にて縦方向を固定して横方向に３５％延伸して、フィルム１０７を作製した。このフィルムの厚みは、６５μｍであった。
市販のノルボルネン系ポリマーフィルム“ＺＥＯＮＯＲ”（日本ゼオン製）を、１４０℃にて縦方向を固定して横方向に３０％延伸して、フィルム１０８を作製した。このフィルムの厚みは、７０μｍであった。
市販のノルボルネン系ポリマーフィルム“ＺＥＯＮＯＲ”（日本ゼオン製）を、１４０℃にて縦方向を固定して横方向に４０％延伸して、フィルム１０９を作製した。このフィルムの厚みは、６５μｍであった。
市販のノルボルネン系ポリマーフィルム“ＺＥＯＮＯＲ”（日本ゼオン製）を、１４０℃にて縦方向を固定して横方向に４０％延伸して、フィルム１１０を作製した。このフィルムの厚みは、７５μｍであった。

［セルロースアシレートフィルム１１１の作製］
下記に記載の割合になるように各成分を混合してセルロースアシレート溶液を調製した。セルロースアシレート溶液を、バンド流延機を用いて流延し、得られたウェブをバンドから剥離し、その後１４０℃の条件下、ＴＤ方向に３５％延伸した後、乾燥して、厚さ５０μｍのセルロースアシレートフィルムを作製した。これをフィルム１１１として用いた。
（セルロースアシレート溶液）
アセチル基置換度２．８０のセルロースアシレート １００質量部
上記化合物 Ｆ−１ １．５質量部
上記化合物 Ｆ−２ ２質量部
上記化合物 Ｆ−３ ２質量部
トリフェニルホスフェート ３質量部
ジフェニルホスフェート ２質量部
メチレンクロライド ４１８質量部
メタノール ６２質量部

［セルロースアシレートフィルム１１２の作製］
下記に記載の割合になるように各成分を混合してセルロースアシレート溶液を調製した。セルロースアシレート溶液を、バンド流延機を用いて流延し、得られたウェブをバンドから剥離し、その後１４０℃の条件下、ＴＤ方向に４０％延伸した後、乾燥して、厚さ５０μｍのセルロースアシレートフィルムを作製した。これをフィルム１１２として用いた。
（セルロースアシレート溶液）
アセチル基置換度２．８０のセルロースアシレート １００質量部
上記化合物 Ｆ−１ ３質量部
上記化合物 Ｆ−２ ２質量部
上記化合物 Ｆ−３ ２質量部
トリフェニルホスフェート ３質量部
ジフェニルホスフェート ２質量部
メチレンクロライド ４１８質量部
メタノール ６２質量部

［セルロースアシレートフィルム１１３の作製］
下記に記載の割合になるように各成分を混合してセルロースアシレート溶液を調製した。セルロースアシレート溶液を、バンド流延機を用いて流延し、得られたウェブをバンドから剥離し、その後１４０℃の条件下、ＴＤ方向に２０％延伸した後、乾燥して、厚さ５５μｍのセルロースアシレートフィルムを作製した。これをフィルム１１３として用いた。
（セルロースアシレート溶液）
アセチル基置換度２．８０のセルロースアシレート １００質量部
上記化合物 Ｆ−１ ２質量部
トリフェニルホスフェート ３質量部
ジフェニルホスフェート ２質量部
メチレンクロライド ４１８質量部
メタノール ６２質量部

［セルロースアシレートフィルム１１４の作製］
下記に記載の割合になるように各成分を混合してセルロースアシレート溶液を調製した。セルロースアシレート溶液を、バンド流延機を用いて流延し、得られたウェブをバンドから剥離し、これをＴＤ方向に２２％延伸及び乾燥し、フィルムを得た。これにより得られたフィルムを２００℃で予熱後、１７５℃にし、その条件下でＴＤ方向に２０％延伸した後、乾燥して、厚さ４５μｍのセルロースアシレートフィルムを作製した。これをフィルム１１４として用いた。
（セルロースアシレート溶液）
アセチル基置換度２．８１のセルロースアシレート １００質量部
上記化合物Ｆ−１ ６質量部
トリフェニルホスフェート ３．５質量部
ジフェニルホスフェート ２質量部
メチレンクロライド ４１８質量部
メタノール ６２質量部

