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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5343371B2 (ja) * 2008-03-05 2013-11-13 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン基板とその製造方法
JP2010034128A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Sumco Corp ウェーハの製造方法及び該方法により得られたウェーハ
DE102010027411A1 (de) * 2010-07-15 2012-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement, Substrat und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge
KR20120032329A (ko) * 2010-09-28 2012-04-05 삼성전자주식회사 반도체 소자
JP5825931B2 (ja) * 2011-08-25 2015-12-02 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 固体撮像素子の製造方法
US8713966B2 (en) 2011-11-30 2014-05-06 Corning Incorporated Refractory vessels and methods for forming same
CN103094216A (zh) * 2013-01-11 2013-05-08 无锡华润上华科技有限公司 一种nor闪存器件的退火工艺及nor闪存器件
CN103077927A (zh) * 2013-01-11 2013-05-01 无锡华润上华科技有限公司 一种nor闪存器件的退火工艺及nor闪存器件
CN103065944B (zh) * 2013-01-14 2015-06-24 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种便携式器件晶圆的制造方法
US8907494B2 (en) 2013-03-14 2014-12-09 International Business Machines Corporation Electrical leakage reduction in stacked integrated circuits having through-silicon-via (TSV) structures
JP6260100B2 (ja) * 2013-04-03 2018-01-17 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
JP6020342B2 (ja) 2013-05-10 2016-11-02 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
WO2015186288A1 (ja) * 2014-06-02 2015-12-10 株式会社Sumco シリコンウェーハおよびその製造方法
JP6366383B2 (ja) * 2014-06-27 2018-08-01 株式会社ディスコ 加工装置
DE102016209008B4 (de) * 2016-05-24 2019-10-02 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium, Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium
JP6531729B2 (ja) * 2016-07-19 2019-06-19 株式会社Sumco シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法
US10326013B2 (en) 2016-11-23 2019-06-18 Microchip Technology Incorporated Method of forming a field-effect transistor (FET) or other semiconductor device with front-side source and drain contacts
US10522367B2 (en) * 2017-03-06 2019-12-31 Qualcomm Incorporated Gettering layer formation and substrate
TWI673834B (zh) * 2018-09-26 2019-10-01 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
DE102020132289A1 (de) * 2020-12-04 2022-06-09 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum herstellen einer fotodiode
FR3122524B1 (fr) * 2021-04-29 2025-02-21 St Microelectronics Crolles 2 Sas Procédé de fabrication de puces semiconductrices

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56140632A (en) * 1980-04-01 1981-11-04 Nec Corp Method for giving strain to semiconductor wafer
JPS5721826A (en) * 1980-07-15 1982-02-04 Nec Corp Manufacture of semiconductor single crystal wafer
JP2726583B2 (ja) * 1991-11-18 1998-03-11 三菱マテリアルシリコン株式会社 半導体基板
JP3384506B2 (ja) * 1993-03-30 2003-03-10 ソニー株式会社 半導体基板の製造方法
JP4613886B2 (ja) 1993-03-30 2011-01-19 ソニー株式会社 固体撮像素子の製造方法、及び半導体基板の製造方法
US5571373A (en) * 1994-05-18 1996-11-05 Memc Electronic Materials, Inc. Method of rough polishing semiconductor wafers to reduce surface roughness
JP2719113B2 (ja) * 1994-05-24 1998-02-25 信越半導体株式会社 単結晶シリコンウェーハの歪付け方法
JP3534207B2 (ja) * 1995-05-16 2004-06-07 コマツ電子金属株式会社 半導体ウェーハの製造方法
JPH11162991A (ja) * 1997-12-01 1999-06-18 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP3582569B2 (ja) * 1998-02-10 2004-10-27 三菱住友シリコン株式会社 シリコンウェーハの裏面ゲッタリング処理方法
US7160385B2 (en) * 2003-02-20 2007-01-09 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Silicon wafer and method for manufacturing the same
JP4048481B2 (ja) * 2002-10-04 2008-02-20 沖電気工業株式会社 電子ビーム近接露光方法
JP3732472B2 (ja) * 2002-10-07 2006-01-05 沖電気工業株式会社 Ｍｏｓトランジスタの製造方法
JP4943636B2 (ja) * 2004-03-25 2012-05-30 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4759948B2 (ja) * 2004-07-28 2011-08-31 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2006073580A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sumco Corp シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法
JP4885548B2 (ja) * 2006-01-20 2012-02-29 株式会社ディスコ ウェーハの研磨方法
JP2007220825A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Sumco Corp シリコンウェーハの製造方法
JP4867518B2 (ja) * 2006-08-03 2012-02-01 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP2008049847A (ja) 2006-08-24 2008-03-06 Mazda Motor Corp 自動車用シート装置
JP2009094326A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研削方法
JP2009259959A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Sumco Corp 薄厚シリコンウェーハおよびその製造方法

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