［セルロースアシレートフィルム１１５の作製］
下記に記載の割合になるように各成分を混合してセルロースアシレート溶液を調製した。セルロースアシレート溶液を、バンド流延機を用いて流延し、得られたウェブをバンドから剥離し、これをＴＤ方向に２５％延伸及び乾燥し、フィルムを得た。これにより得られたフィルムを２００℃で予熱後、１７５℃にし、その条件下でＴＤ方向に２５％延伸した後、乾燥して、厚さ４２μｍのセルロースアシレートフィルムを作製した。これをフィルム１１５として用いた。
（セルロースアシレート溶液）
アセチル基置換度２．８１のセルロースアシレート １００質量部
上記化合物Ｆ−１ ７質量部
トリフェニルホスフェート ３．５質量部
ジフェニルホスフェート ２質量部
メチレンクロライド ４１８質量部
メタノール ６２質量部

［セルロースアシレートフィルム１１６の作製］
下記に記載の割合になるように各成分を混合してセルロースアシレート溶液を調製した。セルロースアシレート溶液を、バンド流延機を用いて流延し、得られたウェブをバンドから剥離し、その後１４０℃の条件下、ＴＤ方向に２０％延伸した後、乾燥して、厚さ５０μｍのセルロースアシレートフィルムを作製した。これをフィルム１１６として用いた。
（セルロースアシレート溶液）
アセチル基置換度２．８１のセルロースアシレート １００質量部
上記化合物Ｆ−１ ０．５質量部
上記化合物Ｆ−２ ２．５質量部
上記化合物Ｆ−３ ３質量部
トリフェニルホスフェート ３質量部
ジフェニルホスフェート ２質量部
メチレンクロライド ４１８質量部
メタノール ６２質量部

［セルロースアシレートフィルム１１７の作製］
下記に記載の割合になるように各成分を混合してセルロースアシレート溶液を調製した。セルロースアシレート溶液を、バンド流延機を用いて流延し、得られたウェブをバンドから剥離し、その後１４０℃の条件下、ＴＤ方向に２０％延伸した後、乾燥して、厚さ５２μｍのセルロースアシレートフィルムを作製した。これをフィルム１１７として用いた。
（セルロースアシレート溶液）
アセチル基置換度２．８１のセルロースアシレート １００質量部
上記化合物Ｆ−１ ０．５質量部
上記化合物Ｆ−２ ３．５質量部
上記化合物Ｆ−３ ３質量部
トリフェニルホスフェート ３質量部
ジフェニルホスフェート ２質量部
メチレンクロライド ４１８質量部
メタノール ６２質量部

上記で作製したフィルム１０１〜１１７について、それぞれ光学特性を測定した結果を下記の表に示す。

［偏光板の作製］
上記作製したフィルムの表面をそれぞれアルカリ鹸化処理した。１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に５５℃で２分間浸漬し、室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。続いて、厚さ８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフィルムをヨウ素水溶液中で連続して５倍に延伸し、乾燥して厚さ２０μｍの偏光膜を得た。ポリビニルアルコール（クラレ製ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤として、前記のアルカリ鹸化処理した各フィルム１０１〜１１３と、同様のアルカリ鹸化処理したフジタックＴＤ８０ＵＬ（富士フイルム社製）を用意し、これらの鹸化した面が偏光膜側となるようにして偏光膜を間に挟んで貼り合わせ、各フィルムとＴＤ８０ＵＬが偏光膜の保護フィルムとなっている偏光板をそれぞれ作製した。

［液晶表示装置Ｎｏ．１〜１２の作製］
上記作製した各偏光板を用いて、図１と同様の構成の液晶表示装置Ｎｏ．１〜１２をそれぞれ作製した。具体的には、液晶セルとして、ＶＡモード液晶セル（Δｎｄ＝３００ｎｍ）を用い、各偏光板を図１中の表示面側及びバックライト側の偏光板（図１中Ｐ１及びＰ２）として、下記表に示す組合せでそれぞれ組み込んで、液晶表示装置を作製した。なお、それぞれの位相差膜の遅相軸を、図１に示す通り、互いに直交させて配置した。

（評価）
・黒表示時、白表示時の透過率
上記で作製した液晶表示装置Ｎｏ．１〜１２について、黒表示時及び白表示の、正面方向及び斜め方向（極角４５度・方位角６０度方向）の透過率を測定することにより正面コントラスト及び斜め方向のコントラストを求めた。結果を下記表に示す。
・黒表示時のカラーシフト
上記で作製した液晶表示装置Ｎｏ．１〜１２について、黒表示時の色味変化Δｕ’ｖ’（＝√（ｕ’ｍａｘ−ｕ’ｍｉｎ）²＋（ｖ’ｍａｘ−ｖ’ｍｉｎ）²）をそれぞれ測定した。ここで、ｕ’ｍａｘ（ｖ’ｍａｘ）は０〜３６０度のうち最大のｕ’（ｖ’）、ｕ’ｍｉｎ（ｖ’ｍｉｎ）は０〜３６０度のうち最小のｕ’（ｖ’）である。結果を下記表に示す。

上記表に示す結果から、表示面側位相膜及びバックライト側位相差膜として、Ｒｅ（５４８）及びＲｔｈ（５４８）が同等で、且つＲｅ及びＲｔｈの波長分散性が互いに異なるフィルムをそれぞれ用いた本発明の液晶表示装置は、表示面側位相膜及びバックライト側位相差膜として、同一のフィルムを用いた比較例の液晶表示装置と比較して、斜め方向のコントラストが高く、及び黒表示時の斜め方向のカラーシフトが軽減されていることが理解できる。

１ 上側液晶セル基板
３ 下側液晶セル基板
５ 液晶層
８ａ 上側偏光膜
９ａ 上側偏光膜の吸収軸
８ｂ 下側偏光膜
９ｂ 下側偏光膜の吸収軸
１０ａ 上側位相差膜
１０ｂ 下側位相差膜
１１ａ 上側位相差膜の面内遅相軸
１１ｂ 下側位相差膜の面内遅相軸
ＬＣ 液晶セル
Ｐ１、Ｐ２ 偏光板

Claims (14)

1. 黒表示時に基板に対して垂直配向する液晶層を有する液晶セルと、
   前記液晶セルを挟んで、それぞれの吸収軸を互いに直交にして配置される第１及び第２の偏光子と、
   前記第１の偏光子と前記液晶セルとの間に配置される下記式（Ｉ）及び（II）を満たす位相差膜Ａと、
   前記第２の偏光子と前記液晶セルとの間に配置される下記式（Ｉ）及び（II）を満たす位相差膜Ｂとを有し、
   前記位相差膜Ａ及びＢの波長５４８ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（５４８）及び波長５４８ｎｍにおける厚み方向レターデーションＲｔｈ（５４８）が同等であって、及び前記位相差膜Ａ及びＢの可視光域における面内レターデーションＲｅ及び／又は厚み方向レターデーションＲｔｈの波長分散が互いに異なることを特徴とする液晶表示装置：
   式（Ｉ） ３０ｎｍ ≦Ｒｅ（５４８） ≦８０ｎｍ
   式（II） ７０ｎｍ ≦Ｒｔｈ（５４８） ≦１４０ｎｍ
   （Ｒｅ（λ）は波長λ［ｎｍ］で測定した位相差膜の面内レターデーション［ｎｍ］、及びＲｔｈ（λ）は波長λ［ｎｍ］で測定した位相差膜の膜厚方向のレターデーション［ｎｍ］を表す）。
2. 前記位相差膜Ａの面内レターデーションＲｅが、下記式（III）〜（Ｖ）のいずれかを満足し、且つ前記位相差膜Ｂの面内レターデーションＲｅが、前記位相差膜ＡのＲｅが満足する式とは異なる下記式（III）〜（Ｖ）のいずれかを満足することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置：
   式(III) Re(446)/Re(548) < 1 且つ Re(628)/Re(548) > 1
   式(IV) Re(446)/Re(548) > 1 且つ Re(628)/Re(548) < 1
   式(Ｖ) |Re(446)-Re(628)|/Re(548) < 0.03 。
3. 前記位相差膜Ａの厚み方向レターデーションＲｔｈが、下記式（VI）〜（VIII）のいずれかを満足し、且つ前記位相差膜Ｂの厚み方向レターデーションＲｔｈが、前記位相差膜Ａが満足する式とは異なる下記式（VI）〜（VIII）のいずれかを満足することを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置：
   式(VI) Rth(446)/Rth (548) < 1 且つ Rth (628)/Rth (548) > 1
   式(VII) Rth(446)/Rth (548) > 1 且つ Rth (628)/Rth (548) < 1
   式(VIII) |Rth(446)-Rth(628)|/Rth(548) < 0.0125 。
4. 前記位相差膜Ａ及びＢのうち、少なくとも一方がノルボルネン系高分子フィルムであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
5. 前記位相差膜Ａ及びＢのうち、少なくとも一方がセルロースアシレートフィルムであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
6. 前記セルロースアシレートフィルムが、アシル基として、アセチル、プロピオニル及びブチリル基から選ばれる少なくとも一種を有するセルロースアシレートを含有することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記セルロースアシレートフィルムが、アシル基として、アセチル、プロピオニル及びブチリル基から選ばれる少なくとも二種を有するセルロースアシレートを含有することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
8. 前記セルロースアシレートフィルムが、波長２５０ｎｍ〜３８０ｎｍに吸収極大がある円盤状化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
9. 前記セルロースアシレートフィルムが、少なくとも一種の液晶性化合物を含有することを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
10. 前記液晶性化合物が、下記一般式（Ａ）で表される化合物であることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置：
    

    

    式中、Ｌ¹及びＬ²は各々独立に単結合又は二価の連結基を表し；Ａ¹及びＡ²は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基を表す）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表し；Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は各々独立に置換基を表し；Ｘは第１４〜１６族の非金属原子を表し（ただし、Ｘには水素原子又は置換基が結合してもよい）；ｎは０〜２までのいずれかの整数を表す。
11. 前記液晶性化合物が、下記一般式（ａ）で表される化合物であることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置：
    一般式（ａ） Ａｒ¹−Ｌ²−Ｘ−Ｌ³−Ａｒ²
    上記一般式（ａ）において、Ａｒ¹及びＡｒ²は、それぞれ独立に、芳香族基であり、Ｌ²及びＬ³は、それぞれ独立に、−Ｏ−ＣＯ−又はＣＯ−Ｏ−基より選ばれる二価の連結基であり、Ｘは、１，４−シクロへキシレン基、ビニレン基又はエチニレン基である。
12. 前記液晶性化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置：
    

    

    式中、Ｘ¹は、単結合、−ＮＲ⁴−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｘ²は、単結合、−ＮＲ⁵−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｘ³は、単結合、−ＮＲ⁶−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、芳香族環基又は複素環基であり；Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基である。
13. 前記位相差膜Ａ及びＢの膜厚が、いずれも３０〜１００μｍであることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
14. 前記位相差膜Ａ及びＢの少なくとも一方が、延伸フィルムであることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。

